JPS62165103A - 膜厚測定方法 - Google Patents
膜厚測定方法Info
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- JPS62165103A JPS62165103A JP862786A JP862786A JPS62165103A JP S62165103 A JPS62165103 A JP S62165103A JP 862786 A JP862786 A JP 862786A JP 862786 A JP862786 A JP 862786A JP S62165103 A JPS62165103 A JP S62165103A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(分野)
本発明は薄膜特に半導体工程でのシリコン上の酸化膜の
ようにミクロンメーター以下の膜厚の検出、測定方法に
関するものである。
ようにミクロンメーター以下の膜厚の検出、測定方法に
関するものである。
(原理)
本発明で利用している基本的な膜厚検出の測定原理につ
いて第1図(a)、 (b)を用いて以下説明する。
いて第1図(a)、 (b)を用いて以下説明する。
媒質の屈折率を入射側からに1.に2.kAとし、いま
測定しようとする膜厚をdとする。使用波長(真空中で
の波長λ。)の各々の入射角を01゜θ2.θ3 とす
る。この時の振巾反射率Yけ次のようになる。
測定しようとする膜厚をdとする。使用波長(真空中で
の波長λ。)の各々の入射角を01゜θ2.θ3 とす
る。この時の振巾反射率Yけ次のようになる。
〔参考: M、Born and Ei、Wolf著、
@Pr1ncip’1esof 0ptics’ 3r
dedition、 PERGAMON PRESB。
@Pr1ncip’1esof 0ptics’ 3r
dedition、 PERGAMON PRESB。
62頁〕
ここでY12は媒質■と■の境界でのフレネルの反射係
数で、Y2Sは媒質■と■の境界でのフレである。実際
測定可卵な量は、反射強度すなわちR=lY12(通常
反射率と呼ぶ)であり、次のようになる。
数で、Y2Sは媒質■と■の境界でのフレである。実際
測定可卵な量は、反射強度すなわちR=lY12(通常
反射率と呼ぶ)であり、次のようになる。
ここで(2)式をλに関して微分し、R′=口となるよ
うなβを求めると111n2β=0となり2β=N・2
π ・・・(3) が求壕る。
うなβを求めると111n2β=0となり2β=N・2
π ・・・(3) が求壕る。
ここでNは整数である。
ところで波長がλ1 、λ2のときのβ1.β2は前表
の如く 2π β1= 2. nla CO2O3 ここでnl、n2は波長λ1.λ2での屈折率である。
の如く 2π β1= 2. nla CO2O3 ここでnl、n2は波長λ1.λ2での屈折率である。
したがって(3)式より
2π
2β1 =2 ・、B、 nl d CO[ilθ2=
N−2πとなり、 2(β2−β、)=2・2π・acosθ2(T2−「
)=2πここで02=0とするとdは次式で求まる。
N−2πとなり、 2(β2−β、)=2・2π・acosθ2(T2−「
)=2πここで02=0とするとdは次式で求まる。
極小値に関しても、同様の方法でλ3.λ4及びそれぞ
れの波長での71折率n3 、 n4より得られるまた
、極大値と極小値λ1.λ3を使用してもで、膜厚を得
る事が出来る。
れの波長での71折率n3 、 n4より得られるまた
、極大値と極小値λ1.λ3を使用してもで、膜厚を得
る事が出来る。
(従来技術)
しかし、第3図に示すように測定値に誤差が生じた場合
、λXを極大値と判断し、λYを極小値と判断してしま
うため、正確に膜厚の検出、測定を行う事が出来なかっ
た。
、λXを極大値と判断し、λYを極小値と判断してしま
うため、正確に膜厚の検出、測定を行う事が出来なかっ
た。
(目的)
本発明は、前述したような測定値の誤差が生じた場合で
も正しい極値のみを検出し、正確な膜厚を検出する事を
目的としている。
も正しい極値のみを検出し、正確な膜厚を検出する事を
目的としている。
(実施例)
膜厚からの分光反射率は、一般に下式(5)によって与
えられる。
えられる。
ここで:
ρo1は空気層と第一層間の振幅係数
φo1は空気層と第一層間の位相係数
ρ12は第一層と第二層間の振幅係数
φ12は第一層と第二層間の位相係数
δは位相項で、 δ=2πna/λである。
(5)穴で、CO8の項は−1から1の間に入るので分
光反射率は、最大値が となり最小値は である。とちらも膜厚dに関係なく得る事が出来る。測
定値より求めた、極大値極小値がRmaw −” mi
nに対し、ある一定の値以上である場合のみ極大値とみ
なし、ある一定の値以下の場合のみ極小値とみなすこと
により所望の極値のみを検出しうる。すなわち第4図に
示すように、測定値の中央部に誤差を持つ場合、測定値
からそのまま極値を検出すると極大値としてλ1.へ、
λ2が検出され、極小値としてλ5.λYが検出される
。しかし、RmaXに対しある一定値tまたとえばt=
RmaxX 0.9等を設け、ソノ値を以上のみを極大
値と考えるとλ1 、λ2のみを検出出来る。また極小
値に関しても同様にRInlnに対し、ある一定値m、
たとえばm=Rmin X Ll等を設ければ、極小値
として検出されるのはλ5のみである。この一定値tあ
るいはmは測定のピッチあるいは装置の取りうる誤差等
により決定される。
光反射率は、最大値が となり最小値は である。とちらも膜厚dに関係なく得る事が出来る。測
定値より求めた、極大値極小値がRmaw −” mi
nに対し、ある一定の値以上である場合のみ極大値とみ
なし、ある一定の値以下の場合のみ極小値とみなすこと
により所望の極値のみを検出しうる。すなわち第4図に
示すように、測定値の中央部に誤差を持つ場合、測定値
からそのまま極値を検出すると極大値としてλ1.へ、
λ2が検出され、極小値としてλ5.λYが検出される
。しかし、RmaXに対しある一定値tまたとえばt=
RmaxX 0.9等を設け、ソノ値を以上のみを極大
値と考えるとλ1 、λ2のみを検出出来る。また極小
値に関しても同様にRInlnに対し、ある一定値m、
たとえばm=Rmin X Ll等を設ければ、極小値
として検出されるのはλ5のみである。この一定値tあ
るいはmは測定のピッチあるいは装置の取りうる誤差等
により決定される。
オた、第5図に示すような場合、検出される極値はλY
は前述の手法により除外されるので葎大値λ1.八でち
る。 しかし膜厚の分光反射率のように周期性を持つ関
数は理論上、極大値と極、I・値は交互に存在するはず
であるから、この場合のように柩大信が並んで存在する
事は有りえない。従ってA1とλXの大きい方を極大値
と考える。
は前述の手法により除外されるので葎大値λ1.八でち
る。 しかし膜厚の分光反射率のように周期性を持つ関
数は理論上、極大値と極、I・値は交互に存在するはず
であるから、この場合のように柩大信が並んで存在する
事は有りえない。従ってA1とλXの大きい方を極大値
と考える。
第6図に示す例はfを小値の場合で、極大値の場合と同
様にA3を極小値を判定する事が可能である。このよう
な場合には極値の位置に対し測定ピッチが細かいため、
膜厚計算上の誤差は大きくない。
様にA3を極小値を判定する事が可能である。このよう
な場合には極値の位置に対し測定ピッチが細かいため、
膜厚計算上の誤差は大きくない。
測定する膜厚が非常に薄くなると第7図に示すように理
論上は波長のスキャン範囲に全く極値が見られなくなる
。このような場合でも測定誤差が生じると極値を検出し
てしまう。第7図の場合、前述までの手法にてλ却、λ
X1 +λY1は除去出来るが、λxoは極小値として
残ってしまう。
論上は波長のスキャン範囲に全く極値が見られなくなる
。このような場合でも測定誤差が生じると極値を検出し
てしまう。第7図の場合、前述までの手法にてλ却、λ
X1 +λY1は除去出来るが、λxoは極小値として
残ってしまう。
このような場合は、λXOの前後の測定値の傾きにより
判断するλXOが真に極値であれば前後の傾きの符号が
異なるはずであるが、第7図に示す例においてけλア0
よう小さいλでの平均の傾きとλXOより犬きいλでの
平均の傾きの符号が同じであるためλxoは極値から除
外する6極大値に関して本同様である。
判断するλXOが真に極値であれば前後の傾きの符号が
異なるはずであるが、第7図に示す例においてけλア0
よう小さいλでの平均の傾きとλXOより犬きいλでの
平均の傾きの符号が同じであるためλxoは極値から除
外する6極大値に関して本同様である。
以上の方法によって測定値にバラツキがある場合でも正
しい極値を検出する事が可能である。
しい極値を検出する事が可能である。
第8図は本発明を実施するだめのシステムブロック図で
ある。分光器1で分光された光を試料ステージ2上に置
かれた試料面にファイバープローブ3で照明し試料面か
ら反射した光を再びファイバープローブ3で受は分光器
1内に設けられた光電変換素子により電気信号に変換す
る、コントローラ4によ勺分光器1の波長設定、試料ス
テージ2の移動をコントロールすると共に、前記分光器
1の光電変換素子の電気信号をデジタル信号に変換し、
そして試料ステージ2の位置を確認する。コンピュータ
5は前記コントローラ4を制御すると共にコントローラ
4から得られる前記ディジタル信号を受けとシ、反射率
Rを求め前記(3)式から膜厚dを計算する。
ある。分光器1で分光された光を試料ステージ2上に置
かれた試料面にファイバープローブ3で照明し試料面か
ら反射した光を再びファイバープローブ3で受は分光器
1内に設けられた光電変換素子により電気信号に変換す
る、コントローラ4によ勺分光器1の波長設定、試料ス
テージ2の移動をコントロールすると共に、前記分光器
1の光電変換素子の電気信号をデジタル信号に変換し、
そして試料ステージ2の位置を確認する。コンピュータ
5は前記コントローラ4を制御すると共にコントローラ
4から得られる前記ディジタル信号を受けとシ、反射率
Rを求め前記(3)式から膜厚dを計算する。
その結果をCRT8やフロッピーディスクドライブ9や
プリンター10に出力する。操作パネル6とフルキーボ
ード7によりコンピュータ5に屈折率等の条件を指定し
たり、分光器1の波長、試料ステージ2の移動量を指示
すると共に測定開始等の指令を行う。操作パネル6は通
常よく使用する条件で測定させる場合で、更にオペレー
タが誤操作しないよう必要最少限にキーをもっている。
プリンター10に出力する。操作パネル6とフルキーボ
ード7によりコンピュータ5に屈折率等の条件を指定し
たり、分光器1の波長、試料ステージ2の移動量を指示
すると共に測定開始等の指令を行う。操作パネル6は通
常よく使用する条件で測定させる場合で、更にオペレー
タが誤操作しないよう必要最少限にキーをもっている。
第8図の動作説明を第9A図の流ね図に沿って説明する
。まずステップS1で分光反射率の測定データを取り込
みステップS2で前後の測定点の比較を行って極大値m
ax(k)、極小値m1n(k)を求める。一方、膜及
び基板の屈折率から理論上の最大反射率Rmax最小反
射率Rminが得られるのでステップS6にて求める。
。まずステップS1で分光反射率の測定データを取り込
みステップS2で前後の測定点の比較を行って極大値m
ax(k)、極小値m1n(k)を求める。一方、膜及
び基板の屈折率から理論上の最大反射率Rmax最小反
射率Rminが得られるのでステップS6にて求める。
得られた理論値を基にたとえばRma:t X O,9
’= 1 。
’= 1 。
Rmin x 1.1= m A4のようにして極値の
判定に用いる基準値m及びtをステップS4で計算する
。ステップS5及びS7で極大値ma:c(k) 極
小値m1n(k)の判定を行い、基準に対して外れたも
のはステップB6,8Bで除外する。さらにステップS
P、S11で極大値あるいは極小値が並んで存在してい
ないかどうかを判断し、並んで存在する場合にはステッ
プ810 、812でその最適な方を選択する。景終的
に得られたmax(k) 。
判定に用いる基準値m及びtをステップS4で計算する
。ステップS5及びS7で極大値ma:c(k) 極
小値m1n(k)の判定を行い、基準に対して外れたも
のはステップB6,8Bで除外する。さらにステップS
P、S11で極大値あるいは極小値が並んで存在してい
ないかどうかを判断し、並んで存在する場合にはステッ
プ810 、812でその最適な方を選択する。景終的
に得られたmax(k) 。
mtn(k)を使い(a−1) へ(4−5)式により
ステップ813で膜厚を求めれば良い。
ステップ813で膜厚を求めれば良い。
もし、極値が1個の場合には第9B図に示す流れ図を第
9A図のステップS13を実行する前に加えれば良い。
9A図のステップS13を実行する前に加えれば良い。
このとき膜厚は
によって求める。(4−4)式はA1が極大値の場合に
使用し、(4−5)式はA1が極小値の場合に使用する
。極値の数が0個の場合には(4−1)〜(4−3)式
あるいは(4−4)〜(4−5)式の方法では膜厚を計
算出来ない。そこで(5)式をdに関して解くと 但しに中0.1.2・、・ であり、K=Qとしてdを求める事が出来る。
使用し、(4−5)式はA1が極小値の場合に使用する
。極値の数が0個の場合には(4−1)〜(4−3)式
あるいは(4−4)〜(4−5)式の方法では膜厚を計
算出来ない。そこで(5)式をdに関して解くと 但しに中0.1.2・、・ であり、K=Qとしてdを求める事が出来る。
仙の極値のある場合に門しても次数Kかに=2nd/λ
(7′Iで得られるので式(4
−1)〜(4−3)、(4−4)。
(7′Iで得られるので式(4
−1)〜(4−3)、(4−4)。
(4−5)で求めたdを利用してKを求め、各波長の反
射率Rよりdを算出する事が出来る。
射率Rよりdを算出する事が出来る。
(効果)
以上a見明したように本発明は測定値にバラツキがある
場合でも分光反射率の理論上の最大値、最小値を利用す
る事により所望の極値のみを検出し、正確な膜厚を検出
する事が出来る。
場合でも分光反射率の理論上の最大値、最小値を利用す
る事により所望の極値のみを検出し、正確な膜厚を検出
する事が出来る。
第1図(a) 、 (b)は本発明の原理訣明図、第2
図は理懇的な分光反射率を示すグラフで第3図〜第7図
は、測定のバラツキを持つ分光図はその作動説明用フロ
ーチャート図である。 1・・・分光器 2・・・試料ステージ 4印コントローラ 5・・・コンピュータ
図は理懇的な分光反射率を示すグラフで第3図〜第7図
は、測定のバラツキを持つ分光図はその作動説明用フロ
ーチャート図である。 1・・・分光器 2・・・試料ステージ 4印コントローラ 5・・・コンピュータ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 試料の分光反射率の極値の間隔より膜厚を測定する方法
において、 試料の分光反射率の理論上の最大値と最小値を計算し、
最大値より一定の基準値l、最小値より一定の基準値m
を決定し、 分光反射率の測定値より得られた極値に対し、基準値l
以上の場合に真の極大値とし、基準値m以下の場合に真
の極小値とすることにより、正確に膜厚を検出すること
を特徴とする膜厚測定方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP862786A JPS62165103A (ja) | 1986-01-17 | 1986-01-17 | 膜厚測定方法 |
| US06/935,381 US4787749A (en) | 1985-11-28 | 1986-11-26 | Method and apparatus for measuring the thickness of a thin film using the spectral reflection factor of the film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP862786A JPS62165103A (ja) | 1986-01-17 | 1986-01-17 | 膜厚測定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62165103A true JPS62165103A (ja) | 1987-07-21 |
Family
ID=11698186
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP862786A Pending JPS62165103A (ja) | 1985-11-28 | 1986-01-17 | 膜厚測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62165103A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02163374A (ja) * | 1988-12-19 | 1990-06-22 | Oki Electric Ind Co Ltd | 真空蒸着における膜厚値の判定方法 |
| JP2008188837A (ja) * | 2007-02-02 | 2008-08-21 | Bridgestone Corp | ゴム部材 |
| WO2014061408A1 (ja) * | 2012-10-16 | 2014-04-24 | コニカミノルタ株式会社 | 光学膜厚測定方法、光学膜厚測定システム及び光学膜厚測定プログラム他 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5158971A (ja) * | 1974-11-20 | 1976-05-22 | Nippon Naitoronikusu Kk | Atsumikei |
| JPS5365276A (en) * | 1976-11-25 | 1978-06-10 | Toshiba Corp | Rotary chemical evaporation apparatus for forming thin film |
| JPS5458461A (en) * | 1977-10-18 | 1979-05-11 | Canon Inc | Measuring apparatus of physical constant |
| JPS58113804A (ja) * | 1981-12-28 | 1983-07-06 | Fujitsu Ltd | 膜厚制御方法 |
| JPS6073407A (ja) * | 1983-09-30 | 1985-04-25 | Nippon Soken Inc | 膜厚モニタ |
-
1986
- 1986-01-17 JP JP862786A patent/JPS62165103A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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|---|---|---|---|---|
| JPH02163374A (ja) * | 1988-12-19 | 1990-06-22 | Oki Electric Ind Co Ltd | 真空蒸着における膜厚値の判定方法 |
| JP2008188837A (ja) * | 2007-02-02 | 2008-08-21 | Bridgestone Corp | ゴム部材 |
| WO2014061408A1 (ja) * | 2012-10-16 | 2014-04-24 | コニカミノルタ株式会社 | 光学膜厚測定方法、光学膜厚測定システム及び光学膜厚測定プログラム他 |
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