JPH0215500A - メモリ自己検査システム及び方法 - Google Patents
メモリ自己検査システム及び方法Info
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- JPH0215500A JPH0215500A JP1030133A JP3013389A JPH0215500A JP H0215500 A JPH0215500 A JP H0215500A JP 1030133 A JP1030133 A JP 1030133A JP 3013389 A JP3013389 A JP 3013389A JP H0215500 A JPH0215500 A JP H0215500A
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- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims abstract description 9
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
- G11C29/08—Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
- G11C29/12—Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
- G11C29/18—Address generation devices; Devices for accessing memories, e.g. details of addressing circuits
- G11C29/20—Address generation devices; Devices for accessing memories, e.g. details of addressing circuits using counters or linear-feedback shift registers [LFSR]
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
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- G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
- G11C29/08—Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
- G11C29/12—Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
- G11C29/36—Data generation devices, e.g. data inverters
Landscapes
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
A、産業上の利用分野
本発明は、高効率メモリ自己検査のシステム及び方法に
関する。具体的には、本発明は、論理回路または記憶回
路あるいはその両方の自己検査を実行するためのオンチ
ップ・システム及び方法に関する。
関する。具体的には、本発明は、論理回路または記憶回
路あるいはその両方の自己検査を実行するためのオンチ
ップ・システム及び方法に関する。
B、従来技術及びその問題点
集積回路の検査は多数提案されている。通常、ブラック
・ボックス技術が使用される。この技術では、回路に決
定的刺激を与えて、回路からの応答を生成し、それを既
知の期待出力と比較する。
・ボックス技術が使用される。この技術では、回路に決
定的刺激を与えて、回路からの応答を生成し、それを既
知の期待出力と比較する。
比較の結果に基づいて、その回路が単に良または不良と
決定される。集積回路の検査に関するこれまでの問題は
、検査データの量が多いことと検査時間が長くかかるこ
とである。
決定される。集積回路の検査に関するこれまでの問題は
、検査データの量が多いことと検査時間が長くかかるこ
とである。
自己検査とは、検査される回路を含む構成要素上に検査
回路があることを言う。構成要素は、集積回路カード、
ウェハ、または集積回路チップでよい。すなわち、自己
検査は、検査される回路に組み込まれた(すなわち、オ
ンチップ)検査回路、または構成要素の外部に配置され
た(すなわち、オフチップ)検査回路を用いて行なわれ
る。オンチップ検査とオフチップ検査のどちらかを選択
する際には、2つの競合要因のバランスを取る必要があ
る。オフチップ検査が有利なのは、検査回路を各集積回
路チップの生産と共に複製しなくてもよいからである。
回路があることを言う。構成要素は、集積回路カード、
ウェハ、または集積回路チップでよい。すなわち、自己
検査は、検査される回路に組み込まれた(すなわち、オ
ンチップ)検査回路、または構成要素の外部に配置され
た(すなわち、オフチップ)検査回路を用いて行なわれ
る。オンチップ検査とオフチップ検査のどちらかを選択
する際には、2つの競合要因のバランスを取る必要があ
る。オフチップ検査が有利なのは、検査回路を各集積回
路チップの生産と共に複製しなくてもよいからである。
オンチップ検査が有利と考えられるのは、検査中の回路
が近くにあるため、オフチップ検査よりかなり速い速度
で検査が実行でき、検査用の外部電源くらいしか必要で
ないからである。近年、利用できる集積回路密度が増加
したためチップの面積は重視されなくなり、検査速度が
重視されるようになったため、オンチップ検査のほうが
増えている。
が近くにあるため、オフチップ検査よりかなり速い速度
で検査が実行でき、検査用の外部電源くらいしか必要で
ないからである。近年、利用できる集積回路密度が増加
したためチップの面積は重視されなくなり、検査速度が
重視されるようになったため、オンチップ検査のほうが
増えている。
オンチップ回路検査は、論理回路検査と記憶回路検査に
2分できる。どちらの形式のオンチップ検査でもすべて
の記憶点を論理0と1の両方の状態で検査できるこさが
望ましい。オンチップ回路密度の近年の増加により、集
積回路チップが論理回路と記憶回路の両方を含むことが
多(なってきている。すなわち、同じチップ上の論理回
路と記憶回路の両方を検査できる必要がある。しかし、
大半の既知の回路検査技術は、論理回路の検査のみを対
象としている。
2分できる。どちらの形式のオンチップ検査でもすべて
の記憶点を論理0と1の両方の状態で検査できるこさが
望ましい。オンチップ回路密度の近年の増加により、集
積回路チップが論理回路と記憶回路の両方を含むことが
多(なってきている。すなわち、同じチップ上の論理回
路と記憶回路の両方を検査できる必要がある。しかし、
大半の既知の回路検査技術は、論理回路の検査のみを対
象としている。
論理回路の検査に伴う問題は、論理回路素子(ラッチ)
のアクセス可能性と観察可能性である。
のアクセス可能性と観察可能性である。
これらの記憶素子は、通常、データを他の記憶素子とは
独立に特定の論理回路記憶素子に入力することができな
いようになっている。論理回路の検査には、既知の刺激
が論理回路に与えられその結果が観察できるように、独
立論理回路素子を制御することが必要である。この問題
は、レベル・センシイティブ・スキャン・デザイン(L
SSD)技術によって解決されてきた。LSSD技術は
、たとえば、米国特許第3761695号または第37
83254号に記載されているように周知である。
独立に特定の論理回路記憶素子に入力することができな
いようになっている。論理回路の検査には、既知の刺激
が論理回路に与えられその結果が観察できるように、独
立論理回路素子を制御することが必要である。この問題
は、レベル・センシイティブ・スキャン・デザイン(L
SSD)技術によって解決されてきた。LSSD技術は
、たとえば、米国特許第3761695号または第37
83254号に記載されているように周知である。
LSSD検査は、各論理システム・ラッチにシフト・レ
ジスタ機能を付与し、入出力モード中にこれらのシフト
・レジスタ・ラッチ(SRL)をアクセス可能にするこ
とによって実施される。LSSD検査では、論理回路を
別々の2つのモードで動作させる必要がある。第1のモ
ードでは、既知の検査データを順次入力し、適切なSR
L位置にシフトさせる。SRLが既知の状態に初期化さ
れると、第2のモードで論理回路の動作が始まる。
ジスタ機能を付与し、入出力モード中にこれらのシフト
・レジスタ・ラッチ(SRL)をアクセス可能にするこ
とによって実施される。LSSD検査では、論理回路を
別々の2つのモードで動作させる必要がある。第1のモ
ードでは、既知の検査データを順次入力し、適切なSR
L位置にシフトさせる。SRLが既知の状態に初期化さ
れると、第2のモードで論理回路の動作が始まる。
既知の検査データは、論理回路中を伝播されてシステム
に対する刺激として働き、その結果がSRLで捕捉され
る。元の動作モードに戻ると、SRLの状況を出力して
、回路が正確に動作する場合に出る既知のデータと比較
することができる。
に対する刺激として働き、その結果がSRLで捕捉され
る。元の動作モードに戻ると、SRLの状況を出力して
、回路が正確に動作する場合に出る既知のデータと比較
することができる。
LSSD論理回路検査が好都合なのは、順序論理回路を
組合せ論理回路として検査できるからである。しかし、
近年、こうした「決定的」回路検査のコストが高くつ(
ようになった0回路密度が急速に増加したので、各論理
記憶素子に入出力(すなわち、アクセス可能性と観察可
能性)を設けることがもはや実現不可能になった。同じ
問題のために、この技術はメモリ検査にも非実用的にな
