JPS5974566A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
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- JPS5974566A JPS5974566A JP18385182A JP18385182A JPS5974566A JP S5974566 A JPS5974566 A JP S5974566A JP 18385182 A JP18385182 A JP 18385182A JP 18385182 A JP18385182 A JP 18385182A JP S5974566 A JPS5974566 A JP S5974566A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- selenium
- photoconductive
- forming
- conductive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は靜′に潜像を誘電体フィルムに電荷パターン
として複写させるα子方ｊ１Ｇ感光体に関するものであ
る。
として複写させるα子方ｊ１Ｇ感光体に関するものであ
る。
一般的に電子写真感光体は導電層、光導ｄ層。
絶縁層により構成され、潜像形成プロセス中１例えば特
公昭４２−２３９１０または４３−２４７４８に提案さ
れているように一次相電、二次帯’ｄ（ＡＣ帯成または
通帯′成）と同時帯電光像露光を含む工程により静電潜
像が形成されるう通常電子写真感光体は導電性支持体に
丸電材側を真空蒸着により薄膜を形成して作られる。
公昭４２−２３９１０または４３−２４７４８に提案さ
れているように一次相電、二次帯’ｄ（ＡＣ帯成または
通帯′成）と同時帯電光像露光を含む工程により静電潜
像が形成されるう通常電子写真感光体は導電性支持体に
丸電材側を真空蒸着により薄膜を形成して作られる。
従来、電子写真感光体を構成する導電層をアルミニウム
（Ａ／？）で、光導ｉｆｆ、Ｉｉｉ＃をセレン（Ｓｅ）
で、絶縁層を ＰＥ’Ｉ’ で形成したものがある。こ
の、セレンブＣ； ：Ｓ を体はＰ型の特性を有し、潜
像形成プロセスにおいて、負の一次コロナ帯′１．正の
二次コロナ帯電と同時に光像露光、全面露光を加えたと
きに。
（Ａ／？）で、光導ｉｆｆ、Ｉｉｉ＃をセレン（Ｓｅ）
で、絶縁層を ＰＥ’Ｉ’ で形成したものがある。こ
の、セレンブＣ； ：Ｓ を体はＰ型の特性を有し、潜
像形成プロセスにおいて、負の一次コロナ帯′１．正の
二次コロナ帯電と同時に光像露光、全面露光を加えたと
きに。
−水帯電荷にセレン光導電層の暗抵抗が高くなり。
かつ４成層側からのキャリアの注入が減少する。
ことができなかった。この結果、光導電［主絶縁層の実
効的な光感１（は−次相電が増感帯電であるきいう効果
を失なう。したがって光感度は単に二次帯ｒ［の同時光
像露光のプロセスのみに依存するため、二次帯・這がＡ
Ｃの場合にはほとんどコントラストが１等られ１“、ま
た逆極性直流コロナ帯′αの場合には非常に低いコント
ラストしか得られない。
効的な光感１（は−次相電が増感帯電であるきいう効果
を失なう。したがって光感度は単に二次帯ｒ［の同時光
像露光のプロセスのみに依存するため、二次帯・這がＡ
Ｃの場合にはほとんどコントラストが１等られ１“、ま
た逆極性直流コロナ帯′αの場合には非常に低いコント
ラストしか得られない。
次に補助手段として、−次相重荷に全面露光を行ないな
がら、・ちるいは−次相電後に全面露光を入れた後、二
次帯電と同時に光像露光を行なうことが考え出された。
がら、・ちるいは−次相電後に全面露光を入れた後、二
次帯電と同時に光像露光を行なうことが考え出された。
これにより、若干コントラストが教養されたが。
十分実用に耐えるほどのコントラストを得ること一方、
上述した成子写真感光体以外に螢光体ＺｎＣｄ５の粉末
と、光導螺材ＺｎＯの粉末とを＠脂バインダーに分散さ
せて形成した酸化岨鉛フィルムが知られているが、耐湿
性の点で問題ｌ：’＋Ｃ３゜この発明は上記の問題点を
解決するためになされたもので、セレン系の光導４Ｈの
