JPH0215865B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0215865B2 JPH0215865B2 JP55128381A JP12838180A JPH0215865B2 JP H0215865 B2 JPH0215865 B2 JP H0215865B2 JP 55128381 A JP55128381 A JP 55128381A JP 12838180 A JP12838180 A JP 12838180A JP H0215865 B2 JPH0215865 B2 JP H0215865B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- selenium
- vacuum
- halogen
- film thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/043—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure
- G03G5/0433—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure all layers being inorganic
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電子写真用感光体の構造に関するもの
であり、特に電子写真特性の重要な一要素である
残留電位を低減するためのものである。
であり、特に電子写真特性の重要な一要素である
残留電位を低減するためのものである。
従来電子写真用感光体の構造として第１図に示
すものが提案されている。この構造において１は
導電性の基板、２は高純度セレンを蒸着すること
により得られる電荷輸送層、３はSeを主体とす
るSe合金層であり、層２よりも感光性の強い層
である。層３は電荷発生層の役目をはたす。この
構造は電荷発生層と電荷輸送層を別々に設けてい
るので、電荷保持性にすぐれ、また繰返しによる
疲労が少なく、比較的安定している。しかしなが
ら、この二層構造においては層２と層３との間に
界面が存在する。このため帯電―放電を繰返すこ
とにより、残留電位が高くなるという欠点があ
る。本発明はこの構造のもつ長所を損うことなく
残留電位を低減するものである。
すものが提案されている。この構造において１は
導電性の基板、２は高純度セレンを蒸着すること
により得られる電荷輸送層、３はSeを主体とす
るSe合金層であり、層２よりも感光性の強い層
である。層３は電荷発生層の役目をはたす。この
構造は電荷発生層と電荷輸送層を別々に設けてい
るので、電荷保持性にすぐれ、また繰返しによる
疲労が少なく、比較的安定している。しかしなが
ら、この二層構造においては層２と層３との間に
界面が存在する。このため帯電―放電を繰返すこ
とにより、残留電位が高くなるという欠点があ
る。本発明はこの構造のもつ長所を損うことなく
残留電位を低減するものである。
第１図中、＋、−は帯電電荷の放電機構を示すも
ので、層３の表面はコロナ放電等により均一に＋
帯電される。ついで可視光のパターンで露光され
ると層３には＋電荷、−電荷の対が発生する。セ
レン層内の電場により正孔は層３から層２に注入
され、基板側に存在する−電荷を中和することに
より放電は完了する。
ので、層３の表面はコロナ放電等により均一に＋
帯電される。ついで可視光のパターンで露光され
ると層３には＋電荷、−電荷の対が発生する。セ
レン層内の電場により正孔は層３から層２に注入
され、基板側に存在する−電荷を中和することに
より放電は完了する。
ところで層３は高純度セレンよりなり、層２は
Seを主体とする合金であり、それぞれ成分を異
にする光導電層である。したがつて層３、層２の
界面には障壁が存在し、このため＋電荷が層３か
ら層２に注入されるのをさまたげられる。この障
壁の影響は放電が進み、Se層中が低電場になる
と一層大きくなり、低電場での残留電位を著しく
高くする。
Seを主体とする合金であり、それぞれ成分を異
にする光導電層である。したがつて層３、層２の
界面には障壁が存在し、このため＋電荷が層３か
ら層２に注入されるのをさまたげられる。この障
壁の影響は放電が進み、Se層中が低電場になる
と一層大きくなり、低電場での残留電位を著しく
高くする。
本発明は残留電位の原因となるこの界面の接触
電位をなくし、オーミツクコンタクトにすること
により、残留電位の低減をはかるものである。
電位をなくし、オーミツクコンタクトにすること
により、残留電位の低減をはかるものである。
第２図は本発明の一実施例構造を示す断面図
で、本発明は従来の電荷輸送層２及び電荷発生層
３の間にハロゲン元素を含むセレン層４を設けて
３層構造とし、前記ハロゲンの添加濃度を１〜
5000ppm、膜厚を0.01〜5μとしたことを特徴とす
るもので、以下実施例について説明する。
で、本発明は従来の電荷輸送層２及び電荷発生層