った。したがって、回路検査のためのより効率的な技術
が必要になっている。
組合せ論理回路として検査できるからである。しかし、
近年、こうした「決定的」回路検査のコストが高くつ(
ようになった0回路密度が急速に増加したので、各論理
記憶素子に入出力(すなわち、アクセス可能性と観察可
能性)を設けることがもはや実現不可能になった。同じ
問題のために、この技術はメモリ検査にも非実用的にな
った。したがって、回路検査のためのより効率的な技術
が必要になっている。
他の周知の回路検査技術は、サイン分析である。
やはり周知の検査データ・パターンを使って論理回路ま
たは記憶回路を刺激する。刺激された回路から出力され
たデータを次いで論理回路に送って、そこでデータをデ
ータ・サインに圧縮する。次いで、データ・サインを、
論理回路または記憶回路が適切に機能する場合に発生す
るデータ・サインと比較する。こうしたサイン分析の例
は、米国特許第4597080号及び第4601034
号に見られる。
たは記憶回路を刺激する。刺激された回路から出力され
たデータを次いで論理回路に送って、そこでデータをデ
ータ・サインに圧縮する。次いで、データ・サインを、
論理回路または記憶回路が適切に機能する場合に発生す
るデータ・サインと比較する。こうしたサイン分析の例
は、米国特許第4597080号及び第4601034
号に見られる。
単なる決定的検査に対するサイン分析の利点は、出力さ
れる検査データが圧縮されることである。
れる検査データが圧縮されることである。
もはや各出力応答ごとに検査データを記憶する必要はな
く、検査装置の複雑さと検査データの量が減少する。こ
の機能は回路障害の正確な位置を容易に決定する機能を
妨げるが、集積回路チップが高密度、低価格になったた
め、検出された障害を修理することが実用的でなくなっ
たので、そのことは重要ではない。その代わりに、障害
のあるチップを捨てて、別のものを代わりに使用する。
く、検査装置の複雑さと検査データの量が減少する。こ
の機能は回路障害の正確な位置を容易に決定する機能を
妨げるが、集積回路チップが高密度、低価格になったた
め、検出された障害を修理することが実用的でなくなっ
たので、そのことは重要ではない。その代わりに、障害
のあるチップを捨てて、別のものを代わりに使用する。
上記の利点に関わらず、サイン分析は、今日達成できる
回路密度を検査するための十分に効率のよい技術ではな
い。依然として高密度の論理回路及び記憶回路を初期化
するのに大量の回路が必要である。最近の論理回路検査
技術が、米国特許第4513418号と第451907
8号に開示されている。これらの技術は、線形帰還シフ
ト・レジスタを含む周知のシート・データ(全ゼロでは
ない)を備えたランダム・パターン生成装置を使用して
、この1組のデータ・パターンを印加してLSSD論理
回路を検査する。本明細書では、ランダム・パターン生
成装置サイクルとは、シーディングの開始からシート・
データがシフト・レジスタに再び現われるときまでの時
間として定義する。
回路密度を検査するための十分に効率のよい技術ではな
い。依然として高密度の論理回路及び記憶回路を初期化
するのに大量の回路が必要である。最近の論理回路検査
技術が、米国特許第4513418号と第451907
8号に開示されている。これらの技術は、線形帰還シフ
ト・レジスタを含む周知のシート・データ(全ゼロでは
ない)を備えたランダム・パターン生成装置を使用して
、この1組のデータ・パターンを印加してLSSD論理
回路を検査する。本明細書では、ランダム・パターン生
成装置サイクルとは、シーディングの開始からシート・
データがシフト・レジスタに再び現われるときまでの時
間として定義する。
初期化を必要とするメモリ・アドレスの効率的な生成は
、前記の技術によってこれまで解決されていない特定の
問題である。単にメモリ・アドレッシングに必要なアド
レス線と同数の段をモツランダム・パターン生成装置は
、すべてのメモリ・アドレスを循環しない。たとえば、
帰還ループ中の排他的ORゲートは必ず論理1を受は取
り、それをシフト・レジスタの初期段階に戻すので、全
ゼロから成るメモリ・アドレスの生成を妨げる。これは
、排他的ORゲート帰還ループが追加のゼロしか生成し
ないので、シフト・レジスタ中にすべてゼロが存在する
と、ランダム・パターン生成装置が全ゼロ状態を繰り返
すという意味において良好である。しかし、依然として
完全な検査のために全ゼロ・アドレスを生成しなければ
ならない。
、前記の技術によってこれまで解決されていない特定の
問題である。単にメモリ・アドレッシングに必要なアド
レス線と同数の段をモツランダム・パターン生成装置は
、すべてのメモリ・アドレスを循環しない。たとえば、
帰還ループ中の排他的ORゲートは必ず論理1を受は取
り、それをシフト・レジスタの初期段階に戻すので、全
ゼロから成るメモリ・アドレスの生成を妨げる。これは
、排他的ORゲート帰還ループが追加のゼロしか生成し
ないので、シフト・レジスタ中にすべてゼロが存在する
と、ランダム・パターン生成装置が全ゼロ状態を繰り返
すという意味において良好である。しかし、依然として
完全な検査のために全ゼロ・アドレスを生成しなければ
ならない。
すなわち、すべてゼロから構成されるメモリ・アドレス
を生成するための単純なシステムと方法が必要である。
を生成するための単純なシステムと方法が必要である。
線形帰還シフト・レジスタは全ゼロ状態を含むパターン
を生成できないことが認められている。
を生成できないことが認められている。
ある刊行物では、詳細な仕様なしで、ただシフト・レジ
スタを修正することを推奨している。E、J。
スタを修正することを推奨している。E、J。
マツクラスキー(McCluskey) ’内蔵自己検
査技術(Built−in 5elf−Test
Techniques)J、 ■ EEE設計及び検査
、1985年4月、pp、21−28゜別の刊行物では
、全ゼロ状態を生成するようにシフト・レジスタの既存
の段または帰還ループを修正することを提案している。
査技術(Built−in 5elf−Test
Techniques)J、 ■ EEE設計及び検査
、1985年4月、pp、21−28゜別の刊行物では
、全ゼロ状態を生成するようにシフト・レジスタの既存
の段または帰還ループを修正することを提案している。
L、ワング(υang )及びE、J、マツクラスキー
「自己検査回路用の帰還シフト・レジスタ(Feed
back ShiftRegisters For S
elf−Testing C1rcuits) J 、
V LSIシステム設計、1986年12月、pp、5
0−58;E、J、マツクラスキー及びS、ボゾルグイ
・ネスバト(Bozorgui−Hesbat)
r自律検査の設計(Design for Auton
omous Te5t) J N IEEE:M/ピ
ユータ紀要、Vol、c−30、No、11.1981
年11月、pp、5ee−875゜しかし、ここで提案
された修正では、シフト・レジスタが非線形にされ、あ
るいは、帰還ループが単純な排他的ORゲートよりも複
雑なものになっている。すなわち、これらの刊行物は上
記の問題を解決しない。
「自己検査回路用の帰還シフト・レジスタ(Feed
back ShiftRegisters For S
elf−Testing C1rcuits) J 、
V LSIシステム設計、1986年12月、pp、5
0−58;E、J、マツクラスキー及びS、ボゾルグイ
・ネスバト(Bozorgui−Hesbat)
r自律検査の設計(Design for Auton
omous Te5t) J N IEEE:M/ピ
ユータ紀要、Vol、c−30、No、11.1981
年11月、pp、5ee−875゜しかし、ここで提案
された修正では、シフト・レジスタが非線形にされ、あ
るいは、帰還ループが単純な排他的ORゲートよりも複
雑なものになっている。すなわち、これらの刊行物は上
記の問題を解決しない。
論理検査だけに関しては、線形帰還シフト・しジスタに
段を追加して、全ゼロ出力ウィンドウを可能にすること
が提案されている。P、H,ノ<−デル(Bardel
l)及びW、H,マツカ=−(McAnney)の[組
込み検査用の擬似ランダム・アレイ(Pseudora
ndom Arrays for Built−In
Te5ts) J 11 E’E E :17 ヒ、−
タ紀要、Vol、c−35、No、7.1986年7月
、pp、653−58゜出力ウィンドウは、データのア
レイであり、その行は、データ・パターン中の様々な時
にシフト・レジスタの一部の段にあるデータから形成さ
れる。
段を追加して、全ゼロ出力ウィンドウを可能にすること
が提案されている。P、H,ノ<−デル(Bardel
l)及びW、H,マツカ=−(McAnney)の[組
込み検査用の擬似ランダム・アレイ(Pseudora
ndom Arrays for Built−In
Te5ts) J 11 E’E E :17 ヒ、−
タ紀要、Vol、c−35、No、7.1986年7月
、pp、653−58゜出力ウィンドウは、データのア
レイであり、その行は、データ・パターン中の様々な時
にシフト・レジスタの一部の段にあるデータから形成さ
れる。
しかし、アレイは、シフト・レジスタの既存の段の小さ
な部分しか用いないので生成の効率が悪い。
な部分しか用いないので生成の効率が悪い。
これは、その提案が、シフト・レジスタ中の全ゼロ状態
の生成ではなく、アレイ全体での全ゼロ状態の生成を対
象としているためである。シフト・レジスタの段数は、
アドレッシングに必要な線の数に対応せず、シフト・レ
ジスタからアレイにデータを入力するための複雑な論理
回路の分だけ減少している。さらに、論理回路が複雑な
ため、特定のメモリ・サイズに適応するのが難しい。ナ
なわチ、スべてのメモリ・アドレスを循環する能力をも
