JPH02145768A - 液体原料気化装置 - Google Patents
液体原料気化装置Info
- Publication number
- JPH02145768A JPH02145768A JP30026488A JP30026488A JPH02145768A JP H02145768 A JPH02145768 A JP H02145768A JP 30026488 A JP30026488 A JP 30026488A JP 30026488 A JP30026488 A JP 30026488A JP H02145768 A JPH02145768 A JP H02145768A
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- Japan
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- gas
- liq
- raw material
- raw
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- Granted
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/4481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J7/00—Apparatus for generating gases
- B01J7/02—Apparatus for generating gases by wet methods
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、減圧化学的気相成長法（以下減圧ＣＶＤ法と
いう）において用いられる液体原料を気化し供給する装
置に関する。
いう）において用いられる液体原料を気化し供給する装
置に関する。
（従来の技術）
ＣＶＤ法において用いられる液体原料を気化する一般的
な方法としてはバブラー法がある。
な方法としてはバブラー法がある。
口の方法は気密容器くバブラー）に液体原料を入れ、こ
の液体の中に輸送気体（キャリアガス）を吹き込んでバ
ブリングによって発生した原料蒸気をキトリアガスとと
−しにＣＶＤ装置の反応室に導入する方法である。
の液体の中に輸送気体（キャリアガス）を吹き込んでバ
ブリングによって発生した原料蒸気をキトリアガスとと
−しにＣＶＤ装置の反応室に導入する方法である。
しかし、この方法はバブラー内の液体原料の液面の高さ
の変化によって原料蒸気の輸送量が変化する欠点がある
。
の変化によって原料蒸気の輸送量が変化する欠点がある
。
また、バブリングの方法によっては原料蒸気に原料霧滴
が混合され輸送される欠点がある。
が混合され輸送される欠点がある。
さらに、この方法は断熱膨脹による気体の湿度の温度低
下により輸送管の中で原料が結露すしくは霧氷化する欠
点がある。
下により輸送管の中で原料が結露すしくは霧氷化する欠
点がある。
バブラー等の原料容器から直接に気化させる場合、バブ
ラー内、ＣＶ Ｄ装置の反応亨内の圧力差の絶対値が小
さいため、一方向の流れは不充分で逆向する成分、例え
ば、反応室で生成した反応生成物、酸化物ダスト、液滴
等により液体原料が汚染される欠点をもっている。
ラー内、ＣＶ Ｄ装置の反応亨内の圧力差の絶対値が小
さいため、一方向の流れは不充分で逆向する成分、例え
ば、反応室で生成した反応生成物、酸化物ダスト、液滴
等により液体原料が汚染される欠点をもっている。
また、液体原料を気化する他の方法として、液体原料が
気化−するに充分な温度まで加熱した気密な気化槽の中
に液体をノズルから霧状に霧化、あるいは超音波を用い
て霧化等を行なって導入して気化し、キレリアガスとと
しにＣＶＤ装置の反応室に導入する気化槽を用いる方法
がある。
気化−するに充分な温度まで加熱した気密な気化槽の中
に液体をノズルから霧状に霧化、あるいは超音波を用い
て霧化等を行なって導入して気化し、キレリアガスとと
しにＣＶＤ装置の反応室に導入する気化槽を用いる方法
がある。
この方法では原料液体が霧化しているため蒸発、効率が
良い利点があるが、しかし、この方法を減Ｉｔ下で実施
する場合、特に１０ＫＰａ附近あるいはそれ以下の減圧
状態Ｃ実施する＠合においでは液層の断熱膨張の結果生
じる液化もしくは固化どガスの流速の増加による滞在時
間の減少により、気化槽内で液滴を完全に除去すること
は困ガである。
良い利点があるが、しかし、この方法を減Ｉｔ下で実施
する場合、特に１０ＫＰａ附近あるいはそれ以下の減圧
状態Ｃ実施する＠合においでは液層の断熱膨張の結果生
じる液化もしくは固化どガスの流速の増加による滞在時
間の減少により、気化槽内で液滴を完全に除去すること
は困ガである。
原料液滴が気１ヒＵ−ずに反応室に導入された場合は、
成膜した摸の均一性が失なわれたり、原料成分の酸化物
のようなダス１〜が化生する等の欠点を生ずる。
成膜した摸の均一性が失なわれたり、原料成分の酸化物
のようなダス１〜が化生する等の欠点を生ずる。