３の間にハロゲン元素を含むセレン層４を設けて
３層構造とし、前記ハロゲンの添加濃度を１〜
5000ppm、膜厚を0.01〜5μとしたことを特徴とす
るもので、以下実施例について説明する。
（実施例 １）
真空蒸着法によりAl基板上に次の方法で蒸着
をおこなつた。
をおこなつた。
本発明による構造の三つの層を真空を破ること
なく連続蒸着するために真空装置内に三本のモリ
ブデン製ボートを並べた。その中の一本には高純
度セレン、他の一本には1000ppmの塩素を含むセ
レン、そして最後の一本にはSe（87重量％）、Te
（10重量％）、Sb（３重量％）の組成をもつ合金を
散布した。
なく連続蒸着するために真空装置内に三本のモリ
ブデン製ボートを並べた。その中の一本には高純
度セレン、他の一本には1000ppmの塩素を含むセ
レン、そして最後の一本にはSe（87重量％）、Te
（10重量％）、Sb（３重量％）の組成をもつ合金を
散布した。
１×10-5mmHgの真空度でまず高純度セレンの
ボートに通電し、これを蒸着する。このとき基板
温度は70℃、セレンボート温度は300℃セレン膜
厚は50μであつた。高純度セレン蒸着後塩素を含
むセレンボートに通電をおこなつた。このとき真
空度、基板温度、ボート温度はセレン蒸着のとき
と同じであり、膜厚は0.5μであつた。最後に合金
ボートに通電する。このとき真空度は１×10-5mm
Hg、基板温度は70℃、合金ボート温度は350℃、
膜厚は5μであつた。
ボートに通電し、これを蒸着する。このとき基板
温度は70℃、セレンボート温度は300℃セレン膜
厚は50μであつた。高純度セレン蒸着後塩素を含
むセレンボートに通電をおこなつた。このとき真
空度、基板温度、ボート温度はセレン蒸着のとき
と同じであり、膜厚は0.5μであつた。最後に合金
ボートに通電する。このとき真空度は１×10-5mm
Hg、基板温度は70℃、合金ボート温度は350℃、
膜厚は5μであつた。
一方これとは別に特性比較のため次の方法で
Al基板上に蒸着をおこなつた。前記３本のボー
トのうちの二本を使い、真空を破ることなく次の
二層を連続蒸着する。一本のボートには高純度セ
レン、他の一本にはSe（87重量％）、Te（10重量
％）、Sb（３重量％）の組成をもつ合金を散布し
た。１×10-5mmHgの真空度のもとで最初に高純
度セレンの蒸着をおこなう。蒸着終了後続いて
Se Te Sb合金の蒸着をおこなう。高純度セレン
及び合金、蒸着時の基板温度、ボート温度及び膜
厚は前述の本発明による感光板と同じであつた。
Al基板上に蒸着をおこなつた。前記３本のボー
トのうちの二本を使い、真空を破ることなく次の
二層を連続蒸着する。一本のボートには高純度セ
レン、他の一本にはSe（87重量％）、Te（10重量
％）、Sb（３重量％）の組成をもつ合金を散布し
た。１×10-5mmHgの真空度のもとで最初に高純
度セレンの蒸着をおこなう。蒸着終了後続いて
Se Te Sb合金の蒸着をおこなう。高純度セレン
及び合金、蒸着時の基板温度、ボート温度及び膜
厚は前述の本発明による感光板と同じであつた。
以上の蒸着で得られた従来の二層構造と本発明
による三層構造との特性の比較をおこなつた。こ
の結果を第３図に示す。これは暗中帯電―螢光灯
による放電を5000回繰り返しながら残留電位の上
昇をみたものである。第３図Ｂに示すように本発
明による感光板では残留電位の上昇はほとんどな
く、飽和状態に達するのも速く、またその値も低
い。
による三層構造との特性の比較をおこなつた。こ
の結果を第３図に示す。これは暗中帯電―螢光灯
による放電を5000回繰り返しながら残留電位の上
昇をみたものである。第３図Ｂに示すように本発
明による感光板では残留電位の上昇はほとんどな
く、飽和状態に達するのも速く、またその値も低
い。
このような感光板は電子写真用として最適であ
る。一方第３図Ａに示すように従来の感光板では
残留電位の上昇が大きく、なかなか飽和せず、ま
たその値も高く、電子写真用として適さない。ま
た、5000回の繰返しをおこなつた後、タングステ
ンランプによる光減衰曲線を観察した。
る。一方第３図Ａに示すように従来の感光板では
残留電位の上昇が大きく、なかなか飽和せず、ま
たその値も高く、電子写真用として適さない。ま
た、5000回の繰返しをおこなつた後、タングステ
ンランプによる光減衰曲線を観察した。
従来の構造の感光板（第１図）においては界面
のハリアのため低電場において十分な放電をせ
ず、第４図Ａに示すように減衰曲線が丸みを帯
び、なだらかな湾曲部を有し、その電圧も高い。
この減衰曲線は電子写真用には適さない。これに
反して本発明による感光板においては放電がスム
ーズにおこなわれるので、第４図Ｂ曲線に示すよ
うにシヤープな湾曲部を有するとともに、その電
圧も低い。
のハリアのため低電場において十分な放電をせ
ず、第４図Ａに示すように減衰曲線が丸みを帯
び、なだらかな湾曲部を有し、その電圧も高い。
この減衰曲線は電子写真用には適さない。これに
反して本発明による感光板においては放電がスム
