JPH02149954A - 記録再生装置及び方法 - Google Patents
記録再生装置及び方法Info
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- JPH02149954A JPH02149954A JP30222388A JP30222388A JPH02149954A JP H02149954 A JPH02149954 A JP H02149954A JP 30222388 A JP30222388 A JP 30222388A JP 30222388 A JP30222388 A JP 30222388A JP H02149954 A JPH02149954 A JP H02149954A
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- Japan
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- probe electrode
- recording medium
- voltage
- probe
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/08—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by electric charge or by variation of electric resistance or capacitance
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- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B13/00—Recording simultaneously or selectively by methods covered by different main groups among G11B3/00, G11B5/00, G11B7/00 and G11B9/00; Record carriers therefor not otherwise provided for; Reproducing therefrom not otherwise provided for
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B13/00—Recording simultaneously or selectively by methods covered by different main groups among G11B3/00, G11B5/00, G11B7/00 and G11B9/00; Record carriers therefor not otherwise provided for; Reproducing therefrom not otherwise provided for
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- G11B9/14—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor using near-field interactions; Record carriers therefor using microscopic probe means, i.e. recording or reproducing by means directly associated with the tip of a microscopic electrical probe as used in Scanning Tunneling Microscopy [STM] or Atomic Force Microscopy [AFM] for inducing physical or electrical perturbations in a recording medium; Record carriers or media specially adapted for such transducing of information
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B9/1463—Record carriers for recording or reproduction involving the use of microscopic probe means
- G11B9/149—Record carriers for recording or reproduction involving the use of microscopic probe means characterised by the memorising material or structure
