JPH02161640A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
- Publication number
- JPH02161640A JPH02161640A JP63315659A JP31565988A JPH02161640A JP H02161640 A JPH02161640 A JP H02161640A JP 63315659 A JP63315659 A JP 63315659A JP 31565988 A JP31565988 A JP 31565988A JP H02161640 A JPH02161640 A JP H02161640A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- heat insulating
- insulating layer
- substrate
- glass substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光ディスク、光磁気ディスク等の光記録媒体に
関するものである。
関するものである。
〔従来の技術及び発明が解決しようとする課題〕光ディ
スク、光磁気ディスクに使用される基板の材料としては
ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリカーボネ
ート（ｐｃ）等のプラスチックが一般的である。これは
、コストが低い、ガイドトラックとなるグルーブ（溝）
プレフォーマットを構成するピットの形成法がインジェ
クション工法を用いる事により、比較的容易である等の
理由による。ところが、プラスチックを基板に用いた場
合、記録膜、保護膜の成膜時における膜の応力によるソ
リの発生、あるいは吸水、透湿によるソリの発生が起こ
りやすく、トラッキング精度、書込感度、ピット・エラ
ー・レートに影響をＪｊえる。その為、基板を２枚貼り
合せ、両面タイプとする事により、記憶容量を倍増する
と共にソリの発生を抑制している。
スク、光磁気ディスクに使用される基板の材料としては
ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリカーボネ
ート（ｐｃ）等のプラスチックが一般的である。これは
、コストが低い、ガイドトラックとなるグルーブ（溝）
プレフォーマットを構成するピットの形成法がインジェ
クション工法を用いる事により、比較的容易である等の
理由による。ところが、プラスチックを基板に用いた場
合、記録膜、保護膜の成膜時における膜の応力によるソ
リの発生、あるいは吸水、透湿によるソリの発生が起こ
りやすく、トラッキング精度、書込感度、ピット・エラ
ー・レートに影響をＪｊえる。その為、基板を２枚貼り
合せ、両面タイプとする事により、記憶容量を倍増する
と共にソリの発生を抑制している。
しかしながら、近年、光磁気ディスクにおいて、実効転
送レート向上の為、オーバーライド機能が要求される様
になり、その有力な手段として、浮上型磁気ヘッドを用
いた磁界変調型オーバーライド方法が検討されている。
送レート向上の為、オーバーライド機能が要求される様
になり、その有力な手段として、浮上型磁気ヘッドを用
いた磁界変調型オーバーライド方法が検討されている。
この方法を用いた場合、磁気ヘッドと記録層の距離は数
声としなくてはならない為、必然的に単板構成を採る必
要があり、結果として、プラスチック使用による上述の
ソリの発生が再び大きな問題となる。
声としなくてはならない為、必然的に単板構成を採る必
要があり、結果として、プラスチック使用による上述の
ソリの発生が再び大きな問題となる。
一方、ソリの少ない基板として、ガラス基板が考えられ
るが、ガラスはプラスチックと比べて熱伝導率が高い為
、基板に使用した場合、一般に書込感度の大幅な低下が
起る７特に近年、上記した様に転送レートをハードディ
スク並に一トげる要求が有り、その為ディスク回転数は
２４００〜３６００ｒｐＩｌｌへと高速化しつつあり、
結果として、書込感度の増加が必要となっているので２
感度低下は大きな問題である。
るが、ガラスはプラスチックと比べて熱伝導率が高い為
、基板に使用した場合、一般に書込感度の大幅な低下が
