JPH0216403Y2 - - Google Patents
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- JPH0216403Y2 JPH0216403Y2 JP12747381U JP12747381U JPH0216403Y2 JP H0216403 Y2 JPH0216403 Y2 JP H0216403Y2 JP 12747381 U JP12747381 U JP 12747381U JP 12747381 U JP12747381 U JP 12747381U JP H0216403 Y2 JPH0216403 Y2 JP H0216403Y2
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- JP
- Japan
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- recording
- transistor
- transformer
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- reproducing
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000005347 demagnetization Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 2
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 230000001172 regenerating effect Effects 0.000 description 1
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 description 1
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
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- Recording Or Reproducing By Magnetic Means (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
この考案は、昇圧トランスを介して磁気ヘツド
の再生出力を取り出すようにした磁気ヘツド回路
の記録再生切替回路に関する。
の再生出力を取り出すようにした磁気ヘツド回路
の記録再生切替回路に関する。
この考案は、例えばフロツピーデイスクの記録
再生ヘツドに適用される。第1図A及び同図Bの
夫々は、この記録再生ヘツドの一例及び他の例を
示している。第1図Aに示すものは、従来から知
られているもので、消去ヘツド1Eと記録再生ヘ
ツド1RPとの夫々がコア2a,2b,3(点線
領域で示す)とセラミツク4,5a,5bとを貼
り合わせるように構成されている。記録再生ヘツ
ド1RPのギヤツプg1の上下に夫々消去ヘツド1
Eのギヤツプg2,g3が位置する関係となされてい
る。これは、重ね書きによつて記録を行なう場
合、トラツクずれによつて以前の信号の消し残り
が生じるのを防止するためである。ところで、記
録密度の向上、デイスクの小形化などのために、
トラツク幅を狭くしたいとき、第1図Aに示すよ
うな貼り合わせ構造は、コアとセラミツクとの熱
膨張率が違うために、不適当なものであつた。例
えば従来では1インチ当りで48本のトラツクが形
成されていたのを、1インチ当りで135本のトラ
ツクを形成する場合、トラツク幅が333μから
130μと狭いものとされる。
再生ヘツドに適用される。第1図A及び同図Bの
夫々は、この記録再生ヘツドの一例及び他の例を
示している。第1図Aに示すものは、従来から知
られているもので、消去ヘツド1Eと記録再生ヘ
ツド1RPとの夫々がコア2a,2b,3(点線
領域で示す)とセラミツク4,5a,5bとを貼
り合わせるように構成されている。記録再生ヘツ
ド1RPのギヤツプg1の上下に夫々消去ヘツド1
Eのギヤツプg2,g3が位置する関係となされてい
る。これは、重ね書きによつて記録を行なう場
合、トラツクずれによつて以前の信号の消し残り
が生じるのを防止するためである。ところで、記
録密度の向上、デイスクの小形化などのために、
トラツク幅を狭くしたいとき、第1図Aに示すよ
うな貼り合わせ構造は、コアとセラミツクとの熱
膨張率が違うために、不適当なものであつた。例
えば従来では1インチ当りで48本のトラツクが形
成されていたのを、1インチ当りで135本のトラ
ツクを形成する場合、トラツク幅が333μから
130μと狭いものとされる。
