JPH02157728A - 半導体装置のスペーサ形成方法 - Google Patents
半導体装置のスペーサ形成方法Info
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- JPH02157728A JPH02157728A JP63312273A JP31227388A JPH02157728A JP H02157728 A JPH02157728 A JP H02157728A JP 63312273 A JP63312273 A JP 63312273A JP 31227388 A JP31227388 A JP 31227388A JP H02157728 A JPH02157728 A JP H02157728A
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
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- G02F1/13392—Gaskets; Spacers; Sealing of cells spacers dispersed on the cell substrate, e.g. spherical particles, microfibres
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- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
- G02F1/13394—Gaskets; Spacers; Sealing of cells spacers regularly patterned on the cell subtrate, e.g. walls, pillars
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、液晶表示装置や固体撮像装置などのように、
樹脂を介して2つの基板がサンドイッチ構造を有して成
る半導体装置のスペーサ形成方法及びこのスペーサ形成
方法により製造する半導体装置に関するものである。
樹脂を介して2つの基板がサンドイッチ構造を有して成
る半導体装置のスペーサ形成方法及びこのスペーサ形成
方法により製造する半導体装置に関するものである。
従来の技術
第1の従来例としてアクティブマトリクス型液晶表示装
置のパネルの断面図を第6図に示す。スイッチング素子
と画素電極をXYママトリクス状配した薄膜トランジス
タ(TPT)基板1aと共通電極を形成した対向透明基
板2aは、ガラス球あるいは樹脂球のビーズまたはガラ
スファイバー等のスペーサ材3により一定の間隙を保つ
ように構成され、この対向空間内に液晶4が注入され、
その周辺がシール材5aにて封止されている。
置のパネルの断面図を第6図に示す。スイッチング素子
と画素電極をXYママトリクス状配した薄膜トランジス
タ(TPT)基板1aと共通電極を形成した対向透明基
板2aは、ガラス球あるいは樹脂球のビーズまたはガラ
スファイバー等のスペーサ材3により一定の間隙を保つ
ように構成され、この対向空間内に液晶4が注入され、
その周辺がシール材5aにて封止されている。
以下にこの液晶表示装置の組立工程の概要を第9図を用
いて以下に述べる。
いて以下に述べる。
一般に、TFT基板1aおよび対向基板2aの対向内面
にはポリイミド等の有機薄膜から成る配向膜6を印刷法
などにより形成し、配向を制御するためにラビング処理
を施す(第9図(a))。次に、TPT基板1aもしく
は対向基板2aの周辺領域に印刷法などによりシール材
5aを形成した後(第9図(b))、画素領域A1B1
C,D、 (第10図参照)にTPT基板1aと対向
基板2a間の間隙を一定に制御するためスペーサビーズ
3を分散させ(第9図(c))、TPT基板1aと対向
基板2aを貼合わせる。その後TPT基板1aと対向基
板2aの対向空間内に液晶4を注入し、液晶注入口を樹
脂を用いて封止する。さらに、基板1as2aにそれぞ
れ偏光板7を貼付する。(第9図(d))。以上のよう
にして形成された表示パネルの周辺に駆動用ICを実装
することで液晶表示装置が完成する。
にはポリイミド等の有機薄膜から成る配向膜6を印刷法
などにより形成し、配向を制御するためにラビング処理
を施す(第9図(a))。次に、TPT基板1aもしく
は対向基板2aの周辺領域に印刷法などによりシール材
