JPH0242702A - 軟磁性薄膜およびこれを用いた磁気ヘッド - Google Patents
軟磁性薄膜およびこれを用いた磁気ヘッドInfo
- Publication number
- JPH0242702A JPH0242702A JP1080342A JP8034289A JPH0242702A JP H0242702 A JPH0242702 A JP H0242702A JP 1080342 A JP1080342 A JP 1080342A JP 8034289 A JP8034289 A JP 8034289A JP H0242702 A JPH0242702 A JP H0242702A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- iron
- layer
- thin film
- thickness
- iron carbide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、磁気ヘッドや磁気抵抗素子等に用いられる軟
磁性薄膜、特に高保持力の高密度磁気記録用の媒体に対
して優れた記録再生特性を有する軟磁性薄膜、およびこ
れを用いた磁気ヘッドに関するものである。
磁性薄膜、特に高保持力の高密度磁気記録用の媒体に対
して優れた記録再生特性を有する軟磁性薄膜、およびこ
れを用いた磁気ヘッドに関するものである。
従来の技術
従来磁気ヘッドの材料としては、金属酸化物のフェライ
トが広く使われてきた。近年はそれよりも飽和磁束密度
の高いパーマロイにッケルー鉄系合金）やセンダスト（
鉄−アルミニウム−シリコン系合金）も使われている。
トが広く使われてきた。近年はそれよりも飽和磁束密度
の高いパーマロイにッケルー鉄系合金）やセンダスト（
鉄−アルミニウム−シリコン系合金）も使われている。
さらに最近では、飽和磁束密度が１．０〜１．４テスラ
のアモルファス材料（コバルト−ジルコニウム系非晶質
合金）が開発され、８ミリＶＴＲなどのメタルテープ対
応ヘッド用に使われ始めている。
のアモルファス材料（コバルト−ジルコニウム系非晶質
合金）が開発され、８ミリＶＴＲなどのメタルテープ対
応ヘッド用に使われ始めている。
記録密度向上の要求に答えて、このような飽和磁束密度
の高い磁性材料が次々に登場してきたが、媒体の方の進
歩も目覚ましく、メタルテープの出現によって従来の酸
化物テープの保持力６００〜７００５ｅに対して１５０
０〜２０ ”０００ ｅの保磁力を持つ媒体が得られる
ようになった。
の高い磁性材料が次々に登場してきたが、媒体の方の進
歩も目覚ましく、メタルテープの出現によって従来の酸
化物テープの保持力６００〜７００５ｅに対して１５０
０〜２０ ”０００ ｅの保磁力を持つ媒体が得られる
ようになった。
次世代の大容量磁気記録媒体ではさらに大きな保持力を
持つ媒体も開発中であり、このような高保持力の磁気記
録媒体に十分記録させるためには１．５テスラ以上の飽
和磁束密度を有する磁気へラドコア用磁性材料が必要で
あるといわれている（例えばｒ日立１第４９巻第６号８
〜９ページ〕。
持つ媒体も開発中であり、このような高保持力の磁気記
録媒体に十分記録させるためには１．５テスラ以上の飽
和磁束密度を有する磁気へラドコア用磁性材料が必要で
あるといわれている（例えばｒ日立１第４９巻第６号８
〜９ページ〕。
飽和磁束密度の高い物質としては、２．２テスラという
純鉄がある。ところが純鉄は透磁率が低いため、そのま
までは磁気ヘッド材料として使えない。そこで炭化鉄系
多層膜が研究され、高い飽和磁束密度と透磁率を兼ね備
えた軟磁性薄膜が報告されている〔例えばｒジャーナル
オプ アポライド フィジックス Ｊｏｕｒｎａｌ
ｏｆ ＡｐｐｌｉｅｄＰｈｙｓｉｃｓ Ｊ Ｖｏ １．
６３． Ｎｏ、 ８． Ａｐ ｒ ｉ ｌ。
純鉄がある。ところが純鉄は透磁率が低いため、そのま
までは磁気ヘッド材料として使えない。そこで炭化鉄系
多層膜が研究され、高い飽和磁束密度と透磁率を兼ね備
えた軟磁性薄膜が報告されている〔例えばｒジャーナル
オプ アポライド フィジックス Ｊｏｕｒｎａｌ
ｏｆ ＡｐｐｌｉｅｄＰｈｙｓｉｃｓ Ｊ Ｖｏ １．
６３． Ｎｏ、 ８． Ａｐ ｒ ｉ ｌ。
