JPH02162745A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH02162745A
JPH02162745A JP63317975A JP31797588A JPH02162745A JP H02162745 A JPH02162745 A JP H02162745A JP 63317975 A JP63317975 A JP 63317975A JP 31797588 A JP31797588 A JP 31797588A JP H02162745 A JPH02162745 A JP H02162745A
Authority
JP
Japan
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layer
hole
chip
metal layer
deposited
Prior art date
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Pending
Application number
JP63317975A
Other languages
English (en)
Inventor
Katsunobu Yoshimura
吉村　克信
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Publication of JPH02162745A publication Critical patent/JPH02162745A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/90—Bond pads, in general
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/90—Bond pads, in general
    • H10W72/931—Shapes of bond pads
    • H10W72/932—Plan-view shape, i.e. in top view

Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分腎〕 本発明は半導体装置に関し、特にボンディングバットを
有する半導体装置に関する。
〔従来の技術〕
従来の半導体装置は、第２図に示すように、半導体に設
けた回路形成領域８の周囲に設けた周縁部のボンディン
グバット７を設けていた。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来の半導体装置は、半導体チップの周縁部に
ボンディングバットが作られている為、半導体チップに
設けた回路形成領域の周囲にボンディングバットの形成
領域を設けなければならず、ボンディングバットの大き
さは約１００μｍ角もある為、それによるチップ面積の
増大は大変な量になっていた。最近は微細化が進み歩留
向上が非常に難しくなっていることを考慮するとボンデ
ィングバットの為にチップサイズが増大することは、非
常に無駄なことである。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の半導体装置は半導体チップ表面の回路形成領域
から半導体基板を貫通して設けた貫通孔内に導電層を設
けて半導体チップの裏面に配線をのばしそこにボンディ
ングバットを設けるという構造を有している。
〔実施例〕
次に５本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例の製造方法ご
説明するための工程順に示した半導体チップの断面図で
ある。
まず、第１図（ａ）に示すように、半導体基板１の上に
フィールド絶縁膜２を形成した半導体チップの周縁部に
選択的に異方性ドライエツチング法を用いて貫通孔３を
設ける。
次に、第１図（ｂ）に示すように、熱酸化法を用いて貫
通孔３の内壁を含む半導体基板１の表面に酸化膜４を形
成する。
次に、第１図（ｃ）に示すように、貫通孔３を含む全面
に硅化タングステン層５を堆積した後選択的にエツチン
グして貫通孔３の内壁にのみ硅化タングステン層５を残
して貫通孔３に導電層を設ける。
次に、第１図（ｄ）に示すように、フィールド絶縁膜２
の上に金属層を堆積し、これをパターニングして硅化タ
ングステン層５と接続する配線６を設ける０次に、半導
体基板１の裏面に金属層を堆積し、これをパターニング
して硅化タングステン層５と接続するボンディングパッ
ト７を形成し、表面の配線６と貫通孔３の硅化タングス
テン層５を介して電気的に接続する半導体基板１の裏面
のボンディングパッド７を得る。
ここで、硅化タングステン層５の代りに硅化チタン、硅
化モリブデン又はドープド多結晶シリコンを用いても良
い。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、半導体チップ上で非常に
面積を占有するボンディングバットを半導体チップの裏
面に形成することにより、チップサイズが小さくなり、
１ウエーハあたりの良品チップ数を増加させ原価低減に
大きな効果をおよぼす。
【図面の簡単な説明】
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例の製造方法を
説明するための工程順に示した半導体チップの断面図、
第２図は従来の半導体装置の一例を示す半導体チップの
平面図である。 １・・・半導体基板、２・・・フィールド絶縁膜、３・
・・貫通孔、４・・・酸化膜、５・・・硅化タングステ
ン層、６・・・配線、７・・・ボンディングパッド、８
・・・回路形成領域、９・・・周縁部。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 素子領域を有する半導体基板の上面に設けたフィールド
    絶縁膜と、前記フィールド絶縁膜及び前記半導体基板を
    貫通して設けた貫通孔と、前記貫通孔の内壁を含む表面
    に設けた絶縁膜と、前記貫通孔内に設けた導電層と、前
    記導電層の上端と接続し前記フィールド絶縁膜上に設け
    た配線と、前記導電層の下端と接続し前記半導体基板の
    底面に設けたボンディングパッドとを有することを特徴
    とする半導体装置。
JP63317975A 1988-12-15 1988-12-15 半導体装置 Pending JPH02162745A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103227117A (zh) * 2013-04-15 2013-07-31 江阴长电先进封装有限公司 一种硅基转接板的封装方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5336185A (en) * 1976-09-16 1978-04-04 Seiko Epson Corp Electrode lead-out method of semiconductor integrated circuit

Patent Citations (1)

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