JPH0215342A - メモリ装置 - Google Patents

メモリ装置

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JPH0215342A
JPH0215342A JP63167583A JP16758388A JPH0215342A JP H0215342 A JPH0215342 A JP H0215342A JP 63167583 A JP63167583 A JP 63167583A JP 16758388 A JP16758388 A JP 16758388A JP H0215342 A JPH0215342 A JP H0215342A
Authority
JP
Japan
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memory
address
read
data
bits
Prior art date
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Pending
Application number
JP63167583A
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English (en)
Inventor
Yasushi Ouchi
大内 康史
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication of JPH0215342A publication Critical patent/JPH0215342A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、マイクロコンピュータを搭載したパーソナル
コンピュータやワードプロセッサなどのメモリ装置に関
するものである。
従来の技術 近年、マイクロコンピュータを搭載したパーソナルコン
ピュータやワードプロセッサなどにおいては、マイクロ
コンピュータおよびROM 、 RAMの高速化に伴い
アプリケーションソフトの実行速度やデータ処理速度の
向上は目ざましいものがある。
以下、従来のメモリ装置を第2図のブロック図に基づい
て説明する。
第2図は従来のメモリブロックを4個もった場合、すな
わち2fi個のメモリブロック数がn=2の場合のメモ
リ装置のブロック図を示す。このメモリ装置では、バス
マスタ(図示せず)がメモリリード動作を行うときにバ
スマスタから出力されるXビット(又はX>nの正の整
数)からなるメモリリードアドレスの、下位アドレス2
ビツトによりメモリブロックが選択され、上位アドレス
(x−2)ヒツトによりメモリブロックのメモリセルが
選択され、選択されたメモリブロックのメモリセルから
のリードデータはバスマスタのデータバスへ出力される
第2図において、1はメモリコントローラであり、制御
信号ライン2を介してバスマスタからメモリリード要求
があると、バスマスタからアドレスバス3に出力される
メモリリードアドレスの下位アドレス2ビツトによりリ
ード要求のあるメモリブロックが4個のメモリブロック
4,5,6゜7のうちどれであるかを判断し、該当する
メモリブロック4,5,6.7に制御信号ライン8,9
゜10 、11を介してメモリリード用の第1〜第4の
リード制御信号群を出力する。メモリブロック4゜5.
6.7はバスマスタのプログラムまたはリードオンリー
データを格納しているROMまたはRAMからなり(図
面ではROMである)、バスマスタのデータバス12の
本数と同一の入出力線(ROMは出力線のみ)をそれぞ
れ有しており、第1のメモリブロック4はメモリコント
ローラ1の第1のリード制御信号群とバスマスタのメモ
リリードアドレスの上位アドレス(x−2)ビットとに
より選択されるメモリセルがリードされ、リードデータ
はデータバス12へ出力される。第2のメモリブロック
5はメモリコントローラ1の第2のリード制御信号群と
バスマスタのメモリリードアドレスの上位アドレス(x
−2)ビットとにより選択されるメモリセルがリードさ
れ、第3のメモリブロック6は第3のリード制御信号群
と メモリリードアドレスの上位アドレス(z−2)ビット
とにより選択されるメモリセルがリードされ、第4のメ
モリブロック7は第4のリード制御信号群とメモリリー
ドアドレスの上位アドレス(z−2)ビットとにより選
択されるメモリセルがリードされ、それぞれリードデー
タはデータバス12へ出力される。
発明が解決しようとする課題 しかしながら上記従来の構成では、リード時間はメモリ
ブロック4,5,6.7を構成するRAMまたはROM
のアクセスタイムで決定されるので、リード時間を短縮
するにはアクセスタイムの短い高価なRAMまたはRO
Mを使用しなければならないという問題を有していた。
本発明は上記問題を解決するものであり、高価なRAM
またはROMを使用せずにリード時間を短縮できるメモ
リ装置を提供することを目的とするものである。
課題を解決するための手段 上記問題を解決するため本発明は、バスマスタのプログ
ラムまたはリードオンリーデータを格納している記憶素
子からなり、バスマスタのデータバスの本数と同一の入
出力線をそれぞれ有する2゜個(nは正の整数)のメモ
リブロックを設け、前記バスマスタのXビット(xはX
>nの正の整数)からなるメモリリードアドレスの、下
位アドレスnビットにより前記メモリブロックを選択し
、上位アドレス(x−n)ビットにより各メモリブロッ
クのメモリセルを選択し、選択されたメモリブロックの
メモリセルからのリードデータを前記パスマスタのデー
タバスへ出力するメモリ装置であって、前回に前記メモ
リブロックからリード動作が行われたときの前記メモリ
リードアドレスの上位アドレス(x−n )ビットをラ