１９８８、ｐｐ、３２０３〜３２０５；ｒ日本応用磁気
学会ＪＶＯＩ、１２．Ｎｏ、３，１９８８゜ｐｐ、４６
０〜４６４〕。しかし耐蝕性などの点で問題があり、実
用化されるまでには至っていない。
学会ＪＶＯＩ、１２．Ｎｏ、３，１９８８゜ｐｐ、４６
０〜４６４〕。しかし耐蝕性などの点で問題があり、実
用化されるまでには至っていない。
発明が解決しようとする課題
上記のように飽和磁束密度が１．５テスラ以上の磁性材
料では、これまで高い耐久性と透磁率を兼ね備えたもの
が得られないという課題があった。
料では、これまで高い耐久性と透磁率を兼ね備えたもの
が得られないという課題があった。
本発明は上記課題に鑑み、高い耐久性と透磁率を兼ね備
えた、飽和磁束密度の高い軟磁性薄膜、およびそれを用
いた磁気ヘッドを提供するものである。
えた、飽和磁束密度の高い軟磁性薄膜、およびそれを用
いた磁気ヘッドを提供するものである。
課題を解決するための手段
上記課題を解決するために本発明の軟磁性薄膜は、鉄の
層と、正の磁歪常数をもつ０４度範囲の炭化鉄の層とが
交互に配置され、かつ炭化鉄の単層の厚さが３〜８００
ｎｍ、鉄の単層の厚さが０．５〜６０ｎｍであるという
構成を備えたものである。
層と、正の磁歪常数をもつ０４度範囲の炭化鉄の層とが
交互に配置され、かつ炭化鉄の単層の厚さが３〜８００
ｎｍ、鉄の単層の厚さが０．５〜６０ｎｍであるという
構成を備えたものである。
作用
本発明は上記した構成によって、炭化鉄層に飽和磁束を
犠牲にして十分な耐久性が出せるだけの炭素を入れても
、純鉄層の存在により十分な飽和磁束を維持でき、また
純鉄層の不安定性もそれをはさんだ炭化鉄層によって補
える。ざらに純鉄層の負の磁歪と、炭化鉄層の正の磁歪
とが相殺して、十分に高い透磁率をも兼ね備えることが
できる。
犠牲にして十分な耐久性が出せるだけの炭素を入れても
、純鉄層の存在により十分な飽和磁束を維持でき、また
純鉄層の不安定性もそれをはさんだ炭化鉄層によって補
える。ざらに純鉄層の負の磁歪と、炭化鉄層の正の磁歪
とが相殺して、十分に高い透磁率をも兼ね備えることが
できる。
実施例
以下本発明の第１の一実施例の軟磁性薄膜について、図
面を参照しながら説明する。
面を参照しながら説明する。
第１図は本発明の第１および第２の実施例の軟磁性薄膜
における炭化鉄と純鉄との層状構造を示した断面図であ
る。第一図において、１１は炭化鉄、１２は純鉄である
。
における炭化鉄と純鉄との層状構造を示した断面図であ
る。第一図において、１１は炭化鉄、１２は純鉄である
。
本実施例の軟磁性ｙＪ膜は、３タ一ゲツト式の高周波マ
グネトロンスパッタ装置を用いて制作し、各層の膜厚は
スパッタ時間によって制御し、また各層の膜厚によらず
全膜厚が２ｎｍ程度になるように層数を調節しである。
グネトロンスパッタ装置を用いて制作し、各層の膜厚は
スパッタ時間によって制御し、また各層の膜厚によらず
全膜厚が２ｎｍ程度になるように層数を調節しである。
また本実施例の全ての軟磁性薄膜は、成膜後３２０℃で
１時間アニールしである。
１時間アニールしである。
以上のような構成を持った軟磁性ｉｉｉ膜について、以
下第１表および第３図から第１１図を用いてその特徴を
説明する。
下第１表および第３図から第１１図を用いてその特徴を
説明する。
まず第１表は、純鉄層の膜厚が３ｎｍ、炭化鉄層の膜厚
が３０ｎｍ、炭化鉄層の炭素濃度がモル百分率で９％の
本実施例の軟磁性薄膜と、純鉄の単層膜および炭素濃度
がモル百分率でそれぞれ３％と２７％の炭化鉄単層膜と
の特性を比較した表である。
が３０ｎｍ、炭化鉄層の炭素濃度がモル百分率で９％の
本実施例の軟磁性薄膜と、純鉄の単層膜および炭素濃度
がモル百分率でそれぞれ３％と２７％の炭化鉄単層膜と
の特性を比較した表である。
第１表において、比透磁率は２０ＭＨｚにおける値であ
り、耐候性は３％塩水噴霧中に２００時間放置した後の
薄膜の飽和磁束密度と放置前の飽和磁束密度との比で表
しである。
り、耐候性は３％塩水噴霧中に２００時間放置した後の
薄膜の飽和磁束密度と放置前の飽和磁束密度との比で表
しである。
（以 下 余 白）
第１表
第１表から明らかなように本実施例では、単層膜では得
ることのできない、高い飽和磁束密度と透磁率と耐久性
とを兼ね備えた軟磁性薄膜を実現することができる。
