JPH0214801A - 酸化物超電導体の改善方法 - Google Patents
酸化物超電導体の改善方法Info
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- JPH0214801A JPH0214801A JP63163350A JP16335088A JPH0214801A JP H0214801 A JPH0214801 A JP H0214801A JP 63163350 A JP63163350 A JP 63163350A JP 16335088 A JP16335088 A JP 16335088A JP H0214801 A JPH0214801 A JP H0214801A
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- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、超電導特性の良くない酸化物超電導体または
、超電導特性を示さない超電導体原料を効率的ｔこ酸化
することにより、迅速に且つ飛躍的にその超電導特性を
改善する方法に関する。
、超電導特性を示さない超電導体原料を効率的ｔこ酸化
することにより、迅速に且つ飛躍的にその超電導特性を
改善する方法に関する。
（従来の技術）
近年、酸化物超電導体が発見されその技術開発が急速な
テンポで進んでいる。−船釣に酸化物超電導体の酸素含
有量はその超電導特性に大きく影響することが知られて
いるが、超電導体中の酸素濃度の制御は極めて困難であ
る。
テンポで進んでいる。−船釣に酸化物超電導体の酸素含
有量はその超電導特性に大きく影響することが知られて
いるが、超電導体中の酸素濃度の制御は極めて困難であ
る。
例えば、Ｂａ２ＹＣｕ３Ｏ，の超電導体を作成する際に
は、炭酸バリウム（ＢａＣＯｓ）、酸化イツトリウム（
Ｙ２Ｏ２）、酸化銅（Ｃｕ Ｏ）を所定の比で混合した
後圧縮成型してペレットを作り、そのペレットを酸素雰
囲気炉中で９３０℃まで昇温している。但し、Ｘは零で
あってもよい。
は、炭酸バリウム（ＢａＣＯｓ）、酸化イツトリウム（
Ｙ２Ｏ２）、酸化銅（Ｃｕ Ｏ）を所定の比で混合した
後圧縮成型してペレットを作り、そのペレットを酸素雰
囲気炉中で９３０℃まで昇温している。但し、Ｘは零で
あってもよい。
このペレットはこの時点では正方晶を示す。しかしこの
試料は酸素含有量が少なく超電導特性を示さない。（以
下で、正方品系物質と呼ぶのは、この種の物質をいうも
のとする）。
試料は酸素含有量が少なく超電導特性を示さない。（以
下で、正方品系物質と呼ぶのは、この種の物質をいうも
のとする）。
ここで酸素含有量を適正値にして最良の超電導物質とす
るためには、酸素雰囲気中で先の９３０℃から１日をか
けて炉冷しなくてはならない。このようにして作成した
ものは斜方晶で９０に付近以下の温度で超電導特性を示
す。（以下で、斜方晶系物質と呼ぶのは、この種の物質
をいうものとする）。
るためには、酸素雰囲気中で先の９３０℃から１日をか
けて炉冷しなくてはならない。このようにして作成した
ものは斜方晶で９０に付近以下の温度で超電導特性を示
す。（以下で、斜方晶系物質と呼ぶのは、この種の物質
をいうものとする）。
しかしながら、良好な超電導特性を得るためには、上記
のように酸素雰囲気で１日をかけて炉冷する必要があり
、これは側底工業的量産に応用できるものではない。
のように酸素雰囲気で１日をかけて炉冷する必要があり
、これは側底工業的量産に応用できるものではない。
Ｂ、Ｇ、Ｂａｇｌｅｙらは彼等の論文（Ａｐｐｌ、Ｐｈ
ｙｓ、Ｌｅｔｔ。
ｙｓ、Ｌｅｔｔ。
■（１９８７）Ｐ、８２２−Ｐ、６２４）の中で、酸素
雰囲気中で高周波放電処理をすることにより、超電導特
性を示さない正方晶系の物質が斜方晶系となって、超電
導特性を示すようになることを示している。
雰囲気中で高周波放電処理をすることにより、超電導特
性を示さない正方晶系の物質が斜方晶系となって、超電
導特性を示すようになることを示している。
しかしこの場合も、９０に級の超電導特性を得るには２
８５時間の処、理が必要であり、これも前記同様に工業