つランダム・アクセス生成装置を実現するための簡単な
方法はこれまで知られていない。
の生成ではなく、アレイ全体での全ゼロ状態の生成を対
象としているためである。シフト・レジスタの段数は、
アドレッシングに必要な線の数に対応せず、シフト・レ
ジスタからアレイにデータを入力するための複雑な論理
回路の分だけ減少している。さらに、論理回路が複雑な
ため、特定のメモリ・サイズに適応するのが難しい。ナ
なわチ、スべてのメモリ・アドレスを循環する能力をも
つランダム・アクセス生成装置を実現するための簡単な
方法はこれまで知られていない。
C1問題点を解決するための手段
本発明の目的は、メモリ自己検査のためのシステム及び
方法を改良することである。
方法を改良することである。
本発明の目的には、オンチップ・メモリ自己検査のため
のシステム及び方法を提供することが含まれる。
のシステム及び方法を提供することが含まれる。
本発明の目的には、オンチップ論理回路自己検査も行な
えるオンチップ・メモリ自己検査のためのシステム及び
方法を提供することが含まれる。
えるオンチップ・メモリ自己検査のためのシステム及び
方法を提供することが含まれる。
本発明の目的には、各メモリ・アドレスに対応できるメ
モリ自己検査用の検査データ・パターンを効率的に生成
するシステム及び方法を提供することが含まれる。
モリ自己検査用の検査データ・パターンを効率的に生成
するシステム及び方法を提供することが含まれる。
本発明の目的には、ゼロと1の両方のメモリ・データ状
態に対応できるメモリ自己検査用の検査データ・パター
ンを効率的に生成するシステム及び方法を提供すること
が含まれる。
態に対応できるメモリ自己検査用の検査データ・パター
ンを効率的に生成するシステム及び方法を提供すること
が含まれる。
本発明の上記及びその他の目的は、メモリをアドレスす
るのに必要なアドレス線より少なくとも1つ多い段を含
む線形帰還シフト・レシスタヲ含むランダム・パターン
生成装置(RPC)構成によって実施される。追加のR
PC段からのデータは、メモリ・アドレッシングに関し
ては使用されない。RPC設計は原始多項式に基づく。
るのに必要なアドレス線より少なくとも1つ多い段を含
む線形帰還シフト・レシスタヲ含むランダム・パターン
生成装置(RPC)構成によって実施される。追加のR
PC段からのデータは、メモリ・アドレッシングに関し
ては使用されない。RPC設計は原始多項式に基づく。
こうしたRPCにより、検査データ・パターンのすべて
の可能な組合せを循環できるため、全ゼロのアドレスを
含む記憶回路の各メモリ・アドレスに対応できる。全ゼ
ロ・アドレスに対応するのは、RPGが、シフト・レジ
スタの追加段の少なくとも1つが1である以外はすべて
ゼロを生成するとき−である。
の可能な組合せを循環できるため、全ゼロのアドレスを
含む記憶回路の各メモリ・アドレスに対応できる。全ゼ
ロ・アドレスに対応するのは、RPGが、シフト・レジ
スタの追加段の少なくとも1つが1である以外はすべて
ゼロを生成するとき−である。
動作に際しては、まずRPCを全ゼロではない既知の検
査データでシード(Seed)し、複数入力サイン・レ
ジスタ(MISR)を既知のデータでシードし、RPC
が所期のシードを用いて完全なサイクルを終了した場合
と同様に、メモリ・データ人力シフト・レジスタをRP
Cからの最終Nビットでシードする。最初のRPCサイ
クルで、各メモリ・アドレスが生成され、そのアドレス
にデータが書き込まれて、データが各メモリ・セル中に
初期化される。次のHPGサイクルで、各メモリ・セル
からのデータが、複数入力サイン・レジスタ(MISR
)に出力される。次のRPCサイクルで、最初のRPC
サイクルでメモリ中に初期化されたデータの補数がメモ
リに書き込まれる。
査データでシード(Seed)し、複数入力サイン・レ
ジスタ(MISR)を既知のデータでシードし、RPC
が所期のシードを用いて完全なサイクルを終了した場合
と同様に、メモリ・データ人力シフト・レジスタをRP
Cからの最終Nビットでシードする。最初のRPCサイ
クルで、各メモリ・アドレスが生成され、そのアドレス
にデータが書き込まれて、データが各メモリ・セル中に
初期化される。次のHPGサイクルで、各メモリ・セル
からのデータが、複数入力サイン・レジスタ(MISR
)に出力される。次のRPCサイクルで、最初のRPC
サイクルでメモリ中に初期化されたデータの補数がメモ
リに書き込まれる。
最後のRPGサイクルで、補数データがMI SRに出
力される。ランダム・データ及びその補数をメモリに入
力することにより、可能な2つのデータ状態が各メモリ
・セルで実現される。次いで、MI SRで生成された
サインが、良好なメモリ・アレイに対する既知のサイン
と比較される。メモリ回路素子の障害の位置を正確に突
きとめることはできないが、実際にはチップ上で障害を
修理できないので、それは重要ではない。その代わりに
、障害のあるチップを捨てて、代わりのものを使う。
力される。ランダム・データ及びその補数をメモリに入
力することにより、可能な2つのデータ状態が各メモリ
・セルで実現される。次いで、MI SRで生成された
サインが、良好なメモリ・アレイに対する既知のサイン
と比較される。メモリ回路素子の障害の位置を正確に突
きとめることはできないが、実際にはチップ上で障害を
修理できないので、それは重要ではない。その代わりに
、障害のあるチップを捨てて、代わりのものを使う。
LSSD技術を利用して、論理検査でもメモリ検査の場
合と同じRPCを使用する。
合と同じRPCを使用する。
本発明の上記及びその他の目的、特徴、利点は、添付の
図面に示した本発明の好ましい実施例についての、下記
のより詳しい説明から明らかになる。
図面に示した本発明の好ましい実施例についての、下記
のより詳しい説明から明らかになる。
D、実施例
第1図を参照して、記憶回路10及び論理回路90の自
己検査用システムについて説明する。記憶回路10はデ
ータ・ワードのアレイを含み、各アレイはそれぞれrn
Jビットを含む。データは入力線■1・I2・13s・
・・・I・を介して記憶回路10に書き込まれ、出力線
01.02.03、+10.’% Onを介して記憶回
路10から読み取られる。
己検査用システムについて説明する。記憶回路10はデ
ータ・ワードのアレイを含み、各アレイはそれぞれrn
Jビットを含む。データは入力線■1・I2・13s・
・・・I・を介して記憶回路10に書き込まれ、出力線
01.02.03、+10.’% Onを介して記憶回
路10から読み取られる。
読取り/書込み動作中のメモリ・アドレッシングはm本
のアドレス線Ass A2、A31.、、、A、を介し
て行なわれる。したがって、記憶回路10は、最高2m
本のワード線と最高2”Xn個のメモリ・セルを含むこ
とができる。したがって、検査回路は任意のサイズのメ
モリに適応できる。mとnの正確な値は本明細書に記載
するものだけが意味がある。
のアドレス線Ass A2、A31.、、、A、を介し
て行なわれる。したがって、記憶回路10は、最高2m
本のワード線と最高2”Xn個のメモリ・セルを含むこ
とができる。したがって、検査回路は任意のサイズのメ
モリに適応できる。mとnの正確な値は本明細書に記載
するものだけが意味がある。
記憶回路10のアドレス・データは、RPC20によっ
て生成される。シート・データは、入力ノード22を介
してRPC20のシフト・レジスタ21に入力できる。
て生成される。シート・データは、入力ノード22を介
してRPC20のシフト・レジスタ21に入力できる。
シフト・レジスタ21の異なる段から出たデータが排他
的ORゲート23に入力され、その出力は、マルチプレ
クサ24を介してシフト・レジスタ21に入力データと
して戻される。したがって、RPC20は、1組の擬似
ランダム・データ・パターンを循環させることができる
。擬似ランダムとは、データ・パターンが、シート・デ
ータの選択及びRPCの帰還経路の構成に関してのみラ
ンダムだという意味である。同じシート・データを常に
使用する場合、検査パターンは再現可能である。
的ORゲート23に入力され、その出力は、マルチプレ
クサ24を介してシフト・レジスタ21に入力データと
して戻される。したがって、RPC20は、1組の擬似
ランダム・データ・パターンを循環させることができる
。擬似ランダムとは、データ・パターンが、シート・デ
ータの選択及びRPCの帰還経路の構成に関してのみラ
ンダムだという意味である。同じシート・データを常に
使用する場合、検査パターンは再現可能である。
RPC20の設計は、「原始多項式」に基づく。
帰還を生成して次の状態を形成するのに使用されるシフ
ト・レジスタ2工の段が、多項式によって記述できる。
ト・レジスタ2工の段が、多項式によって記述できる。
2段のシフト・レジスタでは、帰還は2次の多項式で記
述される。多項式の剰余が、RPCの帰還ループを記述
する。シフト・レジスタの最後の段からの帰還は1″(
XO)であり、シフト・レジスタの最後から2番目の段
からの帰還はX″(x ’ )であり、以下同様である
。たとえば、最後の2つの段からの帰還をもつ4段のシ
フト・レジスタは、多項式”x’+x+1”で記述され
る。2次の特性多項式p (x)が約せない(すなわち
、因数分解できない)場合、Xy−1=Omad p(
x) ただし y=2Z−1の場合 p(x) =Q mad I)(x)以外ただし 7<
22−1の場合 p(x)は原始多項式である。2のあらゆる可能な値に
対して2次の原始多項式が、少なくとも1つ存在する。
述される。多項式の剰余が、RPCの帰還ループを記述
する。シフト・レジスタの最後の段からの帰還は1″(
XO)であり、シフト・レジスタの最後から2番目の段
からの帰還はX″(x ’ )であり、以下同様である
