JPH0216467B2 - - Google Patents
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- JPH0216467B2 JPH0216467B2 JP56097235A JP9723581A JPH0216467B2 JP H0216467 B2 JPH0216467 B2 JP H0216467B2 JP 56097235 A JP56097235 A JP 56097235A JP 9723581 A JP9723581 A JP 9723581A JP H0216467 B2 JPH0216467 B2 JP H0216467B2
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
- G01N27/403—Cells and electrode assemblies
- G01N27/406—Cells and probes with solid electrolytes
- G01N27/407—Cells and probes with solid electrolytes for investigating or analysing gases
- G01N27/4071—Cells and probes with solid electrolytes for investigating or analysing gases using sensor elements of laminated structure
-
- G—PHYSICS
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-
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- G01N27/4067—Means for heating or controlling the temperature of the solid electrolyte
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Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、エンジンの空燃比制御装置に用い
られる酸素センサの電流制御装置に関するもので
ある。
られる酸素センサの電流制御装置に関するもので
ある。
近年、電子技術の急速な発達に伴つてエンジン
の制御も電子化される傾向にあり、その１つとし
て空燃比制御がある。このエンジンの空燃比制御
は、排気路に酸素センサを設けて排気ガス中の酸
素濃度を検出し、この酸素センサの出力を用いて
燃料供給量をフイードバツク制御することによつ
て空燃比を目標値に制御する構成となつている。
この場合、空燃比制御における酸素濃度の検出は
極めて重要であり、その性能が空燃比制御の特性
を決定したおり、そのためには酸素センサの温度
を常に一定に制御する必要がある。以下、この発
明による酸素センサ用電流制御装置を説明する前
に、この発明が制御対象としている酸素センサに
ついて説明する。
の制御も電子化される傾向にあり、その１つとし
て空燃比制御がある。このエンジンの空燃比制御
は、排気路に酸素センサを設けて排気ガス中の酸
素濃度を検出し、この酸素センサの出力を用いて
燃料供給量をフイードバツク制御することによつ
て空燃比を目標値に制御する構成となつている。
この場合、空燃比制御における酸素濃度の検出は
極めて重要であり、その性能が空燃比制御の特性
を決定したおり、そのためには酸素センサの温度
を常に一定に制御する必要がある。以下、この発
明による酸素センサ用電流制御装置を説明する前
に、この発明が制御対象としている酸素センサに
ついて説明する。
第１図は従来一般に用いられている自動車の排
ガス中に含まれる酸素濃度を検出する酸素センサ
の一例を示す（例えば、実開昭56−46861号公報
等参照）一部切欠側面図であつて、この酸素セン
サは先端が小径とされたホルダー１を有し、この
ホルダー１の先端部にカツプ状をなしたルーバー
２が挿入されて開孔部分を覆つている。そして、
このルーバー２には、その周面に小径のルーバー
孔２ａが複数個所設けられて、被測定ガスがその
内部を自由に通過できるように構成されている。
ホルダー１とルーバー２によつて構成される内部
空間には、ムライト絶縁筒３によつて支持された
板状のヒータ付センサ素子４が内蔵されており、
このセンサ素子４からムライト絶縁筒３および図
示しないテフロン（登録商標名）絶縁筒を介して
ヒータ電流供給用のリード線７、センサ出力取出
用のリード線６およびアース用のリード線５がそ
れぞれ引き出されている。そして、このムライト
絶縁筒３はケース８に覆われてホルダー１内に固