一方の而にニッケル導′成層を設けるとともに他方の而
に絶縁層を設けることにより、高コントラスト上よび高
濃度の画像を得ることができるｍ子写真感光体を提供し
ようと１−るものである。
上述した成子写真感光体以外に螢光体ＺｎＣｄ５の粉末
と、光導螺材ＺｎＯの粉末とを＠脂バインダーに分散さ
せて形成した酸化岨鉛フィルムが知られているが、耐湿
性の点で問題ｌ：’＋Ｃ３゜この発明は上記の問題点を
解決するためになされたもので、セレン系の光導４Ｈの
一方の而にニッケル導′成層を設けるとともに他方の而
に絶縁層を設けることにより、高コントラスト上よび高
濃度の画像を得ることができるｍ子写真感光体を提供し
ようと１−るものである。
以下図面を参照してこの発明の詳細な説明する。
第１図はこの発明の基本構造を示すもので、１はニッケ
ル（Ｎｉ ） 、 ’１’ ルミニウム（Ａ／’）、銅
（Ｃｕ）、 ステンレス（Ｓｕｅ）等の導′電体材料ま
たは・ＰｇＴ 等の絶縁体材料よりなる支持体層であ
る。この支持休さに形成丈る。このとき、支持体１と導
電層２をニッケルで一体に形成することもできる。その
後ニッケル導ｗｔ層２の上面にセレン（Ｓｅ）あるいは
セレンを主成分とするセレン系光導電１−３を形成し。
ル（Ｎｉ ） 、 ’１’ ルミニウム（Ａ／’）、銅
（Ｃｕ）、 ステンレス（Ｓｕｅ）等の導′電体材料ま
たは・ＰｇＴ 等の絶縁体材料よりなる支持体層であ
る。この支持休さに形成丈る。このとき、支持体１と導
電層２をニッケルで一体に形成することもできる。その
後ニッケル導ｗｔ層２の上面にセレン（Ｓｅ）あるいは
セレンを主成分とするセレン系光導電１−３を形成し。
さらにその上ｒｆ５に可視光を透過する体積固有抵抗の
高い（ｌＱｌ＋Ω以上）ポリエステル（Ｐ１３Ｔ） 、
バラキシレンおよびその他にアクリル、エポキシ、ウレ
タン、フッ素、スチレン、カーボネート等の樹脂で形成
した透明絶縁層４を貼着Ｃる。この透明絶縁層４は５〜
４０μの厚さに形成される。
高い（ｌＱｌ＋Ω以上）ポリエステル（Ｐ１３Ｔ） 、
バラキシレンおよびその他にアクリル、エポキシ、ウレ
タン、フッ素、スチレン、カーボネート等の樹脂で形成
した透明絶縁層４を貼着Ｃる。この透明絶縁層４は５〜
４０μの厚さに形成される。
以上にこの発明の基本構造を示したが、好ましくは第１
図の光導電層３を第２図に示す、ようにセレンまたはセ
レンにハロゲンをドープしたセレン系（荷輸送層３ａと
セレンおよびテルルを主成分とする′１電荷生ｆ１３１
）に構成することのほうが望ましい。すなわち、高コン
トラストを得るためには、一時帯電時に導α層２より注
入された電荷はブロックされることなく光導電層３′を
移動する必要がある。しかも、セレン系感光体に１６い
ては、ハロゲンを除く不純物が少しでもドープされる吉
易動度が低下することが知られている。しかしながら。
図の光導電層３を第２図に示す、ようにセレンまたはセ
レンにハロゲンをドープしたセレン系（荷輸送層３ａと
セレンおよびテルルを主成分とする′１電荷生ｆ１３１
）に構成することのほうが望ましい。すなわち、高コン
トラストを得るためには、一時帯電時に導α層２より注
入された電荷はブロックされることなく光導電層３′を
移動する必要がある。しかも、セレン系感光体に１６い
ては、ハロゲンを除く不純物が少しでもドープされる吉
易動度が低下することが知られている。しかしながら。
二次帯Ｉｔの同時光像＃客先および最終工種の全面露光
時においては、純粋のセレン単層では光の感度域が可視
光線の短波長城に制限され効率が悪くなるため、 Ｔｅ
、Ａｓ等をドープすることにより分光感度域の拡大を計
り、効率を向上させる必要がある。
時においては、純粋のセレン単層では光の感度域が可視
光線の短波長城に制限され効率が悪くなるため、 Ｔｅ
、Ａｓ等をドープすることにより分光感度域の拡大を計
り、効率を向上させる必要がある。
以上の２つの条件を同時に満たすためには１、￥Ｃ２図
に示したよりに透明絶縁層の下に易動度を低下させない
程度に薄く形成した電荷発生層３６を設けて、光感度波
圏域の拡大を計り、光感度を増し、同時帯電光１＃！露
光時および全面露光時の効率を向上させるとともに、こ