。たとえば、最後の2つの段からの帰還をもつ4段のシ
フト・レジスタは、多項式”x’+x+1”で記述され
る。2次の特性多項式p (x)が約せない(すなわち
、因数分解できない)場合、Xy−1=Omad p(
x) ただし y=2Z−1の場合 p(x) =Q mad I)(x)以外ただし 7<
22−1の場合 p(x)は原始多項式である。2のあらゆる可能な値に
対して2次の原始多項式が、少なくとも1つ存在する。
原始多項式の例は、様々な文献に表の形で出ている。W
、W、ピーターソン(Peterson)及びE、J、
ウェルトン(Weldoれ)、 「エラー訂正コード(
Error Correcting Codes) J
1第2版、1972年を参照されたい。原始多項式の
サンプルは、 x’+x3+1、 x5+x2+1、
)c 18 + Xフ+1 、x”+x2+1及びx”
+x3+1である。すなわち、RPG20の実際の構成
は、シフト・レジスタ21の大きさに応じて変わる。
、W、ピーターソン(Peterson)及びE、J、
ウェルトン(Weldoれ)、 「エラー訂正コード(
Error Correcting Codes) J
1第2版、1972年を参照されたい。原始多項式の
サンプルは、 x’+x3+1、 x5+x2+1、
)c 18 + Xフ+1 、x”+x2+1及びx”
+x3+1である。すなわち、RPG20の実際の構成
は、シフト・レジスタ21の大きさに応じて変わる。
原始多項式に基づく2段のランダム・パターン生成装置
は、すべての可能なデータ状態を循環することが許され
ている場合、(2”−1)個の状態を生成する。全ゼロ
状態を除くすべてのデータ状態が生成される。全ゼロ状
態が生成できないのは、シフト・レジスタ中のデータ”
1″からの帰還が他のデータ″1?′を必ず再生成しな
ければならないからである。したがって、(2”−1)
個の状態だけが実際に生成できる。シフト・レジスタ2
1は、アドレス線mの数より少なくとも1つ多い段を含
む(すなわち、合計で少なくとも(m+1)段、ただし
z>m)ことに留意されたい。
は、すべての可能なデータ状態を循環することが許され
ている場合、(2”−1)個の状態を生成する。全ゼロ
状態を除くすべてのデータ状態が生成される。全ゼロ状
態が生成できないのは、シフト・レジスタ中のデータ”
1″からの帰還が他のデータ″1?′を必ず再生成しな
ければならないからである。したがって、(2”−1)
個の状態だけが実際に生成できる。シフト・レジスタ2
1は、アドレス線mの数より少なくとも1つ多い段を含
む(すなわち、合計で少なくとも(m+1)段、ただし
z>m)ことに留意されたい。
この特色のため、記憶回路10の全ゼロ・アドレスが生
成できる。シフト・レジスタ21の段のすべてが同時に
ゼロ状態にはなれないが、上述のように、アドレス線に
接続された段はすべて、循環中のある時点でゼロ状態と
なり、残りの段(アドレス線に接続されてない段)の少
なくとも1つは″1″杖態となる。
成できる。シフト・レジスタ21の段のすべてが同時に
ゼロ状態にはなれないが、上述のように、アドレス線に
接続された段はすべて、循環中のある時点でゼロ状態と
なり、残りの段(アドレス線に接続されてない段)の少
なくとも1つは″1″杖態となる。
ソフト・レジスタ21の最後の段から出たデータも、切
替え可能インバータ31を介してシフト・レジスタ30
に送られる。シフト・レジスタ3Cは、n本の入力線に
接続されたn段をもち、nビットから成るワードを記憶
回路10に入力するここができる。存在するシフト・レ
ジスタ21の最徳の段から出たデータは、シフト・レジ
スタ914介して送られる。シフト・レジスタ91から
、データは論理回路90を介してシフト・レジスタ92
に伝播する。シフト・レジスタ91と92は、沫国特許
第3781695号及び第3783254号に示すよう
なLSSD基準に従って設計される。
替え可能インバータ31を介してシフト・レジスタ30
に送られる。シフト・レジスタ3Cは、n本の入力線に
接続されたn段をもち、nビットから成るワードを記憶
回路10に入力するここができる。存在するシフト・レ
ジスタ21の最徳の段から出たデータは、シフト・レジ
スタ914介して送られる。シフト・レジスタ91から
、データは論理回路90を介してシフト・レジスタ92
に伝播する。シフト・レジスタ91と92は、沫国特許
第3781695号及び第3783254号に示すよう
なLSSD基準に従って設計される。
これらの特許を、引用により本明細書に組み込む。
シフト・レジスタ92及び記憶回路10からのデータは
MISR40に送られる。シフト・レジスタ41は、n
本の出力線に接続された・少なくとも(n+1)段をも
ち、nビットから成るワードを記憶回路10からMIS
R40に出力し、シフト・レジスタ92から出力するこ
とができる。MI 5R40のシフト・レジスタ41の
異なる段から出たデータは、排他的ORゲート42に入
力され、その出力はマルチプレクサ44を介してシフト
・レジスタ41に入力データとして戻される。
MISR40に送られる。シフト・レジスタ41は、n
本の出力線に接続された・少なくとも(n+1)段をも
ち、nビットから成るワードを記憶回路10からMIS
R40に出力し、シフト・レジスタ92から出力するこ
とができる。MI 5R40のシフト・レジスタ41の
異なる段から出たデータは、排他的ORゲート42に入
力され、その出力はマルチプレクサ44を介してシフト
・レジスタ41に入力データとして戻される。
データは出力ノード43を介してシフト・レジスタ41
から出力できる。RPC20,入力シフト・レジスタ3
0及びMISR4oは、LSSD基準に従って設計され
ている。ただし、シフト・レジスタ2工の段が上記の数
である限り初期化が可能である。シ?ト・レジスタ21
.3o及び41の段は、第1図ではボックスで示されて
いるが、それぞれ、アドレス線、入力線及び出力線に接
続されている。
から出力できる。RPC20,入力シフト・レジスタ3
0及びMISR4oは、LSSD基準に従って設計され
ている。ただし、シフト・レジスタ2工の段が上記の数
である限り初期化が可能である。シ?ト・レジスタ21
.3o及び41の段は、第1図ではボックスで示されて
いるが、それぞれ、アドレス線、入力線及び出力線に接
続されている。
クロック50−53は、システム全体の動作を制御する
。システム・クロック5oと51はそれぞれ、記憶回路
10と論理回路9oに関する動作を制御する。これらの
クロック及び読取り/書込み選択スイッチ54が、デー
タが記憶回路1oに書き込まれるかそれとも読み取られ
るが、及び結果を論理回路90から捕捉するかどうかを
決定する。シフト・クロック52と53は、シフト・レ
ジスタ21.3014L 91及び92を介するデータ
のシフトを制御して、RPG20とMrSR40を検査
モードで動作させる。モード選択55(走査または検査
)により、シフト・レジスタへのデータを走査するか、
それとも検査論理回路90または記憶回路10の検査モ
ードで動作するようにシステムが構成される。図のよう
に、第1図のシステム全体を、マイクロチップ機構に組
み込んで、オンチップ自己検査を可能にすることができ
る。
。システム・クロック5oと51はそれぞれ、記憶回路
10と論理回路9oに関する動作を制御する。これらの
クロック及び読取り/書込み選択スイッチ54が、デー
タが記憶回路1oに書き込まれるかそれとも読み取られ
るが、及び結果を論理回路90から捕捉するかどうかを
決定する。シフト・クロック52と53は、シフト・レ
ジスタ21.3014L 91及び92を介するデータ
のシフトを制御して、RPG20とMrSR40を検査
モードで動作させる。モード選択55(走査または検査
)により、シフト・レジスタへのデータを走査するか、
それとも検査論理回路90または記憶回路10の検査モ
ードで動作するようにシステムが構成される。図のよう
に、第1図のシステム全体を、マイクロチップ機構に組
み込んで、オンチップ自己検査を可能にすることができ
る。
1了しL抜
第1図を参照して、記憶回路10と論理回路90の自己
検査方法を説明する。システム動作モード(すなわち、
非検査モード)では、システムはシステム・クロック5
0と51だけに応答する。
検査方法を説明する。システム動作モード(すなわち、
非検査モード)では、システムはシステム・クロック5
0と51だけに応答する。
システムを検査するには、シート・データをRPG20
.シフト・レジスタ30,91.92及びMI 5R4
0に入力しなければならない。シーディングは、モード
選択55を走査モードに設定し、システム制御をシフト
・クロック52と53に切り替え、入力ノード22を活
動化してデータがシステムを介して走査できるようにす
ることによって実行される。このようにすると、既知の
データが、検査の始めにRPG20、シフト・レジスタ
30191.92及びMISR40中にある。
.シフト・レジスタ30,91.92及びMI 5R4
0に入力しなければならない。シーディングは、モード
選択55を走査モードに設定し、システム制御をシフト
・クロック52と53に切り替え、入力ノード22を活
動化してデータがシステムを介して走査できるようにす
ることによって実行される。このようにすると、既知の
データが、検査の始めにRPG20、シフト・レジスタ
30191.92及びMISR40中にある。
シーディングが完了すると、検査モードが始まり、シス
テム・クロック50と51、シフト・クロック52と5
3及びモード選択55を使ってシステムの動作を制御す
る。読取り/書込み選択スイッチ54を使って、データ
を記憶回路10に書き込むか、それともそこから読み出
すかを決定する。検査モードはRPC20の少なくとも
4つのサイクルを含む。1つのRPCサイクルは、2進
