JPH02148595A - 薄膜ｅｌ素子およびその製造方法 - Google Patents
薄膜ｅｌ素子およびその製造方法Info
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- JPH02148595A JPH02148595A JP63300725A JP30072588A JPH02148595A JP H02148595 A JPH02148595 A JP H02148595A JP 63300725 A JP63300725 A JP 63300725A JP 30072588 A JP30072588 A JP 30072588A JP H02148595 A JPH02148595 A JP H02148595A
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Landscapes
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- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、表示デバイスなどに用いられる薄膜Ｅ［素子
およびその製造方法に関し、さらに詳しくは、良好な発
光特性を有する発光層材料を用いた赤色発光薄膜Ｅ Ｌ
素子およびその発光層薄膜形成工程を特徴とする薄膜Ｅ
Ｌ素子の製造方法に関するものである。
およびその製造方法に関し、さらに詳しくは、良好な発
光特性を有する発光層材料を用いた赤色発光薄膜Ｅ Ｌ
素子およびその発光層薄膜形成工程を特徴とする薄膜Ｅ
Ｌ素子の製造方法に関するものである。
［従来の技術］
薄膜ＥＬ素子の発光層材料としては、Ｍｎや希土類元素
で付活されたＺ ｎ ３が主に用いられており、赤色発
光材料としてはＺｎ３：３ｍがある。
で付活されたＺ ｎ ３が主に用いられており、赤色発
光材料としてはＺｎ３：３ｍがある。
近年、新しい赤色発光材料としてＣａＳ ： Ｅｌなと
アルカリ土類硫化物を母体とし、ＥＬＪで付活された発
光層材料が検討されている。
アルカリ土類硫化物を母体とし、ＥＬＪで付活された発
光層材料が検討されている。
アルカリ土類硫化物を母体とする発光層を有する薄膜Ｅ
Ｌ素子の構造は、例えば第３図に示ずようにガラス基板
１上に透明電極２、第１絶縁体層３、アルカリ土類硫化
物を母体とする発光層７、第２絶縁体層５、上部電極６
が順次形成されている。このアルカリ土類硫化物を母体
とした発光層薄膜の成膜方法としては、第４図（ａ）に
示すように、発光中心不純物を含むアルカリ土類硫化物
からなる原料ペレット１１を電子ビームガン１０により
電子ビーム加熱し、基板加熱ヒータ９により加熱された
基板８上に成膜する真空蒸着法や、発光中心不純物を含
むアルカリ土類硫化物をターゲットとして用いたスパッ
タ法によって成膜されている。
Ｌ素子の構造は、例えば第３図に示ずようにガラス基板
１上に透明電極２、第１絶縁体層３、アルカリ土類硫化
物を母体とする発光層７、第２絶縁体層５、上部電極６
が順次形成されている。このアルカリ土類硫化物を母体
とした発光層薄膜の成膜方法としては、第４図（ａ）に
示すように、発光中心不純物を含むアルカリ土類硫化物
からなる原料ペレット１１を電子ビームガン１０により
電子ビーム加熱し、基板加熱ヒータ９により加熱された
基板８上に成膜する真空蒸着法や、発光中心不純物を含
むアルカリ土類硫化物をターゲットとして用いたスパッ
タ法によって成膜されている。
ざらに真空蒸着法においては、第４図（ｂ）に示すよう
に、硫黄（Ｓ）蒸気雰囲気１５中で蒸着する方法が検討
されている。
に、硫黄（Ｓ）蒸気雰囲気１５中で蒸着する方法が検討
されている。
