JPH02148701A - 抵抗被膜形成物 - Google Patents
抵抗被膜形成物Info
- Publication number
- JPH02148701A JPH02148701A JP63302004A JP30200488A JPH02148701A JP H02148701 A JPH02148701 A JP H02148701A JP 63302004 A JP63302004 A JP 63302004A JP 30200488 A JP30200488 A JP 30200488A JP H02148701 A JPH02148701 A JP H02148701A
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- JP
- Japan
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- composition
- resistive film
- xmg
- forming
- resistive
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はハイブリットエＣ１チップ抵抗素子等の電子回
路部品に用いる抵抗被膜形成用組成物に関する。
路部品に用いる抵抗被膜形成用組成物に関する。
抵抗被膜形成用組成物には導電性物質が含有されている
が、主としてルチル型の酸化ルテニウム（ＲｕＯ）が用
いられている。しかしこの抵抗液膜はシート抵抗値で１
００に２７口以上の高抵抗になると極めて抵抗値特性が
不安定となる。これの欠点を補なうため導電性物質とし
てパイロクロア型導電性酸化物、例えばＰｂ Ｒｕ Ｏ
、Ｂｉ Ｒｕ ０２ ２Ｆ−ｚ ２ ２
７−ｘを用いる傾向にあるが、パイロクロア型導電性酸
化物は熱膨張係数が大きいので、抵抗被膜形成用組成物
をセラミック基板上へ焼結するとき、同時に含有される
無機ガラス質結合剤と混合焼結された結果、熱膨張率の
差から焼結体内部に強い内部応力が発生残留し、抵抗被
膜の膜強度が著しく脆弱となる。その為抵抗値調整を必
要とするレーザートリミング時に抵抗被膜に微小クラッ
クが多数入り、抵抗値特性を不安定にするという問題点
があった。
が、主としてルチル型の酸化ルテニウム（ＲｕＯ）が用
いられている。しかしこの抵抗液膜はシート抵抗値で１
００に２７口以上の高抵抗になると極めて抵抗値特性が
不安定となる。これの欠点を補なうため導電性物質とし
てパイロクロア型導電性酸化物、例えばＰｂ Ｒｕ Ｏ
、Ｂｉ Ｒｕ ０２ ２Ｆ−ｚ ２ ２
７−ｘを用いる傾向にあるが、パイロクロア型導電性酸
化物は熱膨張係数が大きいので、抵抗被膜形成用組成物
をセラミック基板上へ焼結するとき、同時に含有される
無機ガラス質結合剤と混合焼結された結果、熱膨張率の
差から焼結体内部に強い内部応力が発生残留し、抵抗被
膜の膜強度が著しく脆弱となる。その為抵抗値調整を必
要とするレーザートリミング時に抵抗被膜に微小クラッ
クが多数入り、抵抗値特性を不安定にするという問題点
があった。
本発明の課題は上記問題点を解消し、セラミック基板上
で焼結したとき、焼結体内部に生ずる応力を減少させ、
膜強度を脆弱にしない抵抗被膜形成用組成物を提供する
ことにある。
で焼結したとき、焼結体内部に生ずる応力を減少させ、
膜強度を脆弱にしない抵抗被膜形成用組成物を提供する
ことにある。
本発明は、パイロクロア型導電性物質、無機ガラス質結
合剤、金属酸化物添加剤等からなる固形混合物に有機ビ
ヒクルを添加してなる組成物において、前記固形分１０
０重量部中にフィラーとしてＺｎ２−ｘＭｇ、ＳｉＯ４