本Ｒ明者等は減ｆｆ ＣＶ Ｄ法に３１３いて用いられ
る原料液体を霧化さけず（、二気化し、減圧ＣＶＤ装置
の反応室に原料の霧滴を導入せず制御された流量の気体
のみを導入する気化方法として、気化槽に液体原料を導
入し気化槽外周のヒーター等の発熱体で・おだやかに加
熱して気化する方法とその装置を先の特願昭６３−１１
０６９１号、特願昭６３−１２６５２９号、特願昭６３
−１９９６９８号で出願した。
る原料液体を霧化さけず（、二気化し、減圧ＣＶＤ装置
の反応室に原料の霧滴を導入せず制御された流量の気体
のみを導入する気化方法として、気化槽に液体原料を導
入し気化槽外周のヒーター等の発熱体で・おだやかに加
熱して気化する方法とその装置を先の特願昭６３−１１
０６９１号、特願昭６３−１２６５２９号、特願昭６３
−１９９６９８号で出願した。
本発明はこれらの発明の改良に関する。
（解決しようとする問題点）
液体原料を輸送する場合、アルゴン、ヘリウム等の不活
性ガスで加圧し輸送管中を輸送することが多い。この場
合、特に二種以上の液体原料を混合した場合、輸送管中
の液体原料の中にこれらのガスや低沸点原料の一部が気
化し気泡を生ずる。
性ガスで加圧し輸送管中を輸送することが多い。この場
合、特に二種以上の液体原料を混合した場合、輸送管中
の液体原料の中にこれらのガスや低沸点原料の一部が気
化し気泡を生ずる。
この気泡のため液体原料の液量が変化し液流が一定でな
くなる。
くなる。
また、気泡を含む原料液体が輸送管から気化槽に導入さ
れたとき気泡は消失するが、その時原料液体の霧滴を発
生する。
れたとき気泡は消失するが、その時原料液体の霧滴を発
生する。
本発明はこれらの欠点を除去するム゛二めの気化装置を
提供しようとするしのである。
提供しようとするしのである。
（問題を解決するための手段）
本発明は、気化槽への液体原料導入部に空間を設け、イ
の空間で液体原料と気泡を分離（）、気体と液体を別々
に気化槽に導入しようとするものである。
の空間で液体原料と気泡を分離（）、気体と液体を別々
に気化槽に導入しようとするものである。
本発明を第１図にしたがって詳細に説明する。
液体原料導入管３から導入された気泡を含／υだ液体は
気液分離部Ｅの空間で液体と気体に分離され、液体は気
化槽の凹凸の内壁を濡らしながら壁面に添って螺旋十に
落下する。気化槽外周のヒーター等の光熱体６−１．６
−２の温度を上げ壁面を加熱し、へ１面から液体をおだ
やかに気化する。
気液分離部Ｅの空間で液体と気体に分離され、液体は気
化槽の凹凸の内壁を濡らしながら壁面に添って螺旋十に
落下する。気化槽外周のヒーター等の光熱体６−１．６
−２の温度を上げ壁面を加熱し、へ１面から液体をおだ
やかに気化する。
気化した原料気体はキトリアガス導入色４から導入され
たアルゴン、ヘリウム等のキトリアガスとに′Ｘ、合し
気体導出管２から導出し、ＣＶ（７）装置の反応仝に導
入される。
たアルゴン、ヘリウム等のキトリアガスとに′Ｘ、合し
気体導出管２から導出し、ＣＶ（７）装置の反応仝に導
入される。
キャリアガス導入管４から導入されるキャリアがスは気
化槽内を渦巻状にト昇し気体導出管２（Ｊ入ることが好
ましい、。
化槽内を渦巻状にト昇し気体導出管２（Ｊ入ることが好
ましい、。
一方、液体原料中１．：含まれる気泡を形成し）ていた
気体は気液分離部「で背圧のため突出するか、その時液
体原料の霧滴を含んでいる。しかし７、このｆＡ滴を含
んだ気体は突出した時、気液分離部Ｅの壁に衝突し霧滴
は壁に吸着され、霧滴を含まない気体のみが気体流出口
りから流出しキャリアガスと合流する。
気体は気液分離部「で背圧のため突出するか、その時液
体原料の霧滴を含んでいる。しかし７、このｆＡ滴を含
んだ気体は突出した時、気液分離部Ｅの壁に衝突し霧滴
は壁に吸着され、霧滴を含まない気体のみが気体流出口
りから流出しキャリアガスと合流する。
このように、気液分離部Ｅで液体原料と気泡が分Ｆ！ｉ
ｔされ、これらが別々の軽路をたどるため濡れ壁への液
体原料の供給をより連続的にし、液体原料の気化量をよ
り一定に保つことができる。
ｔされ、これらが別々の軽路をたどるため濡れ壁への液
体原料の供給をより連続的にし、液体原料の気化量をよ
り一定に保つことができる。
また、気化槽の内壁に螺旋状の凹凸を設けることによっ
て液体原料導入管３から導入された液体原ＩＮ＋は気化
槽の内壁を濡らしながら螺旋状に流れＪｚりるが、外周
の発熱体は気化槽の内壁を均一に加熱しており、濡れ壁
面積が大きいため原料液体は気化槽の底部に至るまでの
間に気化し、気化槽の底部に液体として溜まることはな
い。また、このような気化過程によっているため原料液
体が突沸を起こすようなこともない。
て液体原料導入管３から導入された液体原ＩＮ＋は気化
槽の内壁を濡らしながら螺旋状に流れＪｚりるが、外周
の発熱体は気化槽の内壁を均一に加熱しており、濡れ壁
面積が大きいため原料液体は気化槽の底部に至るまでの
間に気化し、気化槽の底部に液体として溜まることはな
い。また、このような気化過程によっているため原料液
体が突沸を起こすようなこともない。
このような螺旋状の凹凸の気化槽内壁を設けることによ
