JPH02152009A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH02152009A JPH02152009A JP30504788A JP30504788A JPH02152009A JP H02152009 A JPH02152009 A JP H02152009A JP 30504788 A JP30504788 A JP 30504788A JP 30504788 A JP30504788 A JP 30504788A JP H02152009 A JPH02152009 A JP H02152009A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recording medium
- magnetic recording
- layer
- recording layer
- magnetic
- Prior art date
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は垂直磁気記録及び光磁気記録に用いられる高密
度磁気記録媒体に関する。
度磁気記録媒体に関する。
高密度磁気記録媒体として基板上にＮｉ −Ｚｎフェラ
イト、Ｍｎ −Ｚｎフェライト等のスピネルフェライト
（スピネル型結晶構造を有するフェライト）の（１１１
）配向膜からなる下地層とその上にマグネトプランバイ
ト型フェライトＣ軸配向膜をエピタキシャル的に成長さ
せて垂直磁化膜からなる記録層を設けたものが知られて
いる。しかしＣ軸配向膜の記録層を得るには基板をかな
り高温にする必要がある等の問題点を有するものであっ
た。しかもＣ軸配向膜が得られてもその配向性は充分と
は云えなかった。
イト、Ｍｎ −Ｚｎフェライト等のスピネルフェライト
（スピネル型結晶構造を有するフェライト）の（１１１
）配向膜からなる下地層とその上にマグネトプランバイ
ト型フェライトＣ軸配向膜をエピタキシャル的に成長さ
せて垂直磁化膜からなる記録層を設けたものが知られて
いる。しかしＣ軸配向膜の記録層を得るには基板をかな
り高温にする必要がある等の問題点を有するものであっ
た。しかもＣ軸配向膜が得られてもその配向性は充分と
は云えなかった。
本発明は従来技術における以上のような問題を解消し、
記録層のＣ軸配向性の良好な磁性膜を低温でも容易に形
成できる磁気記録媒体を提供することである。
記録層のＣ軸配向性の良好な磁性膜を低温でも容易に形
成できる磁気記録媒体を提供することである。
本発明の磁気記録媒体は基板上に下地層とマグネトプラ
ンバイト型フェライトＣ軸配向膜からなる記録層とを設
けた磁気記録媒体において。
ンバイト型フェライトＣ軸配向膜からなる記録層とを設
けた磁気記録媒体において。
下地層がＡｆｌを含むスピネルフェライトの（１１１）
配向膜からなることを特徴とするものである。
配向膜からなることを特徴とするものである。
本発明の磁気記録媒体は第１図に示すように基本的には
基板上上に前述のような下地層２及び記録層３を設けた
ものである。
基板上上に前述のような下地層２及び記録層３を設けた
ものである。
本発明において、基板としては石英等のガラ大基板、Ｓ
ｉウェハー、ＧＧＧ等の単結晶基板、Ａｌ等の金属基板
、ＰＣ，ＰＭＭＡ等のプラスチック基板等が使用される
。そして、下地層としては、■Ｍ、 Ｆｅ、−ｘＡ １
２ Ｘ０４ （但し、Ｍ■はＭｇ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｃｕ、
Ｆｅ、ＬＬの少なくとも１種、０＜ｘ＜１．５） ■ＭＩＦａ、 −ＸＡ Ｑ Ｘ！’ｈ ｙ（Ｌ（但し、
河はＧａ、Ａ Ｑ 、Ｉｎ、Ｃｒ、Ｓｃの少なくとも１
