JPH0216438A - 異物検査装置及びその方法 - Google Patents
異物検査装置及びその方法Info
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- JPH0216438A JPH0216438A JP16500388A JP16500388A JPH0216438A JP H0216438 A JPH0216438 A JP H0216438A JP 16500388 A JP16500388 A JP 16500388A JP 16500388 A JP16500388 A JP 16500388A JP H0216438 A JPH0216438 A JP H0216438A
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- light
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/94—Investigating contamination, e.g. dust
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- Pathology (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
半導体ＬＳＩウェーハ、ガラスマスク等の試料上の異物
検査装置及びその方法。
検査装置及びその方法。
半導体デバイスの高集積化、パターンの微細化が増々進
み、回路パターンの線幅は１μｍ程度又はそれ以下にな
っている。このような半導体デバイスを高歩留夛で製造
するためには、試料表面の附差異物を検査し、各種プロ
セス装置の清浄度を定量的に把握し、的確にプロセスを
管理する必要がある。
み、回路パターンの線幅は１μｍ程度又はそれ以下にな
っている。このような半導体デバイスを高歩留夛で製造
するためには、試料表面の附差異物を検査し、各種プロ
セス装置の清浄度を定量的に把握し、的確にプロセスを
管理する必要がある。
従来のパターンからの異物検出装置は特開昭５４−１０
１５９０号、５９−ＩＥ１６５２４号および５９−６５
４２８号に開示されている。
１５９０号、５９−ＩＥ１６５２４号および５９−６５
４２８号に開示されている。
特開昭５４−１０１ｉＯ号には、レーザ光源、該レーザ
光を斜めから照射する手段、レンズによる７−リエ変換
光学系、フーリエ変換面に設置した空間フィルタおよび
結像光学系を特徴とする異物検査装置が開示されている
。この装置は、パターンは一般的に視野内で同一方向か
あるいは２〜３方向の組合せで構成されていることに着
目し、この方向による回折光をフーリエ変換面に設置し
た空間フィルタで遮光することにより、異物からの反射
光だけを通過させて検出するものである。
光を斜めから照射する手段、レンズによる７−リエ変換
光学系、フーリエ変換面に設置した空間フィルタおよび
結像光学系を特徴とする異物検査装置が開示されている
。この装置は、パターンは一般的に視野内で同一方向か
あるいは２〜３方向の組合せで構成されていることに着
目し、この方向による回折光をフーリエ変換面に設置し
た空間フィルタで遮光することにより、異物からの反射
光だけを通過させて検出するものである。
また、特開昭５９−１８６５２４号には、レーザ光源、
斜め上方からレーザ光を照射し走査する手段、散乱光を
複数の方向から検出するための複数の検出手段から構成
さｎるホトマスクの異物検査装置が開示されているＯこ
ｎは、「パターンエッチ部で生じる散乱光は、５つの受
光素子のうち、１冥に１つの素子ではほとんど受光され
ない」のに対し、［異物からは無指向に散乱光が発生す
るので、各受光素子の受光量はほぼ同程度になる。」こ
とを利用して論理積を得て、パターンと異物を弁別する
ものである。