［発明が解決しようとする課題］
上記した発光層材料のうち、Ｚ「）Ｓ：Ｓｍを発光層と
して有する赤色発光薄膜ＥＬ素子は、カラーＥＬ素子と
して色純度が十分でなく、発光効率も低い。
して有する赤色発光薄膜ＥＬ素子は、カラーＥＬ素子と
して色純度が十分でなく、発光効率も低い。
一方、アルカリ土類硫化物を母体とするもの、例えばＥ
ＬＪで付活されたアルカリ土類硫化物（Ｃａｂ：Ｅｕ）
は色純度の高い発光色を示すが、発光輝度および発光効
率が実用レベルに比べて不十分である。
ＬＪで付活されたアルカリ土類硫化物（Ｃａｂ：Ｅｕ）
は色純度の高い発光色を示すが、発光輝度および発光効
率が実用レベルに比べて不十分である。
赤色発光を示すＥｕで付活されたＣａＳなどアルカリ土
類硫化物からなる発光層を成膜する際、アルカリ土類硫
化物を蒸着源にして真空蒸着すると、形成膜にＳ扱けに
よる化学渚論比組成のずれや、それに起因する結晶性の
著しい低下が発生する。また、Ｓの雰囲気中でアルカリ
土ＭＵＡ化物を真空蒸着すると、上記形成膜質の低下を
ある程度防止することが可能であるものの、膜質の低下
を防止するにはＳの分圧によって蒸着中の真空度を１０
″４〜１０−２ Ｔｏｒｒとしなければならず、成膜装
置の維持も含めて真空蒸着法としてのアルカリ土類硫化
物の成膜技術として本Ｖｉ的解決には至っていない。
類硫化物からなる発光層を成膜する際、アルカリ土類硫
化物を蒸着源にして真空蒸着すると、形成膜にＳ扱けに
よる化学渚論比組成のずれや、それに起因する結晶性の
著しい低下が発生する。また、Ｓの雰囲気中でアルカリ
土ＭＵＡ化物を真空蒸着すると、上記形成膜質の低下を
ある程度防止することが可能であるものの、膜質の低下
を防止するにはＳの分圧によって蒸着中の真空度を１０
″４〜１０−２ Ｔｏｒｒとしなければならず、成膜装
置の維持も含めて真空蒸着法としてのアルカリ土類硫化
物の成膜技術として本Ｖｉ的解決には至っていない。
本発明の目的は、第１に良好４に赤色発光を示し、輝度
・効率の高い発光層材料を用いた薄膜ＥＬ索子を提供す
ること、第２に高品位の発光層薄膜を容易に形成するこ
とが可能な、上記赤色発光を示す発光層を有する薄膜Ｅ
Ｌ素子の装）告方法を提供することにある。
・効率の高い発光層材料を用いた薄膜ＥＬ索子を提供す
ること、第２に高品位の発光層薄膜を容易に形成するこ
とが可能な、上記赤色発光を示す発光層を有する薄膜Ｅ
Ｌ素子の装）告方法を提供することにある。
［課題を解決するための手段］
本発明は、（ｃａｌ−、ｒｖｌｇｘ）（Ｓｌ−、Ｓｅ、
）混晶からなる母体にＥＬＪを付活した薄膜螢光体を発
光層としてなることを特徴とする薄膜ＥＬ素子であり、
またその製造方法は、Ｅｕを含むＣａまたはＭＣＩの硫
化物またはセレン化物で形成された混合物または混晶か
らなり、Ｅｕ、Ｍｇ、Ｃａ。
）混晶からなる母体にＥＬＪを付活した薄膜螢光体を発
光層としてなることを特徴とする薄膜ＥＬ素子であり、
またその製造方法は、Ｅｕを含むＣａまたはＭＣＩの硫
化物またはセレン化物で形成された混合物または混晶か
らなり、Ｅｕ、Ｍｇ、Ｃａ。
ＳおよびＳｅのずべてを構成元素として含む蒸着源と、
ｓｅからなる蒸着源とから同時に基板上に蒸発物質を供
給することにより発光層の形成を行うことを特徴とする
。
ｓｅからなる蒸着源とから同時に基板上に蒸発物質を供
給することにより発光層の形成を行うことを特徴とする
。
本発明において、発光層母体のＭｇ濃度の値Ｘは、Ｑ＜
ｘ≦０．７の範囲であることが好ましい。
ｘ≦０．７の範囲であることが好ましい。
Ｍｇ濃度の値Ｘか０．７より大きくなると、赤色発光素
子としての色純度が劣るようになる。
子としての色純度が劣るようになる。
また、発光層母体のＳｅ濃度の値ｙは、０．０５≦ｙ≦
