JPH02145485A - セラミックス材料とモリブデン金属との接合方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、たとえば核融合炉の第１壁材料などとして
有望視されている窒化アルミニウムなどのセラミックス
材料とモリブデン金属との接合構造物の製造などに好適
に実施されるセラミックス材料とモリブデン金属との接
合方法に関するものである。

〔従来の技術〕

窒化アルミニウム（以下ｒＡｆｉＮＪという。）セラミ
ックス材料は、軽元素材料であり、また高エネルギー中
性子（１４ＭｅＶ）に照射されても放射化しにくく、高
熱伝導性（１００〜２００　ｗ／ｍｋ）および低熱膨張
率（５，６ｘ　１０−’／　’ｃ）を有し、さらに耐熱
性（２０００°Ｃ）にも優れているため、高熱負荷に耐
える材料として有望視されており、特に核融合炉の第１
壁材料への応用が期待されている。しかしＡｆｉＮセラ
ミックス材料を前記核融合炉の第１壁などのような大型
構造物として加工することは極めて困難であり、加工す
ることができたとしても作成された構造物は信頼性に乏
しいものとなる。このため、ＡＩ！、Ｎセラミックス材
料に他の金属材料を接合してこの金属材料でＡｆｆｉＮ
セラミックス材料を支持し、プラズマに晒される第１壁
のみをＡｆｆｉＮセラミックス材料とすることが考えら
れる。この場合において、信軌性の高い第１壁を得るた
めには、ＡＩ！、Ｎセラミックス材料と前記他の金属材
料との接合技術が極めて重要である。核融合炉では第１
壁付近の温度は、通常の運転時においては４００〜６０
０°Ｃであるが、プラズマが不安定なときには数１００
０°Ｃ程度にイオン加熱される場合がある。このため前
記第１壁には１０００〜１２００°Ｃの温度に対応し得
る耐熱性が要求される。したがって前記ＡｆｉＮセラミ
ックス材料に接合される金属材料は、耐熱性に優れ、か
つＡＰ、Ｎセラミックスに熱膨張率が近似しているもの
が適当であり、このような金属材料としてモリブデン（
以下「ＭＯ」という。）金属がある。

このＭｏ金属と／ＩＮセラミックス材料との接合は、従
来では、活性金属（Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ。

Ｃｒ、Ｖなど）をろう材の母材成分（Ｎｉ、Ｐｔなど）
中に合金化し、ＡｆＮセラミックス材料に対するＭｏ金
属材料の濡れ性を向上するようにして行われる。この方
法は次の２つの方法に大別される。

■　液相接合法：　ＡｆｆｉＮセラミックス材料とＭｏ
金属材料とをＴｉ−Ｎｉろう材を用いて、このろう材の
融点以上に加熱して接合する方法。

■　固相接合法：ＡＩＩＮセラミックス材料とＭｏ金属
材料との間にＴｉ箔を挟み、加熱加圧接合する方法で、
１２５０°Ｃ以上に加熱することによってＡＩＮセラミ
ックス材料表面をＴｉでメタライズし、Ｍｏと接合する
ことができる。

〔発明が解決しようとする課題〕

ところが上記■の接合方法では、ろう材は８５０°Ｃの
温度に耐える程度の耐熱性を有しているにすぎず、した
がってＡｆｆｉＮセラミックス材料とＭ。

金属材料との接合物の耐熱性はこのろう材の耐熱性に制
限されてしまう、しかも前述のように核融合炉の第１壁
には１０００〜１２００°Ｃ程度の高温に対応し得る耐
熱性が要求されるので、この方法によって作成された前
記接合物は必要とされる条件を満たすことができない。

またＮｉは高放射化材料であるので、前記第１壁への応
用には適さない。

また上記■の接合方法では、ＡｆＮセラミックス材料表
面のメタライズのために、１２５０°Ｃ以上に加熱する
ことが必要であるが、Ｍｏ金属は１２００°Ｃ以上に加
熱すると再結晶化して脆化してしまい強度が問題となる
。１２００°Ｃ以下の加熱では、ＡＮＮセラミックス材
料表面のメタライズが良好に行われずこの結果ＡＩ！、
Ｎセラミックス材料とＭｏ金属材料との間の所望の密着
強度を得ることができない。