斜め上方からレーザ光を照射し走査する手段、散乱光を
複数の方向から検出するための複数の検出手段から構成
さｎるホトマスクの異物検査装置が開示されているＯこ
ｎは、「パターンエッチ部で生じる散乱光は、５つの受
光素子のうち、１冥に１つの素子ではほとんど受光され
ない」のに対し、［異物からは無指向に散乱光が発生す
るので、各受光素子の受光量はほぼ同程度になる。」こ
とを利用して論理積を得て、パターンと異物を弁別する
ものである。
特開昭５９−６５４２Ｂ号には直線偏光レーザ、特定の
入射角度で該レーザ光を入射する手段、偏光板およびレ
ンズを用いた結像光学系を特徴とする異物検査装置が開
示されている。この装置では、直線偏光を照射した際、
パターンと異物ではその散乱光の偏光方向が異なること
を利用して異物だけを輝かせ検出している。
入射角度で該レーザ光を入射する手段、偏光板およびレ
ンズを用いた結像光学系を特徴とする異物検査装置が開
示されている。この装置では、直線偏光を照射した際、
パターンと異物ではその散乱光の偏光方向が異なること
を利用して異物だけを輝かせ検出している。
ＬＳＩが高集積化され、配線パターンが微細化に進むに
従い、よシ小さな異物が問題になってきたＯ 試料がパターンを有する場合の異物検出において、照明
光によるパターンからの散乱光を遮光し、異物散乱光の
みを検出することがポイントになるが、特開昭５４−１
０１３９０号に開示されている技術では、微小異物から
の散乱光が微弱となシバターンと区別して検出すること
が困難である。また特開昭５９−６５４２８号の技術で
微小異物を検出することは可能であるが、遮光パターン
が限られ同一の空間フィルタで遮光すると、パターンを
遮光することができず異物のみの検出が不可能であった
。
従い、よシ小さな異物が問題になってきたＯ 試料がパターンを有する場合の異物検出において、照明
光によるパターンからの散乱光を遮光し、異物散乱光の
みを検出することがポイントになるが、特開昭５４−１
０１３９０号に開示されている技術では、微小異物から
の散乱光が微弱となシバターンと区別して検出すること
が困難である。また特開昭５９−６５４２８号の技術で
微小異物を検出することは可能であるが、遮光パターン
が限られ同一の空間フィルタで遮光すると、パターンを
遮光することができず異物のみの検出が不可能であった
。
本発明の目的は、これらの課題を解決するため、半導体
ウェーハ試料等の微小異物のみを検出してパターンから
弁別できるようにした異物検査装置及びその方を提供す
ることにある。
ウェーハ試料等の微小異物のみを検出してパターンから
弁別できるようにした異物検査装置及びその方を提供す
ることにある。
異物のみを検出するために以下の技術を開発したＯ
１、 レーザ照明による種々のパターンからの散乱光を
遮光するために光路を分岐させ、各々の光路上に左右（
あるいは上下）対称の空間フィルタを検出系に具備する
。
遮光するために光路を分岐させ、各々の光路上に左右（
あるいは上下）対称の空間フィルタを検出系に具備する
。
２ 複数の検出光学系と該検出光学系の各々に設置され
た、一次元又は２次元固体撮像素子の出力信号を量子化
処理する手段、 以上を用いることにより上記目的は達成される。
た、一次元又は２次元固体撮像素子の出力信号を量子化
処理する手段、 以上を用いることにより上記目的は達成される。
１、 特開昭５４−１０１５９０．５９−１８６３２４
号に記載されているように、異物とパターンの違いはパ
ターンの反射光は指光性があるのに対し、異物の反射光
は指向性がない点である。
号に記載されているように、異物とパターンの違いはパ
ターンの反射光は指光性があるのに対し、異物の反射光
は指向性がない点である。
これは、パターンからの反射は回折現象が支配的であり
、異物からの反射は散乱現象が支配的である理由による
。パターンからの反射光は特定の方向に極めて高い指向
性で回折する。