的に応用できるものではない。
８５時間の処、理が必要であり、これも前記同様に工業
的に応用できるものではない。
Ｓ、Ｍｉｎｏｍｏらは彼等の論文（Ｊｐｎ、Ｊ、Ａｐｐ
ｌ、Ｐｈｙｓ、２ヱ（１９８Ｂ）Ｐ、Ｌ４１１−Ｐ、Ｌ
４１３）中で、ＥＣＲの放電処理を行なうと、６０に級
の超電導物質が４００℃、３０分間の処理で９０に級に
まで改良されることを示している。
ｌ、Ｐｈｙｓ、２ヱ（１９８Ｂ）Ｐ、Ｌ４１１−Ｐ、Ｌ
４１３）中で、ＥＣＲの放電処理を行なうと、６０に級
の超電導物質が４００℃、３０分間の処理で９０に級に
まで改良されることを示している。
しかしこれはもともと超電導特性が生じている試料に処
理を施して超電導特性の改善が行なわれたのみであって
、超電導の生じない正方晶系の物質の結晶構造を変化さ
せて超電導特性を生じさせたものではない。このことは
重要で、正方晶系から斜方晶系への変化のためには、長
時間の高温酸素処理（３００℃では２時間行なっても変
化はない）が必要で、高温から急冷した物質（正方晶系
）を短時間で斜方晶系化し超電導特性を得るようにする
ことはできなかった。
理を施して超電導特性の改善が行なわれたのみであって
、超電導の生じない正方晶系の物質の結晶構造を変化さ
せて超電導特性を生じさせたものではない。このことは
重要で、正方晶系から斜方晶系への変化のためには、長
時間の高温酸素処理（３００℃では２時間行なっても変
化はない）が必要で、高温から急冷した物質（正方晶系
）を短時間で斜方晶系化し超電導特性を得るようにする
ことはできなかった。
また昭和６３年第３５回応用物理学関連講演会２９ａ−
Ｘ−５で性能らは、酸素イオン注入およびレーザーアニ
ールにより、局所的に正方晶系物質を斜方晶系物質に変
化させているが、これは極めて局所的な処理であって大
面積の量産に応用できるものではない。
Ｘ−５で性能らは、酸素イオン注入およびレーザーアニ
ールにより、局所的に正方晶系物質を斜方晶系物質に変
化させているが、これは極めて局所的な処理であって大
面積の量産に応用できるものではない。
（発明が解決しようとする問題点）
以上のように、良好な超電導特性を示す斜方晶系の物質
を得るためには、炉中酸素雰囲気で長時間処理するか、
または酸素プラズマ中で２００時間以上も処理する必要
があり、従来の方法はすべて量産性に問題がある。
を得るためには、炉中酸素雰囲気で長時間処理するか、
または酸素プラズマ中で２００時間以上も処理する必要
があり、従来の方法はすべて量産性に問題がある。
またＥＣＲ放電処理法においても、斜方晶系の物質の改
質のみであって、正方晶系の物質を斜方晶系物質に変化
させることはできず、そのために長時間の処理を必要と
する点は全く改善されていない。
質のみであって、正方晶系の物質を斜方晶系物質に変化
させることはできず、そのために長時間の処理を必要と
する点は全く改善されていない。
（発明の目的）
本発明はこの問題を解決し、高温から徐冷することなく
急冷して得られた正方晶系の物質を、または超電導特性
の良くない物質を、短時間の酸化処理によって良好な超
電導特性を示す物質にすることができる新規の酸化改善
方法を提供することを目的とする。
急冷して得られた正方晶系の物質を、または超電導特性
の良くない物質を、短時間の酸化処理によって良好な超
電導特性を示す物質にすることができる新規の酸化改善
方法を提供することを目的とする。
（問題を解決するための手段）
上記の目的を達成するために、本発明は、高温非平衡プ
ラズマまたは高温平衡プラズマにより作成した酸素系活
性種を、酸化物超電導体または酸化物超電導体の超電導
体原料に照射し、酸化によってその超電導特性を改善す
る方法を採用する。
ラズマまたは高温平衡プラズマにより作成した酸素系活
性種を、酸化物超電導体または酸化物超電導体の超電導
体原料に照射し、酸化によってその超電導特性を改善す
る方法を採用する。
（作用）
高温非平衡プラズマまたは高温平衡プラズマはそのプラ
ズマ内で原子状の活性種を多量に発生する。この活性種
は固体中の拡散係数が大きく低温で急速に拡散する性質
がある。このような酸素系活性種を酸化物超電導体また