第1図Bに示すのは、狭トラツク化を考慮して
記録再生ヘツド1RP、消去ヘツド1Eの夫々を
コアブロツクをスライスすることで構成したもの
である。このような一体構造は、ビデオヘツドと
同様である。第1図Aに示すものと異なり、第1
図Bに示す構成は、狭トラツク幅を容易に実現で
きる。しかし、コアの奥行を余り大きくとること
ができず、巻線数に制約があり、第1図Aに示す
ものと比べて1/10程度の巻線数が限度である。
そこで、再生信号のS/Nの向上のために、昇圧
トランスを使用する必要がある。
記録再生ヘツド1RP、消去ヘツド1Eの夫々を
コアブロツクをスライスすることで構成したもの
である。このような一体構造は、ビデオヘツドと
同様である。第1図Aに示すものと異なり、第1
図Bに示す構成は、狭トラツク幅を容易に実現で
きる。しかし、コアの奥行を余り大きくとること
ができず、巻線数に制約があり、第1図Aに示す
ものと比べて1/10程度の巻線数が限度である。
そこで、再生信号のS/Nの向上のために、昇圧
トランスを使用する必要がある。
この考案は、このように昇圧トランスを用いる
ときの記録再生切替に関して、特にリレーを用い
ず、記録時の記録電流波形の対称性を良くすると
共に、立上り時間を早め、また再生時に記録再生
ヘツドに対してオフセツト電流が流れることを防
止するようにしたものである。
ときの記録再生切替に関して、特にリレーを用い
ず、記録時の記録電流波形の対称性を良くすると
共に、立上り時間を早め、また再生時に記録再生
ヘツドに対してオフセツト電流が流れることを防
止するようにしたものである。
以下、第2図を参照してこの考案をフロツピー
デイスクの磁気ヘツド回路に適用した一実施例に
ついて説明する。第2図において6で示す端子か
ら記録すべきデイジタル信号例えばMFM変調信
号のエツジ成分がDフリツプフロツプ7のクロツ
ク入力として供給される。バイナリーコードが例
えば(11011……)のときは、第3図Aに示すよ
うに立上がりがエツジと一致するRZ信号が端子
6から供給され、フリツプフロツプ7の2つの出
力端子の夫々に第3図B及び同図Cに示すように
NRZ信号であつて、且つ互いに逆極性のMFM変
調されたデイジタル信号が現われる。このデイジ
タル信号は、ドライバーとしてのナンドゲート8
a,8bを介してスイツチングトランジスタ9
a,9bのベースに夫々供給される。ナンドゲー
ト8a,8bには、端子10からの記録再生切替
パルス(記録時で“1”、再生時で“0”)が与え
られており、記録時にのみ、デイジタル信号によ
つてトランジスタ9a,9bがスイツチング動作
を行なうようにされている。このトランジスタ9
a,9bのエミツタが接地され、一方のトランジ
スタのコレクタと他方のトランジスタのコレクタ
との間に、昇圧トランス11の1次コイル12a
と記録再生ヘツド1RPとが直列接続される。
デイスクの磁気ヘツド回路に適用した一実施例に
ついて説明する。第2図において6で示す端子か
ら記録すべきデイジタル信号例えばMFM変調信
号のエツジ成分がDフリツプフロツプ7のクロツ
ク入力として供給される。バイナリーコードが例
えば(11011……)のときは、第3図Aに示すよ
うに立上がりがエツジと一致するRZ信号が端子
6から供給され、フリツプフロツプ7の2つの出
力端子の夫々に第3図B及び同図Cに示すように
NRZ信号であつて、且つ互いに逆極性のMFM変
調されたデイジタル信号が現われる。このデイジ
タル信号は、ドライバーとしてのナンドゲート8
a,8bを介してスイツチングトランジスタ9
a,9bのベースに夫々供給される。ナンドゲー
ト8a,8bには、端子10からの記録再生切替
パルス(記録時で“1”、再生時で“0”)が与え
られており、記録時にのみ、デイジタル信号によ
つてトランジスタ9a,9bがスイツチング動作
を行なうようにされている。このトランジスタ9
a,9bのエミツタが接地され、一方のトランジ
スタのコレクタと他方のトランジスタのコレクタ
との間に、昇圧トランス11の1次コイル12a
と記録再生ヘツド1RPとが直列接続される。
また、切替パルスがインバータ13及びバツフ
ア14を介してそのベースに供給されることで記
録時にのみオンするPNP形トランジスタ15が
設けられている。このトランジスタ15がオンす
ると、電源端子16に加えられている電源電圧が
ダイオードと等しい値の抵抗17a,17bとを
介してトランジスタ9a,9bのコレクタに供給
され、トランジスタ9a又は9bの一方がオンす
るときに、電源電圧と抵抗17a,17bの値と
で定まる記録電流をヘツド1RPに供給する。
ア14を介してそのベースに供給されることで記
録時にのみオンするPNP形トランジスタ15が
設けられている。このトランジスタ15がオンす
ると、電源端子16に加えられている電源電圧が
ダイオードと等しい値の抵抗17a,17bとを
介してトランジスタ9a,9bのコレクタに供給
され、トランジスタ9a又は9bの一方がオンす
るときに、電源電圧と抵抗17a,17bの値と
で定まる記録電流をヘツド1RPに供給する。
また、トランジスタ9a,9bの各コレクタと
コレクタ及びエミツタが接続された第1のスイツ
チングトランジスタ18と、このトランジスタ1
8のコレクタ及びエミツタの夫々と接地間に挿入
されたオフセツト電流除去用の等しい値の抵抗1
9a,19bが設けられている。この実施例で
は、両方向性で且つ対称性の秀れたLECトラン
ジスタをトランジスタ18として用いている。こ
のトランジスタ18は、記録時にオフし、再生時
にオンするようになされる。
コレクタ及びエミツタが接続された第1のスイツ
チングトランジスタ18と、このトランジスタ1
8のコレクタ及びエミツタの夫々と接地間に挿入
されたオフセツト電流除去用の等しい値の抵抗1
9a,19bが設けられている。この実施例で
は、両方向性で且つ対称性の秀れたLECトラン
ジスタをトランジスタ18として用いている。こ
のトランジスタ18は、記録時にオフし、再生時
にオンするようになされる。
昇圧トランス11の2次側コイル12bの両端
が差動アンプ構成の再生アンプ20の入力端子と
接続され、その出力端子21に再生デイジタル信
号が取り出される。2次コイル12bの中点タツ
プと再生アンプ20の入力端子とには、抵抗2
2,23により電源電圧が分圧されてなるバイア
ス電圧が加えられている。この2次側コイル12
bの両端とそのコレクタ及びエミツタが夫々接続
された第2のスイツチングトランジスタ24が設
けられている。このトランジスタ24は、インバ
ータ13及び25を介された切替パルスがベース
に供給されることにより、記録時にオンし、2次
側コイル12bの両端間を短絡する。
が差動アンプ構成の再生アンプ20の入力端子と
接続され、その出力端子21に再生デイジタル信
号が取り出される。2次コイル12bの中点タツ
プと再生アンプ20の入力端子とには、抵抗2
2,23により電源電圧が分圧されてなるバイア
ス電圧が加えられている。この2次側コイル12
bの両端とそのコレクタ及びエミツタが夫々接続
された第2のスイツチングトランジスタ24が設
けられている。このトランジスタ24は、インバ
ータ13及び25を介された切替パルスがベース
に供給されることにより、記録時にオンし、2次
側コイル12bの両端間を短絡する。
上述の構成において、記録時には、スイツチン
グトランジスタ18がオフ、スイツチングトラン
ジスタ24がオンの状態となる。したがつてナン
ドゲート8a,8bから供給される記録デイジタ
ル信号によつて定まる方向の記録電流がヘツド1
RPに流れて、磁気シートへの記録(書込み)が
行なわれる。抵抗17a,17bの互いの大き
さ、抵抗19a,19bの互いの大きさは、夫々
等しくされているので、記録電流の立上り、立下
り時間が同一となり、記録電流の対称性を良好と
できる。また、昇圧トランス11の2次側コイル
12bの両端がトランジスタ24によつて短絡さ
れているので、1次側からみたインピーダンスを
極めて小とすることができる。トランジスタ24
のオン抵抗をRfとし、昇圧トランス11の巻数
比を(1:n)とすると、1次側からみたインピ
ーダンスは(Rf/n2)となるのである。この考案と 異なり、1次側コイル12aの両端を短絡する場
合の(1/n2)とすることができる。1次側からみ たインピーダンスを小さくすることにより、記録
電流を昇圧トランス11を通すことによる記録電
流の立上り特性の劣下を防止することができる。
また、昇圧トランスの1次側の巻数を多くするこ
とができ、再生時の低域周波数特性を記録時と無
関係に設定することができる利点がある。
グトランジスタ18がオフ、スイツチングトラン
ジスタ24がオンの状態となる。したがつてナン
ドゲート8a,8bから供給される記録デイジタ
ル信号によつて定まる方向の記録電流がヘツド1
RPに流れて、磁気シートへの記録(書込み)が
行なわれる。抵抗17a,17bの互いの大き
さ、抵抗19a,19bの互いの大きさは、夫々
等しくされているので、記録電流の立上り、立下
り時間が同一となり、記録電流の対称性を良好と
できる。また、昇圧トランス11の2次側コイル
12bの両端がトランジスタ24によつて短絡さ
れているので、1次側からみたインピーダンスを
極めて小とすることができる。トランジスタ24
のオン抵抗をRfとし、昇圧トランス11の巻数
比を(1:n)とすると、1次側からみたインピ
ーダンスは(Rf/n2)となるのである。この考案と 異なり、1次側コイル12aの両端を短絡する場
合の(1/n2)とすることができる。1次側からみ たインピーダンスを小さくすることにより、記録
電流を昇圧トランス11を通すことによる記録電
流の立上り特性の劣下を防止することができる。
また、昇圧トランスの1次側の巻数を多くするこ
とができ、再生時の低域周波数特性を記録時と無
関係に設定することができる利点がある。
また、再生時には、トランジスタ15及び24
がオフ状態となり、トランジスタ18は、電源端
子16から抵抗を通じてベース電流が流れること
によりオン状態となる。したがつて昇圧トランス
11の1次側コイル12aと記録再生ヘツド1
RPとトランジスタ18とが閉ループを形成する
ことになり、再生出力が昇圧トランス11を介し
て再生アンプ20に供給されることになる。この
再生時において、記録再生ヘツド1RPにオフセ
ツト電流が流れることがが防止される。
がオフ状態となり、トランジスタ18は、電源端
子16から抵抗を通じてベース電流が流れること
によりオン状態となる。したがつて昇圧トランス
11の1次側コイル12aと記録再生ヘツド1
RPとトランジスタ18とが閉ループを形成する
ことになり、再生出力が昇圧トランス11を介し
て再生アンプ20に供給されることになる。この
再生時において、記録再生ヘツド1RPにオフセ
ツト電流が流れることがが防止される。
第4図Aに示すように、ベース電流IBを流すた
めにトランジスタ18のエミツタ及び接地間に抵
抗19bを単に挿入した場合、一点鎖線で示すよ
うに、トランジスタ18のベース・コレクタ接合
を介して1次側コイル12aとヘツド1RPとに
オフセツト電流ISが流れてしまう。このオフセツ
ト電流ISは、磁気シートに記録されているパター
ンを減磁したり、再生信号の波形のひずみ(非対
称性)を生じさせる。しかるに、この考案では、
第4図Bに示すように、トランジスタ18のコレ
クタ及び接地間にも抵抗19aを挿入し、ベー
ス・コレクタ接合を介して電流IB′を流している
ので、1次側コイル12a及び記録再生ヘツド1
RPの直列接続の両端間に直流的電位差が生ぜず、
したがつてオフセツト電流が流れることを防止す
ることができる。したがつてオフセツト電流によ
る記録信号の減磁や再出信号のひずみの発生を防
止することができる。
めにトランジスタ18のエミツタ及び接地間に抵
抗19bを単に挿入した場合、一点鎖線で示すよ
うに、トランジスタ18のベース・コレクタ接合
を介して1次側コイル12aとヘツド1RPとに
オフセツト電流ISが流れてしまう。このオフセツ
ト電流ISは、磁気シートに記録されているパター
ンを減磁したり、再生信号の波形のひずみ(非対
称性)を生じさせる。しかるに、この考案では、
第4図Bに示すように、トランジスタ18のコレ
クタ及び接地間にも抵抗19aを挿入し、ベー
ス・コレクタ接合を介して電流IB′を流している
ので、1次側コイル12a及び記録再生ヘツド1
RPの直列接続の両端間に直流的電位差が生ぜず、
したがつてオフセツト電流が流れることを防止す
ることができる。したがつてオフセツト電流によ
る記録信号の減磁や再出信号のひずみの発生を防
止することができる。
上述の例では、トランジスタ18として両方向
性及び対称性の良好なLECトランジスタを用い
ているが、再生信号のレベルが小さいので、通常
のトランジスタを用いるようにしても良い。但
し、通常のトランジスタの場合、ベース・エミツ
タ間接合とベース・コレクタ間接合との特性が異
なつているので、第5図に示すように、一方の抵
抗例えば19aを半固定抵抗とし、オフセツト電
流を生じないように調整される。この場合、抵抗
19a,19bの値の差により、記録電流の立上
り時間が変化するために、抵抗19a,19bは
可能な限り大きな値にし、電流に対しての影響を
無視できるように選ぶようになされる。
性及び対称性の良好なLECトランジスタを用い
ているが、再生信号のレベルが小さいので、通常
のトランジスタを用いるようにしても良い。但
し、通常のトランジスタの場合、ベース・エミツ
タ間接合とベース・コレクタ間接合との特性が異
なつているので、第5図に示すように、一方の抵
抗例えば19aを半固定抵抗とし、オフセツト電
流を生じないように調整される。この場合、抵抗
19a,19bの値の差により、記録電流の立上
り時間が変化するために、抵抗19a,19bは
可能な限り大きな値にし、電流に対しての影響を
無視できるように選ぶようになされる。
上述の説明から理解されるように、この考案に
依れば、昇圧トランスを用いた磁気ヘツド回路に
おいて、まず、リレーを用いずに記録再生の切換
を行なうことができる。したがつて、リレーを設
けるためのスペースを必要としたり、リレーのチ
ヤタリングによつて高速の切替ができなかつた
り、リレーのコンタクトポイントの劣下による信
頼性の低下などの問題点を一掃することができ
る。また、記録時には、第2の半導体スイツチに
よつて昇圧トランスの2次側コイル12bを短絡
することによつて、記録電流の立上り特性の改
善、再生時の低域周波数特性の改善をなしえ、更
に再生時には、オフセツト電流を除去することに
よつて、再生時の減磁及び再生信号波形のひずみ
を防止することができる。
依れば、昇圧トランスを用いた磁気ヘツド回路に
おいて、まず、リレーを用いずに記録再生の切換
を行なうことができる。したがつて、リレーを設
けるためのスペースを必要としたり、リレーのチ
ヤタリングによつて高速の切替ができなかつた
り、リレーのコンタクトポイントの劣下による信
頼性の低下などの問題点を一掃することができ
る。また、記録時には、第2の半導体スイツチに
よつて昇圧トランスの2次側コイル12bを短絡
することによつて、記録電流の立上り特性の改
善、再生時の低域周波数特性の改善をなしえ、更
に再生時には、オフセツト電流を除去することに
よつて、再生時の減磁及び再生信号波形のひずみ
を防止することができる。
なお、この考案は、デイジタル信号に限らずア
ナログ信号の記録再生に対して適用しても良い。
ナログ信号の記録再生に対して適用しても良い。
第1図は記録再生ヘツドの一例の正面図及び他
の例の斜視図、第2図はこの考案の一例の接続
図、第3図はこの考案の一例の記録信号の説明に
用いる波形図、第4図はこの考案の一例の動作説
明に用いる接続図、第5図はこの考案の他の例の
一部接続図である。 1RP……記録再生ヘツド、6……記録信号入
力端子、10……記録再生切替パルスの供給端
子、11……昇圧トランス、12a……1次側コ
イル、12b……2次側コイル、18,24……
スイツチングトランジスタ、20……再生アン
プ。
の例の斜視図、第2図はこの考案の一例の接続
図、第3図はこの考案の一例の記録信号の説明に
用いる波形図、第4図はこの考案の一例の動作説
明に用いる接続図、第5図はこの考案の他の例の
一部接続図である。 1RP……記録再生ヘツド、6……記録信号入
力端子、10……記録再生切替パルスの供給端
子、11……昇圧トランス、12a……1次側コ
イル、12b……2次側コイル、18,24……
スイツチングトランジスタ、20……再生アン
プ。
Claims (1)
- 記録電流供給回路に一端が接続され、他端が記
録再生ヘツドの一端に接続された昇圧トランスの
1次側コイルと、上記昇圧トランスの2次側コイ
ルの両端に接続された再生アンプと、一端が上記
1次側コイルの一端に接続され、他端が上記記録
再生ヘツドの他端に接続され、再生時に導通状態
となる第1の半導体スイツチと、上記2次側コイ
ルの両端に接続され、記録時に導通状態となる第
2の半導体スイツチと、上記第1の半導体スイツ
チの一端と基準電位点との間、及び上記第1の半
導体スイツチの他端と基準電位点との間に夫々挿
入された第1、第2の抵抗器とを備え、上記記録
再生ヘツドの他端が上記記録電流供給回路に接続
されていることを特徴とする記録再生切替回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12747381U JPS5835116U (ja) | 1981-08-28 | 1981-08-28 | 記録再生切替回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12747381U JPS5835116U (ja) | 1981-08-28 | 1981-08-28 | 記録再生切替回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5835116U JPS5835116U (ja) | 1983-03-07 |
| JPH0216403Y2 true JPH0216403Y2 (ja) | 1990-05-07 |
Family
ID=29921200
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12747381U Granted JPS5835116U (ja) | 1981-08-28 | 1981-08-28 | 記録再生切替回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5835116U (ja) |
-
1981
- 1981-08-28 JP JP12747381U patent/JPS5835116U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5835116U (ja) | 1983-03-07 |
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