起る７特に近年、上記した様に転送レートをハードディ
スク並に一トげる要求が有り、その為ディスク回転数は
２４００〜３６００ｒｐＩｌｌへと高速化しつつあり、
結果として、書込感度の増加が必要となっているので２
感度低下は大きな問題である。
ガラス基板な用いた従来のディスク構成としては、（ａ
）ガラス基板＋２Ｐ（フォＩ−ポリマー）樹脂によるも
の、（ｂ）シャープタイプのものが代表的である。（ａ
）のタイプでは、ガイド１−ラック、ブレフォーマツ１
−はスタンパ−により２Ｐ樹脂に形成される。このタイ
プの欠点はスタンパ−工法（２Ｐ法）の為、斌産性に欠
けること、又２１）樹脂が記録膜を劣化させる場合があ
ることである。一方、（ｂ）のタイプのものは多層膜の
干渉効果が大きく、光の吸収が大ぎい為、一般の構成（
磁性膜の表面で光が反射し、カー効果を利用するタイプ
）のものと比べると、ガラス基板を使用しているにもか
かわらず、感度はプラスチック基板を用いた一般構成の
ものと同程度である７しかし、高速回転した時は同様に
感度は低下し、さらに感度増加の構成が必要とされる。
）ガラス基板＋２Ｐ（フォＩ−ポリマー）樹脂によるも
の、（ｂ）シャープタイプのものが代表的である。（ａ
）のタイプでは、ガイド１−ラック、ブレフォーマツ１
−はスタンパ−により２Ｐ樹脂に形成される。このタイ
プの欠点はスタンパ−工法（２Ｐ法）の為、斌産性に欠
けること、又２１）樹脂が記録膜を劣化させる場合があ
ることである。一方、（ｂ）のタイプのものは多層膜の
干渉効果が大きく、光の吸収が大ぎい為、一般の構成（
磁性膜の表面で光が反射し、カー効果を利用するタイプ
）のものと比べると、ガラス基板を使用しているにもか
かわらず、感度はプラスチック基板を用いた一般構成の
ものと同程度である７しかし、高速回転した時は同様に
感度は低下し、さらに感度増加の構成が必要とされる。
本発明はこのような従来技術の問題点に鑑みてなされた
もので、記録感度が改善され、磁界変調型オーバライド
方法に適合する光記録媒体を提供することを目的どする
。
もので、記録感度が改善され、磁界変調型オーバライド
方法に適合する光記録媒体を提供することを目的どする
。
〔課題を解決するための手段及び作用〕上記目的を達成
するため、本発明によれば、基板−Ｆに少なくとも記録
層を設けてなる光記録媒体において、前記基板がガイド
トラック用グルーブあるいはピット及びプ１ノフォーマ
ットの形成されたガラス基板からなり、かつ、前記基板
上に直接断熱層が設けられていることを特徴とする光記
録媒体が提供される。
するため、本発明によれば、基板−Ｆに少なくとも記録
層を設けてなる光記録媒体において、前記基板がガイド
トラック用グルーブあるいはピット及びプ１ノフォーマ
ットの形成されたガラス基板からなり、かつ、前記基板
上に直接断熱層が設けられていることを特徴とする光記
録媒体が提供される。
次に本発明を図面により更に詳述する。
第１図は本発明を光磁気ディスクに適用した場合の構成
例を示す断面図、第２図は従来の光磁気ディスクの一般
的な構成を示す断面図である。
例を示す断面図、第２図は従来の光磁気ディスクの一般
的な構成を示す断面図である。
第２図に示すように、従来の光磁気ディスクはグルーブ
及びプレフォーマット付プラスチック基板りｌ上に、基
板側からの水、ｒ′１１素の侵入を防ぐと共に磁低光学
効果を高める為の高ＪＩｌ折率誘電体層１２ケ設け、そ
の−１−に磁性層（光ａ！ｉ気記録層）１３、さらにそ
の上に保護層１４をそれぞれ設けた構成となっている０
図中１５はグルーブを示す。
及びプレフォーマット付プラスチック基板りｌ上に、基
板側からの水、ｒ′１１素の侵入を防ぐと共に磁低光学
効果を高める為の高ＪＩｌ折率誘電体層１２ケ設け、そ
の−１−に磁性層（光ａ！ｉ気記録層）１３、さらにそ
の上に保護層１４をそれぞれ設けた構成となっている０
図中１５はグルーブを示す。
これに対し、本発明による光磁気ディスクはグルーブ及
びブレフォーマツ１へ付ガラス基板１１〕に断熱層２を
直接設け、その１−に高屈折率誘電体層：３゜磁性層（
光磁気記録層）４、保護Ｊｔ’１５夕順次積ＪＭ ｌ、
丁構成されている。図中６はグルーブを示す７断熱Ｊｆ
ｆｆ２に使用される材料は、磁性層４の蓄熱効果を十分