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は情報の記録再生装置に関する。
（従来の技術）
近年、メモリ材料の用途は、コンピュータおよびその間
連機器、ビデオディスク、ディジタルオーディオディス
ク等のエレクトロニクス産業の中核をなすものであり、
その材料開発も極めて活発に進んでいる。メモリ材料に
要求される性能は用途により異なるが、−数的には、 ■高密度で記録容量が大きい、 ■記録再生の応答速度が速い、 ■消費電力が少ない、 ■生産性が高く、価格が安い、 等が挙げられる。
連機器、ビデオディスク、ディジタルオーディオディス
ク等のエレクトロニクス産業の中核をなすものであり、
その材料開発も極めて活発に進んでいる。メモリ材料に
要求される性能は用途により異なるが、−数的には、 ■高密度で記録容量が大きい、 ■記録再生の応答速度が速い、 ■消費電力が少ない、 ■生産性が高く、価格が安い、 等が挙げられる。
従来までは磁性体や半導体を素材とした半導体メモリや
磁気メモリが主であったが、近年レーザー技術の進展に
ともない、有機色素、フォトポリマーなとの有機薄膜を
用いた光メモリによる安価で高密度な記録媒体が登場し
てきた。
磁気メモリが主であったが、近年レーザー技術の進展に
ともない、有機色素、フォトポリマーなとの有機薄膜を
用いた光メモリによる安価で高密度な記録媒体が登場し
てきた。
一方、最近、導体の表面原子の電子構造を直接観察でき
る走査型トンネル顕微鏡（以後、ＳＴＭと略す）が開発
され、 ［Ｇ、Ｂｉｎｎｉｎｇ ｅｔ ａｌ、、ｔｌｅｌｖｅｔ
ｉｃａ Ｐｈｙｓｉｃａ Ａｃｔａ。
る走査型トンネル顕微鏡（以後、ＳＴＭと略す）が開発
され、 ［Ｇ、Ｂｉｎｎｉｎｇ ｅｔ ａｌ、、ｔｌｅｌｖｅｔ
ｉｃａ Ｐｈｙｓｉｃａ Ａｃｔａ。
５５、７２６（１９８２） ］
単結晶、非晶質を問わず実空間像の高い分解能が測定が
できるようになり、しかも媒体に電流による損傷を与え
ずに低電力で観測できる利点をも有し、さらに大気中で
も動作し、種々の材料に対して用いることができるため
広範囲な応用が期待されている。
できるようになり、しかも媒体に電流による損傷を与え
ずに低電力で観測できる利点をも有し、さらに大気中で
も動作し、種々の材料に対して用いることができるため
広範囲な応用が期待されている。
ＳＴＭは金属の探針と導電性物質の間に電圧を加えてｌ
ｎｍ程度の距離まで近づけるとトンネル電流が流れるこ
とを利用している。この電流は両者の距離変化に非常に
敏感であり、トンネル電流を一定に保つように探針を走
査することにより実空間の表面構造を描くことができる
と同時に表面原子の全電子雲に関する種々の情報をも読
み取ることができる。ＳＴＭを用いた解析は導電性試料
に限られるが、導電性材料の表面に非常に薄く形成され
た単分子膜の構造解析にも応用され始めており、個々の
有機分子の状態の違いを利用した高密度記録の再生技術
としての応用も考えられる。
ｎｍ程度の距離まで近づけるとトンネル電流が流れるこ
とを利用している。この電流は両者の距離変化に非常に
敏感であり、トンネル電流を一定に保つように探針を走
査することにより実空間の表面構造を描くことができる
と同時に表面原子の全電子雲に関する種々の情報をも読
み取ることができる。ＳＴＭを用いた解析は導電性試料
に限られるが、導電性材料の表面に非常に薄く形成され
た単分子膜の構造解析にも応用され始めており、個々の
有機分子の状態の違いを利用した高密度記録の再生技術
としての応用も考えられる。
その例としてＳＴＭを用いたデバイスでは有機整流素子
（米国特許３９５３８７４）有機記憶素子（米国特許３
８３３８９４）がある。これら一連の研究によって素子
特性が検討されているが特性はまた実用上充分でない。
（米国特許３９５３８７４）有機記憶素子（米国特許３
８３３８９４）がある。これら一連の研究によって素子
特性が検討されているが特性はまた実用上充分でない。
また、一方１個の有機分子に論理素子やメモリ素子等の
機能を持たせた分子電子デバイスの提案が発表され、分
子電子デバイスの構築技術の一つとみられるラングミュ
アーブロジェット膜（以下ＬＢ膜と略す）についての研
究も活発化している。ＬＢ膜は有機分子を規則正しく１
分子層ずつ積層したもので膜厚の制御が分子長の単位で
行うことができ、−様で均質なＭ？＃膜を形成できる。
機能を持たせた分子電子デバイスの提案が発表され、分
子電子デバイスの構築技術の一つとみられるラングミュ
アーブロジェット膜（以下ＬＢ膜と略す）についての研
究も活発化している。ＬＢ膜は有機分子を規則正しく１
分子層ずつ積層したもので膜厚の制御が分子長の単位で
行うことができ、−様で均質なＭ？＃膜を形成できる。
この特徴を十分に活かしたデバイス作成としてＬＢ膜を
絶縁膜として使う多くの試みが行なわれてきている。例
えば金属・絶縁体・金属（ＭＩＭ）構造のトンネル接合
素子［Ｇ、Ｌ、Ｌａｒｋｉｎｓｅｔ ａｌ、、 Ｔｈ１
ｎ ５ｏｌｉｄ Ｆｉｌｎｓ、 ９９． （１９８３）
］や金属・絶縁体・半導体（ＭＩＳ）構造に発光素子［