定されている。９は中空ボルトであつて、ねじ山
を図示しない排ガス通路に設けられた取付孔のね
じ溝に係合してホルダー１を該取付孔に締め付け
ることにより、ＡーA′線よりも先端側部分を排
ガス通路内に露出した状態で固定する。従つて、
排ガス通路内を流れる被測定ガスは、円筒状のル
ーバー２に設けられたルーバー孔２ａを介してセ
ンサ素子４の表面に設けられているセンサ部４ａ
に直接当たることになる。
ガス中に含まれる酸素濃度を検出する酸素センサ
の一例を示す（例えば、実開昭56−46861号公報
等参照）一部切欠側面図であつて、この酸素セン
サは先端が小径とされたホルダー１を有し、この
ホルダー１の先端部にカツプ状をなしたルーバー
２が挿入されて開孔部分を覆つている。そして、
このルーバー２には、その周面に小径のルーバー
孔２ａが複数個所設けられて、被測定ガスがその
内部を自由に通過できるように構成されている。
ホルダー１とルーバー２によつて構成される内部
空間には、ムライト絶縁筒３によつて支持された
板状のヒータ付センサ素子４が内蔵されており、
このセンサ素子４からムライト絶縁筒３および図
示しないテフロン（登録商標名）絶縁筒を介して
ヒータ電流供給用のリード線７、センサ出力取出
用のリード線６およびアース用のリード線５がそ
れぞれ引き出されている。そして、このムライト
絶縁筒３はケース８に覆われてホルダー１内に固
定されている。９は中空ボルトであつて、ねじ山
を図示しない排ガス通路に設けられた取付孔のね
じ溝に係合してホルダー１を該取付孔に締め付け
ることにより、ＡーA′線よりも先端側部分を排
ガス通路内に露出した状態で固定する。従つて、
排ガス通路内を流れる被測定ガスは、円筒状のル
ーバー２に設けられたルーバー孔２ａを介してセ
ンサ素子４の表面に設けられているセンサ部４ａ
に直接当たることになる。
この場合、センサ素子４は第２図ａ，ｂにその
平面図および要部断面図を示すように、アルミナ
等の耐熱性絶縁基板１０の表面にセンサ部４ａが
形成された構造をなしている。そして、この絶縁
板１０の内部には、リード線５，７間に接続され
た白金を主成分とする温度制御用のヒータ１１が
埋め込まれている。センサ部４ａは、絶縁基板１
０の表面に固体電解質１２、リード線６に接続さ
れた基準極としての内側電極１３、固体電解質１
４およびリード線５に接続された外側電極１５が
厚膜技術によつて順次重ね合わされて約70μの厚
さに形成されている。そして、これらの絶縁基板
１０および厚膜積層体により構成されるセンサ部
４ａはその周囲を気体分子が通過しうる程度の孔
を無数に有する例えばスピネル等の保護層１６に
よつて被覆されて保護されている。
平面図および要部断面図を示すように、アルミナ
等の耐熱性絶縁基板１０の表面にセンサ部４ａが
形成された構造をなしている。そして、この絶縁
板１０の内部には、リード線５，７間に接続され
た白金を主成分とする温度制御用のヒータ１１が
埋め込まれている。センサ部４ａは、絶縁基板１
０の表面に固体電解質１２、リード線６に接続さ
れた基準極としての内側電極１３、固体電解質１
４およびリード線５に接続された外側電極１５が
厚膜技術によつて順次重ね合わされて約70μの厚
さに形成されている。そして、これらの絶縁基板
１０および厚膜積層体により構成されるセンサ部
４ａはその周囲を気体分子が通過しうる程度の孔
を無数に有する例えばスピネル等の保護層１６に
よつて被覆されて保護されている。
このように構成されたセンサ素子４は、内側電
極１３の近辺に存在する酸素分圧P1と外側電極
１５の近辺に存在する酸素分圧P2とによつてネ
ルンストの式により、 Ｅ＝RT／4FlnP1／P2 なる起動力Ｅをリード線５，６間に発生する。た
だし、Ｒはガス定数、Ｔは絶対温度、Ｆはフアラ
デー定数である。ここで、内側電極１３から外側
電極１５に向つて電流を流すと、固体電解質１４
部分において外側電極１５から内側電極１３に向
つて酸素イオンが流れ込み、電流を増加させると
酸素イオンの量も増大する。この場合、外側電極
１５部分から内側電極１３部分に流れ込む酸素イ
オンは、保護層１６の周囲に存在する被測定ガス
から酸素分子が保護層１６を拡散現象により通過
して供給され、従つて、外側電極１５部分におい
ては、内側電極１３に流れる酸素イオン量と保護
層１６を介して供給される酸素分子量との関係に
おいて酸素分圧が決まり、前者が多い場合には酸
素分圧が低く、後者が多い場合には酸素分圧が高
くなる。つまり、センサ素子４の周囲に酸素分圧
が存在したとしても、流し込む電流が多くなると
外側電極１５近辺の酸素分圧が低くなり、内側電
極１３の近辺における高い酸素分圧との間に前述
したネルンストの式によつて起電力が発生される
ことになる。そして、この起電力も、センサ素子
４の周囲に供給される被測定ガス中の酸素濃度が