、異物からの反射は散乱現象が支配的である理由による
。パターンからの反射光は特定の方向に極めて高い指向
性で回折する。
よって、レンズの開口と照明レーザ光スポット形状によ
って決まる遮光部を有する空間フィルタにより特定のパ
ターンからの反射光が遮光されるため異物検出感度が向
上する。
って決まる遮光部を有する空間フィルタにより特定のパ
ターンからの反射光が遮光されるため異物検出感度が向
上する。
Ｚ 検出光学系Ａ、Ｂの一次元又は二次元固体撮像素子
の検出出力信号を加算処理し、その処理された信号を量
子化回路で２値化す−ることにより、パターンようも微
小異物が強調され安定に検出できる。
の検出出力信号を加算処理し、その処理された信号を量
子化回路で２値化す−ることにより、パターンようも微
小異物が強調され安定に検出できる。
以下図面を参照して本発明の一実施例について説明する
。
。
第２図に本実施例のパターンと異物からの散乱光分布を
示す。
示す。
ここで（ａ）ｔ （ｂ）ｌ （ｃ）ｔ （ａ）Ｉ （θ
）は対物レンズ３のフーリエ変換面Ｆの回折光の分布図
であり、（ｆ）、 （ｈ）。
）は対物レンズ３のフーリエ変換面Ｆの回折光の分布図
であり、（ｆ）、 （ｈ）。
（ｉ）、 （ｊ）、 （匂は光学系図、（１）、翰）、
（匂、（０）、ら）はレーザ光照射位置の拡大図、■は
空間フィルタの図である。
（匂、（０）、ら）はレーザ光照射位置の拡大図、■は
空間フィルタの図である。
（ａ）、 （ｆ）、 （埠はパターン直線部１ａにレー
ザ光を照射した場合の図であシ、フーリエ変換面Ｆの中
央に狭い回折光が生じる。この回折光の幅Ｗは試料上へ
のレーザ光スポットのＸ方向の幅により決まる。
ザ光を照射した場合の図であシ、フーリエ変換面Ｆの中
央に狭い回折光が生じる。この回折光の幅Ｗは試料上へ
のレーザ光スポットのＸ方向の幅により決まる。
（ｂ）、 （ｈ）、 （ｍ）はパターンコーナ１ｂにレ
ーザ光を照射した場合の図であシ、（ａ）の場合よシ回
折光の幅が広くなる。これはパターンコーナ１ｂにより
レーザ光の回折光が指向性を失うためである。
ーザ光を照射した場合の図であシ、（ａ）の場合よシ回
折光の幅が広くなる。これはパターンコーナ１ｂにより
レーザ光の回折光が指向性を失うためである。
（Ｃ）Ｉ （１）ｌ （匂はパターンコーナ１ｂと反対
向きのパターンコーナ１ｂ’にレーザ光を照射した場合
の図でちゃ、（ｂ）とは反対方向に回折光の幅は広くな
る０ （ｄ）＋ （ｊＬ （ｏ）はパターンからずれた所にレ
ーザ光を照射した場合の図であるが、対物レンズ３に反
射光が入らないので、回折光は検出されない。
向きのパターンコーナ１ｂ’にレーザ光を照射した場合
の図でちゃ、（ｂ）とは反対方向に回折光の幅は広くな
る０ （ｄ）＋ （ｊＬ （ｏ）はパターンからずれた所にレ
ーザ光を照射した場合の図であるが、対物レンズ３に反
射光が入らないので、回折光は検出されない。
（θ）ｔ （ｋ）、 （ｐ）は異物２にレーザ光を照射
した場合の図であシ、フーリエ変換面Ｆ全面に渉シ回折
光が広がる。これは異物２からの散乱光は指光性がない
ためである。
した場合の図であシ、フーリエ変換面Ｆ全面に渉シ回折
光が広がる。これは異物２からの散乱光は指光性がない
ためである。
以上よシ、遮光部６の幅ω１を有する空間フィルタ４に
よりバターン直線部１ａからの散乱光は完全に遮光でき
る。空間フィルタ４は、透過部５゜遮光部６よ）形成さ
れる。又、パターン１ｃは検出系に入らないので、異物
２の検出に影響のあるパターンコーナｔｂ、ｔｂ’のみ
を考慮すればよい。
よりバターン直線部１ａからの散乱光は完全に遮光でき
る。空間フィルタ４は、透過部５゜遮光部６よ）形成さ
れる。又、パターン１ｃは検出系に入らないので、異物
２の検出に影響のあるパターンコーナｔｂ、ｔｂ’のみ
を考慮すればよい。
次にパターン形状による散乱光分布と遮光用の空間フィ