ることのできない、高い飽和磁束密度と透磁率と耐久性
とを兼ね備えた軟磁性薄膜を実現することができる。
第３図、第４図および第５図はそれぞれ、純鉄層の厚さ
を３ｎｍに固定して炭化鉄層の膜厚を０．７ｎｍ〜２０
００ｎｍまで変化させた場合の飽和磁束密度、保磁力お
よび２０ＭＨｚでの比透磁率の変化を示した図である。
を３ｎｍに固定して炭化鉄層の膜厚を０．７ｎｍ〜２０
００ｎｍまで変化させた場合の飽和磁束密度、保磁力お
よび２０ＭＨｚでの比透磁率の変化を示した図である。
このとき炭化鉄層中の炭素濃度はモル百分率で２４％で
あり、同じものを単層で制作した場合の磁歪常数は、５
．２Ｘ１０４である。
あり、同じものを単層で制作した場合の磁歪常数は、５
．２Ｘ１０４である。
第３図、第４図および第５図から明らかなように、３ｎ
ｍの純鉄層と、炭素濃度がモル百分率で２４％の炭化鉄
層とを積層した場合、炭化鉄層の膜厚が３〜８００ ｎ
ｍの時に良好な軟磁気特性を備えた磁性薄膜を実現する
ことができる。
ｍの純鉄層と、炭素濃度がモル百分率で２４％の炭化鉄
層とを積層した場合、炭化鉄層の膜厚が３〜８００ ｎ
ｍの時に良好な軟磁気特性を備えた磁性薄膜を実現する
ことができる。
第６図、第７図および第８図はそれぞれ、炭化鉄層の厚
さを３０ｎｍに固定して純鉄層の膜厚を０．５ｎｍ〜２
０００ｎｍまで変化させた場合の飽和磁束密度、保磁力
および２０ＭＨｚでの比透磁率の変化を示した図である
。このとき炭化鉄層中の炭素濃度はモル百分率で２４％
であり、同じものを単層で制作した場合の磁歪常数は、
５．２Ｘ１０４である。
さを３０ｎｍに固定して純鉄層の膜厚を０．５ｎｍ〜２
０００ｎｍまで変化させた場合の飽和磁束密度、保磁力
および２０ＭＨｚでの比透磁率の変化を示した図である
。このとき炭化鉄層中の炭素濃度はモル百分率で２４％
であり、同じものを単層で制作した場合の磁歪常数は、
５．２Ｘ１０４である。
第６図、第７図および第８図から明・らかなように、膜
厚が３０ｎｍで炭素濃度がモル百分率で２４％の炭化鉄
層と、純鉄の層とを積層した場合、純鉄屑の膜厚が０．
５〜６０ｎｍの時に良好な軟磁気特性を備えた磁性薄膜
を実現することができる。
厚が３０ｎｍで炭素濃度がモル百分率で２４％の炭化鉄
層と、純鉄の層とを積層した場合、純鉄屑の膜厚が０．
５〜６０ｎｍの時に良好な軟磁気特性を備えた磁性薄膜
を実現することができる。
第９図および第１０図はそれぞれ、炭化鉄中の炭素濃度
を変化させた場合の１１００ｎ厚の炭化鉄単層の磁歪常
数と、同じ膜厚１１００ｎの炭化鉄層と、膜厚３ｎｍの
純鉄層との積層膜の、保磁力および透磁率との関係を示
した図である。
を変化させた場合の１１００ｎ厚の炭化鉄単層の磁歪常
数と、同じ膜厚１１００ｎの炭化鉄層と、膜厚３ｎｍの
純鉄層との積層膜の、保磁力および透磁率との関係を示
した図である。
第９図および第１０図から明らかなように、膜厚が１０
０ ｎ ｒｎの炭化鉄層と、３ｎｍ純鉄の層とを積層し
た場合、炭化鉄層の磁歪常数が正、特に０．５〜８．０
Ｘ１０４の時に良好な軟磁気特性を備えた磁性薄膜を実
現することができる。
０ ｎ ｒｎの炭化鉄層と、３ｎｍ純鉄の層とを積層し
た場合、炭化鉄層の磁歪常数が正、特に０．５〜８．０
Ｘ１０４の時に良好な軟磁気特性を備えた磁性薄膜を実
現することができる。
第１１図は、純鉄屑の厚さを３ｎｍに固定して炭化鉄層
の膜厚を０．７ｎｍ〜２０００ｎｍまで変化させたそれ
ぞれの薄膜を、３％塩水噴霧中に２００時間放置して、
放置前の各薄膜の飽和磁束密度と放置後のそれぞれの飽
和磁束密度との比を表した図である。このとき炭化鉄層
中の炭素濃度はモル百分率で２４％であり、同じものを
単層で制作した場合の磁歪常数は、５．２ｘ１０４であ
る。
の膜厚を０．７ｎｍ〜２０００ｎｍまで変化させたそれ
ぞれの薄膜を、３％塩水噴霧中に２００時間放置して、
放置前の各薄膜の飽和磁束密度と放置後のそれぞれの飽
和磁束密度との比を表した図である。このとき炭化鉄層
中の炭素濃度はモル百分率で２４％であり、同じものを
単層で制作した場合の磁歪常数は、５．２ｘ１０４であ
る。
第１１図から明らかなように、３ｎｍの純鉄屑と、炭素
濃度がモル百分率で２４％の炭化鉄層とを積層した場合
、炭化鉄層の膜厚が３ｎｍ以上の場合に良好な耐候性を