増加すると、保護層１６を拡散により通過する酸
素分子の数が増加して外側電極１５近辺における
酸素分圧が高まつて起電力が低下する。従つて、
内側電極１３，１５間に流れ込む電流およびセン
サ部４ａの温度が一定の場合には、被測定ガス中
の酸素濃度に対応して出力が変化することにな
る。また、上記構成による酸素センサは、センサ
部４ａの温度によつてその出力値が変化するため
に、絶縁基板１０の内部に埋め込まれているヒー
タ１１に通電することにより温度を一定化してい
る。
極１３の近辺に存在する酸素分圧P1と外側電極
１５の近辺に存在する酸素分圧P2とによつてネ
ルンストの式により、 Ｅ＝RT／4FlnP1／P2 なる起動力Ｅをリード線５，６間に発生する。た
だし、Ｒはガス定数、Ｔは絶対温度、Ｆはフアラ
デー定数である。ここで、内側電極１３から外側
電極１５に向つて電流を流すと、固体電解質１４
部分において外側電極１５から内側電極１３に向
つて酸素イオンが流れ込み、電流を増加させると
酸素イオンの量も増大する。この場合、外側電極
１５部分から内側電極１３部分に流れ込む酸素イ
オンは、保護層１６の周囲に存在する被測定ガス
から酸素分子が保護層１６を拡散現象により通過
して供給され、従つて、外側電極１５部分におい
ては、内側電極１３に流れる酸素イオン量と保護
層１６を介して供給される酸素分子量との関係に
おいて酸素分圧が決まり、前者が多い場合には酸
素分圧が低く、後者が多い場合には酸素分圧が高
くなる。つまり、センサ素子４の周囲に酸素分圧
が存在したとしても、流し込む電流が多くなると
外側電極１５近辺の酸素分圧が低くなり、内側電
極１３の近辺における高い酸素分圧との間に前述
したネルンストの式によつて起電力が発生される
ことになる。そして、この起電力も、センサ素子
４の周囲に供給される被測定ガス中の酸素濃度が
増加すると、保護層１６を拡散により通過する酸
素分子の数が増加して外側電極１５近辺における
酸素分圧が高まつて起電力が低下する。従つて、
内側電極１３，１５間に流れ込む電流およびセン
サ部４ａの温度が一定の場合には、被測定ガス中
の酸素濃度に対応して出力が変化することにな
る。また、上記構成による酸素センサは、センサ
部４ａの温度によつてその出力値が変化するため
に、絶縁基板１０の内部に埋め込まれているヒー
タ１１に通電することにより温度を一定化してい
る。
第３図は従来の酸素センサ用電流制御装置の一
例を示す回路図であつて、RHは第１図および第
２図ａ，ｂに示すセンサ素子４に設けられている
ヒータ１１のヒータ抵抗、R1〜R3は固定抵抗で
あつて、ヒータ抵抗RHとによつてブリツジ回路
を構成している。この場合、R3＜RH≪R1＜R2に
設定されている。TCは温度制御部であつて、ブ
リツジ回路の頂点電位e1，e2を入力とし、ヒータ
発熱用電圧VH′を制御している。
例を示す回路図であつて、RHは第１図および第
２図ａ，ｂに示すセンサ素子４に設けられている
ヒータ１１のヒータ抵抗、R1〜R3は固定抵抗で
あつて、ヒータ抵抗RHとによつてブリツジ回路
を構成している。この場合、R3＜RH≪R1＜R2に
設定されている。TCは温度制御部であつて、ブ
リツジ回路の頂点電位e1，e2を入力とし、ヒータ
発熱用電圧VH′を制御している。
このように構成された回路に於いて、ブリツジ
回路にヒータ発熱用電圧VH′を印加した場合に、 e1＝VH′・R2／（R1＋R2） で示されるe1電位が e2＝VH′・RH（R3＋RH）＝VHで示されるe2電位
よりも大きな場合には、温度制御部TCはヒータ
発熱用電圧VH′を高めることにより、ヒータ１１
の発熱量を増加させて温度を上昇させる。また、
e1＜e2の場合には、温度制御部TCがヒータ発熱
用電圧VH′を下げてヒータの発熱量を下げる制御
が行なわれる。つまり、ヒータ温度とヒータ抵抗
との間には、第４図に示す正相関を有するもので
あり、ヒータ１１の抵抗値RHをその発熱量制御
によつて一定に保つことにより温度を一定化して
いるものである。従つて、温度制御部TCは、ブ
リツジ回路をe1＝e2となるように制御、つまりRH
＝R2・R3／R1に保持するように制御してヒータ
１１の温度を一定にしていることになる。
回路にヒータ発熱用電圧VH′を印加した場合に、 e1＝VH′・R2／（R1＋R2） で示されるe1電位が e2＝VH′・RH（R3＋RH）＝VHで示されるe2電位
よりも大きな場合には、温度制御部TCはヒータ
発熱用電圧VH′を高めることにより、ヒータ１１
の発熱量を増加させて温度を上昇させる。また、
e1＜e2の場合には、温度制御部TCがヒータ発熱
用電圧VH′を下げてヒータの発熱量を下げる制御
が行なわれる。つまり、ヒータ温度とヒータ抵抗
との間には、第４図に示す正相関を有するもので
あり、ヒータ１１の抵抗値RHをその発熱量制御