5aを形成した後(第9図(b))、画素領域A1B1
C,D、 (第10図参照)にTPT基板1aと対向
基板2a間の間隙を一定に制御するためスペーサビーズ
3を分散させ(第9図(c))、TPT基板1aと対向
基板2aを貼合わせる。その後TPT基板1aと対向基
板2aの対向空間内に液晶4を注入し、液晶注入口を樹
脂を用いて封止する。さらに、基板1as2aにそれぞ
れ偏光板7を貼付する。(第9図(d))。以上のよう
にして形成された表示パネルの周辺に駆動用ICを実装
することで液晶表示装置が完成する。
次に、第2の従来例を第11図を用いて以下に述べる。
第2の従来例は、第1の従来例の中で説明したようなス
ペーサとしてビーズを分散させるものではなく、あらか
じめTPT基板1a及び対向基板2aの表面に印刷法に
よって任意の場所に数ミクロンの高さを有するスペーサ
を樹脂により形成し、配向処理を行った後2つの基板を
貼合わせるものである。印刷法ではまずTFT基板1a
及び対向基板2aの表面に、スペーサを形成するための
所定の穴8を設けたメタルマスクのような第3の基板9
を載置し、位置合わせの後固定する(第11図(a))
。次に、樹脂5を第3の基板9]二より穴8に充填する
(第11図(b))。次に一第3の基板9をはずし、T
FT基板1上に残留したる樹脂を例えば熱処理にて硬化
し、スペーサ10を形成するものである(第11図(C
))。
ペーサとしてビーズを分散させるものではなく、あらか
じめTPT基板1a及び対向基板2aの表面に印刷法に
よって任意の場所に数ミクロンの高さを有するスペーサ
を樹脂により形成し、配向処理を行った後2つの基板を
貼合わせるものである。印刷法ではまずTFT基板1a
及び対向基板2aの表面に、スペーサを形成するための
所定の穴8を設けたメタルマスクのような第3の基板9
を載置し、位置合わせの後固定する(第11図(a))
。次に、樹脂5を第3の基板9]二より穴8に充填する
(第11図(b))。次に一第3の基板9をはずし、T
FT基板1上に残留したる樹脂を例えば熱処理にて硬化
し、スペーサ10を形成するものである(第11図(C
))。
次に、第3の従来例を第12図を用いて以下に述べる。
第3の従来例は、第1の従来例におけるスペーサとして
ビーズを分散させる方法にかえてのではな(、あらかじ
めTF”T基板1aや対向基板2aの表面に半導体製造
のフォトリソ工程により画素部以外の任意の場所に数ミ
クロンの高さを有するスペーサを樹脂により形成し、配
向処理を行なった後2つの基板を貼合わせるものである
。
ビーズを分散させる方法にかえてのではな(、あらかじ
めTF”T基板1aや対向基板2aの表面に半導体製造
のフォトリソ工程により画素部以外の任意の場所に数ミ
クロンの高さを有するスペーサを樹脂により形成し、配
向処理を行なった後2つの基板を貼合わせるものである
。
フォトリソ工程ではまずTPT基板1a及び対向基板2
aの表面に樹脂5を所定の膜厚になるように均一塗布す
る(第12図(a))。次に、遮光部11を有する第3
の基板9をマスクとして樹脂5層の表面に配置し露光を
行う(第12図(b))。
aの表面に樹脂5を所定の膜厚になるように均一塗布す
る(第12図(a))。次に、遮光部11を有する第3
の基板9をマスクとして樹脂5層の表面に配置し露光を
行う(第12図(b))。
次に、第3の基板19をはずし、そして未反応樹脂を現
像除去することでスペーサ10を形成する(第12図(
C))。後に配向処理、シール封止にて第1、第2の基
板を貼合わせ液晶を注入するものである。
像除去することでスペーサ10を形成する(第12図(
C))。後に配向処理、シール封止にて第1、第2の基
板を貼合わせ液晶を注入するものである。
第4の従来例としてカラー固体撮像装置の断面図を第1
3図に示す。第1の基板である固体撮像素子1bと例え
ばカラーフィルタが形成された第2の基板2bは、素子
16の画素部と例えばRlG、 B各々のカラーフィ
ルタ1θとがアライメントされ、第1の基板1bと第2
の基板2b間の間隙の全て(第13図(a))もしくは
一部(第13図(b))が、接着用樹脂5bで貼合わさ
れている。
3図に示す。第1の基板である固体撮像素子1bと例え
ばカラーフィルタが形成された第2の基板2bは、素子
16の画素部と例えばRlG、 B各々のカラーフィ
ルタ1θとがアライメントされ、第1の基板1bと第2
の基板2b間の間隙の全て(第13図(a))もしくは
一部(第13図(b))が、接着用樹脂5bで貼合わさ
れている。