備えた磁性薄膜を実現することができる。
濃度がモル百分率で２４％の炭化鉄層とを積層した場合
、炭化鉄層の膜厚が３ｎｍ以上の場合に良好な耐候性を
備えた磁性薄膜を実現することができる。
以上の結果から、鉄の層と、正の磁歪常数を持つＣ濃度
範囲の炭化鉄の層とが交互に配置され、かつ炭化鉄の各
層の厚さが３〜８００ｎｍ、純鉄の各層の厚さが０．５
〜６０ｎｍに設定することにより、高い耐久性と透磁率
を兼ね備えた、飽和磁束密度の高い軟磁性薄膜を提供す
ることができる。
範囲の炭化鉄の層とが交互に配置され、かつ炭化鉄の各
層の厚さが３〜８００ｎｍ、純鉄の各層の厚さが０．５
〜６０ｎｍに設定することにより、高い耐久性と透磁率
を兼ね備えた、飽和磁束密度の高い軟磁性薄膜を提供す
ることができる。
以下本発明の第２の一実施例の磁気へンドについて、図
面を参照しながら説明する。
面を参照しながら説明する。
第１２図は、本発明の第２の実施例の磁気ヘッドの一部
の断面図である。第１２図において３１は表面を充分に
研磨・洗浄したセラミック基板である。３２は本発明の
軟磁性薄膜で、膜厚が３０ｎｍで炭素濃度がモル百分率
で２４％の炭化鉄層と、膜厚が５ｎｍの純鉄の層とを積
層したもので、積層数は炭化鉄層が９１層、純鉄層が９
０１Ｊである。なお軟磁性薄膜３２はセラミツク基板３
１上全面にスパッタリング方によって形成された後、イ
オンミリング法あるいはウェフトエツチング法などによ
り所定の磁気コア形状にパターニングする。３３，３４
．３５はそれぞれ５ｉ０２などのギャップ材・有機絶縁
層、導体コイルであり、順次スパッタリング法などの成
膜法により全面に堆積された後、イオンミリング法ある
いはウェットエツチング法などにより所定の形状にパタ
ーニングしたものである。３６は３１と同じ軟磁性薄膜
を同じ層数だけ形成したものである。３７は保護膜でＡ
ｌ２Ｏ２などの絶縁層を全面に堆積させたものである。
の断面図である。第１２図において３１は表面を充分に
研磨・洗浄したセラミック基板である。３２は本発明の
軟磁性薄膜で、膜厚が３０ｎｍで炭素濃度がモル百分率
で２４％の炭化鉄層と、膜厚が５ｎｍの純鉄の層とを積
層したもので、積層数は炭化鉄層が９１層、純鉄層が９
０１Ｊである。なお軟磁性薄膜３２はセラミツク基板３
１上全面にスパッタリング方によって形成された後、イ
オンミリング法あるいはウェフトエツチング法などによ
り所定の磁気コア形状にパターニングする。３３，３４
．３５はそれぞれ５ｉ０２などのギャップ材・有機絶縁
層、導体コイルであり、順次スパッタリング法などの成
膜法により全面に堆積された後、イオンミリング法ある
いはウェットエツチング法などにより所定の形状にパタ
ーニングしたものである。３６は３１と同じ軟磁性薄膜
を同じ層数だけ形成したものである。３７は保護膜でＡ
ｌ２Ｏ２などの絶縁層を全面に堆積させたものである。
以上のように構成された第１２図に示す堆積物を所定の
形状に切り出し、ヘッド先端側３９を研磨して磁気ギャ
ップ３８を形成して、一つの薄膜磁気ヘッドとする。
形状に切り出し、ヘッド先端側３９を研磨して磁気ギャ
ップ３８を形成して、一つの薄膜磁気ヘッドとする。
上記磁気ヘッドの磁気特性を、同一条件で別の基板上に
形成した薄膜によって測定した結果、飽和磁束密度は１
．９２テスラ、磁化困難方向の保持力は０．１３０ｅ、
２９ＭＨｚにおける比透磁率は３９００と優れた特性を
示すことが確認された。
形成した薄膜によって測定した結果、飽和磁束密度は１
．９２テスラ、磁化困難方向の保持力は０．１３０ｅ、
２９ＭＨｚにおける比透磁率は３９００と優れた特性を
示すことが確認された。
また上記ヘッドの電磁変換特性を従来のコバルト系非晶
質合金薄膜ヘッドと比較すると、再生出力が約２５％向
上することを確認した。また摂氏６０゛Ｃ１相対湿度９
０％の常温常湿槽中で、従来のコバルト系非晶質合金薄
膜を用いたへンドの再生出力が３０％ダウンするまで放
置したところ、本実施例の磁気ヘッドの再生出力にはほ
とんど変化がみられなかった。
質合金薄膜ヘッドと比較すると、再生出力が約２５％向
上することを確認した。また摂氏６０゛Ｃ１相対湿度９
０％の常温常湿槽中で、従来のコバルト系非晶質合金薄
膜を用いたへンドの再生出力が３０％ダウンするまで放