によつて一定に保つことにより温度を一定化して
いるものである。従つて、温度制御部TCは、ブ
リツジ回路をe1＝e2となるように制御、つまりRH
＝R2・R3／R1に保持するように制御してヒータ
１１の温度を一定にしていることになる。
一方、酸素センサのセンサ部４ａに設けられて
いる内外側電極１３，１５間には、第５図の定電
流部CCより常に一定の電流を供給している。
いる内外側電極１３，１５間には、第５図の定電
流部CCより常に一定の電流を供給している。
しかしながら、センサ部４ａは第１図，第２図
ａ，ｂにおいて詳述したように、ヒータ１１を内
蔵した耐熱性絶縁基板１０の表面部分に設けられ
ているために、このセンサ部４ａの温度は酸素セ
ンサを取りまく周囲の雰囲気（排気ガス）の温度
によつて大きな影響を受けてしまう。この場合、
センサ部４ａに於ける酸素分圧は、流し込み電流
isにより供給される酸素と保護層１６を拡散現象
により通過して供給される酸素との関係によつて
定まるものであり、表面温度が上昇すると第６図
に示すように必要流し込み電流も増加し、第５図
で示した一定電流の供給では不足が生ずる。
ａ，ｂにおいて詳述したように、ヒータ１１を内
蔵した耐熱性絶縁基板１０の表面部分に設けられ
ているために、このセンサ部４ａの温度は酸素セ
ンサを取りまく周囲の雰囲気（排気ガス）の温度
によつて大きな影響を受けてしまう。この場合、
センサ部４ａに於ける酸素分圧は、流し込み電流
isにより供給される酸素と保護層１６を拡散現象
により通過して供給される酸素との関係によつて
定まるものであり、表面温度が上昇すると第６図
に示すように必要流し込み電流も増加し、第５図
で示した一定電流の供給では不足が生ずる。
なお、本出願人は、それぞれ特開昭56−66750
号、同51658号に開示されているように、酸素セ
ンサ素子の安定動作を目的として、ヒータに印加
する電圧の変化に応じてセンサ素子への流し込み
電流を供給するようにしたもの、またはヒータの
抵抗値変化に基づいて流し込み電流を供給するよ
うにしたものを提案しているが、これらは何れも
ある程度は目的を達成しえたものの、いまだ改善
すべき余地を残していた。
号、同51658号に開示されているように、酸素セ
ンサ素子の安定動作を目的として、ヒータに印加
する電圧の変化に応じてセンサ素子への流し込み
電流を供給するようにしたもの、またはヒータの
抵抗値変化に基づいて流し込み電流を供給するよ
うにしたものを提案しているが、これらは何れも
ある程度は目的を達成しえたものの、いまだ改善
すべき余地を残していた。
この発明はこのような従来の問題点に着目して
なされたもので、酸素センサ素子の検出精度及び
安定性をさらに改善することを目的としている。
なされたもので、酸素センサ素子の検出精度及び
安定性をさらに改善することを目的としている。
上記目的を達成するためにこの発明では、酸素
イオン伝導性固体電解質を使用し、外部電源から
の流し込み電流により前記固体電解質内で酸素イ
オンの移動を生じさせて基準極酸素分圧を制御す
ると共に、温度制御用ヒータを備えた酸素センサ
において、前記酸素センサのヒータ抵抗が常に一
定となるようにヒータ印加電圧を制御する手段
と、前記ヒータ印加電圧に逆比例してセンサ部へ
の流し込み電流を制御する手段とを備えた。
イオン伝導性固体電解質を使用し、外部電源から
の流し込み電流により前記固体電解質内で酸素イ
オンの移動を生じさせて基準極酸素分圧を制御す
ると共に、温度制御用ヒータを備えた酸素センサ
において、前記酸素センサのヒータ抵抗が常に一
定となるようにヒータ印加電圧を制御する手段
と、前記ヒータ印加電圧に逆比例してセンサ部へ
の流し込み電流を制御する手段とを備えた。
上記構成においては、ヒータ抵抗を一定に保つ
て安定したセンサ加熱条件の下に流し込み電流が
制御される。そして、このようにヒータ抵抗を一
定に保つ制御の下では、センサ素子の表面温度が
ヒータに印加する電圧と逆比例する関係にあり、
従つて流し込み電流がヒータ印加電圧と逆比例し
た特性で供給されると、表面温度の変化にかかわ
らずセンサ素子に適切な動作環境が付与される。
この結果、検出精度及び安定性が可及的に向上す
るのである。
て安定したセンサ加熱条件の下に流し込み電流が
制御される。そして、このようにヒータ抵抗を一
定に保つ制御の下では、センサ素子の表面温度が
ヒータに印加する電圧と逆比例する関係にあり、
従つて流し込み電流がヒータ印加電圧と逆比例し
た特性で供給されると、表面温度の変化にかかわ
らずセンサ素子に適切な動作環境が付与される。
この結果、検出精度及び安定性が可及的に向上す
るのである。
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明す
る。
る。