種） で示され、室温で磁気特性をもつＡｌを含むスピネルフ
ェライトの（１１１）配向膜が使用される。
ｉウェハー、ＧＧＧ等の単結晶基板、Ａｌ等の金属基板
、ＰＣ，ＰＭＭＡ等のプラスチック基板等が使用される
。そして、下地層としては、■Ｍ、 Ｆｅ、−ｘＡ １
２ Ｘ０４ （但し、Ｍ■はＭｇ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｃｕ、
Ｆｅ、ＬＬの少なくとも１種、０＜ｘ＜１．５） ■ＭＩＦａ、 −ＸＡ Ｑ Ｘ！’ｈ ｙ（Ｌ（但し、
河はＧａ、Ａ Ｑ 、Ｉｎ、Ｃｒ、Ｓｃの少なくとも１
種） で示され、室温で磁気特性をもつＡｌを含むスピネルフ
ェライトの（１１１）配向膜が使用される。
この下地層の格子定数としては基板の熱膨張係数及び記
録層の作製温度によっても異なるが。
録層の作製温度によっても異なるが。
ａ ＝８．３３人程度又はそれ以下が好ましい、磁気特
性としては保持力（Ｈｅ）が小さく飽和磁化（Ｍｓ）の
大きなものがよく、）としてＮｉ−Ｚｎ又はＭｎ−Ｚｎ
等が適当である。具体的にはＮ１０．５ＺｎＯ，ＳＦ”
１．５Ａｌ１１．ＳＯ４１Ｍｎｏ、５７−ｎｏ、Ｊ６１
．６Ａ Ｉｌ ００５０４等が挙げられる。これら下地
層２は真空蒸着、スパッタリング等の方法で形成できる
。
性としては保持力（Ｈｅ）が小さく飽和磁化（Ｍｓ）の
大きなものがよく、）としてＮｉ−Ｚｎ又はＭｎ−Ｚｎ
等が適当である。具体的にはＮ１０．５ＺｎＯ，ＳＦ”
１．５Ａｌ１１．ＳＯ４１Ｍｎｏ、５７−ｎｏ、Ｊ６１
．６Ａ Ｉｌ ００５０４等が挙げられる。これら下地
層２は真空蒸着、スパッタリング等の方法で形成できる
。
一方、記録層３の材料としては下記一般式で示されるよ
うなマグネトプランバイト型フェライトが使用される。
うなマグネトプランバイト型フェライトが使用される。
一般式：
％式％
（但しＭ、はＢａ、Ｓｒ及びｐｂの少くとも１種；−は
Ｌａ、 Ｃａ及びＢｉの少くとも１種；河薦はＣｏ、
Ｔｉｔ Ｎｂ、 Ｔａ、 Ｎｉ、 Ｗ。
Ｌａ、 Ｃａ及びＢｉの少くとも１種；河薦はＣｏ、
Ｔｉｔ Ｎｂ、 Ｔａ、 Ｎｉ、 Ｗ。
Ｍｎ、 Ｃｒ、 Ｉｎ、 Ｇａ及びＡｌの少くとも１種
；０≦Ｘ≦０．７． Ｏ≦ｙ≦８） 一般式の具体例： ＢａＦｅＢ、４ｚＣｏＸＴｉｘＯ□、 （０，３≦Ｘ≦
０．８）ＳｒＦｅ、、２）（ＣｏＸＴｉ）（Ｏ□、 （
０，３≦Ｘ≦０．８）Ｂａｉ−ＩＫＬａ）ｌＦｅ、、
−ｘ−ｚｙＣＯＸｗｙＴ１７０ｚｓ（０，１≦Ｘ≦０．
４．０．２≦ｙ≦０．６）Ｓｒ、−１Ｐｂ）（Ｆｅ１２
−２ｙｃｏｙＴｉｙｏ□ｇ（Ｏ，ＯＳ≦ス≦０．２，０
．３≦ｙ≦０．８）ＳｒＦｅ、、 ＸＧａＸ０ｔｓ（
０−５≦Ｘ≦４）ＳｒＦｅｉ、ｚＸ−７ＣＯＸＴ４ＸＧ
ａＶＯ１ｓ（０，３≦Ｘ≦０．８． ０．５≦ｙ≦４）
なお記録層の形成法も下地層と同様、真空蒸着、スパッ
タリング等の方法が適用される。厚さは０．０５〜０．
５μｍ程度が適当である。
；０≦Ｘ≦０．７． Ｏ≦ｙ≦８） 一般式の具体例： ＢａＦｅＢ、４ｚＣｏＸＴｉｘＯ□、 （０，３≦Ｘ≦
０．８）ＳｒＦｅ、、２）（ＣｏＸＴｉ）（Ｏ□、 （
０，３≦Ｘ≦０．８）Ｂａｉ−ＩＫＬａ）ｌＦｅ、、
−ｘ−ｚｙＣＯＸｗｙＴ１７０ｚｓ（０，１≦Ｘ≦０．
４．０．２≦ｙ≦０．６）Ｓｒ、−１Ｐｂ）（Ｆｅ１２
−２ｙｃｏｙＴｉｙｏ□ｇ（Ｏ，ＯＳ≦ス≦０．２，０
．３≦ｙ≦０．８）ＳｒＦｅ、、 ＸＧａＸ０ｔｓ（
０−５≦Ｘ≦４）ＳｒＦｅｉ、ｚＸ−７ＣＯＸＴ４ＸＧ
ａＶＯ１ｓ（０，３≦Ｘ≦０．８． ０．５≦ｙ≦４）
なお記録層の形成法も下地層と同様、真空蒸着、スパッ
タリング等の方法が適用される。厚さは０．０５〜０．
５μｍ程度が適当である。
本発明の磁気記録媒体を光磁気記録媒体として使用する
場合は、第２図に示されるように高透磁率層４を記録層
３上に設けるか、第３図に示されるように反射層５を設