Ｇ、Ｇ、Ｒｏｂｅｒｔｓ ｅｔ ａｌ、、 Ｅｌ
ｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ。
絶縁膜として使う多くの試みが行なわれてきている。例
えば金属・絶縁体・金属（ＭＩＭ）構造のトンネル接合
素子［Ｇ、Ｌ、Ｌａｒｋｉｎｓｅｔ ａｌ、、 Ｔｈ１
ｎ ５ｏｌｉｄ Ｆｉｌｎｓ、 ９９． （１９８３）
］や金属・絶縁体・半導体（ＭＩＳ）構造に発光素子［
Ｇ、Ｇ、Ｒｏｂｅｒｔｓ ｅｔ ａｌ、、 Ｅｌ
ｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ。
２０、４８９（１９８４） ］あるいはスイッチング素
子［Ｎ。
子［Ｎ。
Ｊ、Ｔｈｏａ＋ａｓ ａｔ ａｌ、、 Ｅｌｅｃｔｒｏ
ｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ、 ２０゜８３８ （１９８
４） ］さらにＳＴＭとの組合せによる高密度記録に関
する特開昭６３〜１６１５５２ 、特開昭６３−１６１
５５３がある。これら一連の研究によって素子特性が検
討されているが未だ素子ごとの特性のバラツキ、経時変
化など再現性と安定性、あるいは実用特性はまだ充分で
なく未解決の問題として残った。
ｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ、 ２０゜８３８ （１９８
４） ］さらにＳＴＭとの組合せによる高密度記録に関
する特開昭６３〜１６１５５２ 、特開昭６３−１６１
５５３がある。これら一連の研究によって素子特性が検
討されているが未だ素子ごとの特性のバラツキ、経時変
化など再現性と安定性、あるいは実用特性はまだ充分で
なく未解決の問題として残った。
本発明の目的は電圧・電流のスイッチング特性に対して
メモリ性を有する特性の優れた高密度記録媒体を用いた
記録再生装置及び記録再生法を提供することにある。
メモリ性を有する特性の優れた高密度記録媒体を用いた
記録再生装置及び記録再生法を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明は光源、プローブ電極、電荷移動錯体の単分子膜
からなる記録媒体を有する記録再生装置である。
からなる記録媒体を有する記録再生装置である。
この記録再生装置の記録媒体が前記プローブ電極と該プ
ローブ電極に対向して配置された対向電極との間に配置
されていること、また記録媒体がラングミュアーブロジ
ェット法により形成されていることも本発明に含まれる
。
ローブ電極に対向して配置された対向電極との間に配置
されていること、また記録媒体がラングミュアーブロジ
ェット法により形成されていることも本発明に含まれる
。
面記電荷移動錯体が金属、金属イオン及び有機電子受容
体よりなること、前記プローブ電極のＸＹ走査駆動装置
を有していること、首記プローブ電極と記録媒体の相対
位置を３次元的に微動制御する手段を有していることも
本発明に含まれる。
体よりなること、前記プローブ電極のＸＹ走査駆動装置
を有していること、首記プローブ電極と記録媒体の相対
位置を３次元的に微動制御する手段を有していることも
本発明に含まれる。
さらに本発明は、記録媒体に光源より光照射を行いなが
ら、情報に応じて該記録媒体にメモリ効果を生じるしき
い値電圧を超えた電圧をプローブ電極によって印加する
ことにより情報の記録を行う方法、プローブ電極に電圧
を印加し、かつ記録媒体とプローブ電極との間隔を一定
に保ちながらプローブ電極を記録媒体に沿って走査し、
プローブ電極に流れる電流値の変化を検知することによ
り情報を再生する方法、および記録媒体に記録された情
報を掘勤エネルギーを与えることにより消去する方法も
含む。
ら、情報に応じて該記録媒体にメモリ効果を生じるしき
い値電圧を超えた電圧をプローブ電極によって印加する
ことにより情報の記録を行う方法、プローブ電極に電圧
を印加し、かつ記録媒体とプローブ電極との間隔を一定
に保ちながらプローブ電極を記録媒体に沿って走査し、
プローブ電極に流れる電流値の変化を検知することによ
り情報を再生する方法、および記録媒体に記録された情
報を掘勤エネルギーを与えることにより消去する方法も
含む。
本発明は光源、プローブ電極、電気メモリー効果をもつ
記録媒体及び首記プローブ電極から記録媒体に電圧を印
加する書込み読取り電圧印加手段及び消去手段とを有す
る記録再生装置並びに電気メモリー効果をもつ記録媒体
に光照射を行いながらプローブ電極から電気メモリー効
果を生じる閾値電圧を越えた電圧を印加する記録法に特
徴を有している。
記録媒体及び首記プローブ電極から記録媒体に電圧を印
加する書込み読取り電圧印加手段及び消去手段とを有す
る記録再生装置並びに電気メモリー効果をもつ記録媒体
に光照射を行いながらプローブ電極から電気メモリー効
果を生じる閾値電圧を越えた電圧を印加する記録法に特
徴を有している。
読み取り法においてはＳＴＭを用いプローブ、電極間の
距離を一定に保ちながらプローブに電圧を印加し、流れ