固体撮像素子1bと例えばカラーフィルタが形成された
第2の基板2bとのアライメント精度は非常に厳しく、
間隙は一般に接着用樹脂層で制御されているが、間隙を
より均一に保つためにスペーサを形成することがある。
第2の基板2bとのアライメント精度は非常に厳しく、
間隙は一般に接着用樹脂層で制御されているが、間隙を
より均一に保つためにスペーサを形成することがある。
発明が解決しようとする課題
前記第1の従来例は、組立工程の中でふたつの基板の間
隙をスペーサビーズを用いることで制御しているが、ビ
ーズ分散法では画面領域に均一に散布、もしくは画素部
以外の任意の場所に選択的に配置することが難しいうえ
、ビーズ周辺に配向処理されない非配向部ができて画像
不良の原因となる。
隙をスペーサビーズを用いることで制御しているが、ビ
ーズ分散法では画面領域に均一に散布、もしくは画素部
以外の任意の場所に選択的に配置することが難しいうえ
、ビーズ周辺に配向処理されない非配向部ができて画像
不良の原因となる。
また、第2の従来例では、印刷法を用いて任意の場所に
選択的にスペーサとなる突起を設けるものであるが、位
置合わせ精度が悪(マスクとなる第3の基板の厚さによ
ってスペーサ高さが決定されるうえ、第3の基板厚が数
ミクロンでは基板は変形しやすく大面積中で均一な高さ
のスペーサを得ることは難しい。
選択的にスペーサとなる突起を設けるものであるが、位
置合わせ精度が悪(マスクとなる第3の基板の厚さによ
ってスペーサ高さが決定されるうえ、第3の基板厚が数
ミクロンでは基板は変形しやすく大面積中で均一な高さ
のスペーサを得ることは難しい。
一方、第3.4の従来例では、半導体製造のフォI・リ
ソ工程を用い任意の場所に選択的にスペーサとなる突起
を設けるもので、微細な加工が出来る反面、フォトマス
クを用いていることからマスクパターンサイズと塗布膜
厚、樹脂の感光性等によってパターン解像度が左右され
るうえ、光の回り込み等によりスペーサ形状が不均一と
なる。さらに、数ミクロンの樹脂スペーサを単層で形成
するには限界がある。
ソ工程を用い任意の場所に選択的にスペーサとなる突起
を設けるもので、微細な加工が出来る反面、フォトマス
クを用いていることからマスクパターンサイズと塗布膜
厚、樹脂の感光性等によってパターン解像度が左右され
るうえ、光の回り込み等によりスペーサ形状が不均一と
なる。さらに、数ミクロンの樹脂スペーサを単層で形成
するには限界がある。
以上の点のように、簡単な手法で任意の場所に選択的に
微細加工による均−高さのスペーサを得ることは非常に
難しい。
微細加工による均−高さのスペーサを得ることは非常に
難しい。
そこで本発明は上述のような従来例の製造方法等の有す
る課題を考慮し、生産性良く、かつ高い精度で半導体装
置およびそのスペーサを形成する方法ならびに半導体装
置を提供することを目的とする。
る課題を考慮し、生産性良く、かつ高い精度で半導体装
置およびそのスペーサを形成する方法ならびに半導体装
置を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
上記目的を達成するために本発明は、光分解と熱硬化の
両性質を何して成る接着性樹脂とスペーサビーズと基板
の遮光部をマスクとして用いる。
両性質を何して成る接着性樹脂とスペーサビーズと基板
の遮光部をマスクとして用いる。
基板上に前記樹脂とスペーサビーズを載置し、基板裏面
より露光して不要なる樹脂を光分解し、遮光部上に樹脂
とスペーサビーズを残留固着させるものである。光分解
された樹脂上のスペーサビーズは接着性を失い洗浄除去
が可能となる。
より露光して不要なる樹脂を光分解し、遮光部上に樹脂
とスペーサビーズを残留固着させるものである。光分解
された樹脂上のスペーサビーズは接着性を失い洗浄除去
が可能となる。
作用
上記本発明の製造方法によれば、基板上の任意の場所に
パターン形成するにあたり、パターン露光の際にフォト
マスクを用いずに樹脂パターンを得ることができ、任意
のサイズのスペーサビーズを固着させるスペーサを形成
することができる。
パターン形成するにあたり、パターン露光の際にフォト
マスクを用いずに樹脂パターンを得ることができ、任意
のサイズのスペーサビーズを固着させるスペーサを形成
することができる。
実施例
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明
する。
する。
第1の実施例
第1の実施例のスペーサ形成方法について第1図を用い
