JPH0215690A - 配線用ペーストおよびこれを用いたセラミック配線基板 - Google Patents
配線用ペーストおよびこれを用いたセラミック配線基板Info
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- JPH0215690A JPH0215690A JP16538788A JP16538788A JPH0215690A JP H0215690 A JPH0215690 A JP H0215690A JP 16538788 A JP16538788 A JP 16538788A JP 16538788 A JP16538788 A JP 16538788A JP H0215690 A JPH0215690 A JP H0215690A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野]
本発明は、配線用ペーストおよびこれを用いたセラミッ
ク配線基板に係り、特に、配線抵抗の低減に好適な配線
用ペーストおよびこれを用いたセラミック配線基板に関
する。
ク配線基板に係り、特に、配線抵抗の低減に好適な配線
用ペーストおよびこれを用いたセラミック配線基板に関
する。
[従来の技術]
電子回路装置等において、IOや■、Srをチップの状
態で多数搭載する手段として、多J(クセラミック配置
線基板が用いられている。
態で多数搭載する手段として、多J(クセラミック配置
線基板が用いられている。
この多層セラミック配線基板は、例えば、アルミナまた
はムライトをベースに、フラックス、バインダ、可塑剤
、溶剤等をd′X、合して調合した原1゛′Fを用いて
グリーンシー1−を成形し、これに所望のブランクや孔
を打ち抜き、導電性微粒子を分散した配線用ペーストを
用いて導体を印刷した後、複数枚のグリーンシートを所
定の順序で積層して、所定の温度で焼結し、メツキ等を
行なって形成される。
はムライトをベースに、フラックス、バインダ、可塑剤
、溶剤等をd′X、合して調合した原1゛′Fを用いて
グリーンシー1−を成形し、これに所望のブランクや孔
を打ち抜き、導電性微粒子を分散した配線用ペーストを
用いて導体を印刷した後、複数枚のグリーンシートを所
定の順序で積層して、所定の温度で焼結し、メツキ等を
行なって形成される。
従来、」−2配線用ペーストは、焼結温度、比抵抗等を
考慮して、導電性微粒子としてW微粒子を分散したもの
が好ましく用いられている。このW微粒子としては i
p均粒径が0.5〜5μmのものを用いろことができる
。
考慮して、導電性微粒子としてW微粒子を分散したもの
が好ましく用いられている。このW微粒子としては i
p均粒径が0.5〜5μmのものを用いろことができる
。
ところで、多層セラミック配線基板用のWペーストによ
る配線は、配線抵抗が小さいこと、および、焼成収縮率
が基板のそれと近似していること等の特性が要求される
。基板は、通常、焼成時に15〜16%収縮するので、
Wペーストもこれに適合するように選択される。−殻内
には5粒径が小さくなるほど、抵抗値が小さくなるとと
もに、収縮率が人きくなる。そこで、従来は、上記特性
」二の要求?−満たすべく、平均粒径が0.5〜2μm
のW徹位j′・(粉末)を適当に粒度配合したWペース
トを用いていた。
る配線は、配線抵抗が小さいこと、および、焼成収縮率
が基板のそれと近似していること等の特性が要求される
。基板は、通常、焼成時に15〜16%収縮するので、
Wペーストもこれに適合するように選択される。−殻内
には5粒径が小さくなるほど、抵抗値が小さくなるとと
もに、収縮率が人きくなる。そこで、従来は、上記特性
」二の要求?−満たすべく、平均粒径が0.5〜2μm
のW徹位j′・(粉末)を適当に粒度配合したWペース
トを用いていた。
[発明が解決しようとする課題]
ところで、多層セラミック配線J、(板にあっては、よ
り高密度の実装が望まれており、そのためには、導体配
線の線幅を細くする必要がある。この場合、線幅を細く
すると、配線抵抗が高< jr・ろので、比抵抗を小さ
くするか、膜厚をrIt <ずろことが望まれる。
り高密度の実装が望まれており、そのためには、導体配