る電流量の変化を測定し行うことを特徴とする。
距離を一定に保ちながらプローブに電圧を印加し、流れ
る電流量の変化を測定し行うことを特徴とする。
更に消去法においては光照射等を行うことにより記録媒
体に振動エネルギーを与え簡便に記録された情報を消去
することができる。
体に振動エネルギーを与え簡便に記録された情報を消去
することができる。
また記録媒体に用いる材料は金属と有機電子受容体との
電荷移動錯体を含む両親媒性のＬＢ膜に通した材料であ
わばよく、例えばｎ−オクタデシルテトラシアノキノジ
メタン銅錯体（ＯＤＴＣＮＱ／Ｃｕ）、ｎ−ドデシルテ
トラシアノキノジメタン銅錯体（ＤＤＴＣＮＱ／Ｃｕ）
、ｎ−オクタデシルテトラシアノキノジメタン銀錯体（
ＯＤＴＣＮＱ／Ａｇ）、ｎ−ドデシルテトラシアノキノ
ジメタン銀錯体（ＤＤＴＣＮＱ／Ａｇ）及びその置換体
などが挙げられる。
電荷移動錯体を含む両親媒性のＬＢ膜に通した材料であ
わばよく、例えばｎ−オクタデシルテトラシアノキノジ
メタン銅錯体（ＯＤＴＣＮＱ／Ｃｕ）、ｎ−ドデシルテ
トラシアノキノジメタン銅錯体（ＤＤＴＣＮＱ／Ｃｕ）
、ｎ−オクタデシルテトラシアノキノジメタン銀錯体（
ＯＤＴＣＮＱ／Ａｇ）、ｎ−ドデシルテトラシアノキノ
ジメタン銀錯体（ＤＤＴＣＮＱ／Ａｇ）及びその置換体
などが挙げられる。
電極材料は導電性、平滑性の優れた膜を形成するもので
あれば良く、例えばＡｕ／Ｐｄ、Ｐｔ、ｎ″″−３ｉな
どが挙げられる。
あれば良く、例えばＡｕ／Ｐｄ、Ｐｔ、ｎ″″−３ｉな
どが挙げられる。
光源は可視光から赤外光の間の波長の光を放出するもの
であれば良く、例えば、キセノンランプ、ヘリウム−ネ
オンレーザ−、アルゴンレーザー、半導体レーザー、炭
酸ガスレーザー等各種の光源を任意に用いることができ
る。また光強度の違いにより記録できる印加電圧を変化
させることも可能である。
であれば良く、例えば、キセノンランプ、ヘリウム−ネ
オンレーザ−、アルゴンレーザー、半導体レーザー、炭
酸ガスレーザー等各種の光源を任意に用いることができ
る。また光強度の違いにより記録できる印加電圧を変化
させることも可能である。
第１図は本発明の記録装置を示すブロック構成図である
。第１図中、５はプローブ電流増巾器で、６はプローブ
電流が一定になるように圧電素子を用いた微動機構７を
制御するサーボ回路である。８はプローブ電極２と電極
３の間に記録／消去用のパルス電圧を印加するための電
源である。
。第１図中、５はプローブ電流増巾器で、６はプローブ
電流が一定になるように圧電素子を用いた微動機構７を
制御するサーボ回路である。８はプローブ電極２と電極
３の間に記録／消去用のパルス電圧を印加するための電
源である。
パルス電圧を印加するときプローブ電流が急激に変化す
るためサーボ回路６は、その間出力電圧が一定になるよ
うに、ＨＯＬＤ回路をＯＮにするように制御している。
るためサーボ回路６は、その間出力電圧が一定になるよ
うに、ＨＯＬＤ回路をＯＮにするように制御している。
９はＸＹ力方向プローブ電極２を移動制御するためのＸ
Ｙ走査駆動回路である。１０と１■は、あらかしめ１０
−’Ａ程度のプローブ電流が得られるようにプローブ電
極２と記録媒体１との距離を粗動制御するものである。
Ｙ走査駆動回路である。１０と１■は、あらかしめ１０
−’Ａ程度のプローブ電流が得られるようにプローブ電
極２と記録媒体１との距離を粗動制御するものである。
これらの各機能は、すべてマイクロコンピュータ１２に
より中央制御されている。また１３は表示機器を表して
いる。
より中央制御されている。また１３は表示機器を表して
いる。
また、圧電素子を用いた移動制御における機械的性能例
を下記に示す。
を下記に示す。
Ｚ方向微動制御範囲： ０．１ｎｍ ｙ ｌｎｍＺ
方向粗動制御範囲： ｌＯｎｍ 〜ＩＯｍａ＋ＸＹ
方向走査範囲 ： ０．１ｎｍ 〜Ｉｎｍ計測、制御
許容誤差：＜０．１ｎｍ 以下、本発明を実施例に従って説明する。
方向粗動制御範囲： ｌＯｎｍ 〜ＩＯｍａ＋ＸＹ
方向走査範囲 ： ０．１ｎｍ 〜Ｉｎｍ計測、制御
許容誤差：＜０．１ｎｍ 以下、本発明を実施例に従って説明する。
実施例１
第１図に示す記録再生装置を用いた。プローブ電極２と
して白金／ロジウム製のプローブ電極を用いた。このプ
ローブ電極２は記録層＋０１の表面との距ｍ ＜ｚ＞を
制御するためのもので電流を一定に保つように圧電素子
により、その距ＩＩ！（Ｚ）が微動制御されている。更
に微動制御機構７は距離Ｚを一定に保ったまま、面内（
Ｘ、Ｙ）方向にも微動制御できるように設計されている
。しかし、これらはすべて従来公知の技術である。また
プローブ電極２は直接記録・再生・消去を行うことがで
きる。また、記録媒体は高精度のＸＹステージ１４の上
に置かれ、任意の位置に移動させることができる。
して白金／ロジウム製のプローブ電極を用いた。このプ
ローブ電極２は記録層＋０１の表面との距ｍ ＜ｚ＞を
制御するためのもので電流を一定に保つように圧電素子
により、その距ＩＩ！（Ｚ）が微動制御されている。更
に微動制御機構７は距離Ｚを一定に保ったまま、面内（