ーズにおこなわれるので、第４図Ｂ曲線に示すよ
うにシヤープな湾曲部を有するとともに、その電
圧も低い。
この減衰曲線は電子写真用として最適である。
（実施例 ２）
次のような方法で本発明による感光板を製作し
た。
た。
真空蒸着法によりAl基板上に高純度Seをモリ
ブデン製ボートから蒸着した。このときAl基板
は70℃、真空度は１×10-5mmHg、ボート温度は
300℃、膜厚は50μであつた。
ブデン製ボートから蒸着した。このときAl基板
は70℃、真空度は１×10-5mmHg、ボート温度は
300℃、膜厚は50μであつた。
Se蒸着終了後真空が破られる。ついでこの層
の上に塩素を2ppm含んだセレンをモリブデンボ
ートから蒸着した。このとき基板温度、真空度、
ボート温度は高純度セレンのときと同じであり、
膜厚は5μであつた。蒸着終了後真空が破られる。
さらにこの層の上にSe（80重量％）、Te（20重量
％）の組成からなる合金をモリブデンボートから
蒸着した。このとき基板温度、真空度は前と同じ
であり、ボート温度は350℃、膜厚は5μであつ
た。
の上に塩素を2ppm含んだセレンをモリブデンボ
ートから蒸着した。このとき基板温度、真空度、
ボート温度は高純度セレンのときと同じであり、
膜厚は5μであつた。蒸着終了後真空が破られる。
さらにこの層の上にSe（80重量％）、Te（20重量
％）の組成からなる合金をモリブデンボートから
蒸着した。このとき基板温度、真空度は前と同じ
であり、ボート温度は350℃、膜厚は5μであつ
た。
一方これとは別に、特性比較のため、次のよう
な方法で従来の感光板を製作した。
な方法で従来の感光板を製作した。
Al基板上に高純度セレンの蒸着をおこない蒸
着終了後真空を破り、ついでSe（80重量％）、Te
（20重量％）、の組成からなる合金を蒸着した。こ
のときの基板温度、真空度、ボート温度及び膜厚
はすべて前述の本発明による感光板と同じであつ
た。この２枚の感光板の特性比較のため、暗中帯
電―螢光灯による放電を繰り返したときの残留電
位の変化及びタングステンランプによる光減衰曲
線を観察したところ、実施例１とほぼ同様な結果
が得られた。
着終了後真空を破り、ついでSe（80重量％）、Te
（20重量％）、の組成からなる合金を蒸着した。こ
のときの基板温度、真空度、ボート温度及び膜厚
はすべて前述の本発明による感光板と同じであつ
た。この２枚の感光板の特性比較のため、暗中帯
電―螢光灯による放電を繰り返したときの残留電
位の変化及びタングステンランプによる光減衰曲
線を観察したところ、実施例１とほぼ同様な結果
が得られた。
以上二つの実施例は、塩素をドープした場合で
あるが、他のハロゲン元素である弗素、臭素、及
び沃素をドープした場合でも塩素と同じ結果を得
た。ハロゲン含有セレン層が0.01μ以下では残留
電位を低くする効果がない。またハロゲン含有セ
レン層の膜厚が電荷輸送層よりも厚くなると他の
特性との関連で不都合が生じる。これについて次
のような実験をおこなつた。実験に使用した感光
板はハロゲン含有セレン層の膜厚を0.01〜40μの
間で変化させたものである。このとき第一光導電
層の膜厚はすべての感光板について一定で30μ
で、また第電荷発生電層もすべての感光板につい
て同一条件とした。
あるが、他のハロゲン元素である弗素、臭素、及
び沃素をドープした場合でも塩素と同じ結果を得
た。ハロゲン含有セレン層が0.01μ以下では残留
電位を低くする効果がない。またハロゲン含有セ
レン層の膜厚が電荷輸送層よりも厚くなると他の
特性との関連で不都合が生じる。これについて次
のような実験をおこなつた。実験に使用した感光
板はハロゲン含有セレン層の膜厚を0.01〜40μの
間で変化させたものである。このとき第一光導電
層の膜厚はすべての感光板について一定で30μ
で、また第電荷発生電層もすべての感光板につい
て同一条件とした。
これらの感光板の一回目の帯電電圧を600Vに
設定し、暗中帯電―螢光灯による放電を5000回繰
り返した後の帯電電圧を測定した。この結果を第
５図に示す。膜厚が30μ以上になると帯電電圧が
急激に減少する。このような感光板は電子写真用
として適さない。
設定し、暗中帯電―螢光灯による放電を5000回繰
り返した後の帯電電圧を測定した。この結果を第
５図に示す。膜厚が30μ以上になると帯電電圧が
急激に減少する。このような感光板は電子写真用
として適さない。
以上述べたことは電荷輸送層の膜厚が30μの場
合であるが、他の膜厚の感光板についても同様で
あることが確認された。
合であるが、他の膜厚の感光板についても同様で
あることが確認された。
ハロゲン含有セレン層に含まれるハロゲン元素
の量については１〜5000ppmの範囲が良い。
1ppm以下の量では残留電位を低くする効果がな
く、また5000ppm以上では他の電気特性を悪化す
る（例えば前述のような繰り返しによる帯電電圧
の減少）。
の量については１〜5000ppmの範囲が良い。
1ppm以下の量では残留電位を低くする効果がな
く、また5000ppm以上では他の電気特性を悪化す