に高める為、熱伝導率がプラスチック基板程度に小さい
もの、すなわちＩ Ｘ １０−’ｃａｎ／ｓｅｅ・℃・
■以下のものが望ましい、このような材料としてはポリ
エチレン、フッ素樹脂等の有機高分子膜が適当である。
びブレフォーマツ１へ付ガラス基板１１〕に断熱層２を
直接設け、その１−に高屈折率誘電体層：３゜磁性層（
光磁気記録層）４、保護Ｊｔ’１５夕順次積ＪＭ ｌ、
丁構成されている。図中６はグルーブを示す７断熱Ｊｆ
ｆｆ２に使用される材料は、磁性層４の蓄熱効果を十分
に高める為、熱伝導率がプラスチック基板程度に小さい
もの、すなわちＩ Ｘ １０−’ｃａｎ／ｓｅｅ・℃・
■以下のものが望ましい、このような材料としてはポリ
エチレン、フッ素樹脂等の有機高分子膜が適当である。
そして断熱層２は５００〜５０００人、望ましくは２０
００人程度の膜厚に形成されろ９成膜法は、グル・−ブ
、ブレフォーマツ１−の形状を変えずに有機高分子膜登
堆積する必要が有る為（最終的には高屈折率誘電体層３
と磁性層４の界面形状がガラス基板１−１−のグルーブ
、ブ［／フォーマット・形状と同じである事が望ましい
）、プラズマ重合法が好ましい。プラズマ重合法によれ
ば、ビンポールの少ない緻密な有機高分子膜を作成でき
る。そしてこの膜は３次元的にネットされる為、軟化点
も高い良好な膜となる６又、同方法によれば、グルーブ
、ブレフォーマツｌ−の形状を変えずに数千人の膜の堆
積が可能である。
００人程度の膜厚に形成されろ９成膜法は、グル・−ブ
、ブレフォーマツ１−の形状を変えずに有機高分子膜登
堆積する必要が有る為（最終的には高屈折率誘電体層３
と磁性層４の界面形状がガラス基板１−１−のグルーブ
、ブ［／フォーマット・形状と同じである事が望ましい
）、プラズマ重合法が好ましい。プラズマ重合法によれ
ば、ビンポールの少ない緻密な有機高分子膜を作成でき
る。そしてこの膜は３次元的にネットされる為、軟化点
も高い良好な膜となる６又、同方法によれば、グルーブ
、ブレフォーマツｌ−の形状を変えずに数千人の膜の堆
積が可能である。
高屈折率誘電体層３は、 ＳｉＯ，ＳｊＮ、ＡＱＮ、Ａ
ＱＮＯ，アモルファス、Ｓｉ等の誘電材料を用いスパッ
タ法、蒸着法、イオンブレーティング法等により５００
〜２０００人の膜厚に形成される。、：１１．ら誘電材
料の屈折率は２．０以上であるのが好ましい。
ＱＮＯ，アモルファス、Ｓｉ等の誘電材料を用いスパッ
タ法、蒸着法、イオンブレーティング法等により５００
〜２０００人の膜厚に形成される。、：１１．ら誘電材
料の屈折率は２．０以上であるのが好ましい。
磁性層３はＴｂＦｅ、ＤｙＦｃ、１’ｈＦｅＣｏ、Ｄｙ
Ｆ’ｅＣｏ、ＧｄＦｅＣｎ。
Ｆ’ｅＣｏ、ＧｄＦｅＣｎ。
ＴｂＤｙＦｅＣｏ 、 ＧｄＤｙＦｅＣｏ 、 ＧｄＴ
ｂＦｅＣｏ等の遷移金属−希土類金属アモルファス合金
等を用い、スパッタ法、蒸着法等により５００〜２００
０人の膜厚に形成され、る。
ｂＦｅＣｏ等の遷移金属−希土類金属アモルファス合金
等を用い、スパッタ法、蒸着法等により５００〜２００
０人の膜厚に形成され、る。
保護層５としては５ｉｎ２．ＳｉＯ，ＳｉＮ、ＡＱＮＯ
等の無機膜あるいはＵＶ樹脂等の有機膜を５００人〜５
戸の膜ノＩＪで。
等の無機膜あるいはＵＶ樹脂等の有機膜を５００人〜５
戸の膜ノＩＪで。
又はこれら双方の膜をそ才しぞれ前記膜厚で形成する。
無機膜の場合は高屈折率誘電体層３と同様の成膜方法が
使用され、有機膜の場合にはスピンコード法、ロールコ
ータ−・法等の成膜方法が使用される。
使用され、有機膜の場合にはスピンコード法、ロールコ
ータ−・法等の成膜方法が使用される。
次に、断熱層２の作用について説明する。
第１図において基板１側からレーザー光を磁性層４にフ
オーカツシングする様に照射すると、磁性＃４は４０〜
５部の吸収率を持つ為発熱し、キュリー温度近辺に上昇
すると同時に、バイアス磁場を印加する事により書込が
行なわオする。ここで断熱層２が無い場合を考えると、
基板１はガラスの為、磁性層４の発熱過程において、プ
ラスチックと比べて基板１への熱の拡散が大きくなり、
書込に必要なレーザーパワーは余分に必要となる。この
場合。
オーカツシングする様に照射すると、磁性＃４は４０〜
５部の吸収率を持つ為発熱し、キュリー温度近辺に上昇
