JPH021629B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH021629B2 JPH021629B2 JP3827682A JP3827682A JPH021629B2 JP H021629 B2 JPH021629 B2 JP H021629B2 JP 3827682 A JP3827682 A JP 3827682A JP 3827682 A JP3827682 A JP 3827682A JP H021629 B2 JPH021629 B2 JP H021629B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- processed
- chipping
- hard
- grinding
- machining
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B1/00—Processes of grinding or polishing; Use of auxiliary equipment in connection with such processes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、硬脆加工材料を研削加工するとき
に発生するチツピングを防止する硬脆材料におけ
るチツピング防止加工方法に関する。
に発生するチツピングを防止する硬脆材料におけ
るチツピング防止加工方法に関する。
一般に窒化シリコンなどのセラミツクス、硝
子、シリコンなどの半導体素材である、硬脆加工
材料を加工（凹部加工、孔あけ加工等）するとき
には能率に優れる砥石を用いた研削加工が採用さ
れる。この研削加工では第１図で示すように硬脆
加工材料ａの被加工部ｂのエツジが集中応力で欠
ける、いわゆるチツピングｃ，ｃが発生しやすい
問題を有している。このようなチツピングｃ，ｃ
が発生すると、被加工部ｂにおける寸法形状およ
び精度が損なわれ所要の部品としての機能を失つ
てしまう。このことから研削加工分野ではいかに
チツピングｃ，ｃの発生を防止するかが課題とさ
れている。しかしながら、従来からチツピング
ｃ，ｃの発生は避けられないものと考えられ、従
来では以下に述べるチツピング防止加工方法が採
られている。
子、シリコンなどの半導体素材である、硬脆加工
材料を加工（凹部加工、孔あけ加工等）するとき
には能率に優れる砥石を用いた研削加工が採用さ
れる。この研削加工では第１図で示すように硬脆
加工材料ａの被加工部ｂのエツジが集中応力で欠
ける、いわゆるチツピングｃ，ｃが発生しやすい
問題を有している。このようなチツピングｃ，ｃ
が発生すると、被加工部ｂにおける寸法形状およ
び精度が損なわれ所要の部品としての機能を失つ
てしまう。このことから研削加工分野ではいかに
チツピングｃ，ｃの発生を防止するかが課題とさ
れている。しかしながら、従来からチツピング
ｃ，ｃの発生は避けられないものと考えられ、従
来では以下に述べるチツピング防止加工方法が採
られている。
すなわち、砥石の切り込み量を少なくする、砥
石の送りを少なくするとかの変更、あるいは研削
加工を避けて遊離砥粒によるラツピング、ポリシ
リング、噴射加工で加工する技術が講じられてい
る。
石の送りを少なくするとかの変更、あるいは研削
加工を避けて遊離砥粒によるラツピング、ポリシ
リング、噴射加工で加工する技術が講じられてい
る。
しかしながら、このようなチツピング防止加工
方法の技術によると、砥石の切り込み量および送
りを少なくする加工方法では加工能率の低下が余
儀なくされ、また遊離砥粒を用いた加工方法では
チツピングの発生を防止することができても、反
面加工能率が同様に低下してしまうといつた問題
があり、いずれも有効なものではなかつた。
方法の技術によると、砥石の切り込み量および送
りを少なくする加工方法では加工能率の低下が余
儀なくされ、また遊離砥粒を用いた加工方法では
チツピングの発生を防止することができても、反
面加工能率が同様に低下してしまうといつた問題
があり、いずれも有効なものではなかつた。
この発明は上記事情に着目してなされたもので
その目的とするところは、チツピングの発生を伴
うことなく高能率に硬脆加工材料を研削加工する
ことができる硬脆材料におけるチツピング防止加
工方法を提供することにある。
その目的とするところは、チツピングの発生を伴
うことなく高能率に硬脆加工材料を研削加工する
ことができる硬脆材料におけるチツピング防止加
工方法を提供することにある。
この発明は、硬脆加工材料の被加工部を除く面
部にマスク部材をマスキングしたのち、被加工部
を遊離砥粒による加工で微小除去加工し、その後
その微小除去加工した部分を通じ被加工部を研削
加工することで、研削加工をチツピングの発生す
る原因となるエツジを有することなく行なえるよ
うにし、チツピングを生じることなく高能率の加
工を達成しようとするものである。
部にマスク部材をマスキングしたのち、被加工部
を遊離砥粒による加工で微小除去加工し、その後