はその超電導体原料に照射することにより超電導特性を
大きく改善することができる。
ズマ内で原子状の活性種を多量に発生する。この活性種
は固体中の拡散係数が大きく低温で急速に拡散する性質
がある。このような酸素系活性種を酸化物超電導体また
はその超電導体原料に照射することにより超電導特性を
大きく改善することができる。
このため試料は徐、冷する必要がなくなり、急冷して得
られた正方品系の試料であっても、低温で有効にこれを
酸化でき、短時間に酸化を終了して良好な超電導特性を
得ることができる。
られた正方品系の試料であっても、低温で有効にこれを
酸化でき、短時間に酸化を終了して良好な超電導特性を
得ることができる。
（実施例）
本発明は、本願の出願人の出願になる特願昭６１−０６
９６４６号「表面処理方法および装置」を基本とし、そ
の出願当時一般に知られていなかった酸化物超電導体の
酸化工程にこれを利用することによって新規で有用な発
明を得ることができたものである。前記特許願の明細書
中の”ＬＴＥプラズマ゛′は本願明細書の″高温非平衡
プラズマまたは高温平衡プラズマ”に当たる。
９６４６号「表面処理方法および装置」を基本とし、そ
の出願当時一般に知られていなかった酸化物超電導体の
酸化工程にこれを利用することによって新規で有用な発
明を得ることができたものである。前記特許願の明細書
中の”ＬＴＥプラズマ゛′は本願明細書の″高温非平衡
プラズマまたは高温平衡プラズマ”に当たる。
第１図に本発明の方法を利用する装置の正面断面図を示
す。
す。
１１はステンレス製の処理室で、必要に応じて真空に引
いたり気密に保つったりが可能な構造となっている。１
２は基体１５を保持し、温度制御を行なうための基体ホ
ルダーであり、１３はヒーターで１４は熱電対である。
いたり気密に保つったりが可能な構造となっている。１
２は基体１５を保持し、温度制御を行なうための基体ホ
ルダーであり、１３はヒーターで１４は熱電対である。
基体ホルダー１２は直径ＩＣ１ｃｍで約４５０℃まで昇
温可能である。
温可能である。
熱電対１４によって基体ホルダー１２の温度を測定し、
図示しない温度調節計とサイリスタユニットの併用によ
り、Ｐ、ＰＩ、ＰＩＤ制御または単なるリレーを用いた
ＯＮ、ＯＦＦ制御により、ヒーター１３に電力を加えて
基体ホルダー１２の温度を調整する。必要のときは、こ
の部分に水冷等の冷却機構を併用する。
図示しない温度調節計とサイリスタユニットの併用によ
り、Ｐ、ＰＩ、ＰＩＤ制御または単なるリレーを用いた
ＯＮ、ＯＦＦ制御により、ヒーター１３に電力を加えて
基体ホルダー１２の温度を調整する。必要のときは、こ
の部分に水冷等の冷却機構を併用する。
２１は放電管でありで、石英ガラスの二重管となってお
り、二重管の間に水を流して水冷できる構造となってい
る。本実施例では石英ガラス管の内径は直径３ｃｍ、長
さ５３ｃｍである。２６．２６′は冷却水の流れの方向
を示す。
り、二重管の間に水を流して水冷できる構造となってい
る。本実施例では石英ガラス管の内径は直径３ｃｍ、長
さ５３ｃｍである。２６．２６′は冷却水の流れの方向
を示す。
２２は鋼バイブで作製したコイルであり、パイプ内を水
冷１ノでいる。コイル２２の一方は接地されており他方
は整合回路２３を通して高周波電源２４に接続されてい
る。本実施例では高周波電源２４として周波数１３．ｅ
５６ＭＨｚ、出力５ｋＷの高周波他励式電源を用いた。
冷１ノでいる。コイル２２の一方は接地されており他方
は整合回路２３を通して高周波電源２４に接続されてい
る。本実施例では高周波電源２４として周波数１３．ｅ
５６ＭＨｚ、出力５ｋＷの高周波他励式電源を用いた。
また所定の気体（本実施例では酸素を用いた）は、図示
しないボンベから減圧弁、流量コントローラーを経て矢
印２５の方向から導入され、矢印２９の方向に排気され
る。図示しないが排気のポンプとしては、ルーツポンプ
と油回転ポンプな用いている。
しないボンベから減圧弁、流量コントローラーを経て矢
印２５の方向から導入され、矢印２９の方向に排気され
る。図示しないが排気のポンプとしては、ルーツポンプ
と油回転ポンプな用いている。
ステンレス製の処理室１１と石英ガラス製の放電管２１