Ｘ、Ｙ）方向にも微動制御できるように設計されている
。しかし、これらはすべて従来公知の技術である。また
プローブ電極２は直接記録・再生・消去を行うことがで
きる。また、記録媒体は高精度のＸＹステージ１４の上
に置かれ、任意の位置に移動させることができる。
次にオクタデシルテトラシアノキノジメタン／銅錯体（
ＯＤ Ｔ ＣＮ Ｑ ／ Ｃｕ ）の成膜方法について
記す。アセトニトリル（ＡＣＮ）を溶媒に用いＯＤ Ｔ
ＣＮ Ｑ ／ Ｃｕの４ ＊ １０−’Ｍの濃度の溶
液を調整した。この溶液を純水２０℃の水相に展開し、
表面圧を２０ｍＮ／ＩＢまで高め、水面上に単分子膜を
形成した。表面圧を一定に保ちながらあらかじめ水相中
に浸漬しておいた金／パラジウム（Ａｕ／Ｐｄ）を３０
０人の厚さで蒸着したガラス基板を水面に横切る方向に
静かに５ ｍｍ／ｗｉｎの速さで引き」二げ、ＯＤ Ｔ
ＣＮ Ｑ ／ Ｃｕ単分子膜をＡ ｕ ／ Ｐ ｄ蒸
着ガラス基板上に成膜した。これを記録媒体１とした。
ＯＤ Ｔ ＣＮ Ｑ ／ Ｃｕ ）の成膜方法について
記す。アセトニトリル（ＡＣＮ）を溶媒に用いＯＤ Ｔ
ＣＮ Ｑ ／ Ｃｕの４ ＊ １０−’Ｍの濃度の溶
液を調整した。この溶液を純水２０℃の水相に展開し、
表面圧を２０ｍＮ／ＩＢまで高め、水面上に単分子膜を
形成した。表面圧を一定に保ちながらあらかじめ水相中
に浸漬しておいた金／パラジウム（Ａｕ／Ｐｄ）を３０
０人の厚さで蒸着したガラス基板を水面に横切る方向に
静かに５ ｍｍ／ｗｉｎの速さで引き」二げ、ＯＤ Ｔ
ＣＮ Ｑ ／ Ｃｕ単分子膜をＡ ｕ ／ Ｐ ｄ蒸
着ガラス基板上に成膜した。これを記録媒体１とした。
次にＯＤ Ｔ ＣＮ Ｑ ／ Ｃｕ −Ｌ Ｂ膜を１層
累積した記録媒体１を用いた、記録・再生・消去の実験
について記す。記録媒体１をｘＹステージ１４の上に置
きまず目視によりプローブ電極２の位置をきめ固定した
。Ａ ｕ ／ Ｐ ｄ電極３とプローブの間に３■の電
圧を印加し、電流をモニターしながらプローブ電極２と
記録層１０１表面との距離Ｚを調整した。プローブ電Ｊ
Ｊｉ２に＋３００ｍＶの電圧をがけたとこる測定された
電流値は１ｐＡ以下であった。電圧印加をやめ、キセノ
ンランプを用いて記録媒体重を照射し、再度プローブ電
極２に＋５ｖの電圧をかけ、記録を行ったところ電気が
良好に流れるＯＮ状態に遷移した。光照射、電圧印加を
やめて再度同じ位置でプローブ電ｉ２に÷３０００］Ｖ
の電圧を印加し、記録再生を行ったところ５ｎＡの電流
が流れＯＮ状態が保存され、記録が保存されているのが
分かった。電圧印加をやめアルゴンレーザーを用いて記
録部位を照射し、振動エネルギーを与えた。再度同じ位
置でプローブ電８ｉ２に＋３００［１１Ｖの電圧を印加
し、記録再生したところ電流値１ｐ＾以下のＯＦＦ状憇
に遷移し、記録が消去されたことが確認された。
累積した記録媒体１を用いた、記録・再生・消去の実験
について記す。記録媒体１をｘＹステージ１４の上に置
きまず目視によりプローブ電極２の位置をきめ固定した
。Ａ ｕ ／ Ｐ ｄ電極３とプローブの間に３■の電
圧を印加し、電流をモニターしながらプローブ電極２と
記録層１０１表面との距離Ｚを調整した。プローブ電Ｊ
Ｊｉ２に＋３００ｍＶの電圧をがけたとこる測定された
電流値は１ｐＡ以下であった。電圧印加をやめ、キセノ
ンランプを用いて記録媒体重を照射し、再度プローブ電
極２に＋５ｖの電圧をかけ、記録を行ったところ電気が
良好に流れるＯＮ状態に遷移した。光照射、電圧印加を
やめて再度同じ位置でプローブ電ｉ２に÷３０００］Ｖ
の電圧を印加し、記録再生を行ったところ５ｎＡの電流
が流れＯＮ状態が保存され、記録が保存されているのが
分かった。電圧印加をやめアルゴンレーザーを用いて記
録部位を照射し、振動エネルギーを与えた。再度同じ位
置でプローブ電８ｉ２に＋３００［１１Ｖの電圧を印加
し、記録再生したところ電流値１ｐ＾以下のＯＦＦ状憇
に遷移し、記録が消去されたことが確認された。
実施例２
実施例１と同様に第１図に示す記録再生装置を用いた。
ドデシルテトラシアノキノジメタン／銅錯体（Ｄ Ｄ
Ｔ ＣＮ Ｑ ／ Ｃｕ ）の成膜方法について記す。
Ｔ ＣＮ Ｑ ／ Ｃｕ ）の成膜方法について記す。
アセトニトリル（ＡＣＮ）を溶媒に用いＤ Ｄ Ｔ Ｃ
Ｎ Ｑ ／ Ｃｕの４ ＊ １０””Ｍの濃度の溶液を
調整した。この溶液を純水２０℃の水相に展開し、表面
圧を２０１１１Ｎ／［１１まで高め、水面上に単分子膜
を形成した。表面圧を一定に保ちながらあらかじめ水相
中に浸漬しておいた金／パラジウム（Ａｕ／Ｐｄ）を３
００人の厚さで蒸着したガラス基板を水面に横切る方向
に静かに５ ｍｍ／ｍｉｎの速さで引き上げ、Ｄ Ｄ
Ｔ ＣＮ Ｑ ／ Ｃｕ単分子膜をＡ ｕ ／ Ｐ ｄ
蒸着ガラス基板上に成膜した。これを記録媒体１とした
。
Ｎ Ｑ ／ Ｃｕの４ ＊ １０””Ｍの濃度の溶液を
調整した。この溶液を純水２０℃の水相に展開し、表面
圧を２０１１１Ｎ／［１１まで高め、水面上に単分子膜
を形成した。表面圧を一定に保ちながらあらかじめ水相