０．６５の範囲であることが好ましい。Ｓｅ濃度の値ｙ
が０．６５より大きくなると、赤色発光素子としての色
純度が劣るようになり、０．０５より小さいと発光効率
の改善効果が小さい。さらに、母体にＭｇを含まない場
合には発光効率が悪くなる。
０．６５の範囲であることが好ましい。Ｓｅ濃度の値ｙ
が０．６５より大きくなると、赤色発光素子としての色
純度が劣るようになり、０．０５より小さいと発光効率
の改善効果が小さい。さらに、母体にＭｇを含まない場
合には発光効率が悪くなる。
［作用］
ＣａＳ：ＥＬＪの発光はピーク波長的６５０ｎｍのほぼ
対称なスペクトルを示す。この発光は色純度が非常に高
い深い赤色で必る反面、視感度が小さいため原理的に高
効率化に限界がある。母体をＣａＳとＣａＳｅの混晶と
するとＥＬＩからの発光スペクトルが短波長側に移動し
、赤色発光素子としての実用的な色純度を保持したまま
視感度の高い領域での発光を得ることかできる。
対称なスペクトルを示す。この発光は色純度が非常に高
い深い赤色で必る反面、視感度が小さいため原理的に高
効率化に限界がある。母体をＣａＳとＣａＳｅの混晶と
するとＥＬＩからの発光スペクトルが短波長側に移動し
、赤色発光素子としての実用的な色純度を保持したまま
視感度の高い領域での発光を得ることかできる。
また、母体がＭｇＳとＣａＳの混晶の場合、ＭＣＩ濃度
が高い方が高い発光効率を得ることができ、適当なＭＣ
Ｉ度の範囲では赤色発光の色純度を保ったまま発光効率
の向上が可能である。このように、これらの構成元素が
適当な濃度範囲にある擬二元混晶はカラーＥＬ素子に用
いることができる高効率赤色発光素子を実現することが
可能である。
が高い方が高い発光効率を得ることができ、適当なＭＣ
Ｉ度の範囲では赤色発光の色純度を保ったまま発光効率
の向上が可能である。このように、これらの構成元素が
適当な濃度範囲にある擬二元混晶はカラーＥＬ素子に用
いることができる高効率赤色発光素子を実現することが
可能である。
ＥＬＪを含むＣａ、ＭＣＩなどの硫化物またはこれらの
硫化物とセレン化物の混合物、あるいは硫化物とセレン
化物の混晶からなる蒸着源を加熱し真空蒸着する際、薄
膜成長面では、基板に到達する化学量論比の蒸気成分よ
り過剰のＳｅが供給されると、形成薄膜からのＳまたは
ｓｅｔ友けが減少し、蒸む雰囲気からの酸素の取り込み
による薄膜中の酸化物の猪も低下するため、形成薄膜の
結晶性が良好になり、ひいてはこの薄膜を発光層とする
ＥＬ素子の発光特性が良好となる。
硫化物とセレン化物の混合物、あるいは硫化物とセレン
化物の混晶からなる蒸着源を加熱し真空蒸着する際、薄
膜成長面では、基板に到達する化学量論比の蒸気成分よ
り過剰のＳｅが供給されると、形成薄膜からのＳまたは
ｓｅｔ友けが減少し、蒸む雰囲気からの酸素の取り込み
による薄膜中の酸化物の猪も低下するため、形成薄膜の
結晶性が良好になり、ひいてはこの薄膜を発光層とする
ＥＬ素子の発光特性が良好となる。
また、ＳｅはＳより蒸気圧が低いため、基板への付着率
が高く、より少量で上記効果がおり、さらにＳの雰囲気
蒸着法ではＳ源の室温〜２００℃の間での微妙な温度コ
ント【］−ルが要求されるのに対し、Ｓｅの同時供給で
はＳｅ源の温度コントロールによる供給串の制御が容易
でおる。よって通常の蒸着法の真空度を保持したまま、
Ｓｅの薄膜成長面への供給最の変動の少ない過剰供給を
行うことが可能である。
が高く、より少量で上記効果がおり、さらにＳの雰囲気
蒸着法ではＳ源の室温〜２００℃の間での微妙な温度コ
ント【］−ルが要求されるのに対し、Ｓｅの同時供給で
はＳｅ源の温度コントロールによる供給串の制御が容易
でおる。よって通常の蒸着法の真空度を保持したまま、
Ｓｅの薄膜成長面への供給最の変動の少ない過剰供給を