の電荷発生層３ｂ（！：導電層２との間にセレンにハロ
ゲンを０〜４０００ｐｐｍドープした電荷輸送）響３ａ
を設けて、−水帯電荷１こ導電層２より注入された電荷
の易動度を大きくし、−次増感帯電効果を向上させる必
蟹がある。
に示したよりに透明絶縁層の下に易動度を低下させない
程度に薄く形成した電荷発生層３６を設けて、光感度波
圏域の拡大を計り、光感度を増し、同時帯電光１＃！露
光時および全面露光時の効率を向上させるとともに、こ
の電荷発生層３ｂ（！：導電層２との間にセレンにハロ
ゲンを０〜４０００ｐｐｍドープした電荷輸送）響３ａ
を設けて、−水帯電荷１こ導電層２より注入された電荷
の易動度を大きくし、−次増感帯電効果を向上させる必
蟹がある。
さらに、この光導電層３′を詳しく説明する。上述した
電荷発生層３ｂはテルルの含有率が５〜２５チの５ｅ−
Ｔｅ層で、 ０．０５〜５μの厚さに形成され、必に応
じて結晶化防止、感度向上、残留電位除去の目的（こよ
りヒ素（Ａｓ）、ケイ素（Ｓｉ） 、アンチモン（Ｓｂ
）ハロゲンをドープしてもよい。また、′１ニ荷輸送層
３ａは５ ｎ （９９，９９９％）以上の高純ＩＷのセ
レンにハロゲンを０〜４０００ＰＰｍドープし、これを
導α層２の上面に２０〜７０μの厚さになるように真空
蒸着する。
電荷発生層３ｂはテルルの含有率が５〜２５チの５ｅ−
Ｔｅ層で、 ０．０５〜５μの厚さに形成され、必に応
じて結晶化防止、感度向上、残留電位除去の目的（こよ
りヒ素（Ａｓ）、ケイ素（Ｓｉ） 、アンチモン（Ｓｂ
）ハロゲンをドープしてもよい。また、′１ニ荷輸送層
３ａは５ ｎ （９９，９９９％）以上の高純ＩＷのセ
レンにハロゲンを０〜４０００ＰＰｍドープし、これを
導α層２の上面に２０〜７０μの厚さになるように真空
蒸着する。
このとき真空蒸着の基板温度を５５〜６５℃に設定する
。これは基板温１ｆで５５℃以下になると、残留１位が
高くなるとともに、応答が悪くなり、コントラストがと
れなくなるためである。また６５℃以上だと光導成層の
抵抗が著しく低下して、電圧印加した場合に光導成層３
′に電位が分配しなくなるため、二次の同時帯電光像露
光において明部および暗部の区別なく４鵡７１２より電
荷が注入し移動する結果、コントラストがとれなくなる
ことに起因している。
。これは基板温１ｆで５５℃以下になると、残留１位が
高くなるとともに、応答が悪くなり、コントラストがと
れなくなるためである。また６５℃以上だと光導成層の
抵抗が著しく低下して、電圧印加した場合に光導成層３
′に電位が分配しなくなるため、二次の同時帯電光像露
光において明部および暗部の区別なく４鵡７１２より電
荷が注入し移動する結果、コントラストがとれなくなる
ことに起因している。
次に、高コントラストに対してもう１つの鍵を１こぎっ
ている導電層２について説明する。導電層２の要件とし
て、第１に一次帯電時に良好な注入性を示し、第２に二
次帯電同時光１象露光時に明暗部のコントラストを得る
ため１ζ導７１ Ｉ蓄２からの注入がないことが必要に
なる。すなわち、潜像形成プロセスに対して、光導電層
３′との整合がされた導電材料が要求される。この発明
におけるニッケル導電層と従来の導電層の特性を次のよ
うな実験により明らかにする。
ている導電層２について説明する。導電層２の要件とし
て、第１に一次帯電時に良好な注入性を示し、第２に二
次帯電同時光１象露光時に明暗部のコントラストを得る
ため１ζ導７１ Ｉ蓄２からの注入がないことが必要に
なる。すなわち、潜像形成プロセスに対して、光導電層
３′との整合がされた導電材料が要求される。この発明
におけるニッケル導電層と従来の導電層の特性を次のよ
うな実験により明らかにする。
アルミニウムを導電層とした従来のセレン系感光体とニ
ッケルを導電層としたこの発明の感光体に各々−２００
０Ｖの暗中コロナ帯電をした後に強い全面露光をした時
の電位低下を調べてみると、アルミニウム（従来例）の
場合は約ｘｏｏｏｖのＩＦ位変化があるのに対して、ニ
ッケル（本案）の場合は１５０ｖ程度とアルミニウムに
比べて著しく小さくなっている。このニッケルの場合−
ｚｏｏｏｖの暗中帯電ですでに一１８５０Ｖに相当する