線の線幅を細くする必要がある。この場合、線幅を細く
すると、配線抵抗が高< jr・ろので、比抵抗を小さ
くするか、膜厚をrIt <ずろことが望まれる。
同一の材料で比抵抗を小さくするには、」−述したよう
に導性微粒子の粒径を小さくすればよい。
に導性微粒子の粒径を小さくすればよい。
しかし、粒径を小さくすることは、焼成収縮・にが大き
くなるため、好ましくない。
くなるため、好ましくない。
一方、膜厚を厚くすることは、微細な線幅の場合には、
印刷精度上困難である。
印刷精度上困難である。
このように、従来の多層セラミック配線基板では、焼成
収縮率を変えることなく、配線抵抗を下げることが課題
となっていた。
収縮率を変えることなく、配線抵抗を下げることが課題
となっていた。
本発明の第1の目的は、焼成収縮率を変えることなく、
比抵抗を小さくした配線用ペーストを提供することにあ
る。
比抵抗を小さくした配線用ペーストを提供することにあ
る。
また、本発明の第2の目的は、微細な線幅の配線を膜厚
を厚くすることなく、配線抵抗を小さくして形成した多
層配線基板を提供することにある。
を厚くすることなく、配線抵抗を小さくして形成した多
層配線基板を提供することにある。
[課題を解決するための手段]
J−記目的は、導電性微粒子を分散した配線用ベースI
・において、 −[−2配線用ペースI・中に、−上記導電性微粒子と
同一・の材料からなり、粒径がこれより小さい導電性超
微粒子を添加することにより達成される。
・において、 −[−2配線用ペースI・中に、−上記導電性微粒子と
同一・の材料からなり、粒径がこれより小さい導電性超
微粒子を添加することにより達成される。
導電性微粒子−としては、比抵抗、焼結温度等を4慮し
て適宜選択されるが、好ましくは、Wが用いられる。ま
た、導電性超微粒子としては、上記導電性微粒子と同様
に、Wが好ましい。
て適宜選択されるが、好ましくは、Wが用いられる。ま
た、導電性超微粒子としては、上記導電性微粒子と同様
に、Wが好ましい。
また、本発明は、配線用ペースト中に、0.03μm〜
0.07μmの超微粒子からなるW粉末を。
0.07μmの超微粒子からなるW粉末を。
0.1−t%〜l、(hL%添加するもので′あること
が好ましい。
が好ましい。
さらに、本発明のセラミック配線基板は、上記した配線
ペーストにより配線パターンをグリーンシートに印刷後
、焼成することにより形成することができる。
ペーストにより配線パターンをグリーンシートに印刷後
、焼成することにより形成することができる。
[作用コ
本発明では、配線用ペースト中に、導電性を付与する主
成分たろ心電性微粒pと同一材料であって、粒径がこれ
より小さい導電性超微粒子を添加しである。このような
超微粒子は1.に径の大きいものに比べて活性であるた
め、粒径の大きい導電性微粒子表面に付着して、焼結時
に、焼結接点を作りやすい。このような焼結接点ができ
ろと、間接する導電性微粒子が該焼結接点を介して密接
するため、電気的接触が大幅に改淳される、す/」・、
1)ち、比抵抗が小さくなる。
成分たろ心電性微粒pと同一材料であって、粒径がこれ
より小さい導電性超微粒子を添加しである。このような
超微粒子は1.に径の大きいものに比べて活性であるた
め、粒径の大きい導電性微粒子表面に付着して、焼結時
に、焼結接点を作りやすい。このような焼結接点ができ
ろと、間接する導電性微粒子が該焼結接点を介して密接
するため、電気的接触が大幅に改淳される、す/」・、
1)ち、比抵抗が小さくなる。
一方1粒怪の大きい導電性微粒子は、その表面が隣接す
る他の導電性微粒子と接触して焼結されるが、その本来
の形態をあまり変えないので、焼結前からあった空隙を
埋めることが少ない。すなわち、超微粒子を添加しても
、緻密化は実質的には促進されない。従って、全体とし
て焼成収縮、?、(は変わらない。
る他の導電性微粒子と接触して焼結されるが、その本来
の形態をあまり変えないので、焼結前からあった空隙を
埋めることが少ない。すなわち、超微粒子を添加しても
、緻密化は実質的には促進されない。従って、全体とし
て焼成収縮、?、(は変わらない。
このように、本発明では、焼成収縮率を変えることなく
、低比抵抗化が実現できる。従って、線幅が微細な配線