この発明の目的は、上述の技術的課題を解決し、接合物
の強度および耐熱性が向上され、界面での高い密着強度
を得ることができるセラミックス材料とモリブデン金属
との接合方法を提供することである。

〔課題を解決するための手段〕

この発明のセラミックス材料とモリブデン金属との接合
方法を第１図および第２図に基づいて説明する。

セラミックス材料としてたとえば窒化アルミニウム（以
下ｒＡｆＮＪという。）セラミックス材料が選ばれ、こ
のＡＩＮセラミックス材料とモリブデン（以下「ＭＯ」
という。）金属材料との接合が行われる。その接合方法
は大略的に２つのプロセスを含んで構成されている。第
１のプロセスは、ＡＩ！、Ｎセラミックス材料表面をチ
タン（以下ｒＴｉ　Ｊという。）金属化するプロセスで
あって、ＡＩＮセラミックス材料表面に対してＴｉ蒸着
と窒素（以下ｒＮ、１という。）イオン照射（ＡＩ！、
Ｎセラミックス材料に照射されるイオンとしては、この
Ｎイオンが適当である。）とを併用するいわゆるＩ　Ｖ
　Ｄ　（Ｉｏｎ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）
法が用いられる。この方法でＴｉ金属化されたＡｆｆＮ
セラミックス材料のチタン金属化表面に必要に応じてＴ
ｉが堆積され、そのようにして１〜数μｍのＴｉ堆積層
が形成される。さらに必要に応じてＭｏ金属材料の接合
面にも１〜数μｍのＴｉ堆積層が形成される。

第２のプロセスは、表面をＴｉ金属化した前記セラミッ
クス材料と、前記Ｍｏ金属材料とを、真空中で加熱・加
圧接合するプロセスである。

（ａ）　　第１のプロセス Ｔｉ金属化すべきＡｆＮセラミックス材料表面には、ダ
イヤモンドペーストによる鏡面研磨の後、溶剤洗浄、化
学エツチング、水洗洗浄の一連の前処理が施される。こ
のＡＩ！、Ｎセラミックス材料表面に、第１図に示す薄
膜形成装置によってＴｉ金属化が施される。表面に前述
の前処理が施されたＡｆｆＮセラミックス材料１は、真
空チャンバ２内に設けた回転式試料ホルダ３に支持され
る。この回転式試料ホルダ３に対向して、真空チャンバ
２の下方にはパケット型イオン源４が備えられ、また中
間には電子ビーム加熱式蒸発源５が備えられている。前
記パケット型イオン源４は、ガス導入口６からの窒素ガ
スをフィラメント７およびプラズマ電極８を設けたアー
クチャンバ９内でアーク放電により電離させてプラズマ
を生成させ、このプラズマから抑制電極１ｏおよび引出
電極１１などによって上方側に向かって窒素イオンを加
速して引き出すようにしたものである。また図において
、１２はＡｆｆｉＮセラミックス材料１表面に形成され
た薄膜の膜厚を測定する膜厚モニタであり、１３はＮイ
オンの輸送量を監視するためのイオン電流モニタである
。

Ａ４２Ｎセラミックス材料１表面には、イオン源４から
のＮイオンと、蒸発源５がらの蒸気化したＴｉとが飛来
し、そのようにしてＴｉ蒸着とＮイオン照射とが同時に
行われる。このＴｉ蒸着とＮイオン照射とは、交互に行
うようにしてもよい。

加速されたＮイオンとともに蒸気化したＴｉはＡＩＮセ
ラミックス材料１表面に押し込まれ、このようにしてＡ
４２Ｎセラミックス材料１表面ではＡＩＮとＴｉとの混
合層が形成され、／ＩＮセラミックス材料１表面がＴｉ
金属化される。このＴｉ金属化の後には、Ｎイオンの照
射を停止Ｌ７Ｔｉ蒸着のみが行われ、そのようにして前
記Ｔｉ金属化表面にＴｉ堆積層が形成される。

