JPH0361355A - ガーネット薄膜の形成方法 - Google Patents
ガーネット薄膜の形成方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
【産業上の利用分野１
本発明は、光アイソレータ、 １ｉｉｉ気または光磁気
記録媒体、磁気センサー等に広く用いられる、良質なガ
ーネット薄膜を低温度で再現性よく形成するための新規
な方法に関するものである。
記録媒体、磁気センサー等に広く用いられる、良質なガ
ーネット薄膜を低温度で再現性よく形成するための新規
な方法に関するものである。
［従来の技術］
従来から、ガーネット薄膜は磁気バブル材料や磁気メモ
リー材料、あるいは光通信用材料として広く研究され、
そして実用化されてきた。その形成方法としては、一般
に液相エピタキシャル法（ＬＰＥ） 、スパッタ法等が
ある。
リー材料、あるいは光通信用材料として広く研究され、
そして実用化されてきた。その形成方法としては、一般
に液相エピタキシャル法（ＬＰＥ） 、スパッタ法等が
ある。
ＬＰＥ法では、ＰｂＯ等を融材（フラックス）としてガ
ーネット原料を高温で溶融させ、液相状態から結晶基板
上にガーネット薄膜をエピタキシャル成長させる技術で
あって、結晶性に優れた単結晶膜の高速形成技術として
多くの実績を持っている。この方法はこれまでガーネッ
ト薄膜の形成法として最も一般的な方法であった。
ーネット原料を高温で溶融させ、液相状態から結晶基板
上にガーネット薄膜をエピタキシャル成長させる技術で
あって、結晶性に優れた単結晶膜の高速形成技術として
多くの実績を持っている。この方法はこれまでガーネッ
ト薄膜の形成法として最も一般的な方法であった。
一方、スパッタ法は、一般に、ガーネットの原料をター
ゲットとして、プラズマ中でスパッタを行い、そこで生
じたガーネットの成分から成る粒子を基板上は堆積させ
てガーネット薄膜を形成する気相膜形成法である。
ゲットとして、プラズマ中でスパッタを行い、そこで生
じたガーネットの成分から成る粒子を基板上は堆積させ
てガーネット薄膜を形成する気相膜形成法である。
［発明が解決しようとする課題〕
上述したように、ガーネット薄膜の形成方法として、Ｌ
ＰＥ法がこれまで最も一般的であったが、この方法は、
原料を溶融させ、液相から膜成長を行うため、組成の制
御が難しく、しかも薄膜領域での膜厚の制御性に大きく
劣るという問題点があった。しかも、この方法は、本質
的に熱平衡技術であるため、良質膜を得るのに必要な基
板温度が通常９００℃以上と高く（例えば、玉城、対馬
、第３８回応用磁気学会研究会資料、Ｎｏ、３８−５
、昭和６０年、２３ｐ）、使用される基板も特定の耐熱
性基板か、あるいは膜と基板との格子定数を厳密に合わ
せた基板に限られていた。しかもまた、融材（フラック
ス）やルツボからの不純物（ｐｂ、ｐｔ等）の膜中への
混入が避けられず、例えば光通信用として用いた場合に
は、その不純物による光吸収が増加して、性能指数が悪
化する等の大きな問題点があった。
ＰＥ法がこれまで最も一般的であったが、この方法は、
原料を溶融させ、液相から膜成長を行うため、組成の制
御が難しく、しかも薄膜領域での膜厚の制御性に大きく
劣るという問題点があった。しかも、この方法は、本質
的に熱平衡技術であるため、良質膜を得るのに必要な基
板温度が通常９００℃以上と高く（例えば、玉城、対馬
、第３８回応用磁気学会研究会資料、Ｎｏ、３８−５
、昭和６０年、２３ｐ）、使用される基板も特定の耐熱
性基板か、あるいは膜と基板との格子定数を厳密に合わ
せた基板に限られていた。しかもまた、融材（フラック
ス）やルツボからの不純物（ｐｂ、ｐｔ等）の膜中への
混入が避けられず、例えば光通信用として用いた場合に