，Ｚｎ２−ｘＭｇｘＧｅＯ４，Ｚｎ２Ｓｉ、−ｙＧｅｙ
Ｏ４゜β−ユークリプタイト（Ｌ１□ｏ−Ａｌ２Ｏ３・
２Ｓ１０２）、 コージェライト（２Ｍｇｏ・２Ａｌ２
Ｏ３・５Ｓ１０□）、５１０２のうち少なくとも１種以
上を１〜３０重量部含有せしめることを課題解決の手段
とする。
合剤、金属酸化物添加剤等からなる固形混合物に有機ビ
ヒクルを添加してなる組成物において、前記固形分１０
０重量部中にフィラーとしてＺｎ２−ｘＭｇ、ＳｉＯ４
，Ｚｎ２−ｘＭｇｘＧｅＯ４，Ｚｎ２Ｓｉ、−ｙＧｅｙ
Ｏ４゜β−ユークリプタイト（Ｌ１□ｏ−Ａｌ２Ｏ３・
２Ｓ１０２）、 コージェライト（２Ｍｇｏ・２Ａｌ２
Ｏ３・５Ｓ１０□）、５１０２のうち少なくとも１種以
上を１〜３０重量部含有せしめることを課題解決の手段
とする。
パイロクロア型導電性酸化物としてはＰｂ Ｒｕ０
、 Ｐｂ Ｏａ Ｏ、Ｅｉ Ｒｕ Ｏ、Ｂｉ工ｒＯｃａ
７−Ｘ２２ アーＸ ２２７−Ｘ
２２７’ ２Ｒｅ２０．、 Ｔ／２Ｒｈ２０．、
Ｔ１２工ｒ２０７等を挙げることが出来る。
、 Ｐｂ Ｏａ Ｏ、Ｅｉ Ｒｕ Ｏ、Ｂｉ工ｒＯｃａ
７−Ｘ２２ アーＸ ２２７−Ｘ
２２７’ ２Ｒｅ２０．、 Ｔ／２Ｒｈ２０．、
Ｔ１２工ｒ２０７等を挙げることが出来る。
無機ガラス質結合剤としてはＰｂＯ，Ｂｉ Ｏ、５ｉｎ
２゜ＳｎＯ□、 Ａｌ２Ｏ３，Ｂ２Ｏ３，Ｏａｋ、 Ｍ
ｇＯ，Ｂａｄ、 ＳｒＯ，ＺｎＯ等からＰｂ０〜１，ｙ
が０〜８ｉ０〜１，ｙが０〜Ａｔ ０〜１，ｙが０〜Ｂ
Ｏ、Ｐｂ０〜１，ｙが０〜８ｉ０２−Ｂ２０３−Ｃａ
０〜１，ｙが０〜ＺｎＯのように混合して粉末のガラス
状態にしたものが普通に用いられる。
２゜ＳｎＯ□、 Ａｌ２Ｏ３，Ｂ２Ｏ３，Ｏａｋ、 Ｍ
ｇＯ，Ｂａｄ、 ＳｒＯ，ＺｎＯ等からＰｂ０〜１，ｙ
が０〜８ｉ０〜１，ｙが０〜Ａｔ ０〜１，ｙが０〜Ｂ
Ｏ、Ｐｂ０〜１，ｙが０〜８ｉ０２−Ｂ２０３−Ｃａ
０〜１，ｙが０〜ＺｎＯのように混合して粉末のガラス
状態にしたものが普通に用いられる。
該金属酸化物添加剤としてはＣｕｂ、 Ｔｉｅ、 Ｍｎ
０ 。
０ 。
Ｖ Ｏ、ＺｒＯ、Ｓｂ Ｏ等やＰｂＴｉ０ 、 ＰｂＺ
ｒ０ 、 ＰｂＳｎＯ３等の強誘雇体ペロプスカイト型
酸化物を挙げることができる。
ｒ０ 、 ＰｂＳｎＯ３等の強誘雇体ペロプスカイト型
酸化物を挙げることができる。
フィラーとしてＺｎ Ｍｇ ＳｉＯ、Ｚｎ Ｍｇ
Ｇｅ０ 。
Ｇｅ０ 。
２−ｘｘ ４ ２−ＸＸ ４
Ｚｎ Ｓｉ Ｇｅ Ｏ、β−Ｌ１０・ＡＩｏ・２Ｓ１
０，２Ｍｇｏ・２Ａ１２２１−ｙｙ４ ２ ２３
２ ０・５ＳｉＯ及びＳｉＯ等のうち少なくとも１種類具上
を該パイロクロア型導電性酸化物、無機ガラス質結合剤
、該金属酸化物添加剤及び有機ビヒクルとの混合物に対
して含有させる必要がある。
Ｚｎ Ｓｉ Ｇｅ Ｏ、β−Ｌ１０・ＡＩｏ・２Ｓ１
０，２Ｍｇｏ・２Ａ１２２１−ｙｙ４ ２ ２３
２ ０・５ＳｉＯ及びＳｉＯ等のうち少なくとも１種類具上
を該パイロクロア型導電性酸化物、無機ガラス質結合剤
、該金属酸化物添加剤及び有機ビヒクルとの混合物に対
して含有させる必要がある。
該フィラーにおいてＸは０〜１、ｙは０〜１としなけれ
ばならず、Ｘが１を超えると該フィラーの熱膨張係数が
大となり良くない。該フィラーは固形分１００重量部中
に１〜３０重量部を含有させるのであるが、１重量部未
満では該抵抗被膜内に発生する内部応力を減少させる効
果・が少なく、−方３０重量部を超える場合には該抵抗
膜の表面に凹凸が発生したり、電流ノイズを発生したり
して不都合である。該フィラーの粒径は０．５〜２．０
μｍが好適であり、熱膨張係数としては５０〜６０ Ｘ
１０−７ん以下が好適である。
ばならず、Ｘが１を超えると該フィラーの熱膨張係数が