はゴム製のＯリングにより接合されている。 １７は
圧力計で、処理室１１内の圧力を測定し、圧力を一定に
するための調節は、矢印２９の先に設置した図示しない
バルブのコンダクタンスを調節して行なっている。
はゴム製のＯリングにより接合されている。 １７は
圧力計で、処理室１１内の圧力を測定し、圧力を一定に
するための調節は、矢印２９の先に設置した図示しない
バルブのコンダクタンスを調節して行なっている。
特願昭６１−０６９６４６号に記述されているように、
高周波電源２４から電力がコイル２２に注入されると、
初めは放電管２１内に広く広がった高周波グロー放電が
生じる。さらに大電力を注入すると、コイル２２の内部
に局所的にピンチされた高温非平衡プラズマまたは高温
平衡プラズマ２７が生じる。（この高温非平衡プラズマ
または高温平衡プラズマについては、三戸英夫らの「真
空」第３１巻第４号（１９８８）Ｐ２７！−Ｐ２７８
や、その引用文献に詳しく記述されている。） この高温非平衡プラズマまたは高温平衡プラズマは、高
周波グロー放電と比較して非常に発光強度が高く、多量
の活性種が生じて、特に原子状の活性種が多く、また電
気的にも放電インピーダンスが低くなっているという特
徴をもっている。
高周波電源２４から電力がコイル２２に注入されると、
初めは放電管２１内に広く広がった高周波グロー放電が
生じる。さらに大電力を注入すると、コイル２２の内部
に局所的にピンチされた高温非平衡プラズマまたは高温
平衡プラズマ２７が生じる。（この高温非平衡プラズマ
または高温平衡プラズマについては、三戸英夫らの「真
空」第３１巻第４号（１９８８）Ｐ２７！−Ｐ２７８
や、その引用文献に詳しく記述されている。） この高温非平衡プラズマまたは高温平衡プラズマは、高
周波グロー放電と比較して非常に発光強度が高く、多量
の活性種が生じて、特に原子状の活性種が多く、また電
気的にも放電インピーダンスが低くなっているという特
徴をもっている。
２８は高温非平衡プラズマまたは高温平衡プラズマ２７
により作成された活性種である。活性種２８の中には、
圧力によって（しばしば１０Ｔｏｒ「前後より低圧側で
）高温非平衡プラズマまたは高温平衡プラズマ２７の周
囲に観察されるグロー状放電プラズマの活性種も含まれ
ているものとする。
により作成された活性種である。活性種２８の中には、
圧力によって（しばしば１０Ｔｏｒ「前後より低圧側で
）高温非平衡プラズマまたは高温平衡プラズマ２７の周
囲に観察されるグロー状放電プラズマの活性種も含まれ
ているものとする。
酸素系の活性種が処理室１１まで輸送されるときの寿命
に関してはＪ、Ｍ、Ｃｏｏｋの論文５ｏｌｉｄ ５ｔａ
ｔｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ／日本版Ｍａｙ （１９
８７）Ｐ、２８−Ｐ、３３やこの引用文献に詳しい。彼
らはマイクロ波放電により発生した酸素原子のダウンス
トリーム下での寿命を議論しておりプラズマから５０ｃ
ｍ後方でも９０％以上寿命があることを示している。た
だし超電導材料への応用に間する記述はない。
に関してはＪ、Ｍ、Ｃｏｏｋの論文５ｏｌｉｄ ５ｔａ
ｔｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ／日本版Ｍａｙ （１９
８７）Ｐ、２８−Ｐ、３３やこの引用文献に詳しい。彼
らはマイクロ波放電により発生した酸素原子のダウンス
トリーム下での寿命を議論しておりプラズマから５０ｃ
ｍ後方でも９０％以上寿命があることを示している。た
だし超電導材料への応用に間する記述はない。
本実施例ではＢａ２ＹＣ１１３０ｘ系の、直径１０ｍ１
厚さ２ｍｍのペレットを、９３０℃から炉冷せずに急冷
して生じた正方晶系の、超電導特性を示さない基体を用
い、酸素流量２００ｓｃｃｒｎ、圧力０．７ Ｔ ｏｒ
ｒ、電力３ｋＷ、基体ホルダー温度３００℃と４００℃
とで処理を行った。
厚さ２ｍｍのペレットを、９３０℃から炉冷せずに急冷
して生じた正方晶系の、超電導特性を示さない基体を用
い、酸素流量２００ｓｃｃｒｎ、圧力０．７ Ｔ ｏｒ
ｒ、電力３ｋＷ、基体ホルダー温度３００℃と４００℃