は、その不純物による光吸収が増加して、性能指数が悪
化する等の大きな問題点があった。
これに対して、スパッタ法は、非熱平衡技術であるため
、上述のＬＰＥ法に比べて比較的低７晶でガーネット薄
膜を形成できるものの、通常のスパッタ法では、膜とタ
ーゲットとの組成ずれや、膜のダメージが大きく、しか
も良質のガーネット薄膜を得るのに７００℃以上の高温
を必要としていた（例えば、宮崎、第３８回応用磁気学
会研究会資料、ＮｏＪ８−１５、昭和６０年、８１ｐ）
。
、上述のＬＰＥ法に比べて比較的低７晶でガーネット薄
膜を形成できるものの、通常のスパッタ法では、膜とタ
ーゲットとの組成ずれや、膜のダメージが大きく、しか
も良質のガーネット薄膜を得るのに７００℃以上の高温
を必要としていた（例えば、宮崎、第３８回応用磁気学
会研究会資料、ＮｏＪ８−１５、昭和６０年、８１ｐ）
。
さらに加えて、膜の酸化度が低下すると、金属イオン（
例えばＦｅイオン）の価数の変化により光吸収が増加し
たり、結晶性が悪化する問題点があり、この方法がそう
した反応性の制御性という点において優れているとは言
い難かった。
例えばＦｅイオン）の価数の変化により光吸収が増加し
たり、結晶性が悪化する問題点があり、この方法がそう
した反応性の制御性という点において優れているとは言
い難かった。
したがって、良質のガーネット薄膜を低温で形成するた
めには、ダメージの少ない、活性度の高い方法が強く望
まれていた。
めには、ダメージの少ない、活性度の高い方法が強く望
まれていた。
そこで、本発明の目的は、良質のガーネット薄膜を低温
でかつ再現性よく形成する方法を提供することにある。
でかつ再現性よく形成する方法を提供することにある。
［課題を解決するための手段］
本発明は、従来の問題点を解決するために、ガーネット
薄膜を電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）プラズマを利
用したスパッタ（ＥＣＲスパッタ）法によって形成する
。
薄膜を電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）プラズマを利
用したスパッタ（ＥＣＲスパッタ）法によって形成する
。
すなわち、本発明は、ガーネットの原料をターゲットと
して、電子サイクロトロン共鳴プラズマ中でスパッタを
行い、ガーネットの成分から成る粒子を基板上に堆積さ
せてガーネット薄膜を形成することを特徴とする。
して、電子サイクロトロン共鳴プラズマ中でスパッタを
行い、ガーネットの成分から成る粒子を基板上に堆積さ
せてガーネット薄膜を形成することを特徴とする。
本発明では、電子サイクロトロン共鳴プラズマ法で用い
るターゲットとじ−で、得られる薄膜の組成からなる焼
結体、あるいはターゲットと薄膜との組成ずれを補償し
た組成からなる焼結体、あるいはそれらの複合体を用い
ることを特徴とする特 ここでガーネット薄膜の形成中に、酸素ガス、あるいは
酸素ガスとアルゴンを代表とする不活性ガスとの混合ガ
スを、電子サイクロトロン共鳴プラズマを発生させるプ
ラズマ生成室に導入することが好適である。
るターゲットとじ−で、得られる薄膜の組成からなる焼
結体、あるいはターゲットと薄膜との組成ずれを補償し
た組成からなる焼結体、あるいはそれらの複合体を用い
ることを特徴とする特 ここでガーネット薄膜の形成中に、酸素ガス、あるいは
酸素ガスとアルゴンを代表とする不活性ガスとの混合ガ
スを、電子サイクロトロン共鳴プラズマを発生させるプ
ラズマ生成室に導入することが好適である。
さらにまた、本発明では、酸素ガス、あるいは酸素ガス
とアルゴンを代表とする不活性ガスとの混合ガスを、放
電ガスとするＥＣＲプラズマを、ガーネット薄膜の堆積
直前に基板に照射することによって、基板のプラズマク