置したところ、本実施例の磁気ヘッドの再生出力にはほ
とんど変化がみられなかった。
以上のように本実施例によれば、本発明の軟磁性薄膜を
透磁層に使用することにより、飽和磁束密度が１．９２
テスラと高く、かつ高い透磁率と耐蝕性とを兼ね備えた
磁気ヘッドを提供することができる。
透磁層に使用することにより、飽和磁束密度が１．９２
テスラと高く、かつ高い透磁率と耐蝕性とを兼ね備えた
磁気ヘッドを提供することができる。
以下本発明の第３の一実施例の軟磁性薄膜について、図
面を参照しながら説明する。
面を参照しながら説明する。
第２図は本発明の第３の実施例の軟磁性薄膜における炭
化鉄と純鉄と酸化珪素などの非磁性体の層との層状構造
を示した断面図である。第２図において、２１は炭化鉄
、２２は純鉄、２３は酸化珪素などの非磁性体である。
化鉄と純鉄と酸化珪素などの非磁性体の層との層状構造
を示した断面図である。第２図において、２１は炭化鉄
、２２は純鉄、２３は酸化珪素などの非磁性体である。
本実施例においては、膜厚が３０層ｍで炭素濃度がモル
百分率で２４％の炭化鉄層と、膜厚が５ｎｍの純鉄の層
と膜厚が３ｎｍの酸化珪素の層とをそれぞれ９０層ずつ
積層したもので、第２の実施例と全く同様の薄膜磁気ヘ
ッドを形成し、電磁変換特性を第２の実施例の薄膜ヘッ
ドと比較すると、高周波領域で再生出力がさらに２０％
向上することを確認した。
百分率で２４％の炭化鉄層と、膜厚が５ｎｍの純鉄の層
と膜厚が３ｎｍの酸化珪素の層とをそれぞれ９０層ずつ
積層したもので、第２の実施例と全く同様の薄膜磁気ヘ
ッドを形成し、電磁変換特性を第２の実施例の薄膜ヘッ
ドと比較すると、高周波領域で再生出力がさらに２０％
向上することを確認した。
また摂氏６０゛Ｃ１相対温度９０％の常温常湿槽中で従
来のコバルト系非晶質合金薄膜を用いたヘッドの再生出
力が３０％ダウンするまで放置したところ、本実施例の
磁気ヘッドも、第２の実施例のヘッドと同様に再生出力
にはほとんど変化がみられなかった。
来のコバルト系非晶質合金薄膜を用いたヘッドの再生出
力が３０％ダウンするまで放置したところ、本実施例の
磁気ヘッドも、第２の実施例のヘッドと同様に再生出力
にはほとんど変化がみられなかった。
発明の効果
以上のように本発明は、鉄の層と、正の磁歪常数を持つ
Ｃ濃度範囲の炭化鉄の層とが交互に配置され、かつ炭化
鉄の単層の厚さが３〜８００ｎｍ、鉄の単層の厚さが０
．５〜６０ｎｍであるという構成を備えることにより、
炭化鉄屑に飽和磁束を犠牲にして十分な耐久性が出せる
だけの炭素を入れても、純ｙ、Ｎの存在により十分な飽
和磁束を維持でき、また純鉄屑の不安定性もそれをはさ
んだ炭化鉄層によって捕える。さらに純鉄層の負の磁歪
と、炭化鉄層の正の磁歪とが相殺して、十分に高い透磁
率をも兼ね備えることができる。即ち高い耐久性と透磁
率を兼ね備えた、飽和磁束密度の高い軟磁性薄膜を実現
することができる。
Ｃ濃度範囲の炭化鉄の層とが交互に配置され、かつ炭化
鉄の単層の厚さが３〜８００ｎｍ、鉄の単層の厚さが０
．５〜６０ｎｍであるという構成を備えることにより、
炭化鉄屑に飽和磁束を犠牲にして十分な耐久性が出せる
だけの炭素を入れても、純ｙ、Ｎの存在により十分な飽
和磁束を維持でき、また純鉄屑の不安定性もそれをはさ
んだ炭化鉄層によって捕える。さらに純鉄層の負の磁歪
と、炭化鉄層の正の磁歪とが相殺して、十分に高い透磁
率をも兼ね備えることができる。即ち高い耐久性と透磁
率を兼ね備えた、飽和磁束密度の高い軟磁性薄膜を実現
することができる。
第１図は本発明の第１の実施例の軟磁性薄膜における炭
化鉄と純鉄との層状構造を示した断面図、第２図は本発
明の第１の実施例の軟磁性薄膜における炭化鉄と純鉄と
の層状構造を示した断面図、第３図は純鉄石の厚さを固
定したときの、炭化鉄層の膜厚と飽和磁束密度との関係
を示した図、第４図は純鉄屑の厚さを固定したときの炭
化鉄層と保磁力との関係を示した図、第５図は純鉄屑の
厚さを固定したときの炭化鉄扇の膜厚と比透磁率の変化
を示した図、第６図は炭化鉄屑の厚さを固定したときの
純鉄層の膜厚と飽和磁束密度との関係を示した図、第７
図は炭化鉄屑の厚さを固定したときの純鉄屑の膜厚と保
磁力との関係を示した図、第８図は炭化鉄層の厚さを固
