JPH02165437A - 光学記録方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ビデオディスク、コンパクトディスク等のよ
うにレーザ光によって記録情報を読出す光学式記録媒体
の製造方法に関し、更に詳述すれば、光変調器からの変
調光により情報を記録原盤に記録する工程に関するもの
である。

〔従来の技術〕

ビデオディスク、コンパクトディスク等の光学式記録媒
体（以下光ディスクという）は、一般に第３図のブロッ
ク図に示すような製造工程にて製造される。

まず基板たるガラス板上にフォトレジストを塗布して記
録原盤を作製し、記録信号に応じたレーザ光の照射のオ
ン、オフ制御により、この記録原盤の所望位置のフォト
レジストを感光させて信号を記録する０次いで現像処理
にてフォトレジストを除去し、所望の凹凸パターンを形
成する。次にこの形成した凹凸パターンを電鋳にて金属
原盤に転写し、スタンパを作製する。Ｈ１＆に作製した
スタンパを複製し、信号面に反射膜、記録膜を形成して
、光ディスクを製造する。

ところで上述した製造工程において、フォトレジストを
感光させる工程つまりレーザカッティング工程における
レーザ光の照射のオン、オフ制御は、光変調器にて行わ
れている。このような光変調器としては、電圧を印加し
た際に結晶の屈折率が変化することを利用した電気光学
光変調器（ＥＯ変調器）と、光及び超音波の相互作用を
利用した音響光学光変調器（ＡＯ変調器）とが知られて
いる。

第４図は電気光学光変調器の原理を説明するための模式
図であり、この電気光学光変調器には、通常ＫＤＰ　（
結晶：　ＫＨ２ＰＯ，、）、ＡＤＰ（結晶：　ＮＨ４Ｈ
２ＰＯ４）等のポッケルスセル４１が使用されている。

このようなポッケルスセル４１に電圧を印加すると、そ
の結晶の屈折率に異方性が生じ、ポッケルスセル４１内
を通過する光の偏光成分とのあいだに位相差が生じる。

そしてこの位相差は印加される電圧の大きさに関与する
。ポッケルスセル４１に直線偏光波Ｌ１を入射させると
、信号源４２からポッケルスセル４１に印加された電圧
に応じた楕円偏光波Ｌ２に変換される。この楕円偏光波
Ｌ２を偏光子４３に通して、楕円化成分（直線偏光波り
、の偏光方向に垂直な方向の偏光成分）のみを取り出す
ことにすれば、印加電圧に応じた強度の光が得られる。

そして電気光学光変調器では、所望の記録信号に基づい
て信号源４２の印加電圧を設定することにより、フォト
レジストが塗布されたガラス基板への光照射のオン、オ
フを制御することとしている。

ところでポッケルスセル４１の結晶方位角と、偏光子４
３の偏光面との角度が４５°の場合、偏光子４３からの
透過光１１と印加電圧Ｖとの関係は、下記（１１式の如
くなる（第５図参照）。

Ｉ　＝　Ｉ　、ｓｉｎ”（α・Ｖ）　　　　・（１）■
。二人射光量 α：定数 ここでＩ　−ｍａｘ（Ｉ　ｏ）となる印加電圧をＶ、と
すると、上記（１）式は下記（２）式の如くなる。

Ｉ　＝　ｒ　、ｓｉｎ”（Ｖ　／　Ｖ。）　　　・（２
）従って、０〜■１の範囲において印加電圧■を変更す
ることにより、ｓｉｎの２乗の特性に応じて０〜■。の
範囲における透過光３３１を得ることができる。

そして電気光学光変調器にあっては、映像または音声等
の情報信号を所定の方法により１または０のオン、オフ
信号に成形し、１−Ｖ、、Ｏ−０とし、レーザ光の有効
利用を考慮して消光比（最大透過光量と最小透過光景と
の比）を最も大きくとれるように、Ｉｏ、０間でのオン
、オフ設定に、てレーザカッティングを行っている。

ところが実際の電気光学光変調器では、第６図に示すよ
うに光出力の最小値はＯではなく１．ｉｎとなり、この
場合の消光比はｒ　ｏ／　Ｉ　ｆｆ１ｉｎである。

またポッケルスセル４１の結晶が本来有している複屈折
のために、印加電圧が０である場合、光出力が最小値（
１，ｉ、、）とはならない。従って光出力を最小値（１
，ｉ、）とするためには、一定のバイアス電圧Ｖ、が必
要であり、消光比Ｉ　、／　Ｉ　、ｉ。

を得るためには印加電圧をＶ、〜Ｖ、。の範囲にて変化
させることが必要となる（第６図参照）。つまり、バイ
アス電圧としてＶ！ｌを印加し、この電圧を動作基準点
として、０からＶ＋（＝Ｖ、。−Ｖａ）の範囲の電圧を
印加することによって、Ｉ　＋ａｉｎ〜■。の変調光を
得ることができる。

更に電気光学光変調器に使用する素子（ポッケルスセル
）は、温度変化によっても偏光成分の位相が変化する。

従って周囲温度の変化または、変調を行うレーザ光の強
度変化による素子の温度変化に伴って、動作基準点が変
動して十分な消光比がとれなくなることがある。そこで
常に十分な消光比がとれるように、この変動に応じてバ
イアス電圧ｖｌを変化させる必要がある。