て以下に述べる。まず、遮光部11をnする基板1の表
面に、感光性接着樹脂5b、例えばノボラック系のポジ
型レジスト、を全面塗布する。尚、基板1は従来例にて
述べたような液晶表示装置を構成するTPT基板あるい
は固体撮像素子(COD)基板であり、以下の本発明の
他の実施例においても同様である。次に、基板1の裏面
より光を照射して露光する(第1図(a))。露光によ
り光分解された樹脂5は現像除去され、遮光部ll上に
は樹脂パターン5Cが残留形成される(第1図(b))
。次に、スペーサビーズを基板に散布し、熱処理を施す
。スペーサビーズ3aは、熱処理によって接着性のある
残留樹脂に固着する(第1図(C))。次に、固着され
ないスペーサビーズ3aを洗浄除去することでスペーサ
10を形成する(第1図(d))。
て以下に述べる。まず、遮光部11をnする基板1の表
面に、感光性接着樹脂5b、例えばノボラック系のポジ
型レジスト、を全面塗布する。尚、基板1は従来例にて
述べたような液晶表示装置を構成するTPT基板あるい
は固体撮像素子(COD)基板であり、以下の本発明の
他の実施例においても同様である。次に、基板1の裏面
より光を照射して露光する(第1図(a))。露光によ
り光分解された樹脂5は現像除去され、遮光部ll上に
は樹脂パターン5Cが残留形成される(第1図(b))
。次に、スペーサビーズを基板に散布し、熱処理を施す
。スペーサビーズ3aは、熱処理によって接着性のある
残留樹脂に固着する(第1図(C))。次に、固着され
ないスペーサビーズ3aを洗浄除去することでスペーサ
10を形成する(第1図(d))。
第2の実施例
第2の実施例のスペーサ形成方法を第2図を用いて以下
に述べる。第2の実施例は、第1の実施例と同様にして
基板1全面に感光性樹脂5を塗布しパターン形成を行う
が、露光の際に表面に遮光部11を有する基板1の裏面
からの斜光露光によりフォトマスクを用いずに遮光部1
1より小さい樹脂パターンを得て、任意サイズのスペー
サを形成するビーズを固着させるものである。
に述べる。第2の実施例は、第1の実施例と同様にして
基板1全面に感光性樹脂5を塗布しパターン形成を行う
が、露光の際に表面に遮光部11を有する基板1の裏面
からの斜光露光によりフォトマスクを用いずに遮光部1
1より小さい樹脂パターンを得て、任意サイズのスペー
サを形成するビーズを固着させるものである。
まず、基板1全面に感光性樹脂5b塗布し、次に基板1
裏面から所定角度を傾けて光を照射する(第2図(a)
)。図中破線で示す部分が露光された部分である。
裏面から所定角度を傾けて光を照射する(第2図(a)
)。図中破線で示す部分が露光された部分である。
次に、基板を水平方向に180°回転させた状態で、さ
らに同様に角度を設けて光を照射する(第2図(b))
。このようにして、断面図が台形状の樹脂パターン5d
を得ることができる(第2図(C))。台形状の上辺部
、すなわち後工程にてスペーサビーズを固着させる面の
サイズは、塗布する樹脂5bの厚さと露光光の入射角度
によりII御できる。また、前記のように基板回転によ
る露光位置をO’ 180°の選択によれば第2図
(d)のように樹脂パターンは堤状にできる。なお基板
を360°回転させながら露光すれば第2図(e)のよ
うに樹脂パターンはほぼ円錐台状に形成することもでき
る。
らに同様に角度を設けて光を照射する(第2図(b))
。このようにして、断面図が台形状の樹脂パターン5d
を得ることができる(第2図(C))。台形状の上辺部
、すなわち後工程にてスペーサビーズを固着させる面の
サイズは、塗布する樹脂5bの厚さと露光光の入射角度
によりII御できる。また、前記のように基板回転によ
る露光位置をO’ 180°の選択によれば第2図
(d)のように樹脂パターンは堤状にできる。なお基板
を360°回転させながら露光すれば第2図(e)のよ
うに樹脂パターンはほぼ円錐台状に形成することもでき
る。
次に、スペーサビーズ3aを基板1上に散布し、光照射
もしくは熱処理によって樹脂パターン5d上にスペーサ
ビーズ3aを固着させる(第2図(f))。次に、下地
に樹脂パターンがなく固着されないスペーサビーズ3a
を洗浄除去する(第2図−g)。このようにして得たス
ペーサ10は、基板1の遮光部パターン11よりも小さ
く内側に形成されることになる(第2図(h))。
もしくは熱処理によって樹脂パターン5d上にスペーサ
ビーズ3aを固着させる(第2図(f))。次に、下地
に樹脂パターンがなく固着されないスペーサビーズ3a