行うことが可能である。
このため、薄膜の結晶性やＥＬ索子の特性が良好となり
、また成膜装置の汚染が成膜や成膜装置の材質に及はＪ
影響が少なくなり、成膜装置の維持も容易になる。
、また成膜装置の汚染が成膜や成膜装置の材質に及はＪ
影響が少なくなり、成膜装置の維持も容易になる。
［実施例］
次に、本発明の実施例について図面を参照しで説明する
。
。
第１図は本発明の一実施例を示す薄膜ｔ＝１素子の断面
図で、透明なガラス基板１上に、透明電極２、第１絶縁
体層３、本発明に係る＜ ｃ ａ １−ｘＭｑＸ ）（
Ｓｌ−ｙ Ｓｅ、）： ＥＬＪ発光＠４、第２絶縁体層
５、上部電極６が順次形成されている。
図で、透明なガラス基板１上に、透明電極２、第１絶縁
体層３、本発明に係る＜ ｃ ａ １−ｘＭｑＸ ）（
Ｓｌ−ｙ Ｓｅ、）： ＥＬＪ発光＠４、第２絶縁体層
５、上部電極６が順次形成されている。
以下に、その薄膜ＥＬ素子の製造方法の概略を説明覆゛
ると、まず真空蒸着法またはスパッタ法などによりガラ
ス基板１上に透明電極２および２５００人の△Ｑ２０３
からなる第１絶縁体医３を成膜する。次に、この基板上
に後記する如き方法により、蒸発源のＭｇＳ、ＣａＳと
ＣａＳｅの混合比を変化させたＥＬＪを含むペレットを
用い、５００℃の基板温度で、電子ビーム加熱蒸着法で
（Ｃａ ＭＱ ）ｃｓｌ−、、Ｓｅ、）： Ｅｕ
発光１−× × 層４を１００００人形成する。さらに、この真空状態を
破らずにこれらの発光Ｍ４の上に、Ａｊ！２０３の第２
絶縁体層５を３００００人形成する。最後に、この第２
絶縁体層５の上に上部へで電極６を成膜してＥｌ−素子
を作製する。
ると、まず真空蒸着法またはスパッタ法などによりガラ
ス基板１上に透明電極２および２５００人の△Ｑ２０３
からなる第１絶縁体医３を成膜する。次に、この基板上
に後記する如き方法により、蒸発源のＭｇＳ、ＣａＳと
ＣａＳｅの混合比を変化させたＥＬＪを含むペレットを
用い、５００℃の基板温度で、電子ビーム加熱蒸着法で
（Ｃａ ＭＱ ）ｃｓｌ−、、Ｓｅ、）： Ｅｕ
発光１−× × 層４を１００００人形成する。さらに、この真空状態を
破らずにこれらの発光Ｍ４の上に、Ａｊ！２０３の第２
絶縁体層５を３００００人形成する。最後に、この第２
絶縁体層５の上に上部へで電極６を成膜してＥｌ−素子
を作製する。
いま、薄膜ＥＬ素子の発光層を、（Ｃａｏ、７Ｍｇ０．
３ ＞（ｓｌ−ＶＳｅｖ）を母体とし、０．１モル％の
Ｅｕで付活されたものとし、Ｓ ｅ ６度（ｙ）を表−
１に示す如く変化させて発光層を形成した時の各素子の
発光色を表−１に、発光効率を第５図に示す。
３ ＞（ｓｌ−ＶＳｅｖ）を母体とし、０．１モル％の
Ｅｕで付活されたものとし、Ｓ ｅ ６度（ｙ）を表−
１に示す如く変化させて発光層を形成した時の各素子の
発光色を表−１に、発光効率を第５図に示す。
表−１
表−１かられかるように、発光層母体が混晶化しＳｅ１
度が増加するにしたがって、発光ピーク波長が短波長側
に移動し、色調が変化している。
度が増加するにしたがって、発光ピーク波長が短波長側
に移動し、色調が変化している。
また、第５図かられかるように、発光効率がＳｅ濃度の
増加とともに大きくなっている。このＭｇ瀾度の時、Ｓ
ｅのモル濃度が０．６０以上では、赤色発光素子と（）
ての色純度が通常のカラーｃ ｒｔ −ｒに用いられる
ものより劣っていた。また、０．０５以下では発光効率
の改善効果が小さかった。Ｓｅがモル濃度で０．３０含
まれる（ Ｃａ ｏ、 ７０Ｍ ｑｏ、 ３０ ）（Ｓ
□、７０Ｓ ｅ□、３０） ： Ｅ ｕを発光層として
有する素子Ｃはカラー素子としての良好な色純度を有し
、また素子Ａに比べ約３倍の効率改善がなされた。
増加とともに大きくなっている。このＭｇ瀾度の時、Ｓ