って、液体原料の濡れ面積が大きくなりおだやかな蒸発
をするに充分な伝熱面積を得るこどができる。
って、液体原料の濡れ面積が大きくなりおだやかな蒸発
をするに充分な伝熱面積を得るこどができる。
本発明になる気化槽の材質は使用する液体原料の物性に
よって定められるが、テ１〜ラエトキシシランのような
腐食性の液体の場合はステンレスが好ましい。
よって定められるが、テ１〜ラエトキシシランのような
腐食性の液体の場合はステンレスが好ましい。
キャリアガスはアルゴン、ヘリウム等の不活性ガス、窒
素等が使用されるが、気化槽に入るまでに一定温度に予
備加熱されることが好ましい。
素等が使用されるが、気化槽に入るまでに一定温度に予
備加熱されることが好ましい。
気化槽内壁の螺旋状の溝は多数段で等高状の溝でもよい
。
。
（発明の効果）
本発明によれば、気泡を含む原料液体が液体原料導入管
から気化槽に導入され気泡を消失し・ｌこ時原料液体の
ｎ滴を発生させるが、この霧滴は気化また、気液分離部
で液体原料とその中に含まれる気泡が分離され、別々の
経路をたどるため液体原料の気化量すなわちＣＶＤ装置
の反応室への原料気体の供給量をより一定に保つことが
できる特徴がある。
から気化槽に導入され気泡を消失し・ｌこ時原料液体の
ｎ滴を発生させるが、この霧滴は気化また、気液分離部
で液体原料とその中に含まれる気泡が分離され、別々の
経路をたどるため液体原料の気化量すなわちＣＶＤ装置
の反応室への原料気体の供給量をより一定に保つことが
できる特徴がある。
さらに、気化槽の内壁に螺旋状の凹凸を設けることによ
って減圧ＣＶＤ法において用いられる原料液体を霧化さ
せずにおだやかに気化槽の内壁面から気化させることが
でき、その反応室に原料の液滴を導入することがない特
徴がある。
って減圧ＣＶＤ法において用いられる原料液体を霧化さ
せずにおだやかに気化槽の内壁面から気化させることが
でき、その反応室に原料の液滴を導入することがない特
徴がある。
第１図は本発明になる液体原料気化装置の断面図である
。 図において、１は気化槽、２は原料気体と主１シリアガ
スの混合ガスの導出管、３は液体原料導入管、４はキャ
リアガス導入管、５は螺旋状の凹凸を設けた気化槽内壁
、６−１．６−２は気化槽の外周に巻いた発熱体、Ａは
液体原料導入り、Ｂは原料ガスどギＸ・リアガスの混合
ガスの導出口、Ｃはキャリアガス導入口、Ｄは液体原料
中に含まれる気泡気体の流出口、Ｅは液体原料中に含ま
れる気泡と液体を分離−り−る気液分離部である、。
。 図において、１は気化槽、２は原料気体と主１シリアガ
スの混合ガスの導出管、３は液体原料導入管、４はキャ
リアガス導入管、５は螺旋状の凹凸を設けた気化槽内壁
、６−１．６−２は気化槽の外周に巻いた発熱体、Ａは
液体原料導入り、Ｂは原料ガスどギＸ・リアガスの混合
ガスの導出口、Ｃはキャリアガス導入口、Ｄは液体原料
中に含まれる気泡気体の流出口、Ｅは液体原料中に含ま
れる気泡と液体を分離−り−る気液分離部である、。
Claims (1)
- 液体原料注入口とキャリアガス導入口と気体流出口を備
えた密閉容器において、当該容器への液体原料導入部に
液体原料中に含まれる気泡気体と原料液体を分離する空
間を設け、気体と液体を別々に気化槽に導入することを
特徴とする液体原料気化装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30026488A JP2796975B2 (ja) | 1988-11-28 | 1988-11-28 | 液体原料気化装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30026488A JP2796975B2 (ja) | 1988-11-28 | 1988-11-28 | 液体原料気化装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02145768A true JPH02145768A (ja) | 1990-06-05 |
| JP2796975B2 JP2796975B2 (ja) | 1998-09-10 |
Family
ID=17882693
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30026488A Expired - Fee Related JP2796975B2 (ja) | 1988-11-28 | 1988-11-28 | 液体原料気化装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2796975B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0799907A1 (en) * | 1996-04-05 | 1997-10-08 | Ebara Corporation | Liquid material vaporizer apparatus and gas ejection device |