を洗浄除去する(第2図−g)。このようにして得たス
ペーサ10は、基板1の遮光部パターン11よりも小さ
く内側に形成されることになる(第2図(h))。
第3の実施例
第3の実施例のスペーサ形成方法を第3.4図を用いて
以下に述べる。まず、遮光部11を有する基板1上に感
光性樹脂5bを全面塗布する(第3図(a))。次に、
その表面が感光性樹脂でコーティングされたスペーサ3
aからなるスペーサ材3(第4図(a )) 、もしく
は感光性樹脂材で形成されたマイクロカプセル12にス
ペーサビーズ3を封入して成るスペーサ材3(第4図(
b))を基板!上に全面散布したのち、基板11裏面よ
り裏面に直角に露光する(第3図(b))。光照射にて
まず塗布樹脂5bが光分解しく第3図(c )) 、次
に光のあたる部分のスペーサビーズ3aを+mむコーテ
ィング樹脂もしくはマイクロカプセル12が光分解して
スペーサビーズ3aが露出する(第3図(d))。次に
、基板表面より光照射もしくは熱処理によって遮光部1
1上の樹脂パターン5dとスペーサ材3を固着させ、下
地に樹脂パターンがなく固着されなかったスペーサビー
ズ3(a)を洗浄除去する(第3図(e))。
以下に述べる。まず、遮光部11を有する基板1上に感
光性樹脂5bを全面塗布する(第3図(a))。次に、
その表面が感光性樹脂でコーティングされたスペーサ3
aからなるスペーサ材3(第4図(a )) 、もしく
は感光性樹脂材で形成されたマイクロカプセル12にス
ペーサビーズ3を封入して成るスペーサ材3(第4図(
b))を基板!上に全面散布したのち、基板11裏面よ
り裏面に直角に露光する(第3図(b))。光照射にて
まず塗布樹脂5bが光分解しく第3図(c )) 、次
に光のあたる部分のスペーサビーズ3aを+mむコーテ
ィング樹脂もしくはマイクロカプセル12が光分解して
スペーサビーズ3aが露出する(第3図(d))。次に
、基板表面より光照射もしくは熱処理によって遮光部1
1上の樹脂パターン5dとスペーサ材3を固着させ、下
地に樹脂パターンがなく固着されなかったスペーサビー
ズ3(a)を洗浄除去する(第3図(e))。
第4の実施例
第4の実施例は、前記第3の実施例のなかで下地に感光
性樹脂層を形成せず、直t3基板上にスペーサ材を散布
するものである。
性樹脂層を形成せず、直t3基板上にスペーサ材を散布
するものである。
まず、スペーサビーズ3aの表面が感光性樹脂でコーテ
ィングされたスペーサ材3、もしくは感光性樹脂材で形
成されたマイクロカプセルにスペーサビーズを封入して
成るスペーサ材3を基板1上に散布したのち、基板1裏
面より露光する(第5図(a))。光照射にて遮光部1
1上以外の位置に散布されたスペーサビーズ5aを囲む
コーティング樹脂もしくはマイクロカプセルが光分解し
てスペーサビーズ3(a)が露出させる(第5図(b)
)。次に、基板1表面より光照射もしくは熱処理によっ
て遮光パターン11とスペーサ材3を固着させ、包囲樹
脂がなく固着されなかったスペーサビーズ3aを洗浄除
去する(第5図(C))。
ィングされたスペーサ材3、もしくは感光性樹脂材で形
成されたマイクロカプセルにスペーサビーズを封入して
成るスペーサ材3を基板1上に散布したのち、基板1裏
面より露光する(第5図(a))。光照射にて遮光部1
1上以外の位置に散布されたスペーサビーズ5aを囲む
コーティング樹脂もしくはマイクロカプセルが光分解し
てスペーサビーズ3(a)が露出させる(第5図(b)
)。次に、基板1表面より光照射もしくは熱処理によっ
て遮光パターン11とスペーサ材3を固着させ、包囲樹
脂がなく固着されなかったスペーサビーズ3aを洗浄除
去する(第5図(C))。
第5の実施例
第5の実施例を第6図を用いて以下に述べる。
第5の実施例は、まず遮光部11を有する基板1上に溶
媒にて希釈された感光性樹脂5bを塗布する(第6図(
a))。次に、スペーサビーズ3aを散布しく第6図(
b))、例えば熱処理にて前記の溶媒を蒸発させる(第
6図(C))。次に、基板1裏゛面より露光する(第6
図(d))。さらに、基板1表面より光照射もしくは熱
処理し、遮光パターン11上に残留した感光性樹脂5b
とスペーサ材3を固着させ、樹脂がなく固着されなかっ
たスペーサビーズ3(a)を洗浄除去するものである(
第6図(e))。
媒にて希釈された感光性樹脂5bを塗布する(第6図(
a))。次に、スペーサビーズ3aを散布しく第6図(
b))、例えば熱処理にて前記の溶媒を蒸発させる(第