屈荀が絶縁層の上下に形成されＣいることが分かる。一
方、アルミニウムの場合は約−１０００Ｙの電位分配が
光導電層に発生し、 −２０００Ｖの暗中帯電の約半分
の一１０００Ｖに相当する電荷が絶縁層の上下に形成さ
れ、ｆ、３１品＜ Ｔ ’ｔ［＠ （７）ユいヵ３□。
ッケルを導電層としたこの発明の感光体に各々−２００
０Ｖの暗中コロナ帯電をした後に強い全面露光をした時
の電位低下を調べてみると、アルミニウム（従来例）の
場合は約ｘｏｏｏｖのＩＦ位変化があるのに対して、ニ
ッケル（本案）の場合は１５０ｖ程度とアルミニウムに
比べて著しく小さくなっている。このニッケルの場合−
ｚｏｏｏｖの暗中帯電ですでに一１８５０Ｖに相当する
屈荀が絶縁層の上下に形成されＣいることが分かる。一
方、アルミニウムの場合は約−１０００Ｙの電位分配が
光導電層に発生し、 −２０００Ｖの暗中帯電の約半分
の一１０００Ｖに相当する電荷が絶縁層の上下に形成さ
れ、ｆ、３１品＜ Ｔ ’ｔ［＠ （７）ユいヵ３□。
。６ｏよヵ３わかる。
次に、二次帯電時を想定して従来の感光体と本案の感光
体に各々＋２０００Ｖの正コロナ帯電をした時の′電位
変化は両方とも１１５０Ｙ程度になる。
体に各々＋２０００Ｖの正コロナ帯電をした時の′電位
変化は両方とも１１５０Ｙ程度になる。
この結果１本案の感光体は一次帯電時に注入性が良好ζ
こなり、また二次帯電時に゛α荷１５ｕ止性であること
が分かり、高コントラストがｆ等やすい特性を示してい
ることが分かる。このニッケル導電層と光導電層界面で
の注入性を支配している物性的機構として以下に示す４
つの可能性が考えられる。
こなり、また二次帯電時に゛α荷１５ｕ止性であること
が分かり、高コントラストがｆ等やすい特性を示してい
ることが分かる。このニッケル導電層と光導電層界面で
の注入性を支配している物性的機構として以下に示す４
つの可能性が考えられる。
１）ニッケル導電層の表面状態（例えば接触面績）２）
界面での光導電層の再結合センター密度。
界面での光導電層の再結合センター密度。
３）セレンとニッケルの仕事関数の差によるバリア層形
成の難易。
成の難易。
４）支持体層とニッケルの仕事関数の差によるバリア層
形成の廊易。
形成の廊易。
次に、この発明の物性的機構を実証するために。
数種の実験を行なったので、頃下順を追って説明する。
■）実施例１゜
アルミニウムをドラム状に形成した支持体上に５０の純
粋度を有するニッケルを約０．５μのｊｌさに真空蒸着
して導電層を形成し、この導電層上に基板温度６０℃で
５ｎの純粋度を有するセレンを約５０μの厚さに真空蒸
着して電荷輸送層を形成する。次１こ電荷輸送層上に１
０％のテルルを含有するＢｅ−１”ｅ合金を約０．５μ
の厚さに真空蒸着して電荷発生層を形成し、その上に２
０μのＰ［Ｈ′Ｉ’フィルムを貼着して絶縁層を形成し
てこの本案の感光体を構成した。
粋度を有するニッケルを約０．５μのｊｌさに真空蒸着
して導電層を形成し、この導電層上に基板温度６０℃で
５ｎの純粋度を有するセレンを約５０μの厚さに真空蒸
着して電荷輸送層を形成する。次１こ電荷輸送層上に１
０％のテルルを含有するＢｅ−１”ｅ合金を約０．５μ
の厚さに真空蒸着して電荷発生層を形成し、その上に２
０μのＰ［Ｈ′Ｉ’フィルムを貼着して絶縁層を形成し
てこの本案の感光体を構成した。
この感光体−水帯電として、スコロトロン帯電器チー２
０００Ｖニ帯電サセ、次イテ６．５ＫＶ Ｏ） Ａ Ｃ
コロナ帯′成と同時化光像を露光し、その後全面露光を
行なって静電潜像を１ひる。
０００Ｖニ帯電サセ、次イテ６．５ＫＶ Ｏ） Ａ Ｃ
コロナ帯′成と同時化光像を露光し、その後全面露光を
行なって静電潜像を１ひる。
また、同様Ｉζして一水帯′躍した後１こ＋６．５ＫＶ
の正コロナ帯電上同時に光像を露光し、その後金面謂光
を行なって静電潜像を得る。
の正コロナ帯電上同時に光像を露光し、その後金面謂光
を行なって静電潜像を得る。
以上の実験結果は表に示したように、ＡＣ４６０Ｖ１）
Ｃ５５５Ｖと高いコントラスト電位を示した。この実施
例１の静電潜像を磁気ブラシ現像し１紙にローラーで転
写したところ、高濃度の良好な画像が得られた。その後
で、除電し、クリーニングして次の画像をくり返しきっ