についても、配線抵抗を大きくすることなく形成できろ
。
、低比抵抗化が実現できる。従って、線幅が微細な配線
についても、配線抵抗を大きくすることなく形成できろ
。
[実施例コ
以下、本発明の実施例について説明する。
以上の実施例および比較例では、導電性微粒子どして平
均粒径2μmnのW微粒子を90wt%と、−g電性超
微粒子として)11均粒径0.05μmのW超微粉を0
〜2wt%と、残ビヒクルとを混練して形成したペース
トを用いた。
均粒径2μmnのW微粒子を90wt%と、−g電性超
微粒子として)11均粒径0.05μmのW超微粉を0
〜2wt%と、残ビヒクルとを混練して形成したペース
トを用いた。
本実施例では、W微粒子は、高純度化学社製を用い、W
超微粉は、住人金属鉱山社製を用いた。
超微粉は、住人金属鉱山社製を用いた。
W微粒子およびW超微粉の粒径は、沈降法により測定し
た。
た。
また1本実施例で用いたビヒクルは1次の成分からなる
ものを用いた。すなわち、エチルセルロース5tit%
、nBCA95すt%からなる。
ものを用いた。すなわち、エチルセルロース5tit%
、nBCA95すt%からなる。
本実施例では、W超微粉の添加量を0.1〜1 、 O
ut%の範囲で変えて、試料2〜7を得た。すなわち、
試料2は0,1wt%、3は0.3wt%、4は0,5
vt%、5は0.7wt%、6はO,!ht%、7は1
.0wt%の添加量とした。
ut%の範囲で変えて、試料2〜7を得た。すなわち、
試料2は0,1wt%、3は0.3wt%、4は0,5
vt%、5は0.7wt%、6はO,!ht%、7は1
.0wt%の添加量とした。
また、比較例は、W超微粉の添加量を上記実施例の範囲
外で変えて、試料1,8および9を得た。
外で変えて、試料1,8および9を得た。
すなわち、試料1は0wt%、試料8は1.ht%。
9は1.5tmt%の添加量とした。
ペーストは、まず、W微粒子とW超微粉とを。
例えば、容器中で20分はど撹拌して、混合し。
さらに、この混合物をらいかい機により730分程度撹
拌して予備的に混合し、さらに、ビヒクルを加えて、3
0分はど混合し、ついで、三木ロールにより30分はど
混合することにより製作した。
拌して予備的に混合し、さらに、ビヒクルを加えて、3
0分はど混合し、ついで、三木ロールにより30分はど
混合することにより製作した。
次に、上記のようにして得ら7(シた試料1・〜1〕の
各ペーストを、アルミナおよびムライトグリーンシート
」二に各々同一配線パターンで印刷して、1520〜1
550℃で焼成し、得られたものについて、比抵抗およ
び焼成収縮率を測定した。得られたi1M定結果を第1
図に示す。第1図では、超微粉の添加量を横軸とし、比
抵抗および焼成収縮率を縦軸として表わし、試料1〜9
について、それぞれの値をプロットした。
各ペーストを、アルミナおよびムライトグリーンシート
」二に各々同一配線パターンで印刷して、1520〜1
550℃で焼成し、得られたものについて、比抵抗およ
び焼成収縮率を測定した。得られたi1M定結果を第1
図に示す。第1図では、超微粉の添加量を横軸とし、比
抵抗および焼成収縮率を縦軸として表わし、試料1〜9
について、それぞれの値をプロットした。
第1図に示す結果によれば、比抵抗は、超微粉W0.1
wt%の添加において、約6XIO−’Ω”cm低下す
るが、それ以上は徐々に低下するだけである。
wt%の添加において、約6XIO−’Ω”cm低下す
るが、それ以上は徐々に低下するだけである。
一方、焼成収縮率は、無添加で15%、Ltllt%添
加で16%となり、さらに、添加量を増加すると徐々に
大きくなる。従って、以上の結果より、焼成収縮率をほ
とんど変えずに低比抵抗化を達成できる最適な超微粉W
添加量は0.l”1.0wt%であることが分かる。
加で16%となり、さらに、添加量を増加すると徐々に
大きくなる。従って、以上の結果より、焼成収縮率をほ
とんど変えずに低比抵抗化を達成できる最適な超微粉W
添加量は0.l”1.0wt%であることが分かる。
第2図に超微粉W粉末無添加および添加した場合の焼成
前後の微構造を走査形電子顕微鏡により観察したものを
示す。
前後の微構造を走査形電子顕微鏡により観察したものを
示す。