中に浸漬しておいた金／パラジウム（Ａｕ／Ｐｄ）を３
００人の厚さで蒸着したガラス基板を水面に横切る方向
に静かに５ ｍｍ／ｍｉｎの速さで引き上げ、Ｄ Ｄ
Ｔ ＣＮ Ｑ ／ Ｃｕ単分子膜をＡ ｕ ／ Ｐ ｄ
蒸着ガラス基板上に成膜した。これを記録媒体１とした
。
次にＤＤＴＣＮＱ／Ｃｕ−ＬＢ膜を１層累積した記録媒
体１を用いた、記録・再生・消去の実験について記す。
体１を用いた、記録・再生・消去の実験について記す。
記録媒体１をＸＹステージ１４の上に置きまず目視によ
りプローブ電極２の位置をきめ固定した。Ａ ｕ ／
Ｐ ｄ電極３とプローブの間に３ｖの電圧を印加し、電
流をモニターしながらプローブ電極２と記録層１０１表
面との距ｇｚを調整した。プローブ電極２に＋３００ｍ
Ｖの電圧をかけたところ測定された電流値は１ｐＡ以下
であった。電圧印加をやめ、キセノンランプを用いて記
録媒体１を照射し、再度プローブ電極２に＋５ｖの電圧
をかけ、記録を行ったところ電気が良好に流れるＯＮ状
態に遷移した。光照射、電圧印加をやめて再度同じ位置
でプローブ電８ｉ２に＋３００ｍＶの電圧を印加し、記
録再生を行ったところ５ｎＡの電流が流れＯＮ状態が保
存され、記録が保存されているのが分かった。電圧印加
をやめアルゴンレーザーを用いて記録部位を照射し、振
動エネルギーを与えた。再度同じ位置でプローブ電極２
に＋３００ｍＶの電圧を印加し、再生したところ電流値
１ｐＡ以下のＯＦＦ状態に遷移し、記録が消去されたこ
とが確認された。
りプローブ電極２の位置をきめ固定した。Ａ ｕ ／
Ｐ ｄ電極３とプローブの間に３ｖの電圧を印加し、電
流をモニターしながらプローブ電極２と記録層１０１表
面との距ｇｚを調整した。プローブ電極２に＋３００ｍ
Ｖの電圧をかけたところ測定された電流値は１ｐＡ以下
であった。電圧印加をやめ、キセノンランプを用いて記
録媒体１を照射し、再度プローブ電極２に＋５ｖの電圧
をかけ、記録を行ったところ電気が良好に流れるＯＮ状
態に遷移した。光照射、電圧印加をやめて再度同じ位置
でプローブ電８ｉ２に＋３００ｍＶの電圧を印加し、記
録再生を行ったところ５ｎＡの電流が流れＯＮ状態が保
存され、記録が保存されているのが分かった。電圧印加
をやめアルゴンレーザーを用いて記録部位を照射し、振
動エネルギーを与えた。再度同じ位置でプローブ電極２
に＋３００ｍＶの電圧を印加し、再生したところ電流値
１ｐＡ以下のＯＦＦ状態に遷移し、記録が消去されたこ
とが確認された。
実施例３
実施例１と同様に第１図に示す記録再生装置を用いた。
オクタデ°シルテトラシアノキノジメタン／銀錯体（Ｏ
Ｄ Ｔ ＣＮ Ｑ／Ａ ｇ ）の成１摸方法について記
す。アセトニトリル（ＡＣＮ）を溶媒に用い０ＤＴｃＮ
Ｑ／Ａｇの４＊ｌ０−６Ｍ のＫＪ、度の溶液を調整し
た。この溶液を純水２０℃の水相に展開し、表面圧を１
５＋ｎＮ／ｍまで高め、水面上に単分子膜を形成した。
Ｄ Ｔ ＣＮ Ｑ／Ａ ｇ ）の成１摸方法について記
す。アセトニトリル（ＡＣＮ）を溶媒に用い０ＤＴｃＮ
Ｑ／Ａｇの４＊ｌ０−６Ｍ のＫＪ、度の溶液を調整し
た。この溶液を純水２０℃の水相に展開し、表面圧を１
５＋ｎＮ／ｍまで高め、水面上に単分子膜を形成した。
表面圧を一定に保ちながらあらかじめ水相中に浸漬して
おいた金／パラジウム（Ａｕ／Ｐｄ）を３００人の厚さ
で蒸着したガラス基板を水面に横切る方向に静かに５
ｍｍ／ｍｉｎの速さで引き一ヒげ、ＯＤ Ｔ ＣＮ Ｑ
／ Ａ ｇ単分子１１％をＡ ｕ ／ Ｐ ｄ蒸着ガ
ラス基板上に成膜した。これを記録媒体ｌとした。
おいた金／パラジウム（Ａｕ／Ｐｄ）を３００人の厚さ
で蒸着したガラス基板を水面に横切る方向に静かに５
ｍｍ／ｍｉｎの速さで引き一ヒげ、ＯＤ Ｔ ＣＮ Ｑ
／ Ａ ｇ単分子１１％をＡ ｕ ／ Ｐ ｄ蒸着ガ
ラス基板上に成膜した。これを記録媒体ｌとした。
次に０ＤＴＣＮＱ／Ａｇ−ＬＢ膜を１層累積した記録媒
体１を用いた、記録・再生・消去の実験について記す。
体１を用いた、記録・再生・消去の実験について記す。
記録媒体１をＸＹステージ１４のトに置きまず目視によ
りプローブ電極２の位置をきめ固定した。Ａｕ／Ｐｄ′
准Ｖｉ３とプローブの間に３ｖの電圧を印加し、電流を
モニターしながらプローブ電極２と記録層１０１表面と
の距離Ｚを調整した。プローブ電極、極２に＋３００ｍ
Ｖの電圧をかけたところ測定された電流値は１ ｐＡ以
下であった。電圧印加をやめ、ヘリウム−ネオンレーザ
−を用いて記録媒体１を照射し、再度プローブ電極２に
＋３ｖの電圧をかけ、記録を行ったところ電気が良好に
流れるＯＮ状態に遷移した。光照射、電圧印加をやめて
再度同じ位置でプローブ電極２に一３００ｍＶの電圧を
印加し、記録再生を行ったところ５ｎＡの電流が流れＯ
Ｎ状態が保存され、記録が保存されているのが分かった
。
りプローブ電極２の位置をきめ固定した。Ａｕ／Ｐｄ′
准Ｖｉ３とプローブの間に３ｖの電圧を印加し、電流を
モニターしながらプローブ電極２と記録層１０１表面と
の距離Ｚを調整した。プローブ電極、極２に＋３００ｍ
Ｖの電圧をかけたところ測定された電流値は１ ｐＡ以