第７図はこの発明による酸素センサ用電流制御
装置の一実施例を示す回路図であつて、第５図と
同一部分は同一記号を用いてその詳細説明を省略
してある。同図に於いてR4，R5はヒータ抵抗RH
の両端電位、つまりe2を分圧する分圧抵抗、Ｑは
電源Vcとセンサ部４ａとの間に抵抗R6を介して
接続された流し込み電流制御用のトランジスタで
あつて、そのベースには抵抗R7を介して抵抗R4，
R5による分圧点電位e2′が供給されている。
装置の一実施例を示す回路図であつて、第５図と
同一部分は同一記号を用いてその詳細説明を省略
してある。同図に於いてR4，R5はヒータ抵抗RH
の両端電位、つまりe2を分圧する分圧抵抗、Ｑは
電源Vcとセンサ部４ａとの間に抵抗R6を介して
接続された流し込み電流制御用のトランジスタで
あつて、そのベースには抵抗R7を介して抵抗R4，
R5による分圧点電位e2′が供給されている。
このように構成された回路に於いて、ヒータ１
１を例えば700℃に保つ場合に於ける表面温度と
ヒータ電圧との関係を求めて見ると第８図に示す
ようになる。つまり、表面温度が上昇するとヒー
タ電圧はこれに対応して低くなる。この場合、流
し込み電流制御用のトランジスタＱは、ヒータ抵
抗RHの両端電位e2を分圧した分圧出力e2′をベー
ス入力としているために、表面温度が低い場合に
はセンサ部４ａに対する流し込み電流が少く表面
温度が高い場合にはヒータ電圧が低くなるためこ
れに反比例して流し込み電流が増加されることに
なる。つまり、ヒータ電圧と流し込み電流との関
係は第９図に示すようになり、これに伴つてセン
サ部４ａの表面温度変化に伴なう流し込み電流の
過不足が防止され、基準極部分に於ける酸素分圧
を一定に保つことが出来る。
１を例えば700℃に保つ場合に於ける表面温度と
ヒータ電圧との関係を求めて見ると第８図に示す
ようになる。つまり、表面温度が上昇するとヒー
タ電圧はこれに対応して低くなる。この場合、流
し込み電流制御用のトランジスタＱは、ヒータ抵
抗RHの両端電位e2を分圧した分圧出力e2′をベー
ス入力としているために、表面温度が低い場合に
はセンサ部４ａに対する流し込み電流が少く表面
温度が高い場合にはヒータ電圧が低くなるためこ
れに反比例して流し込み電流が増加されることに
なる。つまり、ヒータ電圧と流し込み電流との関
係は第９図に示すようになり、これに伴つてセン
サ部４ａの表面温度変化に伴なう流し込み電流の
過不足が防止され、基準極部分に於ける酸素分圧
を一定に保つことが出来る。
以上説明したように、この発明による酸素セン
サ用電流制御装置は、ヒータ抵抗を一定値に保つ
ようにヒータ電圧を制御することによつてヒータ
の温度を常に一定値に制御するとともに、このよ
うに安定したセンサ加熱条件の下に、ヒータ電圧
に逆比例してセンサ部への流し込み電流を制御す
るものであるために、センサ部の表面温度に対応
した最適な流し込み電流を安定して供給すること
ができ、従つて高精度の検出性能が安定して発揮
されるという効果が得られる。
サ用電流制御装置は、ヒータ抵抗を一定値に保つ
ようにヒータ電圧を制御することによつてヒータ
の温度を常に一定値に制御するとともに、このよ
うに安定したセンサ加熱条件の下に、ヒータ電圧
に逆比例してセンサ部への流し込み電流を制御す
るものであるために、センサ部の表面温度に対応
した最適な流し込み電流を安定して供給すること
ができ、従つて高精度の検出性能が安定して発揮
されるという効果が得られる。
第１図は従来の酸素センサの一例を示す断面
図、第２図ａ，ｂは第１図に示す酸素センサのセ
ンサ部の平面図および断面図、第３図はヒータ電
圧制御部の一例を示す回路図、第４図はヒータ温
度とヒータ抵抗との関係を示す特性図、第５図は
電流流し込み回路の一例を示す回路図、第６図は
表面温度と必要流し込み電流との関係を示す特性
図、第７図はこの発明による酸素センサ用電流制
御装置の一実施例を示す回路図、第８図は表面温
度とヒータ電圧との関係を示す特性図、第９図は
ヒータ電圧と流し込み電流との関係を示す特性図
である。 RH…ヒータ抵抗、TC…温度制御部、R1〜R7…
抵抗、４ａ…センサ部、Ｑ…トランジスタ。
図、第２図ａ，ｂは第１図に示す酸素センサのセ
ンサ部の平面図および断面図、第３図はヒータ電
圧制御部の一例を示す回路図、第４図はヒータ温
度とヒータ抵抗との関係を示す特性図、第５図は
電流流し込み回路の一例を示す回路図、第６図は
表面温度と必要流し込み電流との関係を示す特性
図、第７図はこの発明による酸素センサ用電流制
御装置の一実施例を示す回路図、第８図は表面温
度とヒータ電圧との関係を示す特性図、第９図は
ヒータ電圧と流し込み電流との関係を示す特性図
である。 RH…ヒータ抵抗、TC…温度制御部、R1〜R7…
抵抗、４ａ…センサ部、Ｑ…トランジスタ。
Claims (1)