同図(a)、(b)は、超微粉W無添加のものを示して
いる。焼成前のW微粒子1の各粒界の接触状態は、各粒
界が機械的に接している。これを焼結させると、粒界の
一部が接触している微粉相互で焼結して、境界がなくな
り相互に連結された焼結接点3を形成する。しかし、こ
の無添加のものは、活性度が低いため、(b)に示すよ
うに、焼結接点3が形成されに<<、数が少ないので、
比抵抗が高くなる。
いる。焼成前のW微粒子1の各粒界の接触状態は、各粒
界が機械的に接している。これを焼結させると、粒界の
一部が接触している微粉相互で焼結して、境界がなくな
り相互に連結された焼結接点3を形成する。しかし、こ
の無添加のものは、活性度が低いため、(b)に示すよ
うに、焼結接点3が形成されに<<、数が少ないので、
比抵抗が高くなる。
一方、第2図(C)、(d)には、超微粉Wを0.ht
:%添加したものを示している。このものは、力′L粘
結前は1粒径の大きいW微粒子1の表面に超微粉2が付
着した状態となっている。これを焼結すると、超微粉2
が活性であるため、これを介して隨接しているW微粒子
1を相互に焼結させる。従って、各W微粒子1の界面で
多くの焼結接点;3が形成され、それが発達して、より
大きな接点3となる。従って、各W微粒子の接触大態が
よく、比抵抗が小さくなる。
:%添加したものを示している。このものは、力′L粘
結前は1粒径の大きいW微粒子1の表面に超微粉2が付
着した状態となっている。これを焼結すると、超微粉2
が活性であるため、これを介して隨接しているW微粒子
1を相互に焼結させる。従って、各W微粒子1の界面で
多くの焼結接点;3が形成され、それが発達して、より
大きな接点3となる。従って、各W微粒子の接触大態が
よく、比抵抗が小さくなる。
このように、超微粉W粉末無添加では、焼成後にW粉末
どうしの良好な接触状態が得られない。
どうしの良好な接触状態が得られない。
一方、超微粉Wを0.1tvt%添加した場合には、焼
成後、良好な焼結接点が得られる。これは、大きなW粉
末の周囲に分布した超微粉W粉末が極めて活性なため、
焼結接点の発達を促進することに起因する。
成後、良好な焼結接点が得られる。これは、大きなW粉
末の周囲に分布した超微粉W粉末が極めて活性なため、
焼結接点の発達を促進することに起因する。
以上述べた実施例では、平均゛粒径が0.05μITI
のW超微粉を使用したが、0.03μm〜0.07μm
の範囲でこれ以外のiV−均粒径のW超微粉を使用して
も、」−記実施例と同様の結果が得られる。しかし、平
均;r・7径が0 、03μmμm末的1的微粉を使用
すると、活性化しすぎて、焼成収縮率が大きくなる傾向
があり、精密なft1.!線パターンには不適である。
のW超微粉を使用したが、0.03μm〜0.07μm
の範囲でこれ以外のiV−均粒径のW超微粉を使用して
も、」−記実施例と同様の結果が得られる。しかし、平
均;r・7径が0 、03μmμm末的1的微粉を使用
すると、活性化しすぎて、焼成収縮率が大きくなる傾向
があり、精密なft1.!線パターンには不適である。
一方、0.07μm11より粒径が人きいものは、活性
化度が低く、従って、焼結接点を形成しにくいため、比
抵抗がぞ、1シはど小さくならない。
化度が低く、従って、焼結接点を形成しにくいため、比
抵抗がぞ、1シはど小さくならない。
また、に記実施例では、111I′−J粒径2μmのW
微粒!′を用いているか、これに限定さJしるものでは
ろ゛い1例えば、・1u勺JPN径1μr11のものを
使用することもてきる。
微粒!′を用いているか、これに限定さJしるものでは
ろ゛い1例えば、・1u勺JPN径1μr11のものを
使用することもてきる。
さらに、L記実施例では、導電性徴j拉子として、\■
を用いたが、他の金スづLであってもよい。例えば、M
Oが挙げられる。
を用いたが、他の金スづLであってもよい。例えば、M
Oが挙げられる。
なお、本実施例では、多層セラミック配線基板を例とし
ているが、本発明は、単層のセラミックJ+!−仮にも
!通用されるものであることはいうまでもない。
ているが、本発明は、単層のセラミックJ+!−仮にも
!通用されるものであることはいうまでもない。
[発明の効果]