前記Ｔｉ金属化が行われるときには、真空チャンバ２内
の真空度は２　Ｘ　１０−６Ｔｏｒｒ程度とされ、Ｎイ
オンの加速エネルギーは１０ｅＶ〜２５ＫｅＶとされる
。この加速エネルギーの下限はイオン源４からのＮイオ
ンの引出限界値であり、上限は主として装置のコストな
どの観点から定められた値である。Ｎイオンの電荷は正
でも負でもよく、また両者の混合であってもよく、さら
にＡＮＮセラミックス材料表面に同時に電子線が照射さ
れてもよいが、この例ではイオン源４がらは正のイオン
を主体とするイオンビームが引き出される。また、Ｎイ
オンの照射量は、ｌＸｌ０”　〜ｌＸｌ０”／　ｃａ（
Ｄ範囲とされる。この下限はＮイオンがＡＩＮセラミッ
クス材料１との界面に単原子層を形成する条件であり、
上限はＮ原子がＡＩＮセラミックス材料１内に過剰に存
在して集合し、キャビティーを形成する限界濃度により
定められる値である。

蒸発源５から任意の速度で蒸発したＴｉは、１０ｅＶ〜
２５ＫｅＶで加速されたＮイオンにＡｆｉＮセラミック
ス材料１表面近傍で混合される。

この際にＴｉ原子はＮイオンによりスパッタされ、また
はＡｆｆｉＮセラミックス材料１内に押し込まれる。こ
のようにして前記ＡｆｆｉＮセラミックス材料１表面に
ＡｆＮとＴｉとの混合層が形成されていく。この混合層
の厚さはたとえばＮイオンがＴｉ金属蒸着層を通過して
ＡＩＮセラミックス材料１内に到達する範囲に留められ
、この後にＴｉ蒸着によって厚さ１〜数１ｔｍのＴｉ堆
積層が形成される。このＴｉ堆積層の厚さは、Ａ／！Ｎ
セラミックス材料１とＭｏ金属材料接合面の表面粗さの
合計以上とする。

ＡｆｆＮセラミックス材料１表面に前記混合層を形成し
た後にもＮイオン照射とＴｉ蒸着とを同時にまたは交互
に行う（すなわち併用する）ようにしてＴｉメタライズ
層を成長させるようにしてもよいが、終始Ｎイオンの照
射を行うと、このＮイオンにより前記混合層上にさらに
堆積されるＴｉとＮとの混合物層がスパッタ作用を受け
、成長が阻害されるとともに、この混合物層と前記混合
層とを含んで構成されるメタライズ層の強度劣化を招く
恐れがある。

（ｂ）　　第２のプロセス 第２図は前記ＡＩ！、Ｎセラミックス材料１のＴｉ金属
化表面に、Ｍｏ金属材料を加熱・加圧接合するための真
空ホットプレス装置の内部の構成を示す断面図である。

接合面に１〜数μｍのＴｉ堆積層を蒸着法によって形成
したＭｏ金属材料２１を前記Ｔｉ金属化が施された一対
のＡＩ！、Ｎセラミックス材料１の前記Ｔｉ金属化表面
間に挟み、真空槽２２内に配置したセラミックス荷台２
３上に設置する。

前記セラミックス荷台２３にはＭｏロッド２４が連結さ
れており、セラミックス荷台２３とは反対側のＡｆＮセ
ラミックス材料１は、Ｍｏロッド２５に連結された加圧
部材２６に当接している。

Ｍｏロッド２５は、クロスヘツド２７に設けたロードセ
ル２８に連結されている。

真空槽２２内には、前記一対のＡｌＮセラミックス材料
１とＭｏ金属材料２１とを加熱するタングステン電熱ヒ
ータ２９（以下「ヒータ２９Ｊという。）、および真空
槽２２内部の温度を測定する熱電対３０が設けられ、こ
の熱電対３０から得られる内部の温度情報に基づいて前
記ヒータ２９に電力を供給する電力コントローラ（図示
せず）の出力電力が制御される。