6図(C))。次に、基板1裏゛面より露光する(第6
図(d))。さらに、基板1表面より光照射もしくは熱
処理し、遮光パターン11上に残留した感光性樹脂5b
とスペーサ材3を固着させ、樹脂がなく固着されなかっ
たスペーサビーズ3(a)を洗浄除去するものである(
第6図(e))。
第6の実施例
第6の実施例は、スペーサビーズ3aの表面が電解塗料
でコーティングされたスペーサ材3、もしくは電解塗料
材で形成されたマイクロカプセル12にスペーサビーズ
3aを封入して成るスペーサ材3を全面散布したのち、
基板1のスペーサを形成すべき任意の場所に選択的に電
解をかけ、導電性パターン11とスペーサ材3を固着さ
せるものである。
でコーティングされたスペーサ材3、もしくは電解塗料
材で形成されたマイクロカプセル12にスペーサビーズ
3aを封入して成るスペーサ材3を全面散布したのち、
基板1のスペーサを形成すべき任意の場所に選択的に電
解をかけ、導電性パターン11とスペーサ材3を固着さ
せるものである。
以上のようにして形成する本発明の第1ないし第6の実
施例によるスペーサは、固着させるスペーサビーズ3a
のサイズによって高さを制御でき(第7図(a)、(b
)参照)、また第3.4.6の実施例によればマイクロ
カプセルのサイズによってもあらかじめスペーサ高さを
制御できる。さらに、露光時の光の入射角度を変えるこ
とでパターン樹脂の断面形状を変化させることもできる
(第7図(c)、 (d)。その結果、スペーサの形
成時の高さの制御を高い精度で実現し、かつ生産性良く
製造することができる。
施例によるスペーサは、固着させるスペーサビーズ3a
のサイズによって高さを制御でき(第7図(a)、(b
)参照)、また第3.4.6の実施例によればマイクロ
カプセルのサイズによってもあらかじめスペーサ高さを
制御できる。さらに、露光時の光の入射角度を変えるこ
とでパターン樹脂の断面形状を変化させることもできる
(第7図(c)、 (d)。その結果、スペーサの形
成時の高さの制御を高い精度で実現し、かつ生産性良く
製造することができる。
発明の効果
本発明のスペーサ方法によれば、任意の場所に微細パタ
ーンを形成するにあたり、フォトマスクを配置すること
なく露光処理を実現でき、簡単な手法でスペーサを形成
することができることから、大型の基板に対しても有望
である。また、スペーサは、固着させるスペーサビーズ
のサイズによって高さを制御できる。さらに、露光時の
光の入射角度を変えることでパターン樹脂の断面形状を
変化させ、遮光部パターンよりも小さいサイズの樹脂パ
ターンを得ることができことから、スペーサビーズの位
置が遮光部のパターン幅より内側に位置し、ビーズ周辺
部の非配向部は遮光部に吸収されることから画像不良を
防止できる。
ーンを形成するにあたり、フォトマスクを配置すること
なく露光処理を実現でき、簡単な手法でスペーサを形成
することができることから、大型の基板に対しても有望
である。また、スペーサは、固着させるスペーサビーズ
のサイズによって高さを制御できる。さらに、露光時の
光の入射角度を変えることでパターン樹脂の断面形状を
変化させ、遮光部パターンよりも小さいサイズの樹脂パ
ターンを得ることができことから、スペーサビーズの位
置が遮光部のパターン幅より内側に位置し、ビーズ周辺
部の非配向部は遮光部に吸収されることから画像不良を
防止できる。
第1図は本発明のスペーサ形成方法における第1の実施
例スペーサ形成方法を示す工程図、第2図は第2の実施
例の方スペーサ形成方法を示す工程図、第3図は第3の
実施例のスペーサ形成方法を示す工程図、第4図(a)
、(b)はスペーサ材の断面図、第6図は第4の実施例
のスペーサ形成方法を示す工程図、第6図は第5に実施
例のスペーサ形成方法を示す工程図、第7図(a)、(
b)、(c)、(d)は本発明のスペーサ形成方法にお
いて形成したサイズの異なるスペーサの断面図および平
面図、第6図は、第1の従来例の液晶表示装置の断面図
、第9図はその組立工程図、第10図はその概略平面図
、第11図は第2の従来例の液晶表示装置の組立工程図
、第12図は第3の従来例のフォトリソ工程による液晶
表示装置の組立工程図、第13図(a)、(b)は従来
例の固体撮像装置の断面図である。 ■・・・基[,3・・・スペーサ材、3a・・・スペー
サビーズ4・・・液晶、5b・・・接着用樹脂、10・