その微小除去加工した部分を通じ被加工部を研削
加工することで、研削加工をチツピングの発生す
る原因となるエツジを有することなく行なえるよ
うにし、チツピングを生じることなく高能率の加
工を達成しようとするものである。
以下、この発明の加工方法をたとえばガラスプ
レートの凹部加工に適用して説明する。
レートの凹部加工に適用して説明する。
第２図中１は板状の硝子で構成された硬脆加工
材料であるプレートで、このプレート１の一側面
には一実鎖線で示す矩形状の被加工部１ａが設定
されている。そして、この被加工部１ａを凹部加
工することになる。この加工を行なうときには、
まずプレート１の被加工部１ａを除く側の面部に
たとえばアルミ製あるいは弾性体からなるマスク
部材２を接着し、第３図ａで示すようにプレート
１をマスキングする。こののち、このプレート１
上の被加工部１ａを遊離砥粒による加工であるド
ライ（液体）ホーニングなどの噴射加工でチツピ
ングが起きない程度、たとえば100μｍ、第３図
ｂで示すように微小除去加工し、荒取りする。こ
こで、こうした加工に際し、第６図に示すように
被加工物１ａのエツジ５がマスク部材２の端面か
ら外方に突き出て露出してしまつては次の研削加
工を行なうとき、そのエツジ部分に応力が集中し
てチツピングを発生してしまうが、先に述べたよ
うな遊離砥粒を使つた加工を行なうと、マスク部
材２を遮蔽部として、被加工部１ａの表面が加工
されるから、第３図ｂで示すように、マスク部材
２の端面と被加工部１ａの端面とが面一となつた
状態、つまりエツジ５を生じない微小除去加工が
行なわれることになる。なお、３は噴射ノズルで
ある。その後、能力のよいたとえば砥石４を用い
た研削加工で第３図ｃで示すように微小除去加工
した部分１ｂを通して被加工部１ａを凹部状に中
仕上げする。この中仕上げのときもエツジ５は先
の遊離砥粒を使用した加工のときと同様露出しな
い。ついで、ラツピングなどで最終仕上加工を行
なえば第４図で示す所要の深さ、寸法精度を有し
た凹部加工が行なわれる。
材料であるプレートで、このプレート１の一側面
には一実鎖線で示す矩形状の被加工部１ａが設定
されている。そして、この被加工部１ａを凹部加
工することになる。この加工を行なうときには、
まずプレート１の被加工部１ａを除く側の面部に
たとえばアルミ製あるいは弾性体からなるマスク
部材２を接着し、第３図ａで示すようにプレート
１をマスキングする。こののち、このプレート１
上の被加工部１ａを遊離砥粒による加工であるド
ライ（液体）ホーニングなどの噴射加工でチツピ
ングが起きない程度、たとえば100μｍ、第３図
ｂで示すように微小除去加工し、荒取りする。こ
こで、こうした加工に際し、第６図に示すように
被加工物１ａのエツジ５がマスク部材２の端面か
ら外方に突き出て露出してしまつては次の研削加
工を行なうとき、そのエツジ部分に応力が集中し
てチツピングを発生してしまうが、先に述べたよ
うな遊離砥粒を使つた加工を行なうと、マスク部
材２を遮蔽部として、被加工部１ａの表面が加工
されるから、第３図ｂで示すように、マスク部材
２の端面と被加工部１ａの端面とが面一となつた
状態、つまりエツジ５を生じない微小除去加工が
行なわれることになる。なお、３は噴射ノズルで
ある。その後、能力のよいたとえば砥石４を用い
た研削加工で第３図ｃで示すように微小除去加工
した部分１ｂを通して被加工部１ａを凹部状に中
仕上げする。この中仕上げのときもエツジ５は先
の遊離砥粒を使用した加工のときと同様露出しな
い。ついで、ラツピングなどで最終仕上加工を行
なえば第４図で示す所要の深さ、寸法精度を有し
た凹部加工が行なわれる。
しかして、チツピングを発生しやすいとされる
研削加工は、あらかじめ噴射加工によつて切り込
まれた微小除去加工部を通して行なわれることに
なり、応力の集中の原困となるエツジ５の露出が
ない状態で所要の研削加工を達成することができ
るようになる。
研削加工は、あらかじめ噴射加工によつて切り込
まれた微小除去加工部を通して行なわれることに
なり、応力の集中の原困となるエツジ５の露出が
ない状態で所要の研削加工を達成することができ
るようになる。
したがつて、能率の優れた研削加工を用いて、
エツジ５にチツピングを生じることなくプレート
１を高能率に加工することができる。
エツジ５にチツピングを生じることなくプレート
１を高能率に加工することができる。
なお、上述した実施例では遊離砥粒による加工
に噴射加工を採用したが、ラツピング、エツチン
グなどの加工を用いても同様である。
に噴射加工を採用したが、ラツピング、エツチン
グなどの加工を用いても同様である。
また上述した実施例ではこの発明を凹部加工に
採用したが、孔あけ加工にも適用できることはい
うまでもない。なお、第５図ａ，ｂ，ｃに孔あけ
の際の加工手順を示す。但し、第５図ａ，ｂ，ｃ
において上述した実施例と同一構成部品は同一番
号を附してその説明を省略した。
採用したが、孔あけ加工にも適用できることはい
うまでもない。なお、第５図ａ，ｂ，ｃに孔あけ
の際の加工手順を示す。但し、第５図ａ，ｂ，ｃ
において上述した実施例と同一構成部品は同一番