| EP0849375A3 (en) * | 1996-11-20 | 1998-12-02 | Ebara Corporation | Liquid feed vaporization system and gas injection device |
| JP2001247969A (ja) * | 1999-11-08 | 2001-09-14 | Joint Industrial Processors For Electronics | Ｃｖｄチャンバへ液体を供給する装置 |
| KR100443290B1 (ko) * | 2002-05-02 | 2004-08-09 | 주성엔지니어링(주) | 액체원료 기화장치 |
| JP2006202965A (ja) * | 2005-01-20 | 2006-08-03 | Lintec Co Ltd | 気化装置とその気化構造 |
| JP2011167680A (ja) * | 2010-01-14 | 2011-09-01 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 一定濃度の蒸発のための方法およびその方法を使用する装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101283587B1 (ko) * | 2010-04-06 | 2013-07-08 | (주)지오엘리먼트 | 기화 장치 및 이를 이용하는 기화 방법 |
-
1988
- 1988-11-28 JP JP30026488A patent/JP2796975B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0799907A1 (en) * | 1996-04-05 | 1997-10-08 | Ebara Corporation | Liquid material vaporizer apparatus and gas ejection device |
| US6036783A (en) * | 1996-04-05 | 2000-03-14 | Ebara Corporation | Liquid material vaporizer apparatus and gas ejection device |
| EP0849375A3 (en) * | 1996-11-20 | 1998-12-02 | Ebara Corporation | Liquid feed vaporization system and gas injection device |
| US6195504B1 (en) | 1996-11-20 | 2001-02-27 | Ebara Corporation | Liquid feed vaporization system and gas injection device |
| US6269221B1 (en) | 1996-11-20 | 2001-07-31 | Ebara Corporation | Liquid feed vaporization system and gas injection device |
| US6282368B1 (en) | 1996-11-20 | 2001-08-28 | Ebara Corporation | Liquid feed vaporization system and gas injection device |
| JP2001247969A (ja) * | 1999-11-08 | 2001-09-14 | Joint Industrial Processors For Electronics | Ｃｖｄチャンバへ液体を供給する装置 |
| KR100443290B1 (ko) * | 2002-05-02 | 2004-08-09 | 주성엔지니어링(주) | 액체원료 기화장치 |
| JP2006202965A (ja) * | 2005-01-20 | 2006-08-03 | Lintec Co Ltd | 気化装置とその気化構造 |
| JP2011167680A (ja) * | 2010-01-14 | 2011-09-01 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 一定濃度の蒸発のための方法およびその方法を使用する装置 |
| JP2016128163A (ja) * | 2010-01-14 | 2016-07-14 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーＲｏｈｍ ａｎｄ Ｈａａｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ＬＬＣ | 一定濃度の蒸発のための方法およびその方法を使用する装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2796975B2 (ja) | 1998-09-10 |
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