定したときの純鉄屑の膜厚と２０ＭＨｚでの比透磁率と
の関係を示した図、第９図は炭化鉄中の炭素濃度を変化
させた場合の１００１００ｎの炭化鉄単層の磁歪常数と
、同じ膜厚１１００ｎの炭化鉄層と、膜厚３ｎｍの純鉄
層との積層膜の、保磁力との関係を示した図、第１Ｏ図
は炭化・鉄中の炭素濃度を変化させた場合の１１００ｎ
厚の炭化鉄単層の磁歪常数と、同じ膜厚１１００ｎの炭
化鉄層と、膜Ｊ！ｆ−３ｎｍの純鉄層との積ＦｉｐＩｉ
４の、透磁率との関係を示した図、第１１図は純鉄層の
厚さを固定して炭化鉄層の膜厚を変化させた薄膜を、３
％塩水噴霧中に２００時間放置して、放置前の各薄膜の
飽和磁束密度と放置後のそれぞれの飽和磁束密度との比
を表した図、第１２図は本発明の第２の実施例の磁気ヘ
ッドの一部の断面図である。 １１・・・・・・炭化鉄、１２・・・・・・純鉄、２１
・・・・・・炭化鉄、２２・・・・・・純鉄、２３・・
・・・・酸化珪素などの非磁性体、３１・・・・・・セ
ラミック基板、３２・・・・・・本発明の軟磁性薄膜、
３３・・・・・・ギャンプ材、３４・・団・有機絶縁層
、３５・・・・・・導体コイル、３６・・・・・・３１
と同じ軟磁性薄膜、３７・・・・・・保護膜、３８・・
・・・・磁気ギャップ、３９・・・・・・ヘッド先端。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名ε顆 １％雪 第 ３ 図 第４図 ＩＯ１００／σ０ρ 炭化欽１厚（グｍ） 区 ＼ Ｎ 炭化鉄層厚（仇幌） 渠 図 蓚 図 炭化欽層湿 （４慴９ 純鉄層厚（１処ｐ 第 区 第８図 １Ｏ／θＯ （屯 欽７曹１ （竹ａノ ＯＯ 純鉄層厚 （べ帆ジ 藁 図 盲 １０図 磁歪Ｓ前数 （ｔｏ”） 透歪常数 （ｊＯ″ｐ 第１１因 第１２Ｉ７１１ 炭化ｔｖＩＦ４（用机）
化鉄と純鉄との層状構造を示した断面図、第２図は本発
明の第１の実施例の軟磁性薄膜における炭化鉄と純鉄と
の層状構造を示した断面図、第３図は純鉄石の厚さを固
定したときの、炭化鉄層の膜厚と飽和磁束密度との関係
を示した図、第４図は純鉄屑の厚さを固定したときの炭
化鉄層と保磁力との関係を示した図、第５図は純鉄屑の
厚さを固定したときの炭化鉄扇の膜厚と比透磁率の変化
を示した図、第６図は炭化鉄屑の厚さを固定したときの
純鉄層の膜厚と飽和磁束密度との関係を示した図、第７
図は炭化鉄屑の厚さを固定したときの純鉄屑の膜厚と保
磁力との関係を示した図、第８図は炭化鉄層の厚さを固
定したときの純鉄屑の膜厚と２０ＭＨｚでの比透磁率と
の関係を示した図、第９図は炭化鉄中の炭素濃度を変化
させた場合の１００１００ｎの炭化鉄単層の磁歪常数と
、同じ膜厚１１００ｎの炭化鉄層と、膜厚３ｎｍの純鉄
層との積層膜の、保磁力との関係を示した図、第１Ｏ図
は炭化・鉄中の炭素濃度を変化させた場合の１１００ｎ
厚の炭化鉄単層の磁歪常数と、同じ膜厚１１００ｎの炭
化鉄層と、膜Ｊ！ｆ−３ｎｍの純鉄層との積ＦｉｐＩｉ
４の、透磁率との関係を示した図、第１１図は純鉄層の
厚さを固定して炭化鉄層の膜厚を変化させた薄膜を、３
％塩水噴霧中に２００時間放置して、放置前の各薄膜の
飽和磁束密度と放置後のそれぞれの飽和磁束密度との比
を表した図、第１２図は本発明の第２の実施例の磁気ヘ
ッドの一部の断面図である。 １１・・・・・・炭化鉄、１２・・・・・・純鉄、２１
・・・・・・炭化鉄、２２・・・・・・純鉄、２３・・
・・・・酸化珪素などの非磁性体、３１・・・・・・セ
ラミック基板、３２・・・・・・本発明の軟磁性薄膜、
３３・・・・・・ギャンプ材、３４・・団・有機絶縁層
、３５・・・・・・導体コイル、３６・・・・・・３１
と同じ軟磁性薄膜、３７・・・・・・保護膜、３８・・
・・・・磁気ギャップ、３９・・・・・・ヘッド先端。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名ε顆 １％雪 第 ３ 図 第４図 ＩＯ１００／σ０ρ 炭化欽１厚（グｍ） 区 ＼ Ｎ 炭化鉄層厚（仇幌） 渠 図 蓚 図 炭化欽層湿 （４慴９ 純鉄層厚（１処ｐ 第 区 第８図 １Ｏ／θＯ （屯 欽７曹１ （竹ａノ ＯＯ 純鉄層厚 （べ帆ジ 藁 図 盲 １０図 磁歪Ｓ前数 （ｔｏ”） 透歪常数 （ｊＯ″ｐ 第１１因 第１２Ｉ７１１ 炭化ｔｖＩＦ４（用机）
Claims (4)