前記一対の／ＩＮセラミックス材料ｌとＭｏ金属材料２
１との接合に当たっては、真空槽２２内が油拡散ポンプ
（図示せず）などによって高真空（Ｉ　Ｘ　１０−’〜
１０−６Ｔｏｒｒ）に排気され、ヒータ２９が通電され
て、試料（一対のＡｌＮセラミックス材料１間にＭｏ金
属材料２１を挟んだもの）が加熱される。そしてこの試
料の温度が１２００°Ｃに昇温されたところで、この温
度を維持しつつ、前記一対のＭｏロッド２４，２５に万
能試験機（図示せず）より圧縮力がかけられ、そのよう
にしてＡＩ！、Ｎセラミックス材料１とＭｏ金属材料２
１との界面に７ＭＰａの圧縮荷重が加えられる。この加
熱・加圧状態で、Ａｌ２Ｎセラミックス材料１に形成し
たＴｉ堆積層とＭｏ金属材料２１表面に形成したＴｉ堆
積層との接合反応が進行する。前記加熱・加圧状態は、
たとえば約２時間にわたって保持される。

このようにして、高温での接合処理の終了の後には、試
料は熱歪みや残留応力を残さないように徐冷される。異
種材料の接合で通常問題となるのは、熱膨張率の差に起
因する熱歪みおよび残留応力である。特に高温で接合が
行われた場合には、試料を室温にまで冷却したときに、
温度差が大きいためにこのような影響が顕著となる。し
かしながらＡｆＮセラミックスとＭｏ金属とは、熱膨張
率がそれぞれ Ａｌ２Ｎセラミックス・・・５．６　ｘ　１０−６／’
ＣＭｏ金属　　　　　・・・５．　Ｏｘ　１０−”／”
ｃであり、極めて接近しており、また熱膨張特性も極め
て類催しているため、冷却時に歪みや残留応力が生じる
恐れがない。このため、界面での結合状態を直接反映し
た密着強度が得られる。

前記接合時の上述の温度１２００　’ＣはＴｉ−Ｔｉの
固相接合温度（１０００°Ｃ）とＭｏ金属材料２１が再
結晶化して脆化する温度（１２５０°Ｃ）とを考慮して
定めたもので、ｉ　ｏ　ｏ　ｏ　’ｃが下限、１２５０
°Ｃが上限である。また、接合時の上述の圧縮圧カフＭ
Ｐａは、Ｔｉの前記接合時の温度（１２００°Ｃ）にお
ける軟化応力と、前記真空ホットプレス装置での使用圧
力の上限値とを考慮して定めた値である。また、ＡｌＮ
セラミックス材料１のチタン金属化表面に形成されるＴ
ｉ堆積層の層厚と、Ｍｏ金属材料２１表面に形成される
Ｔｉ堆積層の層厚との合計は、Ａ４２Ｎセラミツクス材
料１とＭｏ金属材料２１の表面粗さの合計が下限とされ
、Ｔｉ箔に圧延することができる厚さ（約１０μｍ）が
上限とされる。

〔作用〕

以上のようにこの発明では、上記第１のプロセスでは、
ＩＶＤ法によりＡＮＮセラミックス材料１表面がＴｉ金
属化され、このＴｉ金属化された。６／２Ｎセラミック
ス材料１表面に、Ｔｉが蒸着により堆積されてＴｉ堆積
層が形成される。前記Ｔｉ金属化されるＡＩＮセラミッ
クス材料１表面では、Ｔｉの蒸着とともに／ＩＮセラミ
ックス材料１表面に照射されるＮイオンの働きによって
ＡＩＮとＴｉとの混合層が形成され、この混合層はＡρ
Ｎセラミックス材料１表面に対して強固に密着している
。このようにしてＴｉ金属化されたＡｆｉＮセラミック
ス材料１表面にはＴｉ堆積層を強固に密着させることが
できる。

そして上記第２のプロセスでは、前記ＡＮＮセラミック
ス材料１と表面にＴｉ堆積層を形成したＭｏ金属材料２
１とが真空ホットプレス装置によって加熱・加圧接合さ
れる。このとき両者の接合はＴｉ−Ｔｉの接合によって
達成されるので、この界面の密着強度は極めて高くなる
。このようにして、ＡｆｆｉＮセラミックス材料１とＭ
ｏ金属材料２１とが強固に密着することになる。

