JPH02156071A - 薄膜の形成方法 - Google Patents
薄膜の形成方法Info
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- JPH02156071A JPH02156071A JP63309424A JP30942488A JPH02156071A JP H02156071 A JPH02156071 A JP H02156071A JP 63309424 A JP63309424 A JP 63309424A JP 30942488 A JP30942488 A JP 30942488A JP H02156071 A JPH02156071 A JP H02156071A
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- crystal grains
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
- C03C17/23—Oxides
- C03C17/245—Oxides by deposition from the vapour phase
- C03C17/2453—Coating containing SnO2
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
- C03C2217/21—Oxides
- C03C2217/23—Mixtures
- C03C2217/231—In2O3/SnO2
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2218/00—Methods for coating glass
- C03C2218/10—Deposition methods
- C03C2218/15—Deposition methods from the vapour phase
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- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Joining Of Glass To Other Materials (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、所定の粒度分布を有する結晶粒からなる薄膜
を、所望の部位に形成する方法に関する。
を、所望の部位に形成する方法に関する。
この薄膜の形成方法は、たとえば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕ
ａ＋−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅｓ：インジウムと錫の複合酸
化物）薄膜のヒータを用いた自動車用のリヤウィンドデ
フォツガにおいて、ヒータ抵抗に分布を持たせるように
薄膜を形成するために利用される。
ａ＋−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅｓ：インジウムと錫の複合酸
化物）薄膜のヒータを用いた自動車用のリヤウィンドデ
フォツガにおいて、ヒータ抵抗に分布を持たせるように
薄膜を形成するために利用される。
近年、自動車のリヤウィンドデフォツガに、透明導電膜
であるＩＴＯ薄膜のヒータを用いることが検討されてい
る。このヒータは、リヤウィンドガラスの表面に、ＩＴ
Ｏ材料を、たとえばスパッタリング、イオンブレーティ
ング等の物理的蒸着手段によって蒸着させて所定の比抵
抗を有する薄膜を形成して作られる。そして、所望部位
のヒータの発熱量を大きくして迅速に解曇するために、
ヒータの比抵抗値に分布を持たせることが考えられてい
る。具体的には、リヤウィンドガラスの中央部分におけ
る薄膜の比抵抗値を大きくすることにより、視認性か必
要とされる中央部分から迅速に解曇することが可能とさ
れる。
であるＩＴＯ薄膜のヒータを用いることが検討されてい
る。このヒータは、リヤウィンドガラスの表面に、ＩＴ
Ｏ材料を、たとえばスパッタリング、イオンブレーティ
ング等の物理的蒸着手段によって蒸着させて所定の比抵
抗を有する薄膜を形成して作られる。そして、所望部位
のヒータの発熱量を大きくして迅速に解曇するために、
ヒータの比抵抗値に分布を持たせることが考えられてい