ッチするアドレスラッチと、前記アドレスラッチの値と
現在のメモリリードアドレスの上位アドレス(x−n 
)ビットを比較するアドレス比較器と、前記メモリブロ
ックのリードデータをそれぞれラッチする2n個のデー
タラッチと、前記バスマスタからのリード要求があり、
前記アドレス比較器の一致出力が無効(不一致)である
ときのみ、前記2n個のメモリブロックの全てにリード
制御信号#を同時に出力し、2n個のメモリブロックか
ら現在のメモリリードアドレスの上位アドレス(x、−
n)ビットで選択されるメモリセルのデータをリードし
、リードされた2n個のリードデータを前記データラッ
チにラッチするためのタイミング信号であるストローブ
を出力するメモリコントローラと、前記バスマスタから
のリード要求があるとき現在のメモリリードアドレスの
下位アドレスnビットから前記データラッチを選択し、
そのデータラッチにイネーブル信号を出力し、データラ
ッチのラッチデータを前記バスマスタのデータバスに出
力させるマルチプレクサとを設けたものである。
作用 上記構成により、メモリリードアドレスのメモリセルを
選択する上位アドレス(x−n)ビットが前回と同一で
あり、アドレス比較器の一致出力が有効(一致)になる
と、メモリコントローラはメモリブロックのメモリセル
のリードを実行せず、マルチプレクサの出力で選択され
るデータラッチのラッチデータがデータバスに出力され
る。これにより、常にメモリブロックをリードする従来
のメモリ装置に比べて高速のメモリ装置が実現でき、安
価なROMや誠が使用可能となる。
実施例 以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。
第1図は本発明の一実施例を示す、メモリブロック数を
2n個でn=2とした場合、すなわち4個のメモリブロ
ックを備えたメモリ装置のブロック図である。なお、従
来例の第2図の構成と同一の構成には同一の符号を付し
て説明を省略する。また、バスマスタからアドレスバス
3に出力されるメモリリードアドレスは従来例と同一の
構造とする。
第1図において、 2nは前回にメモリブロック4゜5
.6.7に対してリード動作が行われたときのバスマス
タ(図示せず)のメモリリードアドレスの上位アドレス
(x−2)ビットをラッチしているアドレスラッチであ
り、アドレスラッチ2nの値はアドレスバス22を介し
てアドレス比較器23へ出力される。このアドレスラッ
チ2nの値と現在のバスマスタのメモリリードアドレス
の上位アドレス(x−2)ビットとはアドレス比較器2
3にて比較され、一致していると制御信号ライン24を
介して一致出力信号をメモリコントローラ25へ出力す
る。メモリコントローラ25は、バスマスタからリード
要求があり、かつアドレス比較器23の一致出力信号が
無効(不一致)のときに限り、バスマスタのリードアド
レスの上位アドレス(x−2)ビットで選択されるメモ
リセルをメモリブロック4,5,6.7ブロツク4,5
,6.7から同時にリードされたリードデータをそれぞ
れラッチするためにそれぞれのメモリブロック4,5,
6.7に対応して設けられたデータラッチ27 、28
 、29 、30に、制御信号ライン31yt介してタ
イミング信号であるストローブを出力する。32はマル
チプレクサであり、バスマスタからのリード要求がある
と、現在のメモリリードアドレスの下位アドレス2ビツ
トから該当するデータラッチ27 、28 、29 、
30を選択してイネーブル信号を制御信号ライン33 
、34 、35 、36を介して出力し、このデータラ
ッチ27 、28 、29 、30にラッチされている
ラッチデータをデータバス12に出力させる。
以下、上記構成のメモリ装置の動作を説明する。
まず、バスマスタのメモリリード動作によりメモリリー
ドアドレスとリード要求が出力される。
アドレス比較器23は、前回にメモリブロック4゜5.
6.7がリードされたときの上位アドレス(x−2)ビ
ットをラッチしているアドレスラッチ2nの値と現在の
メモリリードアドレスの上位アドレス(x−2)ビット
とを比較し、アドレス比較器23の一致出力が無効(不
一致)であれば、メモリコントローラ25はリード制御
信号群をメモリブロック4.5,6.7に同時に出力し
、メモリリードアドレスの上位アドレス(x−2)ビッ
トで選択されるメモリセルを各メモリブロック4,5,
6.7からリードし、メモリコントローラ25が出力す
るストローブで各メモリブロック4,5,6.7からの
リードデータをデータラッチ27 、28 、29 、
30にそれぞれラッチさせ、マルチプレクサ32はバス
マスクの現在のメモリリードアドレスの下位アドレス2
ビツトによって選択されるデータラッチ27゜28 、
29 、30のイネーブル信号のうちの一つを有効にし
、それにより該当するデータラッチ27 、28 。
29 、30のうちの一つがデータバス12にラッチデ
ータを出力する。また、前回と現在のメモリセルを選択
する上位アドレス(x−2)ビットで同一であり、アド
レス比較器23の一致出力が有効(一致)な場合、メモ
リコントローラ25はメモリブロック45.6.7iリ
ードせずに、前回にメモリブロック4,5,6.7をリ
ードしたときのリードデータをそれぞれラッチしている
データラッチ27 、28 。
29.3(lをマルチプレクサ32が現在のメモリリー
ドアドレスの下位アドレス2ビツトで選択し、該当する
データラッチ27.28 、29 、30のイネーブル
信号を有効にし、そのデータラッチ27 、28 、2
9 、30のラッテデータをバスマスタのデータバス1
2に出力する。
このように、現在のバスマスタのリード要求時のメモリ
リードアドレスの4二位アドレス(x−2)ビットが、
前回lζメモlIブロック4,5,6.7をリードした