リーニングを行うことを特徴とする。
とアルゴンを代表とする不活性ガスとの混合ガスを、放
電ガスとするＥＣＲプラズマを、ガーネット薄膜の堆積
直前に基板に照射することによって、基板のプラズマク
リーニングを行うことを特徴とする。
ここで、ＥＣＲスパッタ法は、ＥＣＲプラズマとスパッ
タとを組み合わせた方法であって、高活性スパッタ法の
一つとして知られている（例えば、Ｏｎｏ、 Ｔａｋａ
ｈａｓｈｉ、 ＆ Ｍａｔｓｕｏ、 Ｊｐｎ、Ｊ、Ａｐ
ｐｌ、Ｐｈｙｓ、。
タとを組み合わせた方法であって、高活性スパッタ法の
一つとして知られている（例えば、Ｏｎｏ、 Ｔａｋａ
ｈａｓｈｉ、 ＆ Ｍａｔｓｕｏ、 Ｊｐｎ、Ｊ、Ａｐ
ｐｌ、Ｐｈｙｓ、。
２３ （１９８４） Ｌ５３４ 、やＭａｔｓｕｏｋａ
＆ Ｏｎｏ、 Ｊ、Ａｐｐｌ。
＆ Ｏｎｏ、 Ｊ、Ａｐｐｌ。
Ｐｈｙｓ、 、 ６５ （１９８９） ４４０３ 、参
照）。
照）。
［作 用］
本発明によれば、光アイソレータ、磁気または光磁気記
録媒体、磁気センサー等に広く用いられる、良質なガー
ネット薄膜を低温度で再現性よく形成できる。
録媒体、磁気センサー等に広く用いられる、良質なガー
ネット薄膜を低温度で再現性よく形成できる。
すなわち、本発明は、高活性な電子サイクロトロン共０
！％（ＥＣＲ）プラズマを用いたスパッタ（ＥＣＲスパ
ッタ）によりガーネット薄膜を低温形成するものであり
、しかも基板の前処理と膜堆積を一貫して同一プロセス
中で実施するものである。
！％（ＥＣＲ）プラズマを用いたスパッタ（ＥＣＲスパ
ッタ）によりガーネット薄膜を低温形成するものであり
、しかも基板の前処理と膜堆積を一貫して同一プロセス
中で実施するものである。
［実施例］
以下、図面に基づいて本発明の詳細な説明する。
本発明の実施例１〜８を第１表にまとめて示す。以上の
実施例では、＾「１０□混合ガスはすべてプラズマ生成
室から導入した。ＧＧＧはＧｄＧａガーネット、ＳＧＧ
はＳｍＧａガーネット、 ＮＧＧ はＮｄＧａガーネ
ットを指し、すべて（１１１）面である。（１００）面
上でもほとんど同じ条件で膜形成が可能である。ターゲ
ットの水素還元処理は、水素中４００℃、２時間行い、
ターゲットに導電性を付与し、ｄｃモードでのスパッタ
を可能とした。
実施例では、＾「１０□混合ガスはすべてプラズマ生成
室から導入した。ＧＧＧはＧｄＧａガーネット、ＳＧＧ
はＳｍＧａガーネット、 ＮＧＧ はＮｄＧａガーネ
ットを指し、すべて（１１１）面である。（１００）面
上でもほとんど同じ条件で膜形成が可能である。ターゲ
ットの水素還元処理は、水素中４００℃、２時間行い、
ターゲットに導電性を付与し、ｄｃモードでのスパッタ
を可能とした。
従来のスパッタ法によるガーネット薄膜形成の比較例を
第２表に示す。
第２表に示す。
第１図は本発明によりガーネット薄膜を形成するのに用
いたＥｃＲスパッタ装置の構成例を示す構成図である。
いたＥｃＲスパッタ装置の構成例を示す構成図である。
ここで、２．４５ＧＨｚのマイクロ波をマイクロ波導入
窓１を介してプラズマ生成室２内に導入する。プラズマ
生成室２の周囲にはソレノイドコイル３＾および３Ｂを
配置し、それぞれ、電源１１Ａおよび１１Ｂより給電し
て、プラズマ生成室２の内部に共Ｄ！％磁場である８７
５Ｇが得られるようにする。ここでは２個のソレノイド
コイル３Ａおよび３Ｂに流す電流を２ＯＡとした。プラ
ズマ°生成室２で得られたプラズマ４を発散磁場によっ
て、試料室１０内に配置した基板８の方向に加速する。
窓１を介してプラズマ生成室２内に導入する。プラズマ
生成室２の周囲にはソレノイドコイル３＾および３Ｂを
配置し、それぞれ、電源１１Ａおよび１１Ｂより給電し
て、プラズマ生成室２の内部に共Ｄ！％磁場である８７