る。具体的には、リヤウィンドガラスの中央部分におけ
る薄膜の比抵抗値を大きくすることにより、視認性か必
要とされる中央部分から迅速に解曇することが可能とさ
れる。
このような比抵抗値の分布を有する工ＴＯｙｌ膜を形成
するには、次のような方法が採られる（本出願人が既に
出願済である特願昭６２−２８６２６２号を参照された
い：未公知）。
するには、次のような方法が採られる（本出願人が既に
出願済である特願昭６２−２８６２６２号を参照された
い：未公知）。
これは、ＩＴＯからなる薄膜材料において、ド−バント
としての酸化錫の含有量を異ならせることによって、抵
抗値を変化させる方法である。すなわち、ドーパントの
含有量の異なるＩＴＯ薄膜材料を用意して、スパッタリ
ングによって順次蒸着を行い、ドーパントの含有量の部
分的に異なる導電性薄膜を形成するものである。
としての酸化錫の含有量を異ならせることによって、抵
抗値を変化させる方法である。すなわち、ドーパントの
含有量の異なるＩＴＯ薄膜材料を用意して、スパッタリ
ングによって順次蒸着を行い、ドーパントの含有量の部
分的に異なる導電性薄膜を形成するものである。
上述の方法によれば、ドーパントの含有量を異ならせる
ことにより、ある程度の比抵抗値の分布を持たせること
は可能であるが、高精度に抵抗値の分布を付与すること
は困難であった。この方法によると、ドーパントの含有
量の異なる複数種類の薄膜材料を同時に蒸着させること
から、境界領域付近で薄膜材料が混合され、抵抗値にば
らつきが生じることが判明した。
ことにより、ある程度の比抵抗値の分布を持たせること
は可能であるが、高精度に抵抗値の分布を付与すること
は困難であった。この方法によると、ドーパントの含有
量の異なる複数種類の薄膜材料を同時に蒸着させること
から、境界領域付近で薄膜材料が混合され、抵抗値にば
らつきが生じることが判明した。
これに対して、スパッタリングのターゲットである基板
をマスキングすることにより、ドーパントの含有量の異
なる薄膜材料を順次蒸着させることが考えられる。しか
しながら、この方法によれば、マスキング工程が余分に
必要となり、生産性が低下する問題が残る。
をマスキングすることにより、ドーパントの含有量の異
なる薄膜材料を順次蒸着させることが考えられる。しか
しながら、この方法によれば、マスキング工程が余分に
必要となり、生産性が低下する問題が残る。
本発明者等は、マスキング等の蒸着時における対策では
なく、蒸着前における基板に工夫することを検討した。
なく、蒸着前における基板に工夫することを検討した。
そして、比抵抗値の分布は、薄膜を構成する結晶粒の粒
度分布と相関関係があるこ、とに着目し、結晶粒の粒度
分布を得るために、結晶粒の成長を制御する方向で種々
の実験を行った。
度分布と相関関係があるこ、とに着目し、結晶粒の粒度
分布を得るために、結晶粒の成長を制御する方向で種々
の実験を行った。
その結果、基板の表面粗度と結晶粒の成長の相関関係を
知見するに到った。
知見するに到った。
したがって、本考案の課題は、結晶粒の成長を制御する
ことにより、所定の粒度分布を有する結晶粒からなる薄
膜を形成することにある。
ことにより、所定の粒度分布を有する結晶粒からなる薄
膜を形成することにある。
上記課題を解決する手段としての本発明の構成は、次の
通りである。
通りである。
本発明は、基板の表面に所定の粒度分布を有する結晶粒
からなる薄膜の形成方法である。
からなる薄膜の形成方法である。
この薄膜の形成方法においては、まず、形成される薄膜
の粒度分布に応じて結晶粒の小さい基板の表面の面粗度
が細かくなるように、そして、結晶粒の大きい基板の面
粗度が粗くなるように、基板の研摩を行う。
の粒度分布に応じて結晶粒の小さい基板の表面の面粗度
が細かくなるように、そして、結晶粒の大きい基板の面
粗度が粗くなるように、基板の研摩を行う。
次に、物理的蒸着法によって薄膜材料を基板の表面に付
着させるものである。
着させるものである。
上記の本発明の構成において、基板は、ガラス材料、樹
脂材料、金属等の物理的蒸着が可能なものであればよい
。
脂材料、金属等の物理的蒸着が可能なものであればよい
。
また、形成される薄膜としては、ＩＴＯからなる透明導
電膜や、Ｔ Ｉ Ｏｔ ％ Ｓ ｉ Ｏを等からなる反
射防止膜等であって、所定の粒度分布を有する結晶粒か
らなる薄膜であればよい。
電膜や、Ｔ Ｉ Ｏｔ ％ Ｓ ｉ Ｏを等からなる反
射防止膜等であって、所定の粒度分布を有する結晶粒か