ｅのモル濃度が０．６０以上では、赤色発光素子と（）
ての色純度が通常のカラーｃ ｒｔ −ｒに用いられる
ものより劣っていた。また、０．０５以下では発光効率
の改善効果が小さかった。Ｓｅがモル濃度で０．３０含
まれる（ Ｃａ ｏ、 ７０Ｍ ｑｏ、 ３０ ）（Ｓ
□、７０Ｓ ｅ□、３０） ： Ｅ ｕを発光層として
有する素子Ｃはカラー素子としての良好な色純度を有し
、また素子Ａに比べ約３倍の効率改善がなされた。
また、上記と同様に、０．１モル％のＥＬＪで付活され
た（Ｃａ１−、ＭＱｘ ）（Ｓ□、７０Ｓｅ□、３０）
を発光層として有する薄膜ＥＬ素子を、表−２に示すよ
うなＭ Ｃｌ濃度になるように蒸発源のＭＣｌ５の混合
比を調整し作製した時の各素子の発光色を表−２に、発
光効率を第６図に示す。
た（Ｃａ１−、ＭＱｘ ）（Ｓ□、７０Ｓｅ□、３０）
を発光層として有する薄膜ＥＬ素子を、表−２に示すよ
うなＭ Ｃｌ濃度になるように蒸発源のＭＣｌ５の混合
比を調整し作製した時の各素子の発光色を表−２に、発
光効率を第６図に示す。
表−２
第６図かられかるように、発光層母体のＭｇ濃度が増加
するにつれて発光効率が向上している。
するにつれて発光効率が向上している。
しかし、このＳ ｅ ８度の時、ＭＣ１８度が０．７を
超えると、赤色発光素子としての色純度が通常のカラー
ＣＲＴに用いられるものより劣っていた。第６図にみら
れる１、Ｊ素子での効率向上は、視感度の効果が大きい
。ｆＶｔｑがモル濃度で０．５０含まれる素子口は、Ｍ
ｇを含まない素子［に比べ約１．５倍の効率改善がなさ
れた。
超えると、赤色発光素子としての色純度が通常のカラー
ＣＲＴに用いられるものより劣っていた。第６図にみら
れる１、Ｊ素子での効率向上は、視感度の効果が大きい
。ｆＶｔｑがモル濃度で０．５０含まれる素子口は、Ｍ
ｇを含まない素子［に比べ約１．５倍の効率改善がなさ
れた。
このように、本発明によるＥｕで付活された（ｃａトｘ
Ｍｇｘ）（ｓｌ−、Ｓｅ、）を発光層とするＥＬ素子は
赤色発光素子としての色純度を保持したまま、輝度・効
率を、従来のＣａＳを母体とするものよりも改善するこ
とかでき、総合的にみて従来素子より発光特性の優れた
ものを得ることができた。
Ｍｇｘ）（ｓｌ−、Ｓｅ、）を発光層とするＥＬ素子は
赤色発光素子としての色純度を保持したまま、輝度・効
率を、従来のＣａＳを母体とするものよりも改善するこ
とかでき、総合的にみて従来素子より発光特性の優れた
ものを得ることができた。
次に、０．１モル％のＥＬＪで付活した（ＣａＯ，７０
Ｍｇ０．３０） （ｓｏ、７０ｓｅＯ，３０＞ ｉ膜
成膜時にＳｅを同時供給した発光層を有する薄膜ＦＬ素
子を例にして、この発光層形成技術の詳細を説明する。
Ｍｇ０．３０） （ｓｏ、７０ｓｅＯ，３０＞ ｉ膜
成膜時にＳｅを同時供給した発光層を有する薄膜ＦＬ素
子を例にして、この発光層形成技術の詳細を説明する。
第１図に示す構造を有する簿膜ＥＬ素子の製造工程は前
記の通りであるが、このうち、発光層の形成については
以下のような手順で形成した。即ち、形成された薄膜の
Ｓｅ５度が０．３０となるように蒸発源ペレットのＭｇ
Ｓ、ＣａＳとＣａＳｅ混合比を調整し、第２図に承りよ
うな本発明による製造工程可能な成膜装置を用いて行っ
た。
記の通りであるが、このうち、発光層の形成については
以下のような手順で形成した。即ち、形成された薄膜の
Ｓｅ５度が０．３０となるように蒸発源ペレットのＭｇ
Ｓ、ＣａＳとＣａＳｅ混合比を調整し、第２図に承りよ
うな本発明による製造工程可能な成膜装置を用いて行っ
た。
まず、一方の蒸＠源として上記ペレット１１を電子ビー
ムガン１０により加熱して蒸発させ、別蒸着源として５
ｅ１２を種々の供給速度で抵抗加熱により同時に蒸発さ