すると同時に、バイアス磁場を印加する事により書込が
行なわオする。ここで断熱層２が無い場合を考えると、
基板１はガラスの為、磁性層４の発熱過程において、プ
ラスチックと比べて基板１への熱の拡散が大きくなり、
書込に必要なレーザーパワーは余分に必要となる。この
場合。
高屈折率誘電体層３が基板１との間に介在するが、この
誘電体層３には前記の様に一般に無機材料を用いる為、
熱伝導率はガラス程度であり、その断熱効果は期待出来
ない。ガラス基板を用いる事によるレーザ・−パワーの
増加分は一般に５０〜７０％にもなる。そこで本発明に
よる光磁気ディスクにおいで設けた断熱Ｍ２はその小さ
い熱伝導率によって、磁性層４の発熱過程における基板
１への熱拡散を抑制し、磁性層４の蓄熱効果を高めるよ
うに作用する。したがって、ガラス基板の使用にもかか
わらずプラスチック基板波の記録感度を得る事が可能と
なる。
誘電体層３には前記の様に一般に無機材料を用いる為、
熱伝導率はガラス程度であり、その断熱効果は期待出来
ない。ガラス基板を用いる事によるレーザ・−パワーの
増加分は一般に５０〜７０％にもなる。そこで本発明に
よる光磁気ディスクにおいで設けた断熱Ｍ２はその小さ
い熱伝導率によって、磁性層４の発熱過程における基板
１への熱拡散を抑制し、磁性層４の蓄熱効果を高めるよ
うに作用する。したがって、ガラス基板の使用にもかか
わらずプラスチック基板波の記録感度を得る事が可能と
なる。
次に本発明の実施例について説明する。
平行平板電極型プラズマ重合装置を用い、アース電極側
にグルーブ及びプレフォーマット付きのガラス基板（直
径１３０ｍｍ＋、厚さ１ 、２ ｍ ）を配置した。
にグルーブ及びプレフォーマット付きのガラス基板（直
径１３０ｍｍ＋、厚さ１ 、２ ｍ ）を配置した。
そしてチャンバーを１０″”Ｐａの真空度にした後、エ
チレンガスを電極間の中央横より７５ＳＴＰｅｃ／ｗｉ
ｎの流量で流し、ガス圧１００Ｐａ、放電電力５０Ｖ、
１３゜５６Ｍ）ｌｚの周波数でポリエチレン・プラズマ
重合膜ｔ １ｓｏｏ人堆積させ、断熱層を形成した。次
に、ＲＦマグネトロンスパッタ装置において断熱層上に
高屈折率誘電体層としてＳｉＮ膜を７００人の膜厚に設
け、さらにその上に同装置で磁性層としてＴｂＤｙＦｅ
Ｃ０膜を８００人の膜厚に設け、さらに無機保：Ｓ層と
してＳｉＮ膜を７００人の膜ノヴに設けた。この上にさ
らに有機保護層としてＵＶ樹脂（大１本インキ製５Ｄ−
１７）をスピンコード法により１０４の厚さに塗布形成
し、単板構成の光磁気ディスクを作成した。
チレンガスを電極間の中央横より７５ＳＴＰｅｃ／ｗｉ
ｎの流量で流し、ガス圧１００Ｐａ、放電電力５０Ｖ、
１３゜５６Ｍ）ｌｚの周波数でポリエチレン・プラズマ
重合膜ｔ １ｓｏｏ人堆積させ、断熱層を形成した。次
に、ＲＦマグネトロンスパッタ装置において断熱層上に
高屈折率誘電体層としてＳｉＮ膜を７００人の膜厚に設
け、さらにその上に同装置で磁性層としてＴｂＤｙＦｅ
Ｃ０膜を８００人の膜厚に設け、さらに無機保：Ｓ層と
してＳｉＮ膜を７００人の膜ノヴに設けた。この上にさ
らに有機保護層としてＵＶ樹脂（大１本インキ製５Ｄ−
１７）をスピンコード法により１０４の厚さに塗布形成
し、単板構成の光磁気ディスクを作成した。
この光磁気ディスクを回転速度１８００ｒｐｍで半径４
５冊の位′ｅ１．（線速＝８．５ｍ／ｓ）で書込んだ所
、最適パワー（２次高調波が最小となる書込レーザーパ
ワー）は４゜９ＩＩ１ｗであり、断熱層を除いては構成
が同じであるプラスチック基板を用いた光磁気ディスク
と同程度であった。又、断熱層を有しないガラス基板デ
ィスク（他の層構成は本実施例と同じ）での最適パワー
は７゜１． ｍ Ｗであった。
５冊の位′ｅ１．（線速＝８．５ｍ／ｓ）で書込んだ所
、最適パワー（２次高調波が最小となる書込レーザーパ
ワー）は４゜９ＩＩ１ｗであり、断熱層を除いては構成
が同じであるプラスチック基板を用いた光磁気ディスク
と同程度であった。又、断熱層を有しないガラス基板デ
ィスク（他の層構成は本実施例と同じ）での最適パワー
は７゜１． ｍ Ｗであった。
以−Ｊ二詳細に説明したように、本発明によれば、ガラ
ス基板上に直接断熱層を設けたので、レーザーによる記