とで処理を行った。
第２図には上記のごとく処理された基体のＸ線回折によ
る観察の結果を示す。
る観察の結果を示す。
第２図ａは未処理、ｂは３００℃１分間処理、Ｃは３０
０℃５分間処理したときのパターンである。
０℃５分間処理したときのパターンである。
Ｂａ２ＹＣｕ３０ｘ系超電導体のＸ線回折パターンは広
く知られており、正方品系および超電導特性を示す斜方
晶系と、結晶内酸素濃度と超電導特性との関係はＳ、Ｎ
ａｋａｎ ｉｓｈ ｉ らの論文Ｊｐｎ、Ｊ、Ａｐｐｌ
−Ｐｈｙｓ、２７（１９８８）Ｐ、Ｌ３２９−Ｐ、Ｌ３
３２や、Ｙ、Ｋｕｂｏ らの論文Ｊｐｎ、Ｊ−Ａｐｐ１
．Ｐｈｙｓ、２６（１９８７）Ｐ、Ｌ７６８−Ｐ、Ｌ７
７０やこれらの引用文献に詳しい。
く知られており、正方品系および超電導特性を示す斜方
晶系と、結晶内酸素濃度と超電導特性との関係はＳ、Ｎ
ａｋａｎ ｉｓｈ ｉ らの論文Ｊｐｎ、Ｊ、Ａｐｐｌ
−Ｐｈｙｓ、２７（１９８８）Ｐ、Ｌ３２９−Ｐ、Ｌ３
３２や、Ｙ、Ｋｕｂｏ らの論文Ｊｐｎ、Ｊ−Ａｐｐ１
．Ｐｈｙｓ、２６（１９８７）Ｐ、Ｌ７６８−Ｐ、Ｌ７
７０やこれらの引用文献に詳しい。
ａは通常の典型的な正方晶系のパターンであり、後記す
るが超電導特性を示す結晶構造ではない。
るが超電導特性を示す結晶構造ではない。
ｂは３００℃で高温非平衡プラズマを用いて１分処理し
たもので、正方晶系に斜方晶系が混合された構造となっ
ている。
たもので、正方晶系に斜方晶系が混合された構造となっ
ている。
Ｃは同じ温度で５分間処理したもので典型的な斜方晶系
の結晶構造となっている。斜方晶系の物質は超電導特性
を示・すことが可能で、本発明の方法により５分間の短
時間に結晶構造を変化させることができたことになる。
の結晶構造となっている。斜方晶系の物質は超電導特性
を示・すことが可能で、本発明の方法により５分間の短
時間に結晶構造を変化させることができたことになる。
第３図はこの基体の抵抗の温度変化を示す。
第３図ａは未処理。ｂは３００’Ｃ３０分の処理、Ｃは
４００℃３０分の処理をした基体の特性である。ａは半
導体特性で前記のように正方晶系であり超電導性は示さ
ない。
４００℃３０分の処理をした基体の特性である。ａは半
導体特性で前記のように正方晶系であり超電導性は示さ
ない。
ｂ、 ｃは超電導特性が生じており、特にＣは９０に
級の良好な超電導特性を示している。ｂ、 ｃとも液
体窒素温度（７７Ｋ）で反磁性を確認することができた
。
級の良好な超電導特性を示している。ｂ、 ｃとも液
体窒素温度（７７Ｋ）で反磁性を確認することができた
。
以上のように本発明の方法を用いるときは、超電導特性
を示さない正方晶系の物質を、極めて短時間で、超電導
特性が生じる斜方晶系物質に変えることが可能で、また
その特性を９０に級の良好な特性にまで高めることがで
きる。
を示さない正方晶系の物質を、極めて短時間で、超電導
特性が生じる斜方晶系物質に変えることが可能で、また
その特性を９０に級の良好な特性にまで高めることがで
きる。
同様に超電導特性の悪い基体を処理する場合でも、これ
を良好な特性にまで高めることができた。
を良好な特性にまで高めることができた。
本実施例は、０．７Ｔｏｒｒの真空下で処理を行なった
ものであるが、１気圧またはそれ以上の加圧下で高温非
平衡プラズマまたは高温平衡プラズマ処理を行なうもの
も有効である。この場合、しばしばプラズマは非平衡か
ら平衡プラズマへと変化する。また第１図の処理室１１
は不用である。
ものであるが、１気圧またはそれ以上の加圧下で高温非
平衡プラズマまたは高温平衡プラズマ処理を行なうもの
も有効である。この場合、しばしばプラズマは非平衡か
ら平衡プラズマへと変化する。また第１図の処理室１１
は不用である。
また今は、実施例としてバルクの試料を用いるものを示
しているが、スパッタリングや蒸着等で作製した薄膜や
厚膜試料さらには粉体試料に対しても本発明の方法は有
効であった。
しているが、スパッタリングや蒸着等で作製した薄膜や
厚膜試料さらには粉体試料に対しても本発明の方法は有
効であった。
またＣＶＤ法による超電導膜の成膜時における成膜中の
同時酸化処理に対しても本発明の方法は使用することが