・・スペーサ、+2・・・マイクロカプセル。 代理人の氏名 弁理士 栗野重孝 はが1名吊 図 瘍 図 第 図 第 図 r、d −六 九がV 図 h 因 /7 図 第 図 b 富 図 第1O図 第 図 第11図 ↑ ↑ 第12図 第 3図
例スペーサ形成方法を示す工程図、第2図は第2の実施
例の方スペーサ形成方法を示す工程図、第3図は第3の
実施例のスペーサ形成方法を示す工程図、第4図(a)
、(b)はスペーサ材の断面図、第6図は第4の実施例
のスペーサ形成方法を示す工程図、第6図は第5に実施
例のスペーサ形成方法を示す工程図、第7図(a)、(
b)、(c)、(d)は本発明のスペーサ形成方法にお
いて形成したサイズの異なるスペーサの断面図および平
面図、第6図は、第1の従来例の液晶表示装置の断面図
、第9図はその組立工程図、第10図はその概略平面図
、第11図は第2の従来例の液晶表示装置の組立工程図
、第12図は第3の従来例のフォトリソ工程による液晶
表示装置の組立工程図、第13図(a)、(b)は従来
例の固体撮像装置の断面図である。 ■・・・基[,3・・・スペーサ材、3a・・・スペー
サビーズ4・・・液晶、5b・・・接着用樹脂、10・
・・スペーサ、+2・・・マイクロカプセル。 代理人の氏名 弁理士 栗野重孝 はが1名吊 図 瘍 図 第 図 第 図 r、d −六 九がV 図 h 因 /7 図 第 図 b 富 図 第1O図 第 図 第11図 ↑ ↑ 第12図 第 3図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1)遮光部を有する基板上に、感光性樹脂を塗布する
第1の工程と、前記基板裏面より露光する第2の工程と
、露光反応部を現像除去する第3の工程と、スペーサ材
を散布し光照射もしくは熱処理して第3の工程において
形成された樹脂パターンと固着させる第4の工程と、未
固着のスペーサ材を洗浄除去する第5の工程とを含むこ
とを特徴とする半導体装置のスペーサ形成方法。 (2)遮光部を有する基板上に、感光性樹脂を塗布する
第1の工程と、感光性樹脂上にスペーサ材を散布する第
2の工程と、前記基板裏面より露光する第3の工程と、
基板表面より光照射もしくは熱処理して感光性樹脂とス
ペーサ材を固着させる第4の工程と、未固着のスペーサ
材を洗浄除去する第5の工程とを含むことを特徴とする
半導体装置のスペーサ形成方法。 (3)遮光部を有する基板上に、溶媒にて希釈された樹
脂を塗布する第1の工程と、塗布した樹脂上にスペーサ
材を散布する第2の工程と、前記溶媒を蒸発させる第3
の工程と、基板裏面より露光する第4の工程と、基板表
面より光照射もしくは熱処理することで第4の工程で形
成した樹脂パターンとスペーサ材を固着させる第5の工
程と、未固着のスペーサ材を洗浄除去する第6の工程と
を含むことを特徴とする半導体装置のスペーサ形成方法
。 (4)露光において、基板裏面に対する光の入射角を基
板の遮光部エッジより内側に至るように角度を設けると
ともに、基板を水平方向に自転もしくは露光光源を公転
させることを特徴とする請求項(1)、(2)もしくは
(3)に記載の半導体装置のスペーサ形成方法。。 (5)導電性パターンを有する基板上に、電解塗料で包
囲したスペーサ材を散布する第1の工程と、前記基板に
電解をかけてスペーサ材を固着させる第2の工程と、未
固着のスペーサ材を洗浄除去する第3の工程とを含むこ
とを特徴とする半導体装置のスペーサ形成方法。 (8)基板装置が、走査信号、表示信号各々を伝達する
バス配線群がXYマトリックス状に配置され、前記各々
の配線群の交点に対応してスイッチング素子を配して成
る第1の基板と、これと対応する第2の基板との間に液
晶を挟持して成る液晶表示装置の第1の基板であること
を特徴とする請求項(1)、(2)、(3)、(5)記
載の半導体装置のスペーサ形成方法。 (7)基板が、電荷転送素子から成る第1の基板と、こ
れと対応する第2の基板との間に接着剤を挟持して成る
固体撮像装置の第1の基板であることを特徴とする請求
項(1)、(2)、(3)、(5)記載の半導体装置の
スペーサ形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63312273A JP2658315B2 (ja) | 1988-12-09 | 1988-12-09 | 半導体装置のスペーサ形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63312273A JP2658315B2 (ja) | 1988-12-09 | 1988-12-09 | 半導体装置のスペーサ形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02157728A true JPH02157728A (ja) | 1990-06-18 |