ときの上位アドレス(x−2)ビットと一致したときは
、メモリブロック4,5,6.7をリードせずに、メモ
リリードアドレスの下位アドレス2ビツトに該当するデ
ータラッチ27 、28 、29 。
30のラッチデータをデータバス】2に出力することi
こより、バスマスタからの平均メモリリード時間を短縮
することができる。
なお、本実施例では、メモリブロック数を4個(メモリ
ブロック数2n個で【l−2の場合)としたが、メモリ
ブロック数を2n個(nは正の整数)とする場合はメモ
リブロックとメモリラッチ+ 2 n個に増やし、アド
レスラッチ2n8よびアドレス比較器23の処理するメ
モリリードアドレスを上位アドレスの(x−n)ビット
とし、メモリブロックに入力しメモリセルを選択するメ
モリリードアドレスを上位アドレスの(x−n)ビット
とし、マルチプレクサ32の入力アドレス線を0本とし
、すなt)bメモリリードアドレスの下位アドレスnビ
ットを入力し、出力を2n本、すなわちイネーブル信号
のための2t1本とすれば良い。
発明の効果 以上のように本発明によれば、バスマスタがメモリリー
ド要求を出力したときアドレス比較器の一致出力が無効
(不一致)の場合は従来のメモリ装置と同様の動作を行
うが、アドレス比較器の一致出力が有効C一致)な場合
はデータラッチからラッチデータをただちにバスマスク
のデータバスに出力することによって、平均メモリリー
ド時1mを従来のメモリ装置よりも短縮することができ
、さらにメモリブロックが多い場合は平均メモリリード
時間をより短縮することができる。
また、従来の低コストのRAMやROMを使用してもコ
ストの高い高速のRAMやROMを使用するのと同様な
効果を得ることができる優れたメモリ装置を実現できる
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示すメモリ装置δのブロッ
ク図、第2図は従来のメモリ装置のブロック図である。 3・・・アドレスバス、4,5,6.7・・・メモリブ
ロック、12・・・データバス、2n・・・アドレスラ
ッチ、23・・・アドレス比較器、25・・・メモリコ
ントローラ、27 、28 、29−.30−・・デー
タラッチ、32・・・マルチプレクサ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、バスマスタのプログラムまたはリードオンリーデー
    タを格納している記憶素子からなり、バスマスタのデー
    タバスの本数と同一の入出力線をそれぞれ有する2^n
    個(nは正の整数)のメモリブロックを設け、前記バス
    マスタのxビット(xはx>nの正の整数)からなるメ
    モリリードアドレスの、下位アドレスnビットにより前
    記メモリブロックを選択し、上位アドレス(x−n)ビ
    ットにより各メモリブロックのメモリセルを選択し、選
    択されたメモリブロックのメモリセルからのリードデー
    タを前記バスマスタのデータバスへ出力するメモリ装置
    であつて、前回に前気メモリブロックからリード動作が
    行われたときの前記メモリリードアドレスの上位アドレ
    ス(x−n)ビットをラッチするアドレスラッチと、前
    記アドレスラッチの値と現在のメモリリードアドレスの
    上位アドレス(x−n)ビットを比較するアドレス比較
    器と、前記メモリブロックのリードデータをそれぞれラ
    ッチする2^n個のデータラッチと、前記バスマスタか
    らのリード要求があり、前記アドレス比較器の一致出力
    が無効(不一致)であるときのみ、前記2^n個のメモ
    リブロックの全てにリード制御信号群を同時に出力し、
    2^n個のメモリブロックから現在のメモリリードアド
    レスの上位アドレス(x−n)ビットで選択されるメモ
    リセルのデータをリードし、リードされた2^n個のリ
    ードデータを前記データラッチにラッチするためのタイ
    ミング信号であるストローブを出力するメモリコントロ
    ーラと、前記バスマスタからのリード要求があるとき、
    現在のメモリリードアドレスの下位アドレスnビットか
    ら前記データラッチを選択し、そのデータラッチにイネ
    ーブル信号を出力し、データラツチのラッチデータを前
    記バスマスタのデータバスに出力させるマルチプレクサ
    とを設けたメモリ装置。
JP63167583A 1988-07-04 1988-07-04 メモリ装置 Pending JPH0215342A (ja)

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JP63167583A JPH0215342A (ja) 1988-07-04 1988-07-04 メモリ装置

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04323747A (ja) * 1991-04-24 1992-11-12 Toshiba Corp 中央演算処理装置
WO2008087779A1 (ja) * 2007-01-19 2008-07-24 Nec Corporation アレイ型プロセッサおよびデータ処理システム
JPWO2020166725A1 (ja) * 2019-02-16 2020-08-20

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WO2008087779A1 (ja) * 2007-01-19 2008-07-24 Nec Corporation アレイ型プロセッサおよびデータ処理システム
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