ルタ４の遮光部６の形状の相違を第６図に示す。
ルタ４の遮光部６の形状の相違を第６図に示す。
ここで■、＠、■は空間フィルタ４の形状を示す図、Ｏ
９■ｔ６は７一リエ変換面Ｆの回折光の分布図、■、■
、■は光学系図、■、■、■はレーザ光照射位置の拡大
図である。なお、レーザ光はパターンコーナ１ｂに照射
する。
９■ｔ６は７一リエ変換面Ｆの回折光の分布図、■、■
、■は光学系図、■、■、■はレーザ光照射位置の拡大
図である。なお、レーザ光はパターンコーナ１ｂに照射
する。
■、■、■、■はパターンコーナ１ｂの角部が直角に近
い場合の図であり、フーリエ変換面Ｆの回折光の幅ωは
第２図（ａ）のＷよシわずかに広がった程度の広さのた
め、遮光部６の幅はω１で十分である。
い場合の図であり、フーリエ変換面Ｆの回折光の幅ωは
第２図（ａ）のＷよシわずかに広がった程度の広さのた
め、遮光部６の幅はω１で十分である。
■、■、■、■はパターンコーナ１ｂがカット面である
場合の図であシ、フーリエ変換面？の回折光は＠と較べ
て広くなる。このため遮光部６の幅ω２は％よシ広くし
なけｎばならない。
場合の図であシ、フーリエ変換面？の回折光は＠と較べ
て広くなる。このため遮光部６の幅ω２は％よシ広くし
なけｎばならない。
θ、θ、■、■はパターンコーナ１ｂが丸みを持ったコ
ーナである場合の図であシ、フーリエ変換面Ｆの回折光
は■よシさらに広くなる。このため遮光部６の幅ω５は
ω２よシ広くしなければならないＯ よって、■における空間フィルタ４の遮光部ω３を第１
図（ａ）のように組み合せることにより、パターン１を
遮光できることになる。
ーナである場合の図であシ、フーリエ変換面Ｆの回折光
は■よシさらに広くなる。このため遮光部６の幅ω５は
ω２よシ広くしなければならないＯ よって、■における空間フィルタ４の遮光部ω３を第１
図（ａ）のように組み合せることにより、パターン１を
遮光できることになる。
本発明の散乱光分岐の光学系について第１図にて説明す
る。
る。
レーザ光源９からのレーザ光をレンズ１０によ）集光し
試料８に照射し、試料８上で反射された散乱光を対物レ
ンズ３により集光し、し４波長板１１を通過した後、分
岐光学素子１２で散乱光を分岐しリレーレンズ１３Ａ、
１３Ｂにより検出器７Ａ、７Ｂ上に結像する。対物レ
ンズ３のフーリエ変換面Ｆに各々空間フィルタ４Ａ、４
ＢをＡＬＬバター７１からの散乱光を各々６ｃのへと６
ｃ’のω二により遮光する。
試料８に照射し、試料８上で反射された散乱光を対物レ
ンズ３により集光し、し４波長板１１を通過した後、分
岐光学素子１２で散乱光を分岐しリレーレンズ１３Ａ、
１３Ｂにより検出器７Ａ、７Ｂ上に結像する。対物レ
ンズ３のフーリエ変換面Ｆに各々空間フィルタ４Ａ、４
ＢをＡＬＬバター７１からの散乱光を各々６ｃのへと６
ｃ’のω二により遮光する。
第１図（１））は同一パターン１ｂ′における空間フィ
ルタ４Ａ、４Ｂの遮光部６ｃ、 ６ｃ’の位置関係を
示したものである。
ルタ４Ａ、４Ｂの遮光部６ｃ、 ６ｃ’の位置関係を
示したものである。
次に空間フィルタ４の遮光部６と検出器７の関係を第４
図に示す。
図に示す。
（ａ）における突出したパターン１のコーナーＱ。
Ｒ，Ｓ、 Ｔ、異物２ａの散乱光の遮光は、空間フィ
ルタ４Ｂの遮光部６Ｃ′によりｓ光、パターンＱ’＋Ｒ
／、 ｓ／、 Ｔ／、異物２ｂの散乱光の遮光は空間フ
ィルタ４Ａの遮光部６Ｃにより遮光される。
ルタ４Ｂの遮光部６Ｃ′によりｓ光、パターンＱ’＋Ｒ
／、 ｓ／、 Ｔ／、異物２ｂの散乱光の遮光は空間フ
ィルタ４Ａの遮光部６Ｃにより遮光される。
（ｂ）は（ａ）図の各Ｑ、 Ｒ，Ｓ、 Ｔ、異物２
ａの位置において一次元固体撮像素子７Ａの各々の画素
■〜■）から得られる検出信号を示し、（Ｃ）は同じく
（ａ）の各Ｑ’ｔ Ｒ’ｌ Ｓ’Ｉ Ｔ’ｌ異物２１１
１の位置において一次元固体撮像素子７Ｂの各々の画素