る（例えば前述のような繰り返しによる帯電電圧
の減少）。
ところで従来の構造では高純度セレン層とセレ
ン合金層との間に界面が一つだけ存在するが本発
明では高純度セレン層とハロゲン含有セレン層と
の間に一つ、ハロゲン含有セレン合金層との間に
一つの計二つの界面が存在するにもかかわらず、
接触電位がなくなり、良好な放電特性を示す。こ
の理由は明らかではないが、ハロゲン含有セレン
層が高純度セレン層及びセレン合金層の両層に対
して極めて低い接触電位を与える役目を果し、そ
の結果界面の数は多いにもかかわらず、良好な電
荷の注入現象がおこると考えられる。
ン合金層との間に界面が一つだけ存在するが本発
明では高純度セレン層とハロゲン含有セレン層と
の間に一つ、ハロゲン含有セレン合金層との間に
一つの計二つの界面が存在するにもかかわらず、
接触電位がなくなり、良好な放電特性を示す。こ
の理由は明らかではないが、ハロゲン含有セレン
層が高純度セレン層及びセレン合金層の両層に対
して極めて低い接触電位を与える役目を果し、そ
の結果界面の数は多いにもかかわらず、良好な電
荷の注入現象がおこると考えられる。
以上の説明から明らかなように、本発明によれ
ば従来の感光体に比し極めて残留電位が低く電子
写真用として最適な感光体が提供できるので、実
用上の効果は極めて大きい。
ば従来の感光体に比し極めて残留電位が低く電子
写真用として最適な感光体が提供できるので、実
用上の効果は極めて大きい。
第１図は従来の感光体の構成を示す断面図、第
２図は本発明による感光体の構成を示す断面図、
第３図は本発明感光体と従来の感光体との残留電
位の変化の比較を示す特性図、第４図は本発明感
光体と従来の感光体との光減衰曲線の比較を示す
特性図、第５図は本発明感光体の第２光導電層の
膜厚を変えた時の帯電電圧の変化を示す特性図で
ある。 図において１は基板、２は電荷輸送層、３は電
荷発生層、４はハロゲン含有セレン層である。
２図は本発明による感光体の構成を示す断面図、
第３図は本発明感光体と従来の感光体との残留電
位の変化の比較を示す特性図、第４図は本発明感
光体と従来の感光体との光減衰曲線の比較を示す
特性図、第５図は本発明感光体の第２光導電層の
膜厚を変えた時の帯電電圧の変化を示す特性図で
ある。 図において１は基板、２は電荷輸送層、３は電
荷発生層、４はハロゲン含有セレン層である。
Claims (1)
- １ 導電性基板上に高純度セレンよりなる電荷輸
送層を設け、更にその上に電荷輸送層より感光性
の大きなSe合金層よりなる電荷発生層を設けた
感光体において、前記電荷輸送層と電荷発生層の
間にハロゲンを添加したセレン層を設け、前記ハ
ロゲンの添加濃度を１〜5000ppm膜厚を0.01〜5μ
としたことを特徴とする電子写真用感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12838180A JPS5753753A (ja) | 1980-09-16 | 1980-09-16 | Denshishashinyokankotai |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12838180A JPS5753753A (ja) | 1980-09-16 | 1980-09-16 | Denshishashinyokankotai |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5753753A JPS5753753A (ja) | 1982-03-30 |
| JPH0215865B2 true JPH0215865B2 (ja) | 1990-04-13 |
Family
ID=14983404
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12838180A Granted JPS5753753A (ja) | 1980-09-16 | 1980-09-16 | Denshishashinyokankotai |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5753753A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4554230A (en) * | 1984-06-11 | 1985-11-19 | Xerox Corporation | Electrophotographic imaging member with interface layer |
-
1980
- 1980-09-16 JP JP12838180A patent/JPS5753753A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5753753A (ja) | 1982-03-30 |
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