録層の蓄熱効果が高まり、プラスチック基板波の記録感
度を得る事が可能となる９従って、磁界変調型オーバー
ライド法に好適な光記録媒体の提供が可能となる。
ス基板上に直接断熱層を設けたので、レーザーによる記
録層の蓄熱効果が高まり、プラスチック基板波の記録感
度を得る事が可能となる９従って、磁界変調型オーバー
ライド法に好適な光記録媒体の提供が可能となる。
第１図は本発明による光磁気ディスクの構成例を示す断
面図、第２図は従来の一般の光磁気ディスクの構成を示
す断面図である。 １・・・ガラス基板 ２・・・断熱層 ；３・・・高屈折率誘電体層 ４・・・磁性層 ５・・・保護層
面図、第２図は従来の一般の光磁気ディスクの構成を示
す断面図である。 １・・・ガラス基板 ２・・・断熱層 ；３・・・高屈折率誘電体層 ４・・・磁性層 ５・・・保護層
Claims (1)
- （１）基板上に少なくとも記録層を設けてなる光記録媒
体において、前記基板がガイドトラック用グルーブある
いはピット及びプレフォーマットの形成されたガラス基
板からなり、かつ、前記基板上に直接断熱層が設けられ
ていることを特徴とする光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63315659A JPH02161640A (ja) | 1988-12-14 | 1988-12-14 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63315659A JPH02161640A (ja) | 1988-12-14 | 1988-12-14 | 光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02161640A true JPH02161640A (ja) | 1990-06-21 |
Family
ID=18068037
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63315659A Pending JPH02161640A (ja) | 1988-12-14 | 1988-12-14 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02161640A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04318344A (ja) * | 1991-04-16 | 1992-11-09 | Hitachi Maxell Ltd | 光磁気記録媒体およびそのドライブ装置 |
| CN103354938A (zh) * | 2011-02-23 | 2013-10-16 | 松下电器产业株式会社 | 光学信息记录介质及光学信息记录装置 |
-
1988
- 1988-12-14 JP JP63315659A patent/JPH02161640A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04318344A (ja) * | 1991-04-16 | 1992-11-09 | Hitachi Maxell Ltd | 光磁気記録媒体およびそのドライブ装置 |
| CN103354938A (zh) * | 2011-02-23 | 2013-10-16 | 松下电器产业株式会社 | 光学信息记录介质及光学信息记录装置 |
| US20130329541A1 (en) * | 2011-02-23 | 2013-12-12 | Kenji Narumi | Optical information recording medium and optical information recording device |
| US8879376B2 (en) * | 2011-02-23 | 2014-11-04 | Panasonic Corporation | Optical information recording medium and optical information recording device |
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