（■′〜■′）から得られる検出信号を示す。（、ｉ）
はこの検出信号をＶ□の閾値で２値化された２値化信号
を示す図である。
ａの位置において一次元固体撮像素子７Ａの各々の画素
■〜■）から得られる検出信号を示し、（Ｃ）は同じく
（ａ）の各Ｑ’ｔ Ｒ’ｌ Ｓ’Ｉ Ｔ’ｌ異物２１１
１の位置において一次元固体撮像素子７Ｂの各々の画素
（■′〜■′）から得られる検出信号を示す。（、ｉ）
はこの検出信号をＶ□の閾値で２値化された２値化信号
を示す図である。
第４図（−）に示すように、パターン１上のＱ＊ Ｒ
ｓＳ、 Ｔ、異物２ａ（Ｑ’＊ Ｒ’＠ Ｓ’Ｓ Ｔ
’、異物２ｂ）がＸ方向に一列に存在する場合、試料８
をＸ方向に送るとレーザスポット１４により各々のパタ
ーン１上のＱ、Ｒ＋ Ｓｓ Ｔ＊ 異物２’ （Ｑ
′、Ｒ′、Ｓ′。
ｓＳ、 Ｔ、異物２ａ（Ｑ’＊ Ｒ’＠ Ｓ’Ｓ Ｔ
’、異物２ｂ）がＸ方向に一列に存在する場合、試料８
をＸ方向に送るとレーザスポット１４により各々のパタ
ーン１上のＱ、Ｒ＋ Ｓｓ Ｔ＊ 異物２’ （Ｑ
′、Ｒ′、Ｓ′。
Ｔ／、異物２１））からの散乱光が発生する。これは検
出器７Ａ、７Ｂの画素■〜■（■′〜■′）上に結像す
るので、画素■〜■（■′〜■′）を走査し検出器７Ａ
からの出力信号Ｖ、と検出器７Ｂからの出力信号りを得
る。
出器７Ａ、７Ｂの画素■〜■（■′〜■′）上に結像す
るので、画素■〜■（■′〜■′）を走査し検出器７Ａ
からの出力信号Ｖ、と検出器７Ｂからの出力信号りを得
る。
この出力信号Ｖムとｖｌ を加算して出力ｖ、＋３を作
夛閾値ｖｔＥにより量子化すると、量子化信号ｖｃにお
いて異物の見逃しがなくなる。またｖＡとＶＢをそれぞ
れについて閾値により量子化し、それぞれについて判断
し、その結果から異物を発見する方法も考えられる。
夛閾値ｖｔＥにより量子化すると、量子化信号ｖｃにお
いて異物の見逃しがなくなる。またｖＡとＶＢをそれぞ
れについて閾値により量子化し、それぞれについて判断
し、その結果から異物を発見する方法も考えられる。
また、第５図に異物とパターンの出力信号領域を示す。
（パターン１と異物２の出力信号については第４図参照
） まず異物２ｃ、２ｄ、２θからの出力信号はＶムとｖＢ
がほぼ同じになるため異物出力信号領域は、はぼ直線的
に推移する。しかし、パターン１１）、１ａにおいては
出力信号ＶＢが太きくｖＡが小さくなる。
） まず異物２ｃ、２ｄ、２θからの出力信号はＶムとｖＢ
がほぼ同じになるため異物出力信号領域は、はぼ直線的
に推移する。しかし、パターン１１）、１ａにおいては
出力信号ＶＢが太きくｖＡが小さくなる。
〔パターン出力信号領域（１）〕
一方、パターン１ｂ′及び１ｄ’においては出力信号Ｖ
□が太きくＶ＋＋が小さくなる。〔パターン出力信号領
域Ｃ［Ｉ） ）又、パターンｌａ、ｉｏ、ｉｆの出力信
号ｖＡとＶＢは共に小さくなる。〔パターン出力信号領
域（２）≧れは空間フィルタ４で完全に遮光されるため
である。
□が太きくＶ＋＋が小さくなる。〔パターン出力信号領
域Ｃ［Ｉ） ）又、パターンｌａ、ｉｏ、ｉｆの出力信
号ｖＡとＶＢは共に小さくなる。〔パターン出力信号領
域（２）≧れは空間フィルタ４で完全に遮光されるため
である。
これにより異物出力信号領域の部分のみを設定すること
により異物２とパターン１の弁別ができる。
により異物２とパターン１の弁別ができる。
以上述べた本発明の特徴を使用した一実施例を第６図に
示す◇ 照明光学系１５によりレーザ光を試料８に照射し、試料
８からの散乱光は分岐光学素子１２により各々検出器７
ＡＩ ７Ｂに結像され検出信号Ｖム、ｖ１を得る。
示す◇ 照明光学系１５によりレーザ光を試料８に照射し、試料
８からの散乱光は分岐光学素子１２により各々検出器７
ＡＩ ７Ｂに結像され検出信号Ｖム、ｖ１を得る。
制御回路１６は、検出器用駆動回路１７と送）ステージ
用駆動回路１８に指令を送る。送システージ１９にはエ