データのすべての可能な組合せがシフト・レジスタ21
の各段を通過するまで、シフト・レジスタ21、排他的
ORゲート23を介してデータをシフトし、シフト・レ
ジスタ21に戻すものである。
テム・クロック50と51、シフト・クロック52と5
3及びモード選択55を使ってシステムの動作を制御す
る。読取り/書込み選択スイッチ54を使って、データ
を記憶回路10に書き込むか、それともそこから読み出
すかを決定する。検査モードはRPC20の少なくとも
4つのサイクルを含む。1つのRPCサイクルは、2進
データのすべての可能な組合せがシフト・レジスタ21
の各段を通過するまで、シフト・レジスタ21、排他的
ORゲート23を介してデータをシフトし、シフト・レ
ジスタ21に戻すものである。
マルチプレクサ24はノード22を制御して、シーディ
ング(走査モード)またはデータ帰還(検査モード)を
可能にする。シフト・レジスタ21は(m+ 1 )段
をもつので、シフト・レジスタ21を通過する可能なデ
ータの組合せの数は2(a++11−1通りである。
ング(走査モード)またはデータ帰還(検査モード)を
可能にする。シフト・レジスタ21は(m+ 1 )段
をもつので、シフト・レジスタ21を通過する可能なデ
ータの組合せの数は2(a++11−1通りである。
記憶回路10を検査するには、メモリ・アレイ中の各メ
モリ・セルを初期化しなければならない。
モリ・セルを初期化しなければならない。
これはRPG20とシフト・レジスタ30によって実行
される。シフト・レジスタ30中にあるデータが、シフ
ト・レジスタ21の当該膜中のデータによって同時に表
わされる記憶回路10のメモリ・アドレスに入力される
。すなわち、最初のRPCサイクルで、すべてのメモリ
・セルが少なくとも1度書き込まれる。RPC20はメ
モリ・アドレス線の数に比べて少なくとも1つ余分な段
をもつので、RPG20はすべてゼロから成るアドレス
を検査する。余分な段によりRPC20は一部のメモリ
・アドレスを2回以上循環するが、この効率の損失は、
決定的検査を利用するときアドレッシングのために必要
な桁送りビット論理回路が不要となるために得られる(
チップ空間、検査データ量及び動作速度の)利得に比べ
て小さい。最初のRPCサイクルで、またデータは、シ
フト・レジスタ30.9工及び92を通過して、MI
5R40に入る。システム・クロック51は、メモリの
検査中にデータがシフト・レジスタ92に入力されない
ように非活動状態になる。記憶回路10の出力は、非読
取り動作の曲中、常に既知の再現可能状態、たとえば、
すべてゼロになければならない。
される。シフト・レジスタ30中にあるデータが、シフ
ト・レジスタ21の当該膜中のデータによって同時に表
わされる記憶回路10のメモリ・アドレスに入力される
。すなわち、最初のRPCサイクルで、すべてのメモリ
・セルが少なくとも1度書き込まれる。RPC20はメ
モリ・アドレス線の数に比べて少なくとも1つ余分な段
をもつので、RPG20はすべてゼロから成るアドレス
を検査する。余分な段によりRPC20は一部のメモリ
・アドレスを2回以上循環するが、この効率の損失は、
決定的検査を利用するときアドレッシングのために必要
な桁送りビット論理回路が不要となるために得られる(
チップ空間、検査データ量及び動作速度の)利得に比べ
て小さい。最初のRPCサイクルで、またデータは、シ
フト・レジスタ30.9工及び92を通過して、MI
5R40に入る。システム・クロック51は、メモリの
検査中にデータがシフト・レジスタ92に入力されない
ように非活動状態になる。記憶回路10の出力は、非読
取り動作の曲中、常に既知の再現可能状態、たとえば、
すべてゼロになければならない。
初期化の完了後、記憶回路10に記憶された既知のデー
タがMISR40に出力される。データの出力は、第2
のRPCサイクルで実施され、データが記憶回路10に
書き込まれるのではなく記憶回路10から読み取られる
ことを除けば、第1のこうしたサイクルと同じである。
タがMISR40に出力される。データの出力は、第2
のRPCサイクルで実施され、データが記憶回路10に
書き込まれるのではなく記憶回路10から読み取られる
ことを除けば、第1のこうしたサイクルと同じである。
データがMISR40を再循環するとき、排他的ORゲ
ート42を通過する度に修正される。データはまたシフ
ト・レジスタ92からMI 5R40に達するが、それ
もMI 5R40を再循環する既知のデータである。
ート42を通過する度に修正される。データはまたシフ
ト・レジスタ92からMI 5R40に達するが、それ
もMI 5R40を再循環する既知のデータである。
すなわち、RPC20がすべてのメモリ・アドレスの循
環を完了したとき、1組の予測可能なデータがシフト・
レジスタ4工中に残る。
環を完了したとき、1組の予測可能なデータがシフト・
レジスタ4工中に残る。
最初の2つのRPCサイクルは、記憶回路10の各メモ
リ・セルの2つのデータ状態の1つに対応する。各メモ
リ・アドレスで可能な2つのデータ状態を検査するには
、最初のRPCサイクルで記憶回路10中に初期化され
たデータの補数であるデータを用いて、上記の検査を繰
り返さなければならない。したがって、同じデータ・パ
ターンを用いて検査を繰り返すが、今度は以前ゼロ状態
に初期化された特定のメモリ・セルは1の状態に書き込
まなければならず、逆も同様である。補数書込みは、補
数データが第3のRPGサイクルの始めに利用可能とな
るように切替え可能インバータ31が第2のRPCサイ
クル中に活動状態となる点以外は第1のRPCサイクル
と同じ、第3のRPGサイクルで実施される。第3のR
PCサイクルでRPC20からシフト・レジスタ30に
出力されるデータは、第1のRPCサイクルで転送され
るデータの補数である。
リ・セルの2つのデータ状態の1つに対応する。各メモ
リ・アドレスで可能な2つのデータ状態を検査するには
、最初のRPCサイクルで記憶回路10中に初期化され
たデータの補数であるデータを用いて、上記の検査を繰
り返さなければならない。したがって、同じデータ・パ
ターンを用いて検査を繰り返すが、今度は以前ゼロ状態
に初期化された特定のメモリ・セルは1の状態に書き込
まなければならず、逆も同様である。補数書込みは、補
数データが第3のRPGサイクルの始めに利用可能とな
るように切替え可能インバータ31が第2のRPCサイ
クル中に活動状態となる点以外は第1のRPCサイクル
と同じ、第3のRPGサイクルで実施される。第3のR
PCサイクルでRPC20からシフト・レジスタ30に
出力されるデータは、第1のRPCサイクルで転送され
るデータの補数である。
第4のRPCサイクルが必要なのは、記憶回路10中の
既知のデータをMr 5R40に再び出力するためであ
る。このRPCサイクルは、シフトされたデータが異な
る点以外は第2のRPGサイクルと等しい。システムの
状況は既知のシート・データを使用する限り常に決定で
きるので、シフト・レジスタ41中のデータは依然とし
て予測可能である。
既知のデータをMr 5R40に再び出力するためであ
る。このRPCサイクルは、シフトされたデータが異な
る点以外は第2のRPGサイクルと等しい。システムの
状況は既知のシート・データを使用する限り常に決定で
きるので、シフト・レジスタ41中のデータは依然とし
て予測可能である。
記憶回路10の後で論理回路90を検査できる。
システム・クロック51によって、RPC20からシフ
ト・レジスタ30を介してシフト・レジスタ91に出力
されるデータが、論理回路90中を伝播して、シフト・
レジスタ92で捕捉される。
ト・レジスタ30を介してシフト・レジスタ91に出力
されるデータが、論理回路90中を伝播して、シフト・
レジスタ92で捕捉される。
論理回路90からシフト・レジスタ92に出力されたデ
ータは、次いでMISR40に入力される。
ータは、次いでMISR40に入力される。
論理検査が完了すると、予測可能な1組のデータがシフ
ト・レジスタ41の複数の段に現われる。
ト・レジスタ41の複数の段に現われる。
この出力サインがノード43を介して出力され、同じシ
ート・データを用いて、適切に動作する記憶回路10と
論理回路90に対して予測される出力サインと比較され
る。マルチプレクサ44は、シフト・レジスタ92から
の走査入力や排他的ORゲート42を介したデータ帰還
を可能にする働きをする。比較されたサインが合致する
と、検査された回路は合格であり、合致しないと、回路
を含むチップを捨てて代わりのものと交換する。
ート・データを用いて、適切に動作する記憶回路10と
論理回路90に対して予測される出力サインと比較され
る。マルチプレクサ44は、シフト・レジスタ92から
の走査入力や排他的ORゲート42を介したデータ帰還
を可能にする働きをする。比較されたサインが合致する
と、検査された回路は合格であり、合致しないと、回路
を含むチップを捨てて代わりのものと交換する。
上記の動作方法は、記憶回路10と論理回路90の両方
を検査する際に単一のサインを生成するものとして説明
した。この動作方法の様々な変形も実施できる。期待さ
れるデータ・サインが同様であり、MI 5R40中で
サインが壊れないようにメモリの出力が制御される場合
、論理回路90を記憶回路10の(後ではなく)前に検
査することができる。さらに、データ・サインは、望む
なら検査中の任意の時に既知のサインと比較するために
出力することができる。たとえば、記憶回路10(第4
のRPCサイクルの後)と論理回路90(そこを通過す
るデータの走査後)で別々にサインの比較を行なうこと
ができる。同様に、システムの論理検査部分(論理回路
90及びシフト・レジスタ91と92)をすべて除去す
ることもできる。こうしたシステムはメモリの自己検査
だけを行なえる。最後に、MISR40を十分に大きく