せて、基板加熱ヒータ９により５００’Ｃに加熱された
基板８上に１００００人の膜厚で形成した。この時、Ｓ
ｅの供給量の変動は±５％以下とし、成膜時の真空度は
’ｌ ｘｌＯ−５Ｔｏｒｒ以下とした。作製した素子に
ついて、薄膜原料供給量に対するｓｅの相対的供給量と
素子名を表−３に示す。
ムガン１０により加熱して蒸発させ、別蒸着源として５
ｅ１２を種々の供給速度で抵抗加熱により同時に蒸発さ
せて、基板加熱ヒータ９により５００’Ｃに加熱された
基板８上に１００００人の膜厚で形成した。この時、Ｓ
ｅの供給量の変動は±５％以下とし、成膜時の真空度は
’ｌ ｘｌＯ−５Ｔｏｒｒ以下とした。作製した素子に
ついて、薄膜原料供給量に対するｓｅの相対的供給量と
素子名を表−３に示す。
Ｋ−Ｐ多素子のＸ線回折によるＮａＣｊ構造（２００）
ピークの半値幅△２θを測定したところ、第７図に示す
ように、供給ｓｅの量が増加するにしたがって△２θは
単調に減少し、結晶性の改善効果が認められた。素子Ｎ
およびＰではｓｅの供給の無い場合（索子Ｋ）に比べ、
半値幅Δ２θが２１５に減少した。また、発光効率も供
給Ｓｅの量が増加するにつれて増加し、Ｓｅの供給が無
い場合（素子Ｋ）に比べ、素子Ｐで約１．５倍に改善さ
れた。比較のためにＳの同時供給を行ったところ、成膜
真空度１０−５ Ｔｏｒｒ付近で供給量を制御すること
は困難であり、成膜の再現性や雰囲気真空度の劣化、ざ
らには成膜装置のＣｕ部品の腐食、ポンプオイルの急激
な劣化という問題が発生した。
ピークの半値幅△２θを測定したところ、第７図に示す
ように、供給ｓｅの量が増加するにしたがって△２θは
単調に減少し、結晶性の改善効果が認められた。素子Ｎ
およびＰではｓｅの供給の無い場合（索子Ｋ）に比べ、
半値幅Δ２θが２１５に減少した。また、発光効率も供
給Ｓｅの量が増加するにつれて増加し、Ｓｅの供給が無
い場合（素子Ｋ）に比べ、素子Ｐで約１．５倍に改善さ
れた。比較のためにＳの同時供給を行ったところ、成膜
真空度１０−５ Ｔｏｒｒ付近で供給量を制御すること
は困難であり、成膜の再現性や雰囲気真空度の劣化、ざ
らには成膜装置のＣｕ部品の腐食、ポンプオイルの急激
な劣化という問題が発生した。
Ｓｅの同時供給ではこのような顕著な問題は発生しなか
った。
った。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明によれば、ＥＵで付活され
た発光層材料として、（Ｃａ１−ｘＭｇｘ）（Ｓ １−
ｙ Ｓ ｅ ｙ ） ’ Ｅ ｕを用いることにより、
赤色発光素子としての色調を保ったまま高い発光効率を
有する薄膜ＥＬ素子を１ｑることかできる。ざらに、上
記発光層の形成時にＳｅを同時供給することにより、発
光層薄膜の結晶性が改善され、ひいては薄膜ＥＬ素子の
発光特性を改善することができる。また、この方法を用
いることにより成膜条件を再現性・制御性よく実現でき
、しかも成膜装置の急激な劣化なしに高輝度赤色薄膜Ｅ
Ｌ素子を製造できる。
た発光層材料として、（Ｃａ１−ｘＭｇｘ）（Ｓ １−
ｙ Ｓ ｅ ｙ ） ’ Ｅ ｕを用いることにより、
赤色発光素子としての色調を保ったまま高い発光効率を
有する薄膜ＥＬ素子を１ｑることかできる。ざらに、上
記発光層の形成時にＳｅを同時供給することにより、発
光層薄膜の結晶性が改善され、ひいては薄膜ＥＬ素子の
発光特性を改善することができる。また、この方法を用
いることにより成膜条件を再現性・制御性よく実現でき
、しかも成膜装置の急激な劣化なしに高輝度赤色薄膜Ｅ
Ｌ素子を製造できる。
第１図は本発明の一実施例の薄膜ＥＬ累子の断面図、第
２図は本発明の薄膜Ｅ Ｌ索子の製造方法に用いられる
成膜装置の一例の概略構成図、第３図は従来の薄膜Ｅ［