号を附してその説明を省略した。
以上説明したようにこの発明によれば、被加工
部を除く硬脆加工材料の面部にマスキングを施し
て遊離砥粒による加工で被加工部を微小除去加工
したのち、能率に優れる研削加工で微小除去加工
部分を通して被加工部を加工するようにしたか
ら、応力の集中の伴うエツジのない状態で所要の
研削加工を達成することができるようになる。
部を除く硬脆加工材料の面部にマスキングを施し
て遊離砥粒による加工で被加工部を微小除去加工
したのち、能率に優れる研削加工で微小除去加工
部分を通して被加工部を加工するようにしたか
ら、応力の集中の伴うエツジのない状態で所要の
研削加工を達成することができるようになる。
したがつて、チツピングを生じることなく研削
加工で硬脆加工材料を高能率で加工することがで
きるものである。
加工で硬脆加工材料を高能率で加工することがで
きるものである。
第１図は従来の硬脆加工材料における研削加工
のチツピングの発生を指摘説明した説明図、第２
図はこの発明の一実施例にかかる硬脆加工材料を
示す斜視図、第３図ａ，ｂ，ｃはこの発明の一実
施例のチツピング防止加工方法を方法推移に沿つ
て説明した説明図、第４図はその加工方法を終え
たときの硬脆加工材料を示す斜視図、第５図ａ，
ｂ，ｃはこの発明を孔あけ加工に適用した他の実
施例を方法推移とともに示す説明図、第６図はエ
ツジの露出を示す断面図である。 １……プレート（硬脆加工材料）、１ａ……被
加工部、２……マスク部材、３……噴射ノズル
（遊離砥粒による加工）、４……砥石（研削加工）、
５……エツジ。
のチツピングの発生を指摘説明した説明図、第２
図はこの発明の一実施例にかかる硬脆加工材料を
示す斜視図、第３図ａ，ｂ，ｃはこの発明の一実
施例のチツピング防止加工方法を方法推移に沿つ
て説明した説明図、第４図はその加工方法を終え
たときの硬脆加工材料を示す斜視図、第５図ａ，
ｂ，ｃはこの発明を孔あけ加工に適用した他の実
施例を方法推移とともに示す説明図、第６図はエ
ツジの露出を示す断面図である。 １……プレート（硬脆加工材料）、１ａ……被
加工部、２……マスク部材、３……噴射ノズル
（遊離砥粒による加工）、４……砥石（研削加工）、
５……エツジ。
Claims (1)
- １ 被加工部を有した硬脆加工材料の上記被加工
部を除く面部にマスク部材を付着するマスキング
工程と、上記マスキング工程後に上記被加工部に
遊離砥粒を噴射し微小除去加工する噴射加工工程
と、上記噴射加工工程後に上記微小除去加工され
た被加工部を研削加工する研削加工工程とからな
ることを特徴とする硬脆材料におけるチツピング
防止加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3827682A JPS58155157A (ja) | 1982-03-11 | 1982-03-11 | 硬脆材料におけるチツピング防止加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3827682A JPS58155157A (ja) | 1982-03-11 | 1982-03-11 | 硬脆材料におけるチツピング防止加工方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58155157A JPS58155157A (ja) | 1983-09-14 |
| JPH021629B2 true JPH021629B2 (ja) | 1990-01-12 |
Family
ID=12520781
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3827682A Granted JPS58155157A (ja) | 1982-03-11 | 1982-03-11 | 硬脆材料におけるチツピング防止加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58155157A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4918229B2 (ja) * | 2005-05-31 | 2012-04-18 | 信越半導体株式会社 | 貼り合わせウエーハの製造方法 |
| JP5023113B2 (ja) * | 2009-07-31 | 2012-09-12 | ブリヂストンプラントエンジニアリング株式会社 | 薄板ガラスの加工装置 |
| JP5653234B2 (ja) * | 2011-01-21 | 2015-01-14 | 株式会社ディスコ | 硬質基板の研削方法 |
-
1982
- 1982-03-11 JP JP3827682A patent/JPS58155157A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58155157A (ja) | 1983-09-14 |
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