- １ 酸素イオン伝導性固体電解質を使用し、外部
電源からの流し込み電流により前記固体電解質内
で酸素イオンの移動を生じさせて基準極酸素分圧
を制御すると共に、温度制御用ヒータを備えた酸
素センサにおいて、前記酸素センサのヒータ抵抗
が常に一定となるようにヒータ印加電圧を制御す
る手段と、前記ヒータ印加電圧に逆比例してセン
サ部への流し込み電流を制御する手段とを備えた
酸素センサ用電流制御装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56097235A JPS57211543A (en) | 1981-06-23 | 1981-06-23 | Electric current control device for oxygen sensor |
| US06/386,427 US4464244A (en) | 1981-06-23 | 1982-06-08 | Oxygen sensing device having solid electrolyte cell and means for supplying controlled current thereto |
| EP82105300A EP0068321B1 (en) | 1981-06-23 | 1982-06-16 | Oxygen sensing device having solid electrolyte cell and means for supplying controlled current thereto |
| DE8282105300T DE3267896D1 (en) | 1981-06-23 | 1982-06-16 | Oxygen sensing device having solid electrolyte cell and means for supplying controlled current thereto |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56097235A JPS57211543A (en) | 1981-06-23 | 1981-06-23 | Electric current control device for oxygen sensor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57211543A JPS57211543A (en) | 1982-12-25 |
| JPH0216467B2 true JPH0216467B2 (ja) | 1990-04-17 |
Family
ID=14186950
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56097235A Granted JPS57211543A (en) | 1981-06-23 | 1981-06-23 | Electric current control device for oxygen sensor |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4464244A (ja) |
| EP (1) | EP0068321B1 (ja) |
| JP (1) | JPS57211543A (ja) |
| DE (1) | DE3267896D1 (ja) |
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-
1981
- 1981-06-23 JP JP56097235A patent/JPS57211543A/ja active Granted
-
1982
- 1982-06-08 US US06/386,427 patent/US4464244A/en not_active Expired - Lifetime
- 1982-06-16 DE DE8282105300T patent/DE3267896D1/de not_active Expired
- 1982-06-16 EP EP82105300A patent/EP0068321B1/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4464244A (en) | 1984-08-07 |
| JPS57211543A (en) | 1982-12-25 |
| EP0068321A1 (en) | 1983-01-05 |
| DE3267896D1 (en) | 1986-01-23 |
| EP0068321B1 (en) | 1985-12-11 |
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