素子の断面図、第４図は従来の薄膜ＥＬ素子の製造方法
に用いられる成膜装置の概略構成図、第５図はＥＵで付
活した本発明の混晶母体におけるＳｅ１度と発光効率と
の関係を示す特性図、第６図は本発明の混晶母体におけ
るＭｇ濃度と発光効率との関係を示す特性図、第７図は
発光層形成時のＳｅ供給量と△２θ（２００）との関係
を示す特性図である。 １・・・ガラス基板 ２・・・透明電極３・・・
第１絶縁体層 ４− （Ｃａ１−ｘ ｆｖｌｇｘ ） （Ｓｌ、Ｓｅ、） ：ＥＵ発光層 ５・・・第２絶縁体層 ６・・・上部電（※７・・
・アルカリ土類硫化物発光層 ８・・・基板 ９・・・基板加熱ヒ１０・
・・電子ビームガン １１・・・発光層材料ペレット １２・・・３ｅ １３・・・抵抗加熱器
１５・・・Ｓ雰囲気
２図は本発明の薄膜Ｅ Ｌ索子の製造方法に用いられる
成膜装置の一例の概略構成図、第３図は従来の薄膜Ｅ［
素子の断面図、第４図は従来の薄膜ＥＬ素子の製造方法
に用いられる成膜装置の概略構成図、第５図はＥＵで付
活した本発明の混晶母体におけるＳｅ１度と発光効率と
の関係を示す特性図、第６図は本発明の混晶母体におけ
るＭｇ濃度と発光効率との関係を示す特性図、第７図は
発光層形成時のＳｅ供給量と△２θ（２００）との関係
を示す特性図である。 １・・・ガラス基板 ２・・・透明電極３・・・
第１絶縁体層 ４− （Ｃａ１−ｘ ｆｖｌｇｘ ） （Ｓｌ、Ｓｅ、） ：ＥＵ発光層 ５・・・第２絶縁体層 ６・・・上部電（※７・・
・アルカリ土類硫化物発光層 ８・・・基板 ９・・・基板加熱ヒ１０・
・・電子ビームガン １１・・・発光層材料ペレット １２・・・３ｅ １３・・・抵抗加熱器
１５・・・Ｓ雰囲気
Claims (2)
- （１）（Ｃａ＿１＿−＿ｘＭｇ＿ｘ）（Ｓ＿１＿−＿ｙ
Ｓｅ＿ｙ）混晶からなる母体にＥｕを付活した薄膜螢光
体を発光層としてなることを特徴とする薄膜ＥＬ素子。 - （２）（Ｃａ＿１＿−＿ｘＭｇ＿ｘ）（Ｓ＿１＿−＿ｙ
Ｓｅ＿ｙ）混晶からなる母体にＥｕを付活した薄膜螢光
体を発光層とする薄膜ＥＬ素子の製造方法であって、Ｅ
ｕを含むＣａまたはＭｇの硫化物またはセレン化物で形
成された混合物または混晶からなり、Ｅｕ、Ｍｇ、Ｃａ
、ＳおよびＳｅのすべてを構成元素として含む蒸着源と
、Ｓｅからなる蒸着源とから同時に基板上に蒸発物質を
供給することにより発光層の形成を行うことを特徴とす
る薄膜ＥＬ素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63300725A JPH02148595A (ja) | 1988-11-30 | 1988-11-30 | 薄膜ｅｌ素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63300725A JPH02148595A (ja) | 1988-11-30 | 1988-11-30 | 薄膜ｅｌ素子およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02148595A true JPH02148595A (ja) | 1990-06-07 |
Family
ID=17888353
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63300725A Pending JPH02148595A (ja) | 1988-11-30 | 1988-11-30 | 薄膜ｅｌ素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02148595A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6002214A (en) * | 1997-02-12 | 1999-12-14 | International Rectifier Corporation | Phase detection control circuit for an electronic ballast |