従来の固相接合法では、接合時における接合面の汚れや
、高温に加熱された状態では１０−Ｓ〜１Ｏ−６Ｔｏｒ
ｒの真空度の雰囲気中においても進行するＴｉ箔表面の
酸化汚染やＡｌＮセラミックス材料表面の汚染酸化など
が、密着強度の低下の要因となっている。これに対し、
この発明では、ＡｆｉＮセラミックス材料表面を予めＴ
ｉ金属化しているので、このＡ４２Ｎセラミツクス材料
とＭｏ金属材料との加熱加圧接合時においてＡｆｉＮセ
ラミックス材料の接合対象面の酸化が進行することはな
い。しかもＴｉは様々なガス（大気、Ｈ２Ｏなど）を拡
散吸収する性質があり、このためＴｉ−ＴｉおよびＴｉ
−Ｍｏなどの接合は高真空度に保った高温の雰囲気中で
良好に行われることが知られており、この発明ではＡｌ
Ｎ−Ｍｏ接合をＴｉ−Ｔｉ接合またはＴｉ−Ｍｏ接合に
置換することにより良好な密着強度を得ることに成功し
ているといえる。

また、前記Ｔｉ金属化は、高真空度に保った低温の雰囲
気中で行われるので、このＴｉ金属化の際にＡｌＮセラ
ミックス材料表面の酸化が進行することはない。

前述の例ではＴｉ堆積層が／ＩＮセラミックス材料表面
とＭｏ金属材料の接合面とのいずれにも形成されるよう
にしたが、このＴｉ堆積層はＡＩ！。

Ｎセラミックス材料とＭｏ金属材料との少なくともいず
れか一方に形成されればよく、全層厚がセラミックス材
料の表面粗さとＭｏ金属材料の表面粗さとの和以上であ
って、厚さの上限は箔に圧延することができる厚さとさ
れればよい。

また、上述の例では、セラミックス材料としてＡＰ、Ｎ
セラミックス材料を例に採って説明したが、セラミック
ス材料はたとえば５ｔｓＮｎセラミツクスや、ＳｉＣセ
ラミックスなどであってもよい。

〔実施例〕 本件発明者は以下に示す条件で作成され、ＡＩＮセラミ
ックス材料（２０（幅）Ｘ１７（長さ）Ｘ１６（厚さ）
閣）とＭｏ金属材料（２０Ｘ１７Ｘ２ｍｍ）とを接合し
て作成した前述の試料と、従来の固相接合法によるＡｎ
Ｎセラミックス材料とＭｏ金属材料との接合をおこなっ
た同様な試料との密着強度の比較を行っている。

（試料の作成条件） ■Ｔｉ金属化前のＡｌＮセラミックス材料表面の前処理 研磨：ダイヤモンドペースト　６，３．１　μｍエツチ
ング：第１液−ＨＦ、　）ＨＮＯ３，Ｈｔｏの１：１：
１の混合溶液 第２液・・・１（Ｃｌ３とＨＮＯ３との１：１の混合溶
液 洗浄：水、アルコール、またはアセトン中で１５分間、
超音波による洗浄 ■Ｔｉ金属化処理 堆積膜の膜厚（Ｔｉ＋Ｎ”　）　　：　９００人Ｔｉ堆
積層の層厚：１μｍまたは４．４μｍＮイオンの照射条
件 ■接合処理 加熱温度： 圧カニ １２００°Ｃ ＭＰａ 保持時間： １２０ｍ１ｎ 真空度： １　Ｘ　１０−’Ｔｏｒｒ 密着強度は、作成した試料を２（幅）Ｘ３０（長さ）×
３（厚さ）ｒｒｔｒｌの大きさに切り出して、ＪＩＳ−
Ｒ１６０１ｒフアインセラミツクスの曲げ強さ試験方法
」に準じた４点曲げ試験（上部スパン９薗、下部スパン
２７ｍｍ、　クロスヘツドスピード０、５　ｎｕ／ｍｉ
ｎ、温度２００〜１１００°Ｃ）により評価した。この
際に従来の固相接合法に従って作成された試料は、切り
出す際に破断してしまい、試験を行うことができなかっ
た。この実施例に従って作成された試料の前記４点曲げ
試験の結果は第３図に示されている。この第３図から、
前記試料はＡＩＮセラミックス母材強度（４０ＭＰａ）
の約１／４の密着強度を示し、８００°Ｃ（１０７３Ｋ
）程度まで安定に接合されていることが判る。