らなる薄膜であればよい。
上述した本発明の薄膜の形成方法によれば、研摩によっ
て基板の面粗度を調整したので、基板の表面に薄膜材料
が蒸着されて生じる結晶粒の粒成長は、基板の面粗度の
影響を次のように受ける。
て基板の面粗度を調整したので、基板の表面に薄膜材料
が蒸着されて生じる結晶粒の粒成長は、基板の面粗度の
影響を次のように受ける。
基板の表面に蒸着された薄膜材料は、多くがＶｏｌｍｅ
ｒ−Ｗｅｂｅｒ形の核成長形を示し、その薄膜の形成過
程において、核の形成、核の凝集と島状構造の発生、島
状構造の成長と連続膜の形成、膜成長の各過程を経る。
ｒ−Ｗｅｂｅｒ形の核成長形を示し、その薄膜の形成過
程において、核の形成、核の凝集と島状構造の発生、島
状構造の成長と連続膜の形成、膜成長の各過程を経る。
そして、核形成段階の核発生数は、基板の表面の凹凸の
影響を受け、面粗度の細かい基板の表面では、核の発生
数が多（なり、反対に、面粗度の粗い基板の表面では、
核の発生数は少なくなる。核の発生数は、膜成長の過程
における粒成長に影響を与え、核の発生数が多いほど粒
成長が小さく、異常成長が少なくなり、粒度も小さくな
る。また、核の発生数が少ないほど粒成長が大きく、異
常成長が多くなり粒度も大きくなる。
影響を受け、面粗度の細かい基板の表面では、核の発生
数が多（なり、反対に、面粗度の粗い基板の表面では、
核の発生数は少なくなる。核の発生数は、膜成長の過程
における粒成長に影響を与え、核の発生数が多いほど粒
成長が小さく、異常成長が少なくなり、粒度も小さくな
る。また、核の発生数が少ないほど粒成長が大きく、異
常成長が多くなり粒度も大きくなる。
因みに、ＩＴＯ￥Ｒ膜に代表されるような導電性薄膜に
おいては、粒成長が大きいほど薄膜の抵抗値が高くなり
、反対に、粒成長が小さいほど薄膜の抵抗は低くなる。
おいては、粒成長が大きいほど薄膜の抵抗値が高くなり
、反対に、粒成長が小さいほど薄膜の抵抗は低くなる。
次に、第１図ないし第４図に基づき、本発明にかかる薄
膜の形成方法の実施例を説明する。
膜の形成方法の実施例を説明する。
第１図ないし第６図は、本発明にかかる薄膜の形成方法
の実施例を説明するための図面であり、第１図は、リヤ
ウィンドデフォツガの正面図、第２図は、第１図におけ
るｎ−ｎ線矢視断面図、第３図は、試験用ガラス板の平
面図、第４図は、研摩粉の粒径とシート抵抗の関係を示
すグラフ、第５図は、デフォツガ外周部の表面粗さを示
すグラフ、そして、第６図は、デフォツガ中央部の表面
粗さを示すグラフである。
の実施例を説明するための図面であり、第１図は、リヤ
ウィンドデフォツガの正面図、第２図は、第１図におけ
るｎ−ｎ線矢視断面図、第３図は、試験用ガラス板の平
面図、第４図は、研摩粉の粒径とシート抵抗の関係を示
すグラフ、第５図は、デフォツガ外周部の表面粗さを示
すグラフ、そして、第６図は、デフォツガ中央部の表面
粗さを示すグラフである。
本実施例は、自動車のリヤウィンドガラスへ■ＴＯ薄膜
材料からなるヒータを設け、デフォツガを構成したもの
である。デオンガの製造に先立ち、基板としてガラスの
平板を用いてその表面を研摩し、研摩粉の粒径とヒータ
の抵抗値の関係を調べた。
材料からなるヒータを設け、デフォツガを構成したもの
である。デオンガの製造に先立ち、基板としてガラスの
平板を用いてその表面を研摩し、研摩粉の粒径とヒータ
の抵抗値の関係を調べた。
まず、矩形状のガラス板の表面を、Ａ１、Ａ２からＡｎ
側へかけて幾つかの領域に分け、それぞれの領域で研摩
粉の粒径を異ならせて研摩を行った。その後、ガラス板
の表面全体に対し同一の条件でイオンブレーティングに
よってＩＴＯ薄膜を形成し、各領域におけるシート抵抗
を測定した。
側へかけて幾つかの領域に分け、それぞれの領域で研摩
粉の粒径を異ならせて研摩を行った。その後、ガラス板
の表面全体に対し同一の条件でイオンブレーティングに
よってＩＴＯ薄膜を形成し、各領域におけるシート抵抗
を測定した。
なお、試験に使用した粒径の数は、ｎｗａ ５であった
（０゜２ ｔｔｒｎ、 ０．４ μｍ、 ０．６ μｍ
、 ０．８ μｍ。
（０゜２ ｔｔｒｎ、 ０．４ μｍ、 ０．６ μｍ
、 ０．８ μｍ。
１、０μｍ）。
研摩条件は、０．２μｍ〜１．０μｍの種々の粒径のセ
リア（ＣｅＯｚ）からなる研摩粉を用意し、水１０重量
部に対し各々１重量部の懸濁液を作り、１００ｇｆ／Ｊ
の加圧力でパフにかけた。パフ研摩は、各々３００往復
行った。