する場合、論理検査とメモリ検査を同時に実行できる。
を検査する際に単一のサインを生成するものとして説明
した。この動作方法の様々な変形も実施できる。期待さ
れるデータ・サインが同様であり、MI 5R40中で
サインが壊れないようにメモリの出力が制御される場合
、論理回路90を記憶回路10の(後ではなく)前に検
査することができる。さらに、データ・サインは、望む
なら検査中の任意の時に既知のサインと比較するために
出力することができる。たとえば、記憶回路10(第4
のRPCサイクルの後)と論理回路90(そこを通過す
るデータの走査後)で別々にサインの比較を行なうこと
ができる。同様に、システムの論理検査部分(論理回路
90及びシフト・レジスタ91と92)をすべて除去す
ることもできる。こうしたシステムはメモリの自己検査
だけを行なえる。最後に、MISR40を十分に大きく
する場合、論理検査とメモリ検査を同時に実行できる。
同時検査に伴う問題は、論理検査とメモリ検査から同時
にデータを受は取ることができるMI SRに必要なチ
ップ空間のロスである。
にデータを受は取ることができるMI SRに必要なチ
ップ空間のロスである。
以上、本発明を好ましい実施例に関して具体的に示し説
明してきたが、当業者なら理解できるように、本発明の
範囲から逸脱することなく形式と詳細に様々な変更を加
えることができる。たとえば、第1図は、MISR40
の単一構成中には排他的ORゲート42を1つしか含ま
ないが、実際の数と構成がそれと違ってもよい。こうし
た態様によって出力されるデータ・サインが決まるが、
こうしたデータ・サインは、同じシート・データを用い
て検査される適切に動作する回路では常に同じになるは
ずである。同様にRPC20も変更することができる。
明してきたが、当業者なら理解できるように、本発明の
範囲から逸脱することなく形式と詳細に様々な変更を加
えることができる。たとえば、第1図は、MISR40
の単一構成中には排他的ORゲート42を1つしか含ま
ないが、実際の数と構成がそれと違ってもよい。こうし
た態様によって出力されるデータ・サインが決まるが、
こうしたデータ・サインは、同じシート・データを用い
て検査される適切に動作する回路では常に同じになるは
ずである。同様にRPC20も変更することができる。
E0発明の効果
本発明により、メモリ自己検査システム及び方法を高効
率に改良することができた。
率に改良することができた。
第1図は、本発明の好ましい実施例の概略システム図で
ある。 10・・・・記憶回路、20・・・・ランダム・パター
ン生成装置(RPG) 、21.30.41.91.9
2・・・・シフト・レジスタ、23・・・・排他的OR
ゲグー、24.44・・・・マルチプレクサ、31・・
・・切替え可能インバータ、40・・・・複数入力サイ
ン・レジスタ(MISR)、90・・・・論理回路。 出願人 インターナシ日ナル・ビジネスΦマシーンズ
・コーポレーシ訝ン 代理人 弁理士 頓 宮 孝 −(外1名) liT七1
ある。 10・・・・記憶回路、20・・・・ランダム・パター
ン生成装置(RPG) 、21.30.41.91.9
2・・・・シフト・レジスタ、23・・・・排他的OR
ゲグー、24.44・・・・マルチプレクサ、31・・
・・切替え可能インバータ、40・・・・複数入力サイ
ン・レジスタ(MISR)、90・・・・論理回路。 出願人 インターナシ日ナル・ビジネスΦマシーンズ
・コーポレーシ訝ン 代理人 弁理士 頓 宮 孝 −(外1名) liT七1
Claims (2)
- (1)アドレス線、入力線及び出力線を有するメモリ・
アレイと、 前記メモリ・アレイの出力線に接続された複数入力サイ
ン・レジスタと、 前記メモリ・アレイのアドレス線及び入力線に接続され
、前記アドレス線の数よりも少なくとも1段多く有する
、原始多項式に基づくランダム・パターン生成装置と、 を含むメモリ自己検査システム。 - (2)ランダム・パターン生成サイクルの間に各メモリ
・アドレスをステップ動作させる手段を含むランダム・
パターン生成装置が、アドレス線及びデータ入力線に接
続され、複数入力サイン・レジスタが出力線に接続され
たメモリ回路を自己検査する方法であって、 前記ランダム・パターン生成装置に既知シート・データ
を提供するステップと、 第1ランダム・パターン生成サイクルの間に、前記メモ
リ回路にデータを書込むステップと、第2ランダム・パ
ターン生成サイクルの間に、前記メモリ回路から前記複
数入力サイン・レジスタへデータを出力するステップと
、 第3ランダム・パターン生成サイクルの間に、前記第1
ランダム・パターン生成サイクルの間に書き込まれたデ
ータの補数を前記メモリ回路に書込むステップと、 第4ランダム・パターン生成サイクルの間に、前記メモ
リ回路から前記複数入力サイン・レジスタへデータを出
力して、前記複数入力サイン・レジスタにデータ・サイ
ンを生成するステップと、前記複数人力サイン・レジス
タ中の前記データ・サインと、前記既知シート・データ
と同じシート・データを提供して前記メモリ回路を適正
に動作させることにより発生するデータ・サインとを比
較するステップと、 を含むメモリ自己検査方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/187,708 US4903266A (en) | 1988-04-29 | 1988-04-29 | Memory self-test |
| US187708 | 1988-04-29 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0215500A true JPH0215500A (ja) | 1990-01-19 |
| JPH0756760B2 JPH0756760B2 (ja) | 1995-06-14 |
Family
ID=22690132
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1030133A Expired - Lifetime JPH0756760B2 (ja) | 1988-04-29 | 1989-02-10 | メモリ自己検査システム及び方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
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| EP (1) | EP0340895A3 (ja) |
| JP (1) | JPH0756760B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03156390A (ja) * | 1989-11-14 | 1991-07-04 | Mitsubishi Electric Corp | テスト回路 |
| JPH03296676A (ja) * | 1990-04-16 | 1991-12-27 | Nec Corp | オンチップメモリテスト回路およびテスト方法 |
| JP2009046150A (ja) * | 2007-08-20 | 2009-03-05 | Takagi Ind Co Ltd | 飲料水供給装置 |
| JP2009196650A (ja) * | 2008-02-19 | 2009-09-03 | Takagi Ind Co Ltd | 冷温水供給装置 |
Families Citing this family (53)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3886038T2 (de) * | 1988-07-13 | 1994-05-19 | Philips Nv | Speichergerät, das einen zur Ausführung einer Selbstprüfung adaptierten statischen RAM-Speicher enthält und integrierte Schaltung, die als eingebauten statischen RAM-Speicher ein solches Gerät enthält. |
| US6304987B1 (en) | 1995-06-07 | 2001-10-16 | Texas Instruments Incorporated | Integrated test circuit |
| JPH02255925A (ja) * | 1988-11-30 | 1990-10-16 | Hitachi Ltd | メモリテスト方法および装置 |
| JP3005250B2 (ja) | 1989-06-30 | 2000-01-31 | テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド | バスモニター集積回路 |
| US5101409A (en) * | 1989-10-06 | 1992-03-31 | International Business Machines Corporation | Checkboard memory self-test |
| US5138619A (en) * | 1990-02-15 | 1992-08-11 | National Semiconductor Corporation | Built-in self test for integrated circuit memory |
| US5488615A (en) * | 1990-02-28 | 1996-01-30 | Ail Systems, Inc. | Universal digital signature bit device |