ンコーダ２０が塔載されておシ、試料８の座標位置を異
物座標メモリ回路２１に送る。
用駆動回路１８に指令を送る。送システージ１９にはエ
ンコーダ２０が塔載されておシ、試料８の座標位置を異
物座標メモリ回路２１に送る。
検出器７Ａと７Ｂの出力ｖＡ、ｖ、は加算回路２２で加
算処理されて信号ＶＡ＋１を得る。信号Ｖム＋３は量子
化回路２５で２値化され量子化信号を得る。
算処理されて信号ＶＡ＋１を得る。信号Ｖム＋３は量子
化回路２５で２値化され量子化信号を得る。
信号Ｖ。が発生するとエンコーダ２０の座標出力が異物
座標メモリ回路２１に記憶され、検査が終了すると表示
回路２４に異物座標が送信され、異物マツプが表示され
る〇 〔発明の効果〕 以上説明したように、本発明によりＬＳＩウェー八等へ
微小凹凸パターン表面上における微小異物の安定検出が
可能となる。
座標メモリ回路２１に記憶され、検査が終了すると表示
回路２４に異物座標が送信され、異物マツプが表示され
る〇 〔発明の効果〕 以上説明したように、本発明によりＬＳＩウェー八等へ
微小凹凸パターン表面上における微小異物の安定検出が
可能となる。
第１図は本発明の散乱光分岐の光学系を示す図、第２図
はパターンと異物からの散乱光分布を示す図、第３図は
パターン形状による散乱光分布と遮光用の空間フィルタ
の遮光部の形状相違図、第４図は空間フィルタの遮光部
と検出器の関係を示す図、第５図は異物とパターンの出
力信号領域分布図、第６図は異物検査装置の構成を示す
ブロック図である。 １・・・パターン、２・・・異物、３・・・対物レンズ
、４・・・空間フィルタ、５・・・透過部、６・・・遮
光部、７・・・検出器、１２・・・分岐光学素子、１５
・・・照明光学系、１６・・・制御回路、１７・・・検
出器用駆動回路、１８・・・送システージ用駆動回路、
１９・・・送システージ、２０・・・エンコーダ、２１
・・・異物座標メモリ回路、２２・・・加算回路、２３
・・・量子化回路、２４・・・表示回路。 第 ４図 ＱＦＡすθ
はパターンと異物からの散乱光分布を示す図、第３図は
パターン形状による散乱光分布と遮光用の空間フィルタ
の遮光部の形状相違図、第４図は空間フィルタの遮光部
と検出器の関係を示す図、第５図は異物とパターンの出
力信号領域分布図、第６図は異物検査装置の構成を示す
ブロック図である。 １・・・パターン、２・・・異物、３・・・対物レンズ
、４・・・空間フィルタ、５・・・透過部、６・・・遮
光部、７・・・検出器、１２・・・分岐光学素子、１５
・・・照明光学系、１６・・・制御回路、１７・・・検
出器用駆動回路、１８・・・送システージ用駆動回路、
１９・・・送システージ、２０・・・エンコーダ、２１
・・・異物座標メモリ回路、２２・・・加算回路、２３
・・・量子化回路、２４・・・表示回路。 第 ４図 ＱＦＡすθ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、パターンを有する試料に光を斜方照明する照明光学
系を有し、該照明光学系による該試料からの散乱光を２
つの光路に分岐する分岐光学素子と、該分岐光学素子に
より分岐された各散乱光を集光させる第１及び第２の光
学素子と、上記一方の光路に分岐された散乱光のうち上
記パターンの一端のコーナ部から発生する散乱光を遮光
する第１の空間フィルタと、上記他方の光路に分岐され
た散乱光のうち上記パターンの他端のコーナ部から発生
する散乱光を遮光する第２の空間フィルタと、上記各光
学素子により集光され、且つ上記第１及び第２の空間フ
ィルタを通過した各散乱光を光電変換し検出する第１及
び第２の検出器とから成る検出光学系を有することを特
徴とする異物検査装置。 ２、上記検出器の各々を一次元又は二次元固体撮像素子
で構成したことを特徴とする請求項１記載の異物検査装
置。 ３、更に上記各一次元又は二次元固体撮像素子から同期
して出力させる駆動回路と、各一次元又は二次元固体撮