| JP2658315B2 JP2658315B2 (ja) | 1997-09-30 |
Family
ID=18027256
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63312273A Expired - Fee Related JP2658315B2 (ja) | 1988-12-09 | 1988-12-09 | 半導体装置のスペーサ形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2658315B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0495926A (ja) * | 1990-08-08 | 1992-03-27 | Sharp Corp | 表示装置の製造方法 |
| EP0849621A3 (en) * | 1996-12-17 | 1998-11-25 | Xerox Corporation | Spacerless apertures for active matrix liquid crystal display projection light valves |
| JP2007034283A (ja) * | 2005-06-21 | 2007-02-08 | Sekisui Chem Co Ltd | 液晶スペーサ、スペーサ分散液及び液晶表示装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62239126A (ja) * | 1986-04-11 | 1987-10-20 | Seiko Epson Corp | 液晶表示パネル及び液晶表示パネルの製造方法 |
| JPS63144390A (ja) * | 1986-12-08 | 1988-06-16 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 表示装置の製造方法 |
| JPS63159810A (ja) * | 1986-12-24 | 1988-07-02 | Seikosha Co Ltd | カラ−フイルタの製造方法 |
-
1988
- 1988-12-09 JP JP63312273A patent/JP2658315B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62239126A (ja) * | 1986-04-11 | 1987-10-20 | Seiko Epson Corp | 液晶表示パネル及び液晶表示パネルの製造方法 |
| JPS63144390A (ja) * | 1986-12-08 | 1988-06-16 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 表示装置の製造方法 |
| JPS63159810A (ja) * | 1986-12-24 | 1988-07-02 | Seikosha Co Ltd | カラ−フイルタの製造方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0495926A (ja) * | 1990-08-08 | 1992-03-27 | Sharp Corp | 表示装置の製造方法 |
| EP0849621A3 (en) * | 1996-12-17 | 1998-11-25 | Xerox Corporation | Spacerless apertures for active matrix liquid crystal display projection light valves |
| JP2007034283A (ja) * | 2005-06-21 | 2007-02-08 | Sekisui Chem Co Ltd | 液晶スペーサ、スペーサ分散液及び液晶表示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2658315B2 (ja) | 1997-09-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |