JPH02163374A - 真空蒸着における膜厚値の判定方法 - Google Patents
真空蒸着における膜厚値の判定方法Info
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- JPH02163374A JPH02163374A JP31849888A JP31849888A JPH02163374A JP H02163374 A JPH02163374 A JP H02163374A JP 31849888 A JP31849888 A JP 31849888A JP 31849888 A JP31849888 A JP 31849888A JP H02163374 A JPH02163374 A JP H02163374A
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Landscapes
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、真空蒸着制御装置における光電測光器の光度
測定値の処理方法に関するものである。
測定値の処理方法に関するものである。
（従来の技術）
従来、このような分野の技術としては、例えば以下に示
すようなものがあった。
すようなものがあった。
真空蒸着における蒸平膜の光電測光器による光度測定軌
跡は第７図に示すようになる。
跡は第７図に示すようになる。
従来の蒸着制御方法においては、第７図の極大点Ｍａ１
． Ｈａｓ ＝・、極小点旧＋ ＊ Ｍｉｌ ＝の測定
方法として光度値をコンピュータを用い周期的に測定し
、極大点、つまり、光度測定値が前の値より小さくなっ
た場合と、極小点、つまり、光度測定値が前の値より大
きくなった場合を測定し、蒸着膜の形成状況を測定する
ようにしていた。ここでは、多層蒸着ＺｎＳ 、 ｈｇ
！’、膜で波長λ−５５０ｎｍである。
． Ｈａｓ ＝・、極小点旧＋ ＊ Ｍｉｌ ＝の測定
方法として光度値をコンピュータを用い周期的に測定し
、極大点、つまり、光度測定値が前の値より小さくなっ
た場合と、極小点、つまり、光度測定値が前の値より大
きくなった場合を測定し、蒸着膜の形成状況を測定する
ようにしていた。ここでは、多層蒸着ＺｎＳ 、 ｈｇ
！’、膜で波長λ−５５０ｎｍである。
（発明が解決しようとする！ＩＩ）
しかしながら、光電測光器の信号をＡ／Ｄコンバータを
通して、コンピュータで読み込む場合、信号値にノイズ
成分があると、前述の極大点、極小点の判定を誤ってし
まう。
通して、コンピュータで読み込む場合、信号値にノイズ
成分があると、前述の極大点、極小点の判定を誤ってし
まう。
本発明は、以上述べたノイズによる極大点、極小点の誤
判定という問題点を除去し、光電測定器の読込値軌跡の
極大点、極小点を正確に判定することができる真空蒸着
における膜厚値の判定方法を提供することを目的とする
。
判定という問題点を除去し、光電測定器の読込値軌跡の
極大点、極小点を正確に判定することができる真空蒸着
における膜厚値の判定方法を提供することを目的とする
。
（！！Ｉ！題を解決するための手段）
本発明は、上記問題点を解決するために、真空蒸着にお
ける膜厚値の判定方法において、光電測光器の光度測定
値による真空蒸着における膜厚値を周期的に測定する工
程と、該測定値がその前に測定した値より増減したか否
かを判別する工程と、該増減回数がカウンタにより計数
され、そのカウンタ稙が負にならないようにすると共に
、所定の値に達した場合には極点と判定する工程とを施
すようにしたものである。
ける膜厚値の判定方法において、光電測光器の光度測定
値による真空蒸着における膜厚値を周期的に測定する工
程と、該測定値がその前に測定した値より増減したか否
かを判別する工程と、該増減回数がカウンタにより計数
され、そのカウンタ稙が負にならないようにすると共に
、所定の値に達した場合には極点と判定する工程とを施
すようにしたものである。
ここで、前記測定値がその前に測定した値より減少する
傾向にある場合、極大点と判定し、前記測定値がその前
に測定した値より増加する傾向にある場合、極小点と判
定する。
傾向にある場合、極大点と判定し、前記測定値がその前
に測定した値より増加する傾向にある場合、極小点と判
定する。
（作用）
本発明によれば、上記したように、真空Ｆ、ＭＭにおけ
る膜厚値の判定方法において、光電測光器の測定値軌跡
について、読み取った測定値が前の値に比べ増減したか
を判別し、その増減回数がある一定の値に達した場合、
極大（８１ｉ小）点と判定する。従って、真空蒸着の状
態を正確に監視することができる。
る膜厚値の判定方法において、光電測光器の測定値軌跡
について、読み取った測定値が前の値に比べ増減したか
を判別し、その増減回数がある一定の値に達した場合、
極大（８１ｉ小）点と判定する。従って、真空蒸着の状
態を正確に監視することができる。
従って、真空蒸着の状態を正確に検出して、逆切な真空
蒸着の制御を行うことがてきる。
蒸着の制御を行うことがてきる。
（実施例）
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら詳細
に説明する。
に説明する。
第１図は本発明の実施例を示す蒸着膜の極点の判定を行
うためのシスチーム構成図、第２図は本発明の極大点の
判定フローチャート、第３図は本発明の極小点の判定フ
ローチャート、第４乃至第６図は本発明の極小点の判定
例の説明図である。
うためのシスチーム構成図、第２図は本発明の極大点の
判定フローチャート、第３図は本発明の極小点の判定フ
ローチャート、第４乃至第６図は本発明の極小点の判定
例の説明図である。
まず、第１図において、１はバルブ＋、２は基板、３は
シャッタ、４は蒸発源、つまり各種の試料が回転体上に
配置された複数の蒸発源（例えばＺｎＳ 、 ＭｇＦｒ
などの蒸着源）、５はヒータ支持台、６は電離真空計、
７は真空バルブ、８は液体窒素トラップ、９はロークリ
ポンプ、１０は２方向バルブ、１１はあら引き用配管、
１２はピラニゲージ、１３はレーザビームの放射筒、１
４はそのレーザビームにより蒸着膜を透過した光を受け
る充電測光器、１５はＡ／Ｄ変換器、２０はコンピュー
タ、２１ばＣＰＵ（中央処理袋Ｔｌ）、２２は入力イン
タフェース、２３はメモリ、２４は比較器°、２５はカ
ウンタ、２６は出力インタフェース、２７は蒸発源駆動
装置である。
シャッタ、４は蒸発源、つまり各種の試料が回転体上に
配置された複数の蒸発源（例えばＺｎＳ 、 ＭｇＦｒ
などの蒸着源）、５はヒータ支持台、６は電離真空計、
７は真空バルブ、８は液体窒素トラップ、９はロークリ
ポンプ、１０は２方向バルブ、１１はあら引き用配管、
１２はピラニゲージ、１３はレーザビームの放射筒、１
４はそのレーザビームにより蒸着膜を透過した光を受け
る充電測光器、１５はＡ／Ｄ変換器、２０はコンピュー
タ、２１ばＣＰＵ（中央処理袋Ｔｌ）、２２は入力イン
タフェース、２３はメモリ、２４は比較器°、２５はカ
ウンタ、２６は出力インタフェース、２７は蒸発源駆動
装置である。
この図に示すように、真空蒸着装置は基本的には、排気
系と、蒸発Ｗ、４．基板２、シャック３等の真空室から
構成されている。
系と、蒸発Ｗ、４．基板２、シャック３等の真空室から
構成されている。
ここで、膜厚の測定は、光度測定データ値を光電測光器
１４によりＡ／Ｄ変換器１５を介してコンピュータ２０
に周期的に読み込んで行う。
１４によりＡ／Ｄ変換器１５を介してコンピュータ２０
に周期的に読み込んで行う。
そして、該測定値がその前に測定した値より増減したか
否かを判別し、該増減回数がある一定の値に達した場合
には極点と判定し、出力インタフェース２６、蒸発源駆
動装置２７を介して淋発源４を回転駆動させて、今まで
行っていた試料を切換えて他の蒸発源の蒸着を行うなど
の制御を行う。
否かを判別し、該増減回数がある一定の値に達した場合
には極点と判定し、出力インタフェース２６、蒸発源駆
動装置２７を介して淋発源４を回転駆動させて、今まで
行っていた試料を切換えて他の蒸発源の蒸着を行うなど
の制御を行う。
以下、第２図のフローチャートを参照しながら、真空蒸
着における膜厚値（光電測光器の光度測定値）の極大点
の判定について説明する。
着における膜厚値（光電測光器の光度測定値）の極大点
の判定について説明する。
まず、カウンタ２５を０゛にセットする（ステップΦ）
。
。
次に、光電測光器１４からの光度測定データ値の読み込
みを行う、つまり、“新膜厚値”として周期的に膜厚値
を読み込み、その値Ａ１１を格納する（ステップ■）。
みを行う、つまり、“新膜厚値”として周期的に膜厚値
を読み込み、その値Ａ１１を格納する（ステップ■）。
次に、その時の読込値人目をメモリ２３へ記憶する（ス
テップ■）。
テップ■）。
次いで、光電測光器１４からの光度測定データ値Ａｌの
読み込みを行う（ステップ■）。
読み込みを行う（ステップ■）。
その時の測定データ値Ａ＋ｚが“新膜厚値２となり、測
定データ値ＡＩｌは“旧ＨＡｊγ値“となる（ステップ
■）。
定データ値ＡＩｌは“旧ＨＡｊγ値“となる（ステップ
■）。
次いて、その測定データ値Ａｌｌと前回の測定データ値
Ａ８．とを比較器２４により比較しくステップ■）、そ
の測定データ値Ａ１．が前回の測定データ４ｅ Ａ Ｉ
＋以下である場合には、カウンタ２５の値をプラス１
にする（ステップ■）。
Ａ８．とを比較器２４により比較しくステップ■）、そ
の測定データ値Ａ１．が前回の測定データ４ｅ Ａ Ｉ
＋以下である場合には、カウンタ２５の値をプラス１
にする（ステップ■）。
次に、そのカウンタ２５の値を判別して、その値が所定
値（ここでは５）になった場合には、極大点として判定
する（ステップ■）。
値（ここでは５）になった場合には、極大点として判定
する（ステップ■）。
上記ステップ■において、測定データ植入、８が前回の
測定データ値Ａ＋＋より大きい場合には、カウンタ２５
の値をマイナス１にしくステップ■）、そのカウンタ２
５の値を判別して、その値が一定値（ここでは０）にな
る（ステップ［相］）まで、前記ステップ■に戻る。
測定データ値Ａ＋＋より大きい場合には、カウンタ２５
の値をマイナス１にしくステップ■）、そのカウンタ２
５の値を判別して、その値が一定値（ここでは０）にな
る（ステップ［相］）まで、前記ステップ■に戻る。
また、上記ステップ０において、カウンタ２５の値が０
未溝になる場合はその値を０に保持しくステップ０）、
前記ステップ■に戻る。
未溝になる場合はその値を０に保持しくステップ０）、
前記ステップ■に戻る。
次に、第３図のフローチャートを参照しながら、真空蒸
着における１２厚値（光電測光器の光度測定値）の極小
点の判定について説明する。
着における１２厚値（光電測光器の光度測定値）の極小
点の判定について説明する。
まず、カウンタ２５をＯにセットする（ステップ■）・
。
。
次に、光［ｆｆ１．ｌ光器１４からの光度測定データ値
の読み込みを行う （ステップｏ）。
の読み込みを行う （ステップｏ）。
次に、その時の読込値Ａｚ＋をメモリ２３へ記憶する（
ステップＯ）。
ステップＯ）。
次いで、光電測光器１４からの光度測定データ植入〇の
読み込みを行う（ステップＯ）。
読み込みを行う（ステップＯ）。
その時の測定データ値Ａ！、が“新膜厚値′となり、測
定データ値Ａｚ＋は“旧膜厚値°となる（ステップＯ）
。
定データ値Ａｚ＋は“旧膜厚値°となる（ステップＯ）
。
次いで、その測定データ（１１！Ａｚｚと前回の測定デ
ータ値Δ２．とを比較器２４により比較しくステップＯ
）、その測定データ値ＡＩが前回の測定データ値Ａ ｔ
＋））上である場合には、カウンタ２５の４１をプラ
ス１にす゛る（ステップｏ）。
ータ値Δ２．とを比較器２４により比較しくステップＯ
）、その測定データ値ＡＩが前回の測定データ値Ａ ｔ
＋））上である場合には、カウンタ２５の４１をプラ
ス１にす゛る（ステップｏ）。
次に、そのカウンタ２５の値を判別して、その値が所定
値（ここでは５）になった場合には、極小点として判定
する（ステップＯ）。
値（ここでは５）になった場合には、極小点として判定
する（ステップＯ）。
上記ステップ［相］において、測定データ値Ａｇｚが前
回の測定データ値Ａ□より小さい場合には、カウンタ２
５の値をマイナス１にしくステップＯ）、そのカウンタ
２５の値を判別して、その値が所定値（ここでは０）に
なる（ステップ［相］）まで、前記ステップ０に戻る。
回の測定データ値Ａ□より小さい場合には、カウンタ２
５の値をマイナス１にしくステップＯ）、そのカウンタ
２５の値を判別して、その値が所定値（ここでは０）に
なる（ステップ［相］）まで、前記ステップ０に戻る。
また、上記ステシブ■において、カウンタ２５の値が０
未溝になる場合にはその値をＯに保持して（ステップ■
）、前記ステップ◎に戻る。
未溝になる場合にはその値をＯに保持して（ステップ■
）、前記ステップ◎に戻る。
次に、この真空蒸着における膜厚値（光電測光器の光度
測定値）の極小点の判定例について、第４図乃至第６図
を用いて説明する。
測定値）の極小点の判定例について、第４図乃至第６図
を用いて説明する。
第４図に光度測定値の軌跡が示されており、その極小点
判定の詳細を示すａ部が拡大図として第５図に示されて
いる。そこで、第５図において、測定ポイント数を１３
とすると、第６図に示すように、測定ポイント４までは
測定データ値が減少しているので、カウンタ値は０に保
持され、測定ポイント５において測定データ値は大きく
なり、カウンタ値は１となり、測定ポイント６では測定
データ値が減少してカウンタ値は０となり、測定ポイン
ト７では測定データ値が大きくなりカウンタ値は１とな
り、測定ポイント８では測定データ値が減少してカウン
タ値はＯとなり、測定ポイント９では測定データ値が大
きくなりカウンタ値は１となり、以ｔイは測定データ値
が増え続け、測定ポイント１３になるとカウンタ値は所
定の５となり、測定データ値の上昇傾向が確認され、極
小点として判定される。
判定の詳細を示すａ部が拡大図として第５図に示されて
いる。そこで、第５図において、測定ポイント数を１３
とすると、第６図に示すように、測定ポイント４までは
測定データ値が減少しているので、カウンタ値は０に保
持され、測定ポイント５において測定データ値は大きく
なり、カウンタ値は１となり、測定ポイント６では測定
データ値が減少してカウンタ値は０となり、測定ポイン
ト７では測定データ値が大きくなりカウンタ値は１とな
り、測定ポイント８では測定データ値が減少してカウン
タ値はＯとなり、測定ポイント９では測定データ値が大
きくなりカウンタ値は１となり、以ｔイは測定データ値
が増え続け、測定ポイント１３になるとカウンタ値は所
定の５となり、測定データ値の上昇傾向が確認され、極
小点として判定される。
このように、真空蒸着における膜厚値の極大点或いは極
小点を正確に判定し、検出することができるので、正確
な真空蒸着の制御を行うことができる。
小点を正確に判定し、検出することができるので、正確
な真空蒸着の制御を行うことができる。
なお、このようにして、得られる真空薄＠膜は、ブラウ
ン管、プリズムなどの蒸着膜として用いられる。
ン管、プリズムなどの蒸着膜として用いられる。
また、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。
（発明の効果）
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、蒸着膜
の光電測洋器の測定値における極大点、極小点を誤判定
することなく、正確に判定することができる。特に、ノ
イズ成分を含む信号値についても確実に極点の判定を行
うことができる。また、本発明によれば、時間軸に対し
、非線形に連続に変化するあらゆる信号値軌跡の極点を
判定することもできる。
の光電測洋器の測定値における極大点、極小点を誤判定
することなく、正確に判定することができる。特に、ノ
イズ成分を含む信号値についても確実に極点の判定を行
うことができる。また、本発明によれば、時間軸に対し
、非線形に連続に変化するあらゆる信号値軌跡の極点を
判定することもできる。
従って、真空蒸着における膜厚値の極大点或いは極小点
を正確に判定し、検出することができるので、正確にし
て（を転性′の高い真空蒸着の制御を行うことができる
。
を正確に判定し、検出することができるので、正確にし
て（を転性′の高い真空蒸着の制御を行うことができる
。
第１図は本発明の実施例を示す蒸着膜の極点の判定を行
うためのシステムの構成図、第２図は本発明の極大点の
判定フローチャート、第３図は本発明の極小点の判定フ
ローチャート、第４図は本発明の極小点の判定例におけ
る光度測定値の軌跡を示す図、第５図は第４図のａ部の
拡大図、第６図はその光度測定値の極小点判定の説明図
、第７図は従来の真空蒸着における蒸着膜の光電測光器
による光度測定軌跡を示す図である。 １４・・・光電測光器、１５・・・Ａ／Ｄ変換器、２０
・・・コンピュータ、２１・・・ｃｐｕ ＜中央処理袋
り、２２・・・入力インタフェース、２３・・・メモリ
、２４・・・比較器、２５・・・カウンタ、２６・・・
出力インクフェース。 特許出願人 沖°電気工業株式会社 代理人 弁理士 清 水 守（外１名）巧 閘
（だｔｎ） 光１蓮−屓り定イ己のａＲ−ン〔力木、ｔＶ≧１抛４０
のａ＠ａ文匿 坊ホに２判定の説Ｅ＠図 第６図
うためのシステムの構成図、第２図は本発明の極大点の
判定フローチャート、第３図は本発明の極小点の判定フ
ローチャート、第４図は本発明の極小点の判定例におけ
る光度測定値の軌跡を示す図、第５図は第４図のａ部の
拡大図、第６図はその光度測定値の極小点判定の説明図
、第７図は従来の真空蒸着における蒸着膜の光電測光器
による光度測定軌跡を示す図である。 １４・・・光電測光器、１５・・・Ａ／Ｄ変換器、２０
・・・コンピュータ、２１・・・ｃｐｕ ＜中央処理袋
り、２２・・・入力インタフェース、２３・・・メモリ
、２４・・・比較器、２５・・・カウンタ、２６・・・
出力インクフェース。 特許出願人 沖°電気工業株式会社 代理人 弁理士 清 水 守（外１名）巧 閘
（だｔｎ） 光１蓮−屓り定イ己のａＲ−ン〔力木、ｔＶ≧１抛４０
のａ＠ａ文匿 坊ホに２判定の説Ｅ＠図 第６図
Claims (3)
- （１） （ａ）光電測光器の光度測定値による真空蒸着における
膜厚値を周期的に測定する工程と、 （ｂ）該測定値がその前に測定した値より増減したか否
かを判別する工程と、 （ｃ）該増減回数がカウンタにより計数され、そのカウ
ンタ値が負にならないようにすると共に所定の値に達し
た場合には極点と判定する工程とを有する真空蒸着にお
ける膜厚値の判定方法。 - （２）前記測定値がその前に測定した値より減少する傾
向にある場合、極大点と判定する請求項１記載の真空蒸
着における膜厚値の判定方法。 - （３）前記測定値がその前に測定した値より増加する傾
向にある場合、極小点と判定する請求項１記載の真空蒸