たところ残留電位、残像等がなく良好な画像を得ること
ができた。
Ｃ５５５Ｖと高いコントラスト電位を示した。この実施
例１の静電潜像を磁気ブラシ現像し１紙にローラーで転
写したところ、高濃度の良好な画像が得られた。その後
で、除電し、クリーニングして次の画像をくり返しきっ
たところ残留電位、残像等がなく良好な画像を得ること
ができた。
さらに、実施例１の感光体を相対湿度８５％１ＬＨの高
湿下に３日間放置して、再び上述と同様の方法で静電潜
像を形成したところ、コントラスト電位がほとんど変化
しなかった。
湿下に３日間放置して、再び上述と同様の方法で静電潜
像を形成したところ、コントラスト電位がほとんど変化
しなかった。
Ｘ）実施例２゜
５０ＦのＰＥＴ支持体にニッケルを真空蒸着して約１μ
の導電層を形成し、その上に基板温度５５℃でクロルを
ｓｏｐｐｍ含有するセレンを４０μの厚さに真空蒸着し
て電荷輸送層を形成する。さらにこの電荷輸送層上に１
５％のテルルと１俤の真空蒸着して゛４電荷生層を形成
し、その上にバラキシリンを２０μの）９さに気相蒸着
して絶縁層を形成する。このサンプルを実施例１と同様
の条件で実験したところ１表に示すようにＡＣ４５５Ｙ
１）Ｃ５８５Ｖと高いコントラスト電位を示した。
の導電層を形成し、その上に基板温度５５℃でクロルを
ｓｏｐｐｍ含有するセレンを４０μの厚さに真空蒸着し
て電荷輸送層を形成する。さらにこの電荷輸送層上に１
５％のテルルと１俤の真空蒸着して゛４電荷生層を形成
し、その上にバラキシリンを２０μの）９さに気相蒸着
して絶縁層を形成する。このサンプルを実施例１と同様
の条件で実験したところ１表に示すようにＡＣ４５５Ｙ
１）Ｃ５８５Ｖと高いコントラスト電位を示した。
■）参考例１゜
アルミニウムをドラム状に形成した支持体上に１０俤の
テルルを含有ｒるＳｅ−’Ｌ’ｅ合金を基板温度６０℃
で５０μのｊＸさに真空蒸着して光導電層を形成し、そ
の上に２０μの円り′Ｆフィルムを貼ノａして従来タイ
プの感光体を形成する。このサンプルを実施例１と同様
の条件で実１１検したところ。
テルルを含有ｒるＳｅ−’Ｌ’ｅ合金を基板温度６０℃
で５０μのｊＸさに真空蒸着して光導電層を形成し、そ
の上に２０μの円り′Ｆフィルムを貼ノａして従来タイ
プの感光体を形成する。このサンプルを実施例１と同様
の条件で実１１検したところ。
表ｒに示すようにＡ Ｃ７０Ｖ、 Ｊ）Ｃ１７０Ｖと低
イコントラスト電位しかとれなかった。
イコントラスト電位しかとれなかった。
ｖＬ）実施例３゜
ドラム状に形成したＡＩ！支持体上に銀を約０．５μの
厚さに電気メッキして導電ｊ涛を形成し、この導゛鑞層
上に基板温度６０’Ｃで１０％のテルルを含有するＳｅ
−’ｌ”ｅ合金を５０μの厚さに真空蒸着して一層の光
導′ｆＪＬ膚を形成する。そしてこの光導電層上に２０
μのＰＥＴフィルムを貼着して絶縁層を形成して本案第
１図の感光体を作る。
厚さに電気メッキして導電ｊ涛を形成し、この導゛鑞層
上に基板温度６０’Ｃで１０％のテルルを含有するＳｅ
−’ｌ”ｅ合金を５０μの厚さに真空蒸着して一層の光
導′ｆＪＬ膚を形成する。そしてこの光導電層上に２０
μのＰＥＴフィルムを貼着して絶縁層を形成して本案第
１図の感光体を作る。
このサンプルを実施例１と同様の条件で実験したところ
１表に示すようにＡＣ３００Ｙ、 ＤＣ３９１のコント
ラスト電位を示し、実施例１のデータと比較すると見劣
りするが、参考例（従来例）に比べて高いコントラスト
電位を示していることが分かる。
１表に示すようにＡＣ３００Ｙ、 ＤＣ３９１のコント
ラスト電位を示し、実施例１のデータと比較すると見劣
りするが、参考例（従来例）に比べて高いコントラスト
電位を示していることが分かる。
表
以上の結果から光導電層との界面導電層としてニッケル
を用いることにより、−成帯電荷の注入性が改良される
とともに、二次帯電同時光像露光時の注入阻止性は良好
に維持された状態になり。
を用いることにより、−成帯電荷の注入性が改良される
とともに、二次帯電同時光像露光時の注入阻止性は良好
に維持された状態になり。
高コントラスト、高濃度の画像を得ることができる。ま
た、光キャリアの発生は蹴荷発生層に、光キャリアの輸
送および注入キャリアの輸送は電荷輸送層に機能分担さ
せているため１光感度にすぐれ、力）つ残留電位、残像
のない良好な画像特性を示す。さらに、光導電層はセレ
ン系の蒸着嘆で形成されるため、バインダー系感光体に
較べて耐湿性が非常に優れている等の特長がある。
た、光キャリアの発生は蹴荷発生層に、光キャリアの輸
送および注入キャリアの輸送は電荷輸送層に機能分担さ
せているため１光感度にすぐれ、力）つ残留電位、残像
のない良好な画像特性を示す。さらに、光導電層はセレ
ン系の蒸着嘆で形成されるため、バインダー系感光体に
較べて耐湿性が非常に優れている等の特長がある。
なお、この発明は上記実施例に限定されるものではなく
、要旨を変更しない範囲において種々変形して実施する
ことができる。
、要旨を変更しない範囲において種々変形して実施する
ことができる。
上記実施例では感光体を同時帯電光像露光を利用した作
像プロセスについで説明したが、この発明はこれ１こ限
定されるものではなく１例えば特開昭４８−８９７３７
に示すように一水帯電として負コロナ帯電を加えた後、
正コロナ帯電を加え、しかる後に光像を露光する電子写
真法を用いることもできる。この場合、特開昭４８−８
９７３７は全面照射しながら一水帯成を行なっているが
、注入性良好な本発明においてはこの一次帯電時の全面
照射がなくても、絶縁層の上下に電荷対を十分に形成す
ることができる。
像プロセスについで説明したが、この発明はこれ１こ限
定されるものではなく１例えば特開昭４８−８９７３７
に示すように一水帯電として負コロナ帯電を加えた後、
正コロナ帯電を加え、しかる後に光像を露光する電子写
真法を用いることもできる。この場合、特開昭４８−８
９７３７は全面照射しながら一水帯成を行なっているが
、注入性良好な本発明においてはこの一次帯電時の全面
照射がなくても、絶縁層の上下に電荷対を十分に形成す
ることができる。
以上述べたようにこの発明によれば、セレン系の光導電
層の一方の面にニッケル導電層を設けるとともに他方の
面に絶縁層を設けるこ吉により、高コントラストおよび
高濃度の画像を得ることができる電子写真感光体を提供
することができる。
層の一方の面にニッケル導電層を設けるとともに他方の
面に絶縁層を設けるこ吉により、高コントラストおよび
高濃度の画像を得ることができる電子写真感光体を提供
することができる。
第１図はこの発明の基本構造図、第２図はこの発明の一
実施例を示す構造図である。 ｌ・・・支持体層 ２・・・ニッケル導電層３．
３′・・・セレン系光導電層 ３ａ・・・電荷輸送層 ３ｂ・・・電荷発生層４・・
・透明絶縁層 第１図 第２図 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿１、事件の表
示 特願昭５７−１８３８５１号 ２、発明の名称 電子写真感光体 ３、補正をする者 事件との関係特許出願人 （０３７）オリンパス光学工業株式会社４、代理人 ５、自発補正 補正の内容 １）本願特許請求の範囲を別紙の通り訂正する。 （２）本願明細書第２頁第１２行目の［誘電体フィルム
Ｊの部分を「絶縁層」と訂正する。 （３） 同明細＄第２頁第１３行目の「複写」の部分
を「形成」と訂正する。 （４）同明細書第２頁第１９行目ないし第１６行目の「
一般的に・・・・・・潜像形成プロセス中、」の部分を
［導電層、光導［層、絶縁層より構成される電子写真感
光体は、］と訂正する。 （５）同明細書第２頁第１９行目ないし末行の「同時帯
電光像露光を・・・・・・静電潜像力月の部分を［同時
帯電光像露光、全面露光を含む１稈により絶ｉｆ！層に
静電潜像が」と訂正する。 ６）同明細書ｐ４２頁末行ないし＃￥３頁第２行目の「
通常電子写真感光体は・・・・・・形成して作られる。 Ｊの部分を抹消する。 ／７） 同明細ｖＪ第３頁第９行目の「高くなり、」
の部分を「高く、」と訂正する。 ８）同明細１１’第３頁第１０行目の「減少する。」の
部分を「少ない。」と訂正する。 ０階 同明細書第５頁第２行目のｒｓｕｓＪの部分をｒ
ｓｕｓＪと訂正する。 αａ 同明細書第５頁第１２行目の「その他に」の部分
を「その他の」き訂正する。 （１９同明細書第５頁第１４行目の「樹脂で形成した・