リア（ＣｅＯｚ）からなる研摩粉を用意し、水１０重量
部に対し各々１重量部の懸濁液を作り、１００ｇｆ／Ｊ
の加圧力でパフにかけた。パフ研摩は、各々３００往復
行った。
その後、ガラス板全体をイオンブレーティング装置へ搬
入し、次の条件でイオンブレーティングを施し、膜厚１
μｍのヒータ膜を得た。。
入し、次の条件でイオンブレーティングを施し、膜厚１
μｍのヒータ膜を得た。。
（イオンブレーティング条件）
到達真空度 ２．０Ｘ１０−”Ｐａ
Ｏ意導入後の真空度 ２．ＯＸ １０−”Ｐ ａ基板加
熱源−・−・・−ハロゲンランプ基板温度 ３００℃ ＲＦ出力 ２５０Ｗ 蒸発速度 ５Ａ／秒 蒸発源 １ｎｔＯｓ ５ｗｔ％５ｎＯｔ上述の試験で
得られたヒータ膜について、各領域のシート抵抗（Ω／
口）を測定した結果、第４図に示すような、研摩粉の粒
径とシート抵抗の関係が得られた。なお、シート抵抗は
、四端子測定法によって測定した。
熱源−・−・・−ハロゲンランプ基板温度 ３００℃ ＲＦ出力 ２５０Ｗ 蒸発速度 ５Ａ／秒 蒸発源 １ｎｔＯｓ ５ｗｔ％５ｎＯｔ上述の試験で
得られたヒータ膜について、各領域のシート抵抗（Ω／
口）を測定した結果、第４図に示すような、研摩粉の粒
径とシート抵抗の関係が得られた。なお、シート抵抗は
、四端子測定法によって測定した。
同図から分るように、研摩粉の粒径とヒータ膜のシート
抵抗の間には、略正の相関関係があることが分る。した
がって、所望のシート抵抗値が必要な領域においては、
第４図に示す関係を予め実験によって求めておき、所望
のシート抵抗値に対応する粒径の研摩粉を使用して該当
する領域の研摩を行っておけばよいことが分る。
抵抗の間には、略正の相関関係があることが分る。した
がって、所望のシート抵抗値が必要な領域においては、
第４図に示す関係を予め実験によって求めておき、所望
のシート抵抗値に対応する粒径の研摩粉を使用して該当
する領域の研摩を行っておけばよいことが分る。
次に、上述の関係を使用して自動車のリヤウィンドガラ
スにデフォツガを設けた実施例を説明する。
スにデフォツガを設けた実施例を説明する。
第２図に示すように、リヤウィンドデフォツガ１０は、
ポリビニルブチラール（ＰＶＢ）膜１４を二枚のガラス
板１２ａＳｂで挟持する合わせガラスタイプに適用した
。そして、外表面側に位置する一方のガラス板１２ａの
内面には、ＩＴＯ材料をイオンブレーティングによって
蒸着させ、ヒータ薄膜１６を形成した。このとき、ガラ
ス板１２ａの表面は、所定の粒径の研摩粉によって予め
研摩した。研摩は、第１図に矢印Ａで示す部分（点々で
表した中央部分）のみを処理した。このときの研摩粉は
、粒径が０．２μｍのものを用い、パフ研摩で処理した
。このように研摩したガラス板１．２ ａを、前述と同
じ条件のイオンブレーティング処理により、全体にＩＴ
Ｏからなるヒータ薄膜１６を形成した。なお、イオンブ
レーティング処理を行う前におけるガラス板１２ａの面
粗度を第５図および第６図に示す、第５図は、研摩処理
を施していない外周部分の面粗度を示している。
ポリビニルブチラール（ＰＶＢ）膜１４を二枚のガラス
板１２ａＳｂで挟持する合わせガラスタイプに適用した
。そして、外表面側に位置する一方のガラス板１２ａの
内面には、ＩＴＯ材料をイオンブレーティングによって
蒸着させ、ヒータ薄膜１６を形成した。このとき、ガラ
ス板１２ａの表面は、所定の粒径の研摩粉によって予め
研摩した。研摩は、第１図に矢印Ａで示す部分（点々で
表した中央部分）のみを処理した。このときの研摩粉は
、粒径が０．２μｍのものを用い、パフ研摩で処理した
。このように研摩したガラス板１．２ ａを、前述と同
じ条件のイオンブレーティング処理により、全体にＩＴ
Ｏからなるヒータ薄膜１６を形成した。なお、イオンブ
レーティング処理を行う前におけるガラス板１２ａの面
粗度を第５図および第６図に示す、第５図は、研摩処理
を施していない外周部分の面粗度を示している。
第６図は、研摩処理を施したＡ矢印部分の面粗度を示し
ているが、第５図に比べて凹凸が極めて小さく面粗度が
細かいことが分る。
ているが、第５図に比べて凹凸が極めて小さく面粗度が
細かいことが分る。
なお、イオンブレーティングを施す前に、ガラス板１２
ａの上・下端部に黒色セラミック材料をコーティングし
、焼成して黒色セラミック層１８ａ、ｂを設けた。また
、その上には、銀粉を含むペーストを塗布・焼成して給
電部２０ａ、ｂを設けておいた。
ａの上・下端部に黒色セラミック材料をコーティングし