けてもよく、あるいは第４図に示されるように高透磁率
層４及び反射層５を併設してもよい。光磁気記録媒体に
高透磁率層４を設けることにより、記録層３にかかる反
磁界をさらに小さくすることができる。
場合は、第２図に示されるように高透磁率層４を記録層
３上に設けるか、第３図に示されるように反射層５を設
けてもよく、あるいは第４図に示されるように高透磁率
層４及び反射層５を併設してもよい。光磁気記録媒体に
高透磁率層４を設けることにより、記録層３にかかる反
磁界をさらに小さくすることができる。
高透磁率層４としては下地層２と同一のもの又はパーマ
ロイ等が使用できる。パーマロイ等の金属膜を使用した
場合は反射層としての機能をも有する。反射層５として
はＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ａ １１等の金属膜又は誘
電体多層膜が使用できる。また、第２図〜第４図の構成
に、断熱、多重反射の効果を利用するために５ｉＯ）Ｂ
、５ｉａＮ４等の中間層を１層又は複数摺入れることも
できる。
ロイ等が使用できる。パーマロイ等の金属膜を使用した
場合は反射層としての機能をも有する。反射層５として
はＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ａ １１等の金属膜又は誘
電体多層膜が使用できる。また、第２図〜第４図の構成
に、断熱、多重反射の効果を利用するために５ｉＯ）Ｂ
、５ｉａＮ４等の中間層を１層又は複数摺入れることも
できる。
また、本発明の磁気記録媒体を垂直磁気記録媒体として
使用する場合は、第５図に示されるようにＣ等の潤滑層
６を加えてもよい。
使用する場合は、第５図に示されるようにＣ等の潤滑層
６を加えてもよい。
以下に本発明を実施例によって説明する。
実施例１
石英基板上にＲＦマグネトロンスパッタリング法により
基板温度約２００℃で Ｎ１ｇ−５２ｎｏ、５Ｆｅｔ−ｓＡｌａ−６０４の（１
１１）配向膜からなる０、１μｍ厚の下地層を形成した
後、その上にＤＣＣ対向ターゲラ式スパッタリング法に
より基板温度４００℃で５ｒＣｏ、、 ａ ｓ Ｔｌ（
１＊ ５ Ｆｅ、 □、０１ ｇのＣ軸配向膜からなる
０、３μｍ厚の記録層を形成し、さらにその上にＤＣマ
グネトロンスパッタにより、０．１μｍのパーマロイ膜
を形成し、光磁気ディスクを作製した。
基板温度約２００℃で Ｎ１ｇ−５２ｎｏ、５Ｆｅｔ−ｓＡｌａ−６０４の（１
１１）配向膜からなる０、１μｍ厚の下地層を形成した
後、その上にＤＣＣ対向ターゲラ式スパッタリング法に
より基板温度４００℃で５ｒＣｏ、、 ａ ｓ Ｔｌ（
１＊ ５ Ｆｅ、 □、０１ ｇのＣ軸配向膜からなる
０、３μｍ厚の記録層を形成し、さらにその上にＤＣマ
グネトロンスパッタにより、０．１μｍのパーマロイ膜
を形成し、光磁気ディスクを作製した。
得られた光磁気ディスクは記録層が良好なＣ軸配向性を
示し、光磁気記録した場合、記録層にかかる反磁界が減
少し、再生Ｓ／Ｎが向上した。
示し、光磁気記録した場合、記録層にかかる反磁界が減
少し、再生Ｓ／Ｎが向上した。
実施例２
表面アルマイト処理したＡｌ基板上にＲＦマグネトロン
スパッタリン法により基板温度２００℃でＮｌａ 、ｓ
Ｚｎ、 ＊５Ｆｅ−１、、Ａｌ ｏ 、５０４の（１１
１）配向膜からなる０、５μｍ厚の下地層を形成した後
、その上にＤＣ対向ターゲットスパッタリング法により
基板温度４００℃で５ｒＣｏｏ、、Ｔｘｏ、、Ｆｅ□、
、６０□、のＣ＠配向膜からなる１μｍ厚の記録層を形
成し、さらにその上にＣからなる潤滑層を設け、垂直磁
気記録媒体を作製した。
スパッタリン法により基板温度２００℃でＮｌａ 、ｓ
Ｚｎ、 ＊５Ｆｅ−１、、Ａｌ ｏ 、５０４の（１１