| US6008592A (en) * | 1998-06-10 | 1999-12-28 | International Rectifier Corporation | End of lamp life or false lamp detection circuit for an electronic ballast |
| US6008593A (en) * | 1997-02-12 | 1999-12-28 | International Rectifier Corporation | Closed-loop/dimming ballast controller integrated circuits |
| US6300777B1 (en) | 1997-10-15 | 2001-10-09 | International Rectifier Corporation | Lamp ignition detection circuit |
| US7538483B2 (en) | 2002-08-07 | 2009-05-26 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Inorganic electroluminescent device and method of fabricating the same |
-
1988
- 1988-11-30 JP JP63300725A patent/JPH02148595A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6002214A (en) * | 1997-02-12 | 1999-12-14 | International Rectifier Corporation | Phase detection control circuit for an electronic ballast |
| US6008593A (en) * | 1997-02-12 | 1999-12-28 | International Rectifier Corporation | Closed-loop/dimming ballast controller integrated circuits |
| US6300777B1 (en) | 1997-10-15 | 2001-10-09 | International Rectifier Corporation | Lamp ignition detection circuit |
| US6008592A (en) * | 1998-06-10 | 1999-12-28 | International Rectifier Corporation | End of lamp life or false lamp detection circuit for an electronic ballast |
| US7538483B2 (en) | 2002-08-07 | 2009-05-26 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Inorganic electroluminescent device and method of fabricating the same |
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