、焼成して黒色セラミック層１８ａ、ｂを設けた。また
、その上には、銀粉を含むペーストを塗布・焼成して給
電部２０ａ、ｂを設けておいた。
そして、イオンブレーティング処理を施した後に、外周
部分およびＡ矢印部分におけるヒータ薄膜１６のシート
抵抗を測定した゛が、外周部分は約１０Ω、Ａ部は５Ω
程度であった。
部分およびＡ矢印部分におけるヒータ薄膜１６のシート
抵抗を測定した゛が、外周部分は約１０Ω、Ａ部は５Ω
程度であった。
上述のようにしてヒータ薄膜１６および給電部２０ａ、
ｂを形成したガラス板１２ａは、給電部２０ａ、ｂにそ
れぞれリート＆’１２２ ａ 、 ｂ カ接Ｈされ、も
う一方のガラス板１２ｂとの間にＰＶＢ膜１４を挟持し
て、熱融着が行われた。このようにして作製されたヒー
タ薄膜１６を備えたリヤウィンドデフォツガ１０には、
リード線２２ａ、ｂを介して、７０Ｖの交流電流が給電
される。
ｂを形成したガラス板１２ａは、給電部２０ａ、ｂにそ
れぞれリート＆’１２２ ａ 、 ｂ カ接Ｈされ、も
う一方のガラス板１２ｂとの間にＰＶＢ膜１４を挟持し
て、熱融着が行われた。このようにして作製されたヒー
タ薄膜１６を備えたリヤウィンドデフォツガ１０には、
リード線２２ａ、ｂを介して、７０Ｖの交流電流が給電
される。
この電圧で、このリヤウィンドデフォツガ１゜の通電試
験を行ったが、矢印Ａ部分のシート抵抗値が低く、その
部分に大きな電流が流れるため、発熱量が高くなり、最
も視認性が必要な部分が迅速に解曇されることが確かめ
られた。
験を行ったが、矢印Ａ部分のシート抵抗値が低く、その
部分に大きな電流が流れるため、発熱量が高くなり、最
も視認性が必要な部分が迅速に解曇されることが確かめ
られた。
上述したように、ＩＴＯＩ膜材料からなる透明導電性ヒ
ータ膜の形成時に、予め求めた基板の研摩粉の粒径とシ
ート抵抗の関係に基づき基板の研摩を行ったので、視認
性の必要とされる部分のヒータ薄膜１６のシート抵抗値
を低くすることができた。
ータ膜の形成時に、予め求めた基板の研摩粉の粒径とシ
ート抵抗の関係に基づき基板の研摩を行ったので、視認
性の必要とされる部分のヒータ薄膜１６のシート抵抗値
を低くすることができた。
以上、本発明の特定の実施例について説明したが、本発
明は、この実施例に限定されるものではなく、特許請求
の範囲に記載の範囲内で種々の実施態様が包含されるも
のである。
明は、この実施例に限定されるものではなく、特許請求
の範囲に記載の範囲内で種々の実施態様が包含されるも
のである。
上述の実施例は、ＩＴＯｆＩ膜材料からなる導電性薄膜
について、結晶粒の成長を制御するようにしたが、これ
以外にも、適用可能であり−１たとえば、反射防止膜に
おいて、結晶粒の成長を制御することにより、透明部分
と白濁部分とを形成することができる。具体的には、自
動車のウィンドシールドガラスにおいて、ガラス基板の
表面に反射防止膜を蒸着等により形成する際、ウィンド
シールドガラスの上端部以外を研摩して面粗度を細かく
し、相対的に上端部の面粗度を粗くしておくことにより
、粒成長によって上端部を白濁させ、遮光部とすること
が可能である。このとき、反射防止膜材料としては、た
とえば、ガラス基板側からＩＴＯ膜＜６９ｎｍ） 、Ｔ
ｉＯｘ膜（１１４ｎｍ） 、Ｓ １０ｘ膜（９８ｎｍ）
をそれぞれ積層させてもよい。
について、結晶粒の成長を制御するようにしたが、これ
以外にも、適用可能であり−１たとえば、反射防止膜に
おいて、結晶粒の成長を制御することにより、透明部分
と白濁部分とを形成することができる。具体的には、自
動車のウィンドシールドガラスにおいて、ガラス基板の
表面に反射防止膜を蒸着等により形成する際、ウィンド
シールドガラスの上端部以外を研摩して面粗度を細かく
し、相対的に上端部の面粗度を粗くしておくことにより
、粒成長によって上端部を白濁させ、遮光部とすること
が可能である。このとき、反射防止膜材料としては、た
とえば、ガラス基板側からＩＴＯ膜＜６９ｎｍ） 、Ｔ
ｉＯｘ膜（１１４ｎｍ） 、Ｓ １０ｘ膜（９８ｎｍ）
をそれぞれ積層させてもよい。
以上より、本発明の薄膜の形成方法によれば、研摩によ
り基板の面粗度を調整して結晶粒の成長を制御するよう
にしたので、所定の粒度分布を有する結晶粒からなる薄
膜を形成することが可能となる。
り基板の面粗度を調整して結晶粒の成長を制御するよう
にしたので、所定の粒度分布を有する結晶粒からなる薄
膜を形成することが可能となる。