- （１）炭化鉄の層と鉄の層とを交互に積層することを特
徴とする軟磁性薄膜。 - （２）鉄の層と、正の磁歪常数を持つＣ濃度範囲の炭化
鉄の層とが交互に配置され、かつ炭化鉄の各層の厚さが
３〜８００ｎｍ、純鉄の各層の厚さが０．５〜６０ｎｍ
であることを特徴とする軟磁性薄膜。 - （３）透磁層の少なくとも一部に請求項（１）または（
２）のいずれかに記載の軟磁性薄膜が使用されることを
特徴とする磁気ヘッド。 - （４）請求項（１）または（２）のいずれかに記載の軟
磁性薄膜中に非磁性層を挿入することによって再生効率
を高めたことを特徴とする請求項（４）記載の磁気ヘッ
ド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1080342A JPH0242702A (ja) | 1988-04-28 | 1989-03-30 | 軟磁性薄膜およびこれを用いた磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63-106372 | 1988-04-28 | ||
| JP10637288 | 1988-04-28 | ||
| JP1080342A JPH0242702A (ja) | 1988-04-28 | 1989-03-30 | 軟磁性薄膜およびこれを用いた磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0242702A true JPH0242702A (ja) | 1990-02-13 |
Family
ID=26421366
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1080342A Pending JPH0242702A (ja) | 1988-04-28 | 1989-03-30 | 軟磁性薄膜およびこれを用いた磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0242702A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4531331B2 (ja) * | 2000-05-31 | 2010-08-25 | 高橋 研 | 磁性薄膜、その製造方法、その評価方法及びこれを用いた磁気ヘッド、磁気記録装置並びに磁気デバイス |
| JP2020524721A (ja) * | 2016-12-19 | 2020-08-20 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 軟強磁性粒子材料を含有する熱可塑性ポリマー複合体及びその製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6285413A (ja) * | 1985-10-11 | 1987-04-18 | Hitachi Ltd | 強磁性多層膜及びその製造法 |
| JPS62285406A (ja) * | 1986-06-03 | 1987-12-11 | Nec Home Electronics Ltd | 複合軟磁性薄膜 |
| JPS6380509A (ja) * | 1986-09-24 | 1988-04-11 | Hitachi Ltd | 磁性超格子膜およびそれを用いた磁気ヘツド |
-
1989
- 1989-03-30 JP JP1080342A patent/JPH0242702A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6285413A (ja) * | 1985-10-11 | 1987-04-18 | Hitachi Ltd | 強磁性多層膜及びその製造法 |
| JPS62285406A (ja) * | 1986-06-03 | 1987-12-11 | Nec Home Electronics Ltd | 複合軟磁性薄膜 |
| JPS6380509A (ja) * | 1986-09-24 | 1988-04-11 | Hitachi Ltd | 磁性超格子膜およびそれを用いた磁気ヘツド |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4531331B2 (ja) * | 2000-05-31 | 2010-08-25 | 高橋 研 | 磁性薄膜、その製造方法、その評価方法及びこれを用いた磁気ヘッド、磁気記録装置並びに磁気デバイス |