像素子の出力信号を量子化する量子化回路とを有するこ
とを特徴とした請求項２記載の異物検査装置。 ４、上記照明光学系に、レーザ光を発生させるレーザ光
源を有することを特徴とする請求項１記載の異物検査装
置。 ５、照明光学系によりパターンを有する試料に光を斜方
照明し、該試料からの散乱光を分岐光学素子により２つ
の光路に分岐し、分岐された各散乱光を光学素子により
集光し、上記一方の光路に分岐された散乱光のうち上記
パターンの一端のコーナ部から発生する散乱光を空間フ
ィルタにより遮光し、上記他方の光路に分岐された散乱
光のうち上記パターンの他端のコーナ部から発生する散
乱光を空間フィルタにより遮光し、集光され、且つ空間
フィルタを通過した各散乱光を検出器により光電変換し
て検出することを特徴とする異物検査方法。 ６、上記試料が半導体ウェハであることを特徴とする請
求項５記載の異物検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16500388A JPH0216438A (ja) | 1988-07-04 | 1988-07-04 | 異物検査装置及びその方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16500388A JPH0216438A (ja) | 1988-07-04 | 1988-07-04 | 異物検査装置及びその方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0216438A true JPH0216438A (ja) | 1990-01-19 |
Family
ID=15803997
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16500388A Pending JPH0216438A (ja) | 1988-07-04 | 1988-07-04 | 異物検査装置及びその方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0216438A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05264468A (ja) * | 1992-03-19 | 1993-10-12 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 多層半導体基板等における内部欠陥の検出方法及び装置 |
| TWI651229B (zh) * | 2015-03-31 | 2019-02-21 | 日商村田機械股份有限公司 | 移行台車系統及移行台車之移行方法 |
| TWI741098B (zh) * | 2017-01-24 | 2021-10-01 | 日商迪思科股份有限公司 | 點形狀檢測裝置 |
-
1988
- 1988-07-04 JP JP16500388A patent/JPH0216438A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05264468A (ja) * | 1992-03-19 | 1993-10-12 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 多層半導体基板等における内部欠陥の検出方法及び装置 |
| TWI651229B (zh) * | 2015-03-31 | 2019-02-21 | 日商村田機械股份有限公司 | 移行台車系統及移行台車之移行方法 |
| TWI741098B (zh) * | 2017-01-24 | 2021-10-01 | 日商迪思科股份有限公司 | 點形狀檢測裝置 |
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