・・・・・貼着する。」の部分を［樹脂で透明絶縁層４
を形成する。」と訂正する。 ａｅ 同明細１第６頁＠２行目の「一時Ｊの部分を［
−次Ｊき訂正する。 （１７） 同明細１！：第６頁第４行目の「セレン系
感光体」の部分を「セレン系光導電層」と訂正する。 ａＢ 同明細書第１４頁第１９行目、第１５頁第１行
目の「照射Ｊの部分を「照射Ｊと訂正する。 （１）支持体層と、この支持体層の一方の面に設けられ
るニッケル（Ｎｉ ）よりなる導電層と、この導電層上
に設けられるセレン（Ｓｅ）系の光導電材料よりなる光
導電層と、この光導電層上に設けられる絶縁層とを具備
したことを特徴さする電子写真感光体。 （２）上記光導電層はセレンまたはハロゲンをドープし
たセレンよりなる電荷輸送層と、セレンとテルルを主要
素とする電荷発生層とにより措成され、上記電荷輸送層
を上記導電層側に設けることを特徴とする特許請求の範
囲８α１項に記載の電子写真感光体。 （３）上記光導＠層はハロゲンを４ＱＯＱＰＰＭμ下含
有するセレン系電荷輸送層を２５〜７０μの厚さになる
ように導電層に蒸着するささもに少なくともテルルを５
〜２５チ含有する電荷発生層をＯ，Ｏ，Ｓ〜５μの厚さ
になるように上記セレン系電荷輸送層に蒸着することを
特徴とする特許請求の範囲第２項記載の電子写真感光体
。 （４） 上記光導電層は基板温度５５〜６５℃で蒸着
されることを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第
３項にそれぞれに記載した電子写真感光体。
実施例を示す構造図である。 ｌ・・・支持体層 ２・・・ニッケル導電層３．
３′・・・セレン系光導電層 ３ａ・・・電荷輸送層 ３ｂ・・・電荷発生層４・・
・透明絶縁層 第１図 第２図 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿１、事件の表
示 特願昭５７−１８３８５１号 ２、発明の名称 電子写真感光体 ３、補正をする者 事件との関係特許出願人 （０３７）オリンパス光学工業株式会社４、代理人 ５、自発補正 補正の内容 １）本願特許請求の範囲を別紙の通り訂正する。 （２）本願明細書第２頁第１２行目の［誘電体フィルム
Ｊの部分を「絶縁層」と訂正する。 （３） 同明細＄第２頁第１３行目の「複写」の部分
を「形成」と訂正する。 （４）同明細書第２頁第１９行目ないし第１６行目の「
一般的に・・・・・・潜像形成プロセス中、」の部分を
［導電層、光導［層、絶縁層より構成される電子写真感
光体は、］と訂正する。 （５）同明細書第２頁第１９行目ないし末行の「同時帯
電光像露光を・・・・・・静電潜像力月の部分を［同時
帯電光像露光、全面露光を含む１稈により絶ｉｆ！層に
静電潜像が」と訂正する。 ６）同明細書ｐ４２頁末行ないし＃￥３頁第２行目の「
通常電子写真感光体は・・・・・・形成して作られる。 Ｊの部分を抹消する。 ／７） 同明細ｖＪ第３頁第９行目の「高くなり、」
の部分を「高く、」と訂正する。 ８）同明細１１’第３頁第１０行目の「減少する。」の
部分を「少ない。」と訂正する。 ０階 同明細書第５頁第２行目のｒｓｕｓＪの部分をｒ
ｓｕｓＪと訂正する。 αａ 同明細書第５頁第１２行目の「その他に」の部分
を「その他の」き訂正する。 （１９同明細書第５頁第１４行目の「樹脂で形成した・
・・・・・貼着する。」の部分を［樹脂で透明絶縁層４
を形成する。」と訂正する。 ａｅ 同明細１第６頁＠２行目の「一時Ｊの部分を［
−次Ｊき訂正する。 （１７） 同明細１！：第６頁第４行目の「セレン系
感光体」の部分を「セレン系光導電層」と訂正する。 ａＢ 同明細書第１４頁第１９行目、第１５頁第１行
目の「照射Ｊの部分を「照射Ｊと訂正する。 （１）支持体層と、この支持体層の一方の面に設けられ
るニッケル（Ｎｉ ）よりなる導電層と、この導電層上
に設けられるセレン（Ｓｅ）系の光導電材料よりなる光
導電層と、この光導電層上に設けられる絶縁層とを具備
したことを特徴さする電子写真感光体。 （２）上記光導電層はセレンまたはハロゲンをドープし
たセレンよりなる電荷輸送層と、セレンとテルルを主要