大となり良くない。該フィラーは固形分１００重量部中
に１〜３０重量部を含有させるのであるが、１重量部未
満では該抵抗被膜内に発生する内部応力を減少させる効
果・が少なく、−方３０重量部を超える場合には該抵抗
膜の表面に凹凸が発生したり、電流ノイズを発生したり
して不都合である。該フィラーの粒径は０．５〜２．０
μｍが好適であり、熱膨張係数としては５０〜６０ Ｘ
１０−７ん以下が好適である。
本発明の抵抗被膜形成用組成物を得る製法は常法に従っ
て行なえば良く、原料粉末を有機ビヒクルと共にスリー
ロールミル等で均一に粉砕混練し、基板上にスクリーン
印刷後、乾燥焼成すれば良い。
て行なえば良く、原料粉末を有機ビヒクルと共にスリー
ロールミル等で均一に粉砕混練し、基板上にスクリーン
印刷後、乾燥焼成すれば良い。
パイロクロア型導電性粉末としてＰｂ Ｒｕ Ｏ，２２
６、冴 無機ガラス質結合剤としてＰｂ０〜１，ｙが０〜３ｉ０
〜１，ｙが０〜Ａｔ ０〜１，ｙが０〜Ｂ Ｏ系ガラス
粉末、金属酸化物添加剤としてＴｉＯ、フィラー粉末と
してウイレマイト（Ｚｎ ＳｉＯ）及び有機ビヒクルと
してエチルセルローズのターピネオール溶液を３０重量
部加えて、第１表に示す割合でスリーロールミルで混合
し、アルミナ基板上にスクリーン印刷して、最高温度１
２５Ｃで２５分間乾燥後、空気雰囲気式ベルト焼成炉で
ビーク温度８５０Ｃ，ピーク時間９分間で焼成した。
６、冴 無機ガラス質結合剤としてＰｂ０〜１，ｙが０〜３ｉ０
〜１，ｙが０〜Ａｔ ０〜１，ｙが０〜Ｂ Ｏ系ガラス
粉末、金属酸化物添加剤としてＴｉＯ、フィラー粉末と
してウイレマイト（Ｚｎ ＳｉＯ）及び有機ビヒクルと
してエチルセルローズのターピネオール溶液を３０重量
部加えて、第１表に示す割合でスリーロールミルで混合
し、アルミナ基板上にスクリーン印刷して、最高温度１
２５Ｃで２５分間乾燥後、空気雰囲気式ベルト焼成炉で
ビーク温度８５０Ｃ，ピーク時間９分間で焼成した。
アルミナ基板上に焼結された抵抗被膜の機械的強度を次
のように評価した。
のように評価した。
まずダイヤモンド四角錐をもつビッカーズ端子を使って
、焼結抵抗被膜上に５００ ｇｆ 、 １５秒間の同一
条件で荷重をかけて圧痕を形成させる。四角錐中心点と
四角錐フーナ一部から伝播したクラック先端との長さを
顕微鏡で測定して強度を比較したＯ この結果を焼結抵抗被膜表面の凹凸と共に第１表に示す
。
、焼結抵抗被膜上に５００ ｇｆ 、 １５秒間の同一
条件で荷重をかけて圧痕を形成させる。四角錐中心点と
四角錐フーナ一部から伝播したクラック先端との長さを
顕微鏡で測定して強度を比較したＯ この結果を焼結抵抗被膜表面の凹凸と共に第１表に示す
。
クラック長さが長くなればなるほど抵抗被膜の機械的強
度は脆弱であると判断でさる。
度は脆弱であると判断でさる。
第１表から本発明の試験厘２．３．４．５．６はビツカ
ーズクラックが短く抵抗被膜表面の凹凸もなく良好であ
る。
ーズクラックが短く抵抗被膜表面の凹凸もなく良好であ
る。
本発明組成物によれば、セラミック基板上に焼結した抵
抗被膜の内部に発生する内部応力を減少させ、膜強度を
脆弱にせず、該膜表面に凹凸を生じない良好な抵抗被膜
が得られる。
抗被膜の内部に発生する内部応力を減少させ、膜強度を
脆弱にせず、該膜表面に凹凸を生じない良好な抵抗被膜
が得られる。
１゜
４゜
手
続
補
正
書
（自発）
事件の表示
昭和
発明の名称
年 特 許 願第３０２００４
抵抗被膜形成用組成物
号
補正をする者
事件との関係
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ パイロクロア型導電性物質、無機ガラス質結合剤、