すなわち充分な耐熱性を有している。なお、第３図にお
いてシンボル“Ｏ゛は／ＩＮセラミックス材料表面およ
びＭｏ金属材料表面に形成したＴｉ堆積層の層厚を１μ
ｍとしたときの測定結果であり、シンボル°“Δ°゛は
前記層厚を４．４μｍとしたときの測定結果である。

〔発明の効果〕

請求項（１）のセラミックス材料とモリブデン金属との
接合方法によれば、セラミックス材料表面に照射される
窒素イオンの働きによってセラミックス材料表面では蒸
着されるチタンとセラミックス材料との混合層が形成さ
れて、このセラミックス材料表面がチタン金属化される
。

前記チタン金属化表面にモリブデン金属材料の接合面を
接触させて加熱加圧することにより、セ、ラミックス材
料とモリブデン金属とを強固に接合させることができる
。すなわち前記混合層はセラミックス材料表面に強固に
密着し、また、前記チタン金属化表面とモリブデン金属
材料との接合は強固にすることができるので、結果とし
てセラミックス材料とモリブデン金属材料との密着強度
が極めて高くなる。

前記チタン金属化は照射面全体にわたって均一に達成さ
れる。これはイオンによるスパッタクリーニングと混合
層の形成の効果であって、従来のＴｉ箔を挟み込んで加
熱加圧接合する方法では、接合対象面に汚染や未結合部
の残留のために（あるいは前記汚染が生じている部分や
前記未結合部の面積の方が、良好に結合された部分の面
積よりも多いために）、全体としては極めて低い接合強
度となってしまう。

モリブデン金属材料と前記チタン金属化表面との間の接
合は、１２００°Ｃ以下の温度（すなわちモリブデン金
属が脆化しない温度）で達成することができ、したがっ
て前記セラミックス材料とモリブデン金属とが接合され
てできた接合物は充分な強度を有することができる。ま
た、チタンは充分な耐熱性を有しているので、前記接合
物は充分な耐熱性を有することができる。

請求項（２）のセラミックス材料とモリブデン金属との
接合方法では、前記チタン金属化表面または前記モリブ
デン金属材料の接合面にチタンが堆積され、前記セラミ
ックス材料および前記接合面の各表面粗さの合計に相当
する厚さ以上であって、箔に圧延することができ、る厚
さまでのチタン堆積層が形成される。これによってこの
チタン堆積層でセラミックス材料およびモリブデン金属
材料の接合面の表面粗さが吸収されるので、セラミック
ス材料とモリブデン金属材料との密着強度をさらに向上
することができる。

また加熱加圧時において、接合を行うための装置内の真
空度が多少悪化して不純物ガスによる汚染酸化などが生
じても、前記チタン堆積層中に前記不純物ガスなどを吸
収させて接合反応を良好に進行させることができるので
、接合の工程の管理が容易になる。

【図面の簡単な説明】

第１図はセラミックス材料表面をチタン金属化するため
の基本的な構成を示す概念図、第２図はセラミックス材
料とモリブデン金属材料とを加熱加圧接合するための基
本的な構成を示す断面図、第３図はこの発明の一実施例
に従ってセラミックス材料とモリブデン金属材料とを接
合した試料に対する４点曲げ試験の結果を示すグラフで
ある。 １・・・ＡｆｆｉＮセラミックス材料、４・・・イオン
源、５・・・蒸発源、２１・・・モリブデン金属材料第 図 第 図

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）チタン蒸着と窒素イオン照射とを併用してセラミ
   ックス材料表面をチタン金属化し、 このチタン金属化表面にモリブデン金属材料の接合面を
   接触させて加熱加圧することを特徴とするセラミックス
   材料とモリブデン金属との接合方法。
2. （２）チタン蒸着と窒素イオン照射とを併用してセラミ
   ックス材料表面をチタン金属化し、 このチタン金属化表面およびモリブデン金属材料の接合
   面の少なくともいずれか一方にチタンを堆積させて、前
   記セラミックス材料および前記接合面の各表面粗さの合
   計に相当する厚さ以上であって、箔に圧延することがで
   きる厚さまでのチタン堆積層を形成し、 このチタン堆積層を介在させて前記チタン金属化表面に
   前記モリブデン金属材料の接合面を当接させて加熱加圧
   することを特徴とするセラミックス材料とモリブデン金
   属との接合方法。