以上説明したように、本発明によれば、焼成収縮率を変
えることなく比抵抗を小さくすることができ、また、こ
れによって、セラミック配線ノ1ζ阪において、微肺1
な線幅の配線を、11ダi Illを厚くずろことなく
、配線抵抗を小さく L−C形成することかできる。
えることなく比抵抗を小さくすることができ、また、こ
れによって、セラミック配線ノ1ζ阪において、微肺1
な線幅の配線を、11ダi Illを厚くずろことなく
、配線抵抗を小さく L−C形成することかできる。
このように、微、1111なパターンであっても111
己線1氏抗が小さくできれば、高密度で実装された多層
鳩坂内での信号遅れ時間を大幅に短縮することがi+)
能となる。
己線1氏抗が小さくできれば、高密度で実装された多層
鳩坂内での信号遅れ時間を大幅に短縮することがi+)
能となる。
第1図は比抵抗と焼成収縮率におよぼす超微粉W添加量
の影響を示すグラフ、第2図は超微粉W添加、無添加の
焼成前後の微構造を示す図である。 1・・・W微粒子 2・超微粉3・・・焼結接
点 4・・非焼結接点出願人 株式会社 11
立 製 作 所代理人 弁理上 富 1u 和
子 弟1図 第2図 (C)焼成前 (d)焼成後 0.5 1.0 1.5超微粉W添加
屋(wt ’/、) 2.0
の影響を示すグラフ、第2図は超微粉W添加、無添加の
焼成前後の微構造を示す図である。 1・・・W微粒子 2・超微粉3・・・焼結接
点 4・・非焼結接点出願人 株式会社 11
立 製 作 所代理人 弁理上 富 1u 和
子 弟1図 第2図 (C)焼成前 (d)焼成後 0.5 1.0 1.5超微粉W添加
屋(wt ’/、) 2.0
Claims (5)
- 1.導電性微粒子を分散させた配線用ペーストにおいて
、 上記配線用ペースト中に、上記導電性微粒子と同一の材
料からなり、粒径がこれより小さい導電性超微粒子を添
加したことを特徴とする配線用ペースト。 - 2.上記導電性微粒子および導電性超微粒子は、Wから
なる粒子および微粒子である請求項1記載の配線用ペー
スト。 - 3.配線用ペースト中に、0.03μm〜0.07μm
の超微粒子からなるW微粉末を、配線用ペースト全重量
に対して、0.1wt%〜1.0wt%添加した請求項
2記載の配線用ペースト。 - 4.グリーンシートに配線用ペーストによりパターンを
印刷後、焼成して形成するセラミック配線基板において
、 上記請求項1、2または3項記載の配線用 ペーストを用いて、グリーンシートに配線パターンを印
刷したセラミック配線基板。 - 5.グリーンシートがアルミナまたはムライトである請
求項4記載のセラミック配線基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16538788A JPH0215690A (ja) | 1988-07-02 | 1988-07-02 | 配線用ペーストおよびこれを用いたセラミック配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16538788A JPH0215690A (ja) | 1988-07-02 | 1988-07-02 | 配線用ペーストおよびこれを用いたセラミック配線基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0215690A true JPH0215690A (ja) | 1990-01-19 |
Family
ID=15811424
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16538788A Pending JPH0215690A (ja) | 1988-07-02 | 1988-07-02 | 配線用ペーストおよびこれを用いたセラミック配線基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0215690A (ja) |
-
1988
- 1988-07-02 JP JP16538788A patent/JPH0215690A/ja active Pending
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