５Ｇが得られるようにする。ここでは２個のソレノイド
コイル３Ａおよび３Ｂに流す電流を２ＯＡとした。プラ
ズマ°生成室２で得られたプラズマ４を発散磁場によっ
て、試料室１０内に配置した基板８の方向に加速する。
プラズマ生成室２内に配置した平板ターゲット５Ａおよ
びプラズマ生成室２から試料室１ｏへの出口に配置した
′８角筒ターゲットのそれぞれに、負の電圧を印加し、
スパッタを行う、基板８は加熱することができる。
びプラズマ生成室２から試料室１ｏへの出口に配置した
′８角筒ターゲットのそれぞれに、負の電圧を印加し、
スパッタを行う、基板８は加熱することができる。
ターゲット５八および５Ｂとしては、平板状および筒状
の焼結体を組み合わせて用いた。ここでは、筒状のター
ゲット５Ｂとして８角筒状のターゲットを用いている。
の焼結体を組み合わせて用いた。ここでは、筒状のター
ゲット５Ｂとして８角筒状のターゲットを用いている。
スパッタ放電モードとしては交流（「ｆ）と直流（ｄａ
）があるが、ｄｃモードを用いる方が膜へのダメージが
少なく、膜形成効率が高い等の点から、ｄｃモードの方
が望ましい。その際、ターゲット部の直流放電スパッタ
が容易なように、ターゲットは水素中で還元処理され、
導電性を持たせたほうがよい。
）があるが、ｄｃモードを用いる方が膜へのダメージが
少なく、膜形成効率が高い等の点から、ｄｃモードの方
が望ましい。その際、ターゲット部の直流放電スパッタ
が容易なように、ターゲットは水素中で還元処理され、
導電性を持たせたほうがよい。
一方、放電ガスとしては、一般に、アルゴンと酸素の混
合ガス、あるいはアルゴン、酸素単体ガスを用いるが、
酸素ガスはプラズマ生成室２からガス導入口９Ａを介し
て導入した方が望ましい。
合ガス、あるいはアルゴン、酸素単体ガスを用いるが、
酸素ガスはプラズマ生成室２からガス導入口９Ａを介し
て導入した方が望ましい。
第２図に、酸素ガスをプラズマ生成室２からガス導入口
９＾を経て導入した場合（ａ） と同じく試料室１０
からガス導人口９Ｂを経て導入した場合（ｂ）のプラズ
マ発光スペクトルの比較の結果を示す。プラズマ生成室
２から導入した方（ａ）が、反応ガスの高い励起がなさ
れており、反応性に優れている。
９＾を経て導入した場合（ａ） と同じく試料室１０
からガス導人口９Ｂを経て導入した場合（ｂ）のプラズ
マ発光スペクトルの比較の結果を示す。プラズマ生成室
２から導入した方（ａ）が、反応ガスの高い励起がなさ
れており、反応性に優れている。
さら（、薄膜を形成する場合、特に単結晶基板上にエピ
タキシャル成長を行う場合、その基板表面が種々の不純
物や酸化物で覆われていると、良質な薄膜が得られない
ばかりでなく、エピタキシャル成長が不可能となる。そ
こで、通常は、真空槽に基板を入れる前に、基板を化学
処理したり、あるいは真空槽内で高温処理して、基板表
面の汚染層を除去することが必要である。実際に、洗浄
しない基板を用いた場合、単結晶膜を得るには５５０℃
以上に基板を加熱する必要があった（実施例４参照）。
タキシャル成長を行う場合、その基板表面が種々の不純
物や酸化物で覆われていると、良質な薄膜が得られない
ばかりでなく、エピタキシャル成長が不可能となる。そ
こで、通常は、真空槽に基板を入れる前に、基板を化学
処理したり、あるいは真空槽内で高温処理して、基板表
面の汚染層を除去することが必要である。実際に、洗浄
しない基板を用いた場合、単結晶膜を得るには５５０℃
以上に基板を加熱する必要があった（実施例４参照）。
しかしながら、酸素ガス、あるいは酸素ガスとアルゴン
を代表とする不活性ガスとの混合ガスを放電ガスとする
ＥＣＲプラズマを、薄膜堆積直前に基板を照射すること
によって、基板のプラズマクリーニングを容易に行うこ
とができ、より低温でエピタキシャル成長が可能である