素とする電荷発生層とにより措成され、上記電荷輸送層
を上記導電層側に設けることを特徴とする特許請求の範
囲８α１項に記載の電子写真感光体。 （３）上記光導＠層はハロゲンを４ＱＯＱＰＰＭμ下含
有するセレン系電荷輸送層を２５〜７０μの厚さになる
ように導電層に蒸着するささもに少なくともテルルを５
〜２５チ含有する電荷発生層をＯ，Ｏ，Ｓ〜５μの厚さ
になるように上記セレン系電荷輸送層に蒸着することを
特徴とする特許請求の範囲第２項記載の電子写真感光体
。 （４） 上記光導電層は基板温度５５〜６５℃で蒸着
されることを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第
３項にそれぞれに記載した電子写真感光体。
Claims (5)
- （１）支持体層と、この支持体層の一方の面に設けられ
゛るニッケル（Ｎｉ ）よりなる導電層と、この導ｔ
！？ｉ上に設けられるセレン（Ｓｅ）系の光導電材料よ
りなる光導電層と、この光導電層上に設けられる絶縁層
とを具備したことを特徴とする電子写真感光体。 - （２）上記光導電層はセレンまたはノ１０ゲンをドープ
したセレンよりなる電荷輸送層と、セレンとテルルを主
要素とする電荷発生層とにより構成さイシ、上記α荷輸
送層を上記導電層側に設けることを特徴とする特許請求
の範囲ｉｉ項に記載のは子写真感光体。 - （３）上記光導電層はハロゲンを４０００ＰＰＭ以下含
有テルルを５〜２５チ含有する電荷発生１＠を０．０５
〜５μの厚さになるかうに上記セレン系心待輸送層に蒸
着することを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の電
子写真感光体。 - （４）上記光導電層は基板温度５５〜６５℃で蒸着され
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第３項
にそれぞれに記載した電子写真感光体。 - （５）上記導電層および光導電層は光導電層または絶縁
層を形成した後に３０〜６５℃の温度で熱処理を施すこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第４項にそ
れぞれに記載した電子写真感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18385182A JPS5974566A (ja) | 1982-10-20 | 1982-10-20 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18385182A JPS5974566A (ja) | 1982-10-20 | 1982-10-20 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5974566A true JPS5974566A (ja) | 1984-04-27 |
Family
ID=16142937
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18385182A Pending JPS5974566A (ja) | 1982-10-20 | 1982-10-20 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5974566A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61204637A (ja) * | 1985-03-04 | 1986-09-10 | ゼロツクス コーポレーシヨン | 多層型像形成部材 |
-
1982
- 1982-10-20 JP JP18385182A patent/JPS5974566A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61204637A (ja) * | 1985-03-04 | 1986-09-10 | ゼロツクス コーポレーシヨン | 多層型像形成部材 |
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