| US5140686A (en) * | 1990-03-02 | 1992-08-18 | Milliken Research Corporation | Diagnostic system for textile dyeing apparatus |
| EP0446449A3 (en) * | 1990-03-15 | 1992-07-01 | Siemens Aktiengesellschaft | Dual-port memory suited for self-test and method for testing the same |
| KR0169736B1 (ko) * | 1990-03-30 | 1999-01-15 | 엔. 라이스 머레트 | 데이타 통신 인터페이스 및 이의 통신 방법 |
| US6675333B1 (en) * | 1990-03-30 | 2004-01-06 | Texas Instruments Incorporated | Integrated circuit with serial I/O controller |
| DE69114183T2 (de) * | 1990-06-07 | 1996-05-30 | Ibm | System zur Reduzierung von Prüfdatenspeichern. |
| US5224103A (en) * | 1990-07-16 | 1993-06-29 | North American Philips Corporation | Processing device and method of programming such a processing device |
| US5222066A (en) * | 1990-12-26 | 1993-06-22 | Motorola, Inc. | Modular self-test for embedded SRAMS |
| US5528600A (en) * | 1991-01-28 | 1996-06-18 | Actel Corporation | Testability circuits for logic arrays |
| US5301199A (en) * | 1991-12-16 | 1994-04-05 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Built-in self test circuit |
| US5222142A (en) * | 1992-06-22 | 1993-06-22 | Hughes Aircraft Company | Sequence generator |
| US5475815A (en) * | 1994-04-11 | 1995-12-12 | Unisys Corporation | Built-in-self-test scheme for testing multiple memory elements |
| US5612965A (en) * | 1994-04-26 | 1997-03-18 | Unisys Corporation | Multiple memory bit/chip failure detection |
| US5872794A (en) * | 1994-09-30 | 1999-02-16 | Texas Instruments Incorporated | Flash EPROM control with embedded pulse timer and with built-in signature analysis |
| US5666371A (en) * | 1995-02-24 | 1997-09-09 | Unisys Corporation | Method and apparatus for detecting errors in a system that employs multi-bit wide memory elements |
| US5701313A (en) * | 1995-02-24 | 1997-12-23 | Unisys Corporation | Method and apparatus for removing soft errors from a memory |
| US5784382A (en) * | 1995-03-01 | 1998-07-21 | Unisys Corporation | Method and apparatus for dynamically testing a memory within a computer system |
| US5511164A (en) * | 1995-03-01 | 1996-04-23 | Unisys Corporation | Method and apparatus for determining the source and nature of an error within a computer system |
| US5969538A (en) | 1996-10-31 | 1999-10-19 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor wafer with interconnect between dies for testing and a process of testing |
| US5745522A (en) * | 1995-11-09 | 1998-04-28 | General Instrument Corporation Of Delaware | Randomizer for byte-wise scrambling of data |
| US5909049A (en) * | 1997-02-11 | 1999-06-01 | Actel Corporation | Antifuse programmed PROM cell |
| US5954830A (en) * | 1997-04-08 | 1999-09-21 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for achieving higher performance data compression in ABIST testing by reducing the number of data outputs |
| US6408413B1 (en) | 1998-02-18 | 2002-06-18 | Texas Instruments Incorporated | Hierarchical access of test access ports in embedded core integrated circuits |
| US6405335B1 (en) | 1998-02-25 | 2002-06-11 | Texas Instruments Incorporated | Position independent testing of circuits |
| US6321320B1 (en) * | 1998-10-30 | 2001-11-20 | Hewlett-Packard Company | Flexible and programmable BIST engine for on-chip memory array testing and characterization |
| GB2345976B (en) | 1999-01-22 | 2003-06-25 | Sgs Thomson Microelectronics | Test circuit for memory |
| DE19911939C2 (de) * | 1999-03-17 | 2001-03-22 | Siemens Ag | Verfahren für den eingebauten Selbsttest einer elektronischen Schaltung |
| US7058862B2 (en) * | 2000-05-26 | 2006-06-06 | Texas Instruments Incorporated | Selecting different 1149.1 TAP domains from update-IR state |
| JP2000293394A (ja) * | 1999-04-05 | 2000-10-20 | Hitachi Ltd | Bist機能付きプロセッサ |
| US6694461B1 (en) * | 1999-07-26 | 2004-02-17 | Ati International Srl | System and method for testing integrated memories |
| GB2357610B (en) * | 1999-12-20 | 2004-04-28 | Mitsubishi Electric Inf Tech | Method and apparatus for generating numbers |
| US6728915B2 (en) | 2000-01-10 | 2004-04-27 | Texas Instruments Incorporated | IC with shared scan cells selectively connected in scan path |
| US6769080B2 (en) | 2000-03-09 | 2004-07-27 | Texas Instruments Incorporated | Scan circuit low power adapter with counter |
| EP1231608A1 (en) * | 2001-02-07 | 2002-08-14 | STMicroelectronics Limited | Built-in test circuit and method for an integrated circuit |