。実施例１〜３および５〜８では、ターゲットの電圧を
印加しない状態で、酸素ガス（流量： １１０５ｃｅ、
ガス圧０．０７Ｄ ａ １ ／ｒＩ Ｌ ＋、−ｈス「
繭イ４ブーｙ（マノ／ｙ ｒｖ −ンｒｋ ’ｆｆ −
ｈ 。
を代表とする不活性ガスとの混合ガスを放電ガスとする
ＥＣＲプラズマを、薄膜堆積直前に基板を照射すること
によって、基板のプラズマクリーニングを容易に行うこ
とができ、より低温でエピタキシャル成長が可能である
。実施例１〜３および５〜８では、ターゲットの電圧を
印加しない状態で、酸素ガス（流量： １１０５ｃｅ、
ガス圧０．０７Ｄ ａ １ ／ｒＩ Ｌ ＋、−ｈス「
繭イ４ブーｙ（マノ／ｙ ｒｖ −ンｒｋ ’ｆｆ −
ｈ 。
２００ｗ）を５分間、５００℃の温度に加熱された基板
に照射して、プラズマクリーニングを行った。ここで、
プラズマクリーニングガスとしては、Ａｒガスも用いる
ことができるが、この場合には基板表面がかえってダメ
ージを受ける場合があるため、酸素ガスのみの方が望ま
しい。
に照射して、プラズマクリーニングを行った。ここで、
プラズマクリーニングガスとしては、Ａｒガスも用いる
ことができるが、この場合には基板表面がかえってダメ
ージを受ける場合があるため、酸素ガスのみの方が望ま
しい。
次に、Ｙ２Ｂ Ｉ ｌＦｅ５０１２なる組成のガーネッ
ト単結晶膜を形成する方法を示す。Ｙ２ＢｉｌＦｅ５０
ｘの組成からなる焼結体（酸素の量Ｘは８から１２の範
囲であればよい）をターゲットに用いた場合、Ｂｉ組成
がＢｉの再蒸発により高温基板上では減少するため、所
望の組成の膜を得るじは、この減少量をあらかじめ補償
した組成を持つターゲットを用いる必要がある。
ト単結晶膜を形成する方法を示す。Ｙ２ＢｉｌＦｅ５０
ｘの組成からなる焼結体（酸素の量Ｘは８から１２の範
囲であればよい）をターゲットに用いた場合、Ｂｉ組成
がＢｉの再蒸発により高温基板上では減少するため、所
望の組成の膜を得るじは、この減少量をあらかじめ補償
した組成を持つターゲットを用いる必要がある。
第３図心そのとき得られる薄膜組成の基板温度による変
化を示す。
化を示す。
ここで、ＹおよびＢｉ組成は、それぞれ、２．０および
１．０が化学量論組成に対応している。
１．０が化学量論組成に対応している。
このとき、放電ガスとして、アルゴン酸素混合０．０４
Ｐａ）を用い、いずれもプラズマ生成室２から導入した
。基板８としてはガーネット（ＧｄＧａガーネット：
ＧＧＧ）を用いた。ここで、基板温度がほぼ４００℃以
」二で膜が単結晶化するので、ターゲット組成としてほ
ぼＹ２Ｂｉ、、 ４Ｆｅ５０Ｘ（Ｘは８から１２の間の
値）の組成のターゲットを用いれば、はぼＹ２Ｂ１＋Ｆ
ｅ５０＋２なる化学量論組成の薄膜が４００℃以上の温
度で得られる。このようにして得られた薄膜の組成はほ
ぼ化学量論組成であり、良質な単結晶膜であった。
Ｐａ）を用い、いずれもプラズマ生成室２から導入した
。基板８としてはガーネット（ＧｄＧａガーネット：
ＧＧＧ）を用いた。ここで、基板温度がほぼ４００℃以
」二で膜が単結晶化するので、ターゲット組成としてほ
ぼＹ２Ｂｉ、、 ４Ｆｅ５０Ｘ（Ｘは８から１２の間の
値）の組成のターゲットを用いれば、はぼＹ２Ｂ１＋Ｆ
ｅ５０＋２なる化学量論組成の薄膜が４００℃以上の温
度で得られる。このようにして得られた薄膜の組成はほ
ぼ化学量論組成であり、良質な単結晶膜であった。
さらに、酸素ガスフローを増大させると、エビ臨界温度
が下降し４００℃以下でも単結晶膜が得られることが確
かめられた。
が下降し４００℃以下でも単結晶膜が得られることが確
かめられた。
本実施例では、ＥＣＲスパッタ法によるガーネット薄膜
の形成例として、２つのターゲットを用いる方法のみを
示したが、これは筒状ターゲットのみを用いる方法であ