１）配向膜からなる０、５μｍ厚の下地層を形成した後
、その上にＤＣ対向ターゲットスパッタリング法により
基板温度４００℃で５ｒＣｏｏ、、Ｔｘｏ、、Ｆｅ□、
、６０□、のＣ＠配向膜からなる１μｍ厚の記録層を形
成し、さらにその上にＣからなる潤滑層を設け、垂直磁
気記録媒体を作製した。
得られた垂直磁気記録媒体は記録層が良好なＣ軸配向性
を示し、下地層と記録層との二層構造の相互作用により
磁気ヘッドが発生させる磁束が集中し、記録感度及び再
生感度とも向上するものであった。
を示し、下地層と記録層との二層構造の相互作用により
磁気ヘッドが発生させる磁束が集中し、記録感度及び再
生感度とも向上するものであった。
以上のような本発明によれば、記録層としてのマグネト
プランバイト型フェライトの下地層としてＡｌを含むス
ピネルフェライトの（１１１）配向膜を設けているため
、この下地層と記録層とのミスフィツトが小さくなり、
記録層の良好なＣ軸配向性だ得られる。
プランバイト型フェライトの下地層としてＡｌを含むス
ピネルフェライトの（１１１）配向膜を設けているため
、この下地層と記録層とのミスフィツトが小さくなり、
記録層の良好なＣ軸配向性だ得られる。
さらにこの磁気記録媒体を光磁気記録媒体として使用す
ると記録層にかかる反磁界が小さくなり、その結果、記
録の安定性が向上し、しかもＳ／Ｎが大きくなる。
ると記録層にかかる反磁界が小さくなり、その結果、記
録の安定性が向上し、しかもＳ／Ｎが大きくなる。
また、本発明の磁気記録媒体を垂直磁気記録媒体として
使用すると、記録時の磁気ヘッドが発生させる磁束が集
中し、ヘッドの消費電力を低減させることができ、記録
、再生感度の向上と、記録密度の向上が期待できる。
使用すると、記録時の磁気ヘッドが発生させる磁束が集
中し、ヘッドの消費電力を低減させることができ、記録
、再生感度の向上と、記録密度の向上が期待できる。
第１図は本発明磁気記録媒体の基本構成図、第２〜５図
はそれぞれ、第１図の記録媒体の変形図である。
はそれぞれ、第１図の記録媒体の変形図である。
Claims (1)
- １、基板上に下地層とマグネトプランバイト型フェライ
トＣ軸配向膜からなる記録層とを設けた磁気記録媒体に
おいて、下地層がＡｌを含むスピネルフェライトの（１
１１）配向膜からなることを特徴とする磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30504788A JPH02152009A (ja) | 1988-12-01 | 1988-12-01 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30504788A JPH02152009A (ja) | 1988-12-01 | 1988-12-01 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02152009A true JPH02152009A (ja) | 1990-06-12 |
Family
ID=17940473
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30504788A Pending JPH02152009A (ja) | 1988-12-01 | 1988-12-01 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02152009A (ja) |
-
1988
- 1988-12-01 JP JP30504788A patent/JPH02152009A/ja active Pending
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