| JP2020524721A (ja) * | 2016-12-19 | 2020-08-20 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 軟強磁性粒子材料を含有する熱可塑性ポリマー複合体及びその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5264981A (en) | Multilayered ferromagnetic film and magnetic head employing the same | |
| US5126907A (en) | Thin film magnetic head having at least one magnetic core member made at least partly of a material having a high saturation magnetic flux density | |
| JPH01158618A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| US7419729B2 (en) | Multilayered ferromagnetic laminate having alternating cobalt alloy and iron-nitrogen alloy films for use with magnetic heads | |
| US6346338B1 (en) | Combination magnetoresistive/inductive thin film magnetic head and its manufacturing method | |
| US5018038A (en) | Thin film magnetic head with laminated metal and non magnetic film | |
| JPH06338410A (ja) | 軟磁性多層膜と磁気ヘッド | |
| JP3155234B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
| US5247415A (en) | Magnetic head having main and auxiliary magnetic paths | |
| JP2780588B2 (ja) | 積層型磁気ヘッドコア | |
| JPH0242702A (ja) | 軟磁性薄膜およびこれを用いた磁気ヘッド | |
| US5386332A (en) | Magnetic head for high-frequency, high density recording | |
| JP2502965B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JPS61179509A (ja) | 磁性材料 | |
| JPH0738344B2 (ja) | 軟磁性薄膜 | |
| Jagielinski | Trends in materials development for magnetic recording heads | |
| US20020044378A1 (en) | Thin film magnetic head | |
| JP2790159B2 (ja) | 薄膜積層磁気ヘッド | |
| JP2696120B2 (ja) | 磁性多層膜 | |
| JPH0389502A (ja) | 磁性多層膜 | |
| JPH05242433A (ja) | 磁気ヘッド | |
| JP3461688B2 (ja) | 磁気ヘッドおよびそれを用いた磁気記録装置 | |
| JPH05151534A (ja) | 複合型薄膜磁気ヘツド | |
| JPH0559484B2 (ja) | ||
| JPH103611A (ja) | 薄膜磁気ヘッド及び磁気記録再生装置 |