下であった。電圧印加をやめ、ヘリウム−ネオンレーザ
−を用いて記録媒体１を照射し、再度プローブ電極２に
＋３ｖの電圧をかけ、記録を行ったところ電気が良好に
流れるＯＮ状態に遷移した。光照射、電圧印加をやめて
再度同じ位置でプローブ電極２に一３００ｍＶの電圧を
印加し、記録再生を行ったところ５ｎＡの電流が流れＯ
Ｎ状態が保存され、記録が保存されているのが分かった
。
電圧印加をやめ炭酸ガスレーザーを用いて記録部位を照
射し、振動エネルギーを与えた。再度同じ位置でプロー
ブ電極２に＋３００ｍＶの電圧を印加し、記録再生した
ところ電流値１ρ八以下のＯＦＦ状態に遷移し、記録が
消去されたことが確認された。
射し、振動エネルギーを与えた。再度同じ位置でプロー
ブ電極２に＋３００ｍＶの電圧を印加し、記録再生した
ところ電流値１ρ八以下のＯＦＦ状態に遷移し、記録が
消去されたことが確認された。
実施例４
実施例１と同様に第１図に示す記録再生装置を用いた。
オクタデシルテトラシアノキノジメタン／Ｓｆｉ鉗体（
ＯＤＴＣＮＱ／Ａｇ）の成膜方法について記す。アセト
ニトリル（ＡＣＮ）を溶媒に用い０ＤＴｃＮＱ／Ａｇの
４＊Ｉｏ−’Ｍの濃度の溶液を調整した。この７８液を
純水２０℃の水相に展開し、表面圧を１５１１１Ｎ／［
１１まで高め、水面上に単分子膜を形成した。表面圧を
一定に保ちながらあらがじめ水相中に浸漬しておいたｎ
”−３ｉ基板を水面に横切る方向に静かに５ ｍｍ／ｍ
ｉｎの速さで引き一トげ、ｏｏｒｃＮＱ／Ａｇ単分子膜
をｎ”−５ｉ基板上に成膜した。これを記録媒体１とし
た。
ＯＤＴＣＮＱ／Ａｇ）の成膜方法について記す。アセト
ニトリル（ＡＣＮ）を溶媒に用い０ＤＴｃＮＱ／Ａｇの
４＊Ｉｏ−’Ｍの濃度の溶液を調整した。この７８液を
純水２０℃の水相に展開し、表面圧を１５１１１Ｎ／［
１１まで高め、水面上に単分子膜を形成した。表面圧を
一定に保ちながらあらがじめ水相中に浸漬しておいたｎ
”−３ｉ基板を水面に横切る方向に静かに５ ｍｍ／ｍ
ｉｎの速さで引き一トげ、ｏｏｒｃＮＱ／Ａｇ単分子膜
をｎ”−５ｉ基板上に成膜した。これを記録媒体１とし
た。
次にＯＤ Ｔ ＣＮ Ｑ ／ Ａ ｇ −Ｌ Ｂ Ｍを
１層累積した記録媒体１を用いた、記録・再生・消去の
実験について記す。記録媒体１をＸＹステージ１４の上
に置きまず目視によりプローブ電極２の位置をきめ固定
した。電極（ｎゝ−３ｉ）３とプローブの間に３ｖの電
圧を印加し、電流をモニターしながらプローブ電極２と
記録層１０１表面との距ＳＺを調整した。プローブ電極
２に＋３００ｍＶの電圧をがけたところ測定された電流
値は１ｐ八以下であった。電圧印加をやめ、ヘリウム−
ネオンレーザ−を用いて記録媒体１を照射し、再度プロ
ーブ電極２に＋３ｖの電圧をかけ、記録を行ったところ
電気が良好に流れるＯＮ状態に遷移した。光照射、電圧
印加をやめて再度同じ位置でプローブ電極２に＋３００
＋ｎＶの電圧を印加し、記録再生を行ったところ５ｎＡ
の電流が流れＯＮ状態が保存され、記録が保存されてい
るのが分かった。
１層累積した記録媒体１を用いた、記録・再生・消去の
実験について記す。記録媒体１をＸＹステージ１４の上
に置きまず目視によりプローブ電極２の位置をきめ固定
した。電極（ｎゝ−３ｉ）３とプローブの間に３ｖの電
圧を印加し、電流をモニターしながらプローブ電極２と
記録層１０１表面との距ＳＺを調整した。プローブ電極
２に＋３００ｍＶの電圧をがけたところ測定された電流
値は１ｐ八以下であった。電圧印加をやめ、ヘリウム−
ネオンレーザ−を用いて記録媒体１を照射し、再度プロ
ーブ電極２に＋３ｖの電圧をかけ、記録を行ったところ
電気が良好に流れるＯＮ状態に遷移した。光照射、電圧
印加をやめて再度同じ位置でプローブ電極２に＋３００
＋ｎＶの電圧を印加し、記録再生を行ったところ５ｎＡ
の電流が流れＯＮ状態が保存され、記録が保存されてい
るのが分かった。
電圧印加をやめ炭酸ガスレーザーを用いて記録部位を照
射し、振動エネルギーを与えた。再度同じ位置でプロー
ブ電極２に＋３００ｍＶの電圧を印加し、記録再生した
ところ電流値ｉｐ八へ下のＯＦＦ状態に遷移し、記録が
消去されたことが確認された。
射し、振動エネルギーを与えた。再度同じ位置でプロー
ブ電極２に＋３００ｍＶの電圧を印加し、記録再生した
ところ電流値ｉｐ八へ下のＯＦＦ状態に遷移し、記録が
消去されたことが確認された。
（発明の効果〕
１）ＬＢ法により単分子膜を形成させるため化学吸着法
等に比較して分子の秩序が優れており、且つ高密度な膜
で得ることができるため超高密度記録媒体に通している
。
等に比較して分子の秩序が優れており、且つ高密度な膜
で得ることができるため超高密度記録媒体に通している
。
２）光照射を行いなから記録を行うので再生時における
書き込みエラーを防止することができる。
書き込みエラーを防止することができる。
３）記録消去時において振動エネルギーを与えなければ
ならないので保存安定性に俺れる。
ならないので保存安定性に俺れる。
第１図は本発明の記録再生装置の実施例である。
