JPH0214615A - トランジスタのベース駆動回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、トランジスタのターンオフ時間を短縮する
ために流す逆バイアス電流が必要以上に大きくならない
ように制限しているｌ・ランジスタのベース駆動回路に
関する。

（従来の技術］ 第２図はトランジスタのベース駆動回路の一触的な例を
示したブロック図である。

この第２図において、主トランジスタ６のベースには、
この主トランジスタ６をオンにする順バイアス電流を供
給するためのベース電流発生回路２を接続している。ま
たこの主トランジスタ６のベース・エミッタ間には定電
圧ダイオード５を接続しておき、点弧した主トランジス
タ６を素早く消弧させるために、逆バイアス電流回路３
がラコの定電圧ダイオード５に電流を流して、当該主ト
ランジスタ６のベース電圧を逆バイアスにする。

またこの逆バイアス電流を一定に抑制するために、逆バ
イアス電流制限回路４を逆バイアス電流回路３の出力側
に設け、これにより余分な電流を流さなくてもよく、容
量を小さくできるようにしている。

第３図は第２図の一般例回路に使用しているベース電流
発生回路２の）ＩＩ成を示した回路図である。

この第３図において、端子１０に人力したへ−大信号は
トランジスタ　１１　のベース電圧として使用され、パ
ルス変圧器１２を励磁することでへ一ス電流を発生し、
出力端子２６を経て主トランジスタ６のベースに流れる
ようになっている。ここで定電圧ダイオード１３　とダ
イオード１４　はこのパルス変圧２Ｓ１２を飽和させな
いためのものであり、ダイオード１５はベース電流の極
性を一定にするためのものである。また、もう１＆Ｉｌ
のベース電流発生回路を構成している端子２０、トラン
ジスタ２１、パルス変圧器２２、定電圧ダイオード２３
　　ダイオード２４　と２５の機能は上述のものと同じ
である。

第４図は第２図の一般例回路に使用している逆バイアス
電流回路３の構成を示した回路図であって、補助信号を
端子３０から人力してトランジスタ３１　のベース電圧
として用い、パルス変圧器３２を励６■して逆バイアス
電流を出力端子３６から出力する。ここで定電圧ダイオ
ード３３　とダイオード３４　とはパルス変圧器３２を
飽和させないためのものであり、ダイオード３５は逆バ
イアス電流の極性を一定にするためのものである。

第５図は第３図に示すベース電流発生回路に入力するベ
ース信号と第４図に示す逆バイアス電流回路に入力する
補助信号のタイミングをあられしたタイムチャートであ
って、第５図（イ）は一方のベース信号の変化、第５図
（ロ）は他方のベース信号の変化、第５図（ハ）は補助
信号の変化をそれぞれがあられしている。

この第５図であきらかなように、２Ｍ１のベース信号が
交互にパルスを与えることで、ベース電流発生回路２か
らは連続したベース電流が主トランジスタ６に与えられ
てこれを点弧しており、この主トランジスタ６をターン
オフさせるさいには、補助信号を１回出力して、主トラ
ンジスタ６を逆バアイスするようにしている。

［発明が解決しようとする課題］ 第６図は逆バイアス電流制限回路４の従来例を示した回
路図であって、ダイオード４９を複数個直列に接続して
構成している。なお符号４０はこの逆バイアス電流制限
回路４の入力端子であり、符号５０が出力端子である。

このような回路構成にすることで、逆バイアス電流は入
力端子４０の電圧から出力端子５０の電圧を差引いた値
と、ダイオード４９の特性とにより定まる一定電流値に
制限されることとなる。

ところがこの電流制限値は、入力端子電圧４０・の電圧
変化に対応して変動する。それ故、電源電圧の変動とと
もに逆バイアス電流値も変動することになるので、電源
容量に余裕を持たせなければならず、装置が大形高価に
なる欠点を有する。さらに逆バイアス電流制限回路に使
用しているダイオードの発生熱を放散させるための冷却
フィンも大形にする必要がある。