着における膜厚値の判定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63318498A JPH0762247B2 (ja) | 1988-12-19 | 1988-12-19 | 真空蒸着における膜厚値の判定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63318498A JPH0762247B2 (ja) | 1988-12-19 | 1988-12-19 | 真空蒸着における膜厚値の判定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02163374A true JPH02163374A (ja) | 1990-06-22 |
| JPH0762247B2 JPH0762247B2 (ja) | 1995-07-05 |
Family
ID=18099793
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63318498A Expired - Lifetime JPH0762247B2 (ja) | 1988-12-19 | 1988-12-19 | 真空蒸着における膜厚値の判定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0762247B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005344168A (ja) * | 2004-06-03 | 2005-12-15 | Shincron:Kk | 薄膜形成方法，膜厚測定方法及び膜厚測定装置 |
| US7608307B2 (en) | 2002-11-08 | 2009-10-27 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Method of forming film upon a substrate |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5146584A (ja) * | 1974-10-18 | 1976-04-21 | Pioneer Electronic Corp | Jochakusochi |
| JPS61246795A (ja) * | 1985-04-24 | 1986-11-04 | 富士通株式会社 | 極大点／極小点検出方式 |
| JPS62165103A (ja) * | 1986-01-17 | 1987-07-21 | Canon Inc | 膜厚測定方法 |
-
1988
- 1988-12-19 JP JP63318498A patent/JPH0762247B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5146584A (ja) * | 1974-10-18 | 1976-04-21 | Pioneer Electronic Corp | Jochakusochi |
| JPS61246795A (ja) * | 1985-04-24 | 1986-11-04 | 富士通株式会社 | 極大点／極小点検出方式 |
| JPS62165103A (ja) * | 1986-01-17 | 1987-07-21 | Canon Inc | 膜厚測定方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7608307B2 (en) | 2002-11-08 | 2009-10-27 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Method of forming film upon a substrate |
| DE10393678B4 (de) * | 2002-11-08 | 2013-11-21 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Verfahren zum Bilden einer Schicht auf einem Substrat |
| JP2005344168A (ja) * | 2004-06-03 | 2005-12-15 | Shincron:Kk | 薄膜形成方法，膜厚測定方法及び膜厚測定装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0762247B2 (ja) | 1995-07-05 |
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