| US6721216B2 (en) * | 2001-03-30 | 2004-04-13 | Intel Corporation | Memory addressing structural test |
| US6766468B2 (en) | 2001-07-11 | 2004-07-20 | International Business Machines Corporation | Memory BIST and repair |
| EP1444700B1 (de) * | 2001-11-12 | 2008-01-16 | Siemens Aktiengesellschaft | Speichertest |
| DE10161042B4 (de) * | 2001-12-12 | 2004-02-05 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Betreiben eines Halbleiterspeichers und Halbleiterspeicher |
| US7194670B2 (en) * | 2004-02-13 | 2007-03-20 | International Business Machines Corp. | Command multiplier for built-in-self-test |
| US7814385B2 (en) * | 2006-08-30 | 2010-10-12 | Stmicroelectronics Pvt. Ltd. | Self programmable shared bist for testing multiple memories |
| US8154901B1 (en) | 2008-04-14 | 2012-04-10 | Netlist, Inc. | Circuit providing load isolation and noise reduction |
| US8001434B1 (en) | 2008-04-14 | 2011-08-16 | Netlist, Inc. | Memory board with self-testing capability |
| DE102009027086A1 (de) * | 2009-06-23 | 2010-12-30 | Robert Bosch Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur Bildung einer Signatur |
| KR20130134610A (ko) * | 2012-05-31 | 2013-12-10 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 메모리 장치 및 그것의 테스트 방법 |
| CN104461798B (zh) * | 2014-11-12 | 2017-08-18 | 中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所 | 一种用于处理器算术逻辑单元指令的随机数验证方法 |
| US10191791B2 (en) * | 2016-07-02 | 2019-01-29 | Intel Corporation | Enhanced address space layout randomization |
| FR3066871A1 (fr) * | 2017-05-24 | 2018-11-30 | Stmicroelectronics (Rousset) Sas | Dispositif logique de detection de fautes |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5988663A (ja) * | 1982-11-08 | 1984-05-22 | インタ−ナシヨナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−シヨン | 自己試験方法 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3761695A (en) * | 1972-10-16 | 1973-09-25 | Ibm | Method of level sensitive testing a functional logic system |
| US3783254A (en) * | 1972-10-16 | 1974-01-01 | Ibm | Level sensitive logic system |
| US4433413A (en) * | 1981-10-22 | 1984-02-21 | Siemens Corporation | Built-in apparatus and method for testing a microprocessor system |
| US4519078A (en) * | 1982-09-29 | 1985-05-21 | Storage Technology Corporation | LSI self-test method |
| US4597080A (en) * | 1983-11-14 | 1986-06-24 | Texas Instruments Incorporated | Architecture and method for testing VLSI processors |
| US4601034A (en) * | 1984-03-30 | 1986-07-15 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for testing very large scale integrated memory circuits |
| GB8432533D0 (en) * | 1984-12-21 | 1985-02-06 | Plessey Co Plc | Integrated circuits |
| US4715034A (en) * | 1985-03-04 | 1987-12-22 | John Fluke Mfg. Co., Inc. | Method of and system for fast functional testing of random access memories |
| GB8511187D0 (en) * | 1985-05-02 | 1985-06-12 | Int Computers Ltd | Testing digital integrated circuits |
| US4688223A (en) * | 1985-06-24 | 1987-08-18 | International Business Machines Corporation | Weighted random pattern testing apparatus and method |
| US4782487A (en) * | 1987-05-15 | 1988-11-01 | Digital Equipment Corporation | Memory test method and apparatus |
-
1988
- 1988-04-29 US US07/187,708 patent/US4903266A/en not_active Expired - Fee Related
-
1989
- 1989-02-10 JP JP1030133A patent/JPH0756760B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1989-03-08 EP EP19890302304 patent/EP0340895A3/en not_active Withdrawn
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5988663A (ja) * | 1982-11-08 | 1984-05-22 | インタ−ナシヨナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−シヨン | 自己試験方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03156390A (ja) * | 1989-11-14 | 1991-07-04 | Mitsubishi Electric Corp | テスト回路 |
| JPH03296676A (ja) * | 1990-04-16 | 1991-12-27 | Nec Corp | オンチップメモリテスト回路およびテスト方法 |
| JP2009046150A (ja) * | 2007-08-20 | 2009-03-05 | Takagi Ind Co Ltd | 飲料水供給装置 |
| JP2009196650A (ja) * | 2008-02-19 | 2009-09-03 | Takagi Ind Co Ltd | 冷温水供給装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0340895A2 (en) | 1989-11-08 |
| US4903266A (en) | 1990-02-20 |
| JPH0756760B2 (ja) | 1995-06-14 |
| EP0340895A3 (en) | 1991-09-11 |
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