そこでこの発明の目的は、電源電圧の変動かあっても、
逆バイアス電流制限値が一定するようにして容量に余裕
を持たせるのを回避できるようにすることにある。

〔課題を解決するための手段〕

上記の目的を達成するために、この発明のへ一ス駆動回
路は、王トランジスタのベースに順バイアス電流供給手
段と逆バイアス電流供給手段とを接続しているベース駆
動回路において、前記逆バイアス電流供給手段と、主ト
ランジスタのベースとの間に挿入している電界効果トラ
ンジスタと抵抗との直列回路と、この電界効果トランジ
スタのゲートにゲート電圧を与える直流電源と、前記抵
抗の両端にコレクタとベースを接続しかつそのエミンタ
を前記電界効果トランジスタのゲートに接続している補
助トランジスタとを備えるものとする。

〔作用〕

二の発明は、逆バイアス電、血を発生する回路に直列に
電界効果トランジスタを接続し、逆バイアス電流が増大
すれば、トランジスタなどによりこの電界効果トランジ
スタの電圧を低下させることでこの逆バイアス電流を抑
制し、主トランジスタに供給するベース電流を一定にし
ようとするものである。

〔実施例〕

第１図は本発明の実施例をあられした回路図である。

この第１図に示す逆バイアス電流制限回路の実施例は、
入力端子４０から逆バイアス電流を入力し、電界効果ト
ランジスタＣ以下ではＦＥＴと略記する）　　４１　と
抵抗４２との直列回路を経て出力端子５０から出力する
のであるが、ＦＩＥＴ４１のゲートには直流電源４２が
抵抗４３を介して接続され、また抵抗４２の両端にはト
ランジスタ４５のベースとコレクタを接続し、さらにこ
のトランジスタ４５のエミッタを前記ＦＥＴ４１　のゲ
ートに接続している。

上述の構成により、ＦＥＴ４１　と抵抗４２　との直列
回路に流れる逆バイアス電流が増大するにつれて抵抗４
２の両端電圧も上昇するので、トランジスタ４５が活性
化し、ＦＥＴ４１のゲート電圧を抵抗４４を通して放電
する。この過程で逆バイアス電流はトランジスタ４５の
ベース飽和電圧を抵抗４４の抵抗値で除算した値に制限
されることとなる。

〔発明の効果〕

この発明によれば、ＦＥＴと抵抗との直列回路に逆バイ
アス電流を流し、この逆バイアス電流値の増大とともに
ＦＥＴのゲート電圧を放電してこの逆バイアス電流の増
加を制限するのであるが、このような電流制限方式は、
従来のように電ａ電圧に依存するものでないので、電源
電圧が変動しても電流制限値に変化を生じない。従って
？ｉｌｔ流制限の精度が向上し、余分な電源容量を準備
する必要がない。さらに電流制限要素として、従来のダ
イオードに比して発熱量が少ないＦＥＴを使用している
こともあり、装置全体を小形化し、かつ低価格にできる
効果を有する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例をあられした回路図であり、第
２図はトランジスタのベース駆動回路の一般的な例を示
したブロック図、第３図は第２図の一般例回路に使用し
ているベース電流発生回路の構成を示した回路図、第４
図は第２図の一般例回路に使用している逆バイアス電流
回路の構成を示した回路図、第５図は第３図に示すベー
ス電流発生回路に入力するベース信号と第４図に示す逆
バイアス電流回路に入力する補助信号のタイミングをあ
られしたタイムチャート、第６図は逆バイアス電流制限
回路の従来例を示した回路図である。 ２・・・ベース電流発生回路、３・・・逆バイアス電流
回路、４・・・逆バイアス電流制限回路、６・・・主ト
ラ名 記 冨 図 活 図 あ 固

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １）主トランジスタのベースに順バイアス電流供給手段
   と逆バイアス電流供給手段とを接続しているベース駆動
   回路において、前記逆バイアス電流供給手段と、主トラ
   ンジスタのベースとの間に挿入している電界効果トラン
   ジスタと抵抗との直列回路と、この電界効果トランジス
   タのゲートにゲート電圧を与える直流電源と、前記抵抗
   の両端にコレクタとベースを接続しかつそのエミッタを
   前記電界効果トランジスタのゲートに接続している補助
   トランジスタとを備えていることを特徴とするトランジ
   スタのベース駆動回路。