つ゛〔も同様の効果が得られる。同様に、筒状ターゲッ
トとしては、本実施例のように８角筒である必要はなく
、円筒であっても多角形筒であってもよい。すなわち、
ＥＣＲマイクロ波プラズマとスパッタとを組み合わせた
方法でガーネット薄膜を形成するのであれば、その形態
を問わず、上述した本発明の実施例で得られたのと同様
の効果が得られる。
の形成例として、２つのターゲットを用いる方法のみを
示したが、これは筒状ターゲットのみを用いる方法であ
つ゛〔も同様の効果が得られる。同様に、筒状ターゲッ
トとしては、本実施例のように８角筒である必要はなく
、円筒であっても多角形筒であってもよい。すなわち、
ＥＣＲマイクロ波プラズマとスパッタとを組み合わせた
方法でガーネット薄膜を形成するのであれば、その形態
を問わず、上述した本発明の実施例で得られたのと同様
の効果が得られる。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明によれば、電子サイクロト
ロン共鳴によって生成された活性度の高いマイクロ波プ
ラズマを用いたスパッタによりガーネット薄膜を形成す
るものであり、良質なガーネット薄膜を低温で、かつ再
現性よく形成することができる。
ロン共鳴によって生成された活性度の高いマイクロ波プ
ラズマを用いたスパッタによりガーネット薄膜を形成す
るものであり、良質なガーネット薄膜を低温で、かつ再
現性よく形成することができる。
第１図は、本発明によりガーネット薄膜を形成するのに
用いたＥＣＲスパッタ装置の一例を示す構成図、 第２図は、ガス導入法の違いとして、酸素ガスをプラズ
マ生成室より導入する場合と、同じく試料室より導入す
る場合とを対比して、プラズマ発光スペクトルの違いを
説明するための波長−発光強度特性図、 第３図は、ターゲットとしてＹ２ＢｉＩＦｅ５０ｘの組
成からなる平板状および筒状の焼結体を用いた場合に得
られる薄膜組成の基板温度依存性を示す特性図である。 １・・・マイクロ波導入窓、 ２・・・プラズマ生成室、 ３Ａ、３Ｂ・・・ソレノイドコイル、 ４・・・プラズマ、 ５Ａ・・・平板ターゲット、 ５Ｂ−・・８角筒状ターゲツト、 ６・・・真空導波管、 ７・・・基板加熱機構、 ８・・・基板、 ９＾、９Ｂ・・・ガス導入口、 １０・・・試料室、 １１Ａ、ＩＩＢ・・・電源。 マイ
用いたＥＣＲスパッタ装置の一例を示す構成図、 第２図は、ガス導入法の違いとして、酸素ガスをプラズ
マ生成室より導入する場合と、同じく試料室より導入す
る場合とを対比して、プラズマ発光スペクトルの違いを
説明するための波長−発光強度特性図、 第３図は、ターゲットとしてＹ２ＢｉＩＦｅ５０ｘの組
成からなる平板状および筒状の焼結体を用いた場合に得
られる薄膜組成の基板温度依存性を示す特性図である。 １・・・マイクロ波導入窓、 ２・・・プラズマ生成室、 ３Ａ、３Ｂ・・・ソレノイドコイル、 ４・・・プラズマ、 ５Ａ・・・平板ターゲット、 ５Ｂ−・・８角筒状ターゲツト、 ６・・・真空導波管、 ７・・・基板加熱機構、 ８・・・基板、 ９＾、９Ｂ・・・ガス導入口、 １０・・・試料室、 １１Ａ、ＩＩＢ・・・電源。 マイ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）ガーネットの原料をターゲットとして、電子サイク
ロトロン共鳴プラズマ中でスパッタを行い、ガーネット
の成分から成る粒子を基板上に堆積させてガーネット薄
膜を形成することを特徴とするガーネット薄膜の形成方
法。 ２）ターゲットとして、得られる薄膜の組成からなる焼
結体、あるいはターゲットと薄膜との組成ずれを補償し
た組成からなる焼結体、あるいはそれらの複合体を用い
ることを特徴とする請求項１記載のガーネット薄膜の形