１５；光源
＋０１：記録層
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）電荷移動錯体の単分子膜からなる記録媒体、光源お
よびプローブ電極を有する記録再生装置 ２）前記単分子膜が前記プローブ電極と該プローブ電極
に対向して配置された電極との間に配置されている請求
項１に記載の記録再生装置 ３）前記単分子膜がラングミュアーブロジェット法によ
り形成されている請求項１に記載の記録再生装置 ４）前記電荷移動錯体が金属または金属イオン及び有機
電子受容体よりなる請求項１に記載の記録再生装置 ５）前記プローブ電極のＸＹ走査駆動装置を有している
請求項１に記載の記録再生装置 ６）前記プローブ電極と記録媒体の相対位置を３次元的
に微動制御する手段を有している請求項１に記載の記録
再生装置 ７）記録媒体に光源より光照射を行いながら、情報に応
じて該記録媒体にメモリ効果を生じるしきい値電圧を超
えた電圧をプローブ電極によって印加することにより情
報の記録を行う方法 ８）プローブ電極に電圧を印加し、かつ記録媒体とプロ
ーブ電極との間隔を一定に保ちながらプローブ電極を記
録媒体に沿って走査し、プローブ電極に流れる電流値の
変化を検知することにより情報を再生する方法 ９）請求項１に記載の記録媒体に記録された情報を振動
エネルギーを与えることにより消去する方法
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30222388A JPH02149954A (ja) | 1988-12-01 | 1988-12-01 | 記録再生装置及び方法 |
| AT89310092T ATE139051T1 (de) | 1988-10-04 | 1989-10-03 | Gerät und verfahren zur aufzeichnung und wiedergabe und aufzeichnungsmedium für das aufzeichungs- und wiedergabeverfahren |
| CA002000071A CA2000071C (en) | 1988-10-04 | 1989-10-03 | Recording and reproducing apparatus and recording and reproducing method and recording medium for the recording and reproducing method |
| DE68926602T DE68926602T2 (de) | 1988-10-04 | 1989-10-03 | Gerät und Verfahren zur Aufzeichnung und Wiedergabe und Aufzeichnungsmedium für das Aufzeichungs- und Wiedergabeverfahren |
| EP89310092A EP0363147B1 (en) | 1988-10-04 | 1989-10-03 | Recording and reproducing apparatus and recording and reproducing method and recording medium for the recording and reproducing method |
| US08/019,344 US5439777A (en) | 1988-10-04 | 1993-02-18 | Recording and reproducing apparatus and method for applying a pulse voltage and an electromagnetic wave |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30222388A JPH02149954A (ja) | 1988-12-01 | 1988-12-01 | 記録再生装置及び方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02149954A true JPH02149954A (ja) | 1990-06-08 |
Family
ID=17906431
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30222388A Pending JPH02149954A (ja) | 1988-10-04 | 1988-12-01 | 記録再生装置及び方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02149954A (ja) |
-
1988
- 1988-12-01 JP JP30222388A patent/JPH02149954A/ja active Pending
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