可能で、前記同様の顕著な効果を得ることができた。
同時酸化処理に対しても本発明の方法は使用することが
可能で、前記同様の顕著な効果を得ることができた。
蒸着、ＭＢＥ等での成膜時には作動排気を併用すること
で成膜中に酸化処理可能であった。
で成膜中に酸化処理可能であった。
また超電導体の原料としてはＢａ２ＹＣ，ｕ３０．＜だ
けでなく、他のＹおよびＬｎ系の元素を用いるもの、即
ち、 ＭＢａ２Ｃｕ３０Ｘ ここでＭ＝Ｙ、Ｌｎ（＝ＬａＳ ｃｅ、Ｐｒ。
けでなく、他のＹおよびＬｎ系の元素を用いるもの、即
ち、 ＭＢａ２Ｃｕ３０Ｘ ここでＭ＝Ｙ、Ｌｎ（＝ＬａＳ ｃｅ、Ｐｒ。
Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ。
Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ。
ＤＶ、Ｈｏ、Ｔｍ。
Ｙｂ、Ｌｕ）
や、同じ元素構成で他の化学量論性を持った化合物ある
いは、 Ｂｉ系−Ｂ ｉ２Ｃａ２Ｓ ｒ２Ｃｕ３０ｘＴｌｌ系−
Ｔ （１２Ｂ ａ２Ｃａ２Ｃｕ ３ｏｘや、同じ元素構
成で他の化学量論性を持った化合物や、このほかの種々
の元素構成で他の化学量論性を持った化合物においても
本発明の方法は有効であった。
いは、 Ｂｉ系−Ｂ ｉ２Ｃａ２Ｓ ｒ２Ｃｕ３０ｘＴｌｌ系−
Ｔ （１２Ｂ ａ２Ｃａ２Ｃｕ ３ｏｘや、同じ元素構
成で他の化学量論性を持った化合物や、このほかの種々
の元素構成で他の化学量論性を持った化合物においても
本発明の方法は有効であった。
本発明の方法を実施する装置は、第１図の構造に限られ
るものではない。前記特願昭６１−０６９６４６号に記
述されている各種構造の装置や、本願の発明者の著述に
なる文献、「真空」−第３１巻第４号（１９８８）Ｐ、
２７１−Ｐ、２７８やこれに引用されている各文献の装
置の使用によっても本発明は同様の効果を得ることがで
きた。
るものではない。前記特願昭６１−０６９６４６号に記
述されている各種構造の装置や、本願の発明者の著述に
なる文献、「真空」−第３１巻第４号（１９８８）Ｐ、
２７１−Ｐ、２７８やこれに引用されている各文献の装
置の使用によっても本発明は同様の効果を得ることがで
きた。
また前記では、酸化用の気体即ち「所定の気体」として
酸素を用いたが、オゾン、亜酸化窒素等の気体を用いて
も同様の効果があった。
酸素を用いたが、オゾン、亜酸化窒素等の気体を用いて
も同様の効果があった。
またその処理条件も、上述の圧力０．７Ｔｏｒｒ、酸素
流ｆ！ｔ２００ｓｅｃｍ等にこだわるものではない。
流ｆ！ｔ２００ｓｅｃｍ等にこだわるものではない。
さらに、酸素の活性種としてプラズマの効果を利用する
場合に、基体ホルダー１２にＤＣ，ＡＣ。
場合に、基体ホルダー１２にＤＣ，ＡＣ。
ＲＦ等のバイアスを印加してもよい。
以上のように、本発明の方法は、高温非平衡プラズマま
たは高温平衡プラズマにより作成した活性種を、酸化物
超電導体（既に、或程度の超電導特性を示すもの）また
はその超電導体原料（組成としては超電導体の可能性を
もつが、未だ超電導特性を示すに至らないもの）に照射
することによってその超電導特性を改善する点に特徴を
有するものであって、種々の構造の装置、種々の条件で
これを実施できる。
たは高温平衡プラズマにより作成した活性種を、酸化物
超電導体（既に、或程度の超電導特性を示すもの）また
はその超電導体原料（組成としては超電導体の可能性を
もつが、未だ超電導特性を示すに至らないもの）に照射
することによってその超電導特性を改善する点に特徴を
有するものであって、種々の構造の装置、種々の条件で
これを実施できる。
（発明の効果）
以上に述べたように、本発明の方法は高温非平衡プラズ
マまたは高温平衡プラズマによる酸化を施すことにより
、極めて短時間で、酸化物超電導体またはその超電導体
原料から良好な超電導特性を得ることができる。
マまたは高温平衡プラズマによる酸化を施すことにより
、極めて短時間で、酸化物超電導体またはその超電導体
原料から良好な超電導特性を得ることができる。
第１図は本発明の方法を実施する装置の正面断面図。
第２図は被処理基体のＸ線回折結果を示した図で、