第１図ないし第６図は、本発明にかかる薄膜の形成方法
の実施例を説明するための図面であり、第１図は、リヤ
ウィンドデフォツガの正面図、第２図は、第１図におけ
る■−■線矢視断面図、第３図は、試験用ガラス板の平
面図、 第４図は、研摩粉の粒径とシート抵抗の関係を示すグラ
フ、 第５図は、デフォツガ外周部の表面粗さを示すグラフ、 そして、第６図は、デフォツガ中央部の表面粗さを示す
グラフである。 １０・−・−・リヤウィンドデフォツガエ２ａ、ｂ−・
−・−・ガラス板（基板）１６・−−−−−−ヒータ薄
膜（所定の粒度分布を有する結晶粒からなる薄膜 Ａ・−・・・・・・・研摩部分 出願人 トヨタ自動車株式会社 第 図 第２図 第３図 第４図 研摩１分の粒径 （μｎｔ）
の実施例を説明するための図面であり、第１図は、リヤ
ウィンドデフォツガの正面図、第２図は、第１図におけ
る■−■線矢視断面図、第３図は、試験用ガラス板の平
面図、 第４図は、研摩粉の粒径とシート抵抗の関係を示すグラ
フ、 第５図は、デフォツガ外周部の表面粗さを示すグラフ、 そして、第６図は、デフォツガ中央部の表面粗さを示す
グラフである。 １０・−・−・リヤウィンドデフォツガエ２ａ、ｂ−・
−・−・ガラス板（基板）１６・−−−−−−ヒータ薄
膜（所定の粒度分布を有する結晶粒からなる薄膜 Ａ・−・・・・・・・研摩部分 出願人 トヨタ自動車株式会社 第 図 第２図 第３図 第４図 研摩１分の粒径 （μｎｔ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基板の表面に所定の粒度分布を有する結晶粒からなる薄
膜を形成するに当たって、 上記分布に応じて、結晶粒の小さい基板の表面の面粗度
が細かくなるように、そして、結晶粒の大きい基板の表
面の面粗度が粗くなるように、基板の表面の研摩を行っ
た後、 物理的蒸着法によって薄膜材料を基板の表面に付着する
ことを特徴とする薄膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63309424A JPH02156071A (ja) | 1988-12-07 | 1988-12-07 | 薄膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63309424A JPH02156071A (ja) | 1988-12-07 | 1988-12-07 | 薄膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02156071A true JPH02156071A (ja) | 1990-06-15 |
Family
ID=17992840
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63309424A Pending JPH02156071A (ja) | 1988-12-07 | 1988-12-07 | 薄膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02156071A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010526758A (ja) * | 2007-05-09 | 2010-08-05 | ピーピージー・インダストリーズ・オハイオ・インコーポレイテッド | 交流で加熱される車両用トランスペアレンシ |
| JP2012192798A (ja) * | 2011-03-15 | 2012-10-11 | Toyota Motor East Japan Inc | リアデフォッガ |
-
1988
- 1988-12-07 JP JP63309424A patent/JPH02156071A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010526758A (ja) * | 2007-05-09 | 2010-08-05 | ピーピージー・インダストリーズ・オハイオ・インコーポレイテッド | 交流で加熱される車両用トランスペアレンシ |
| JP2012192798A (ja) * | 2011-03-15 | 2012-10-11 | Toyota Motor East Japan Inc | リアデフォッガ |
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