成方法。 ３）前記ガーネット薄膜の形成中に、酸素ガス、あるい
は酸素ガスとアルゴンを代表とする不活性ガスとの混合
ガスを、電子サイクロトロン共鳴プラズマを発生させる
プラズマ生成室に導入することを特徴とする請求項１ま
たは２記載のガーネット薄膜の形成方法。 ４）酸素ガス、あるいは酸素ガスとアルゴンを代表とす
る不活性ガスとの混合ガスを、放電ガスとするＥＣＲプ
ラズマを、前記ガーネット薄膜の堆積直前に前記基板に
照射することによって、前記基板のプラズマクリーニン
グを行うことを特徴とする請求項１記載のガーネット薄
膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19419889A JPH0361355A (ja) | 1989-07-28 | 1989-07-28 | ガーネット薄膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19419889A JPH0361355A (ja) | 1989-07-28 | 1989-07-28 | ガーネット薄膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0361355A true JPH0361355A (ja) | 1991-03-18 |
Family
ID=16320585
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19419889A Pending JPH0361355A (ja) | 1989-07-28 | 1989-07-28 | ガーネット薄膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0361355A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001041177A3 (en) * | 1999-12-03 | 2001-12-13 | Com Dev Ltd | Production of a microwave device by applying a coating of yttrium-iron-garnet to the surface of the device to suppress secondary electron emission |
| JP2003201562A (ja) * | 2002-01-11 | 2003-07-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 成膜モニタリング方法 |
-
1989
- 1989-07-28 JP JP19419889A patent/JPH0361355A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001041177A3 (en) * | 1999-12-03 | 2001-12-13 | Com Dev Ltd | Production of a microwave device by applying a coating of yttrium-iron-garnet to the surface of the device to suppress secondary electron emission |
| JP2003201562A (ja) * | 2002-01-11 | 2003-07-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 成膜モニタリング方法 |
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