金属酸化物添加剤等からなる固形混合物に有機ビヒクル
を添加してなる組成物において、前記固形分１００重量
部中にフィラーとしてＺｎ＿２＿−＿ｘＭｇ＿ｘＳｉＯ
＿４，Ｚｎ＿２＿−＿ｘＭｇ＿ｘＧｅＯ＿４，Ｚｎ＿２
Ｓｉ＿１＿−＿ｙＧｅ＿ｙＯ＿４，β−ユークリプタイ
ト（Ｌｉ＿２Ｏ・Ａｌ＿２Ｏ＿３・２ＳｉＯ＿２），コ
ージエライト（２ＭｇＯ・２Ａｌ＿２Ｏ＿３・５ＳｉＯ
＿２），ＳｉＯ＿２のうち少なくとも１種以上を１〜３
０重量部含有せしめてなることを特徴とする抵抗被膜形
成用組成物。 ２ Ｚｎ＿２＿−＿ｘＭｇ＿ｘＳｉＯ＿４，Ｚｎ＿２＿
−＿ｘＭｇ＿ｘＧｅＯ＿４，Ｚｎ＿２Ｓｉ＿１＿−＿ｙ
Ｇｅ＿ｙＯ＿４のｘが０〜１，ｙが０〜１であることを
特徴とする請求項１に記載の抵抗被膜形成用組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63302004A JPH02148701A (ja) | 1988-11-29 | 1988-11-29 | 抵抗被膜形成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63302004A JPH02148701A (ja) | 1988-11-29 | 1988-11-29 | 抵抗被膜形成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02148701A true JPH02148701A (ja) | 1990-06-07 |
Family
ID=17903726
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63302004A Pending JPH02148701A (ja) | 1988-11-29 | 1988-11-29 | 抵抗被膜形成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02148701A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007107963A (ja) * | 2005-10-12 | 2007-04-26 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 力学量センサ素子及びそれに用いる抵抗ペースト材料 |
| USRE43641E1 (en) | 1995-10-20 | 2012-09-11 | Seiko Epson Corporation | Method and apparatus for scaling up and down a video image |
-
1988
- 1988-11-29 JP JP63302004A patent/JPH02148701A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| USRE43641E1 (en) | 1995-10-20 | 2012-09-11 | Seiko Epson Corporation | Method and apparatus for scaling up and down a video image |
| JP2007107963A (ja) * | 2005-10-12 | 2007-04-26 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 力学量センサ素子及びそれに用いる抵抗ペースト材料 |
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