ａ未処理、ｂ３００℃１分間処理、０３００℃５分間処
理。 第３図は基体の抵抗の温度変化を示した図で、ａ未処理
、ｂ３００℃３０分間処理、ｃ４００℃３０分間処理。 １１・・・処理室、１２・・・基体ホルダー １５・・
・基体、２１・・・放電管、２７・・・高温非平衡プラ
ズマまたは高温平衡プラズマ、２８・・・活性種。
理。 第３図は基体の抵抗の温度変化を示した図で、ａ未処理
、ｂ３００℃３０分間処理、ｃ４００℃３０分間処理。 １１・・・処理室、１２・・・基体ホルダー １５・・
・基体、２１・・・放電管、２７・・・高温非平衡プラ
ズマまたは高温平衡プラズマ、２８・・・活性種。
Claims (2)
- （１）高温非平衡プラズマまたは高温平衡プラズマによ
り作成した酸素系活性種を、酸化物超電導体またはその
超電導体原料に照射し、酸化により超電導特性を改善す
ることを特徴とする酸化物超電導体の改善方法。 - （２）前記酸化物超電導体またはその超電導体原料がＢ
ａ＿２ＹＣｕ＿３Ｏ＿ｘの組成を有するものであること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の酸化物超電導
体の改善方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63163350A JPH0214801A (ja) | 1988-06-30 | 1988-06-30 | 酸化物超電導体の改善方法 |
| US07/845,820 US5376628A (en) | 1988-06-30 | 1992-03-09 | Method of improving or producing oxide superconductor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63163350A JPH0214801A (ja) | 1988-06-30 | 1988-06-30 | 酸化物超電導体の改善方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0214801A true JPH0214801A (ja) | 1990-01-18 |
| JPH0446882B2 JPH0446882B2 (ja) | 1992-07-31 |
Family
ID=15772216
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63163350A Granted JPH0214801A (ja) | 1988-06-30 | 1988-06-30 | 酸化物超電導体の改善方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0214801A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5498595A (en) * | 1988-07-02 | 1996-03-12 | British Technology Group Limited | Method of activation of superconductors and devices produced thereby |
-
1988
- 1988-06-30 JP JP63163350A patent/JPH0214801A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5498595A (en) * | 1988-07-02 | 1996-03-12 | British Technology Group Limited | Method of activation of superconductors and devices produced thereby |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0446882B2 (ja) | 1992-07-31 |
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