第７図はバイアス電圧Ｖ、を制御するための従来の方法
の原理を示す模式図である。偏光子４３の反射光と透過
光とを、夫々低反射率のハーフミラ−４４，４５を介し
て各受光素子４６．４７にて受光し、各受光素子４６．
４７からの光電変換後の出力が一定になるように、バイ
アス電圧ｖＩｌを制御する。レーザ光によるカッティン
グ工程では、■。（１）と１＋＋＋ｔｎ　　（０）との
２値でのカッティングが行われることが普通であるので
、上述したような制御方法におけるバイアス電圧Ｖ、ｌ
の制御は、夫々の受光素子４６．４７の出力の平均値に
基づいて行われる。つまりより具体的には、夫々の受光
素子４６゜４７からの出力の平均値を比較し、両者の差
が０となるようにバイアス電圧Ｖ、の値を変化させて常
に最良の消光比を維持しながら、Ｏ−Ｖ、の変調電圧を
印加して光変調を行っている。

従来では、このような制御機能を有する電気光常光変調
器を使用することにより、周囲の温度変化または、入射
強度を変化させた際の温度変化の影響を受けることなく
、最良な消光比を維持した状態にて、レーザカッティン
グが可能であった。

〔発明が解決しようとする課題〕

ところが上述したような、両受光素子の出力の平均値に
基づいてバイアス電圧を制御する方法では−ＣＡＶ（ｃ
ｏｎｔｉｎｕｏｕｓ　ａｎｇｕｌａｒ　ｖｅｌｏｃｉｔ
ｙ）ディスクのようにレーザカッティングを行う信号波
形のデユーティを連続的に変化させた場合、または、信
号波形のデユーティを１＝１からずらした状態において
、光変調器の消光比を最大とするための調整が行われた
光変調器に入力するカンティング用の信号の周波数が大
きく変化した場合には、両受光素子の出力の平均値が異
なるので、光変調器の動作基準点が変動して最良な消光
比を維持できないという問題点があった。

本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであり、変調
光を示すモニタの波高値に基づいてバイアス電圧を制御
することにより、レーザカッティングを行うための信号
のデユーティが変化した場合にあっても、最良な消光比
を維持しなからレーザカッティングを行うことができ、
この結果良好な光学式記録媒体を製造することができる
光学式記録媒体製造方法を提供することを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

本発明に係る光学式記録媒体製造方法は、電気光学変調
素子を備えた光変調器からの変調光を用いて情報を記録
原盤に記録する工程を有する光学式記録媒体製造方法に
おいて、前記光変調器はその変調光を示すモニタを有し
、該モニタの信号波高値に基づいて、前記光変調器から
の変調光の消光比を最良の状態に維持することを特徴と
する。

〔作用〕

本発明の光学式記録媒体製造方法にあっては、光変調器
からの変調光の一部をモニタ表示し、このモニタ表示の
波高値に応じて、変調光の消光比を最良な状態に維持す
る。そうすると記録する信号波形ののデユーティが変化
する場合でも、常に消光比は最良な状態に維持され、最
適な記録条件にてレーザカッティングが行われる。

〔実施例〕

以下、本発明をその実施例を示す図面に基づいて具体的
に説明する。なおここでは光学式記録媒体の製造方法に
おける全工程のうちで、本発明の要旨をなすレーザカッ
ティング工程におけるバイアス電圧制御についてのみ説
明することとし、他の工程については従来方法と同様で
あるのでその説明を省略する。

第１図は本発明に係る光学式記録媒体製造方法の概念を
説明するためのブロック図であり、図中１．２は前述の
第７図における受光素子４６．４７である。各受光素子
１，２には、各受光素子１．２の波高値を保持するピー
クホールド回路３，４が夫々接続されている。両ピーク
ホールド回路３゜４には、両ピークホルト回路３．４か
らのＤＣ出力を比較してその差信号をバイアス電圧制御
回路６へ出力する比較制御回路５が接続されている。そ
してバイアス電圧制御回路６は、比較制御回路５からの
差信号がＯとなるように、光変調器７（ポッケルスセル
４１）に印加されるバイアス電圧を制御するようになっ
ている。

次に動作について説明する。

第７図に示すような構成において、偏光子４３での反射
光のハーフミラ−４４における反射光を受光素子４６（
Ｌ）は受光して光電変換し、偏光子４３での透過光のハ
ーフミラ−４５における反射光を受光素子４７（２）は
受光して光電変換する。両受光素子１．２からの矩形波
をなす信号出力が、対応するピークホールド回路３，４
に夫々入力される。

両ピークホールド回路３，４にてこれらの矩形波の波高
値が保持され、その波高値が比較制御回路５に入力され
る。比較制御回路５にて両系統の波高値が比較され、そ
の差信号がバイアス電圧制御回路６へ入力される。バイ
アス電圧制御回路６にてこの差信号に基づき、両系統の
波高値の差が０になるように、光変調器７に印加される
バイアス電圧の制御量が決定され、この制御量に応じて
バイアス電圧が制御される。

本発明では受光素子１．２の出力の波高値にょってバイ
アス電圧を制御しており、レーザカッティングを行う信
号のデユーティを連続的に変化させても波高値は変化し
ないので、最初に光変調器７に印加されるバイアス電圧
の制御が正確になされている場合には、変調光の消光比
が常に最良の状態に維持される。

第２図は本発明における変調光を光センサにてモニタし
た波形を示すものであり、第２図（ａ）はデユーティを
１＝１に固定した場合を示す波形図、第２図（ｂ）はデ
ユーティを変化させた場合を示す波形図である。デユー
ティを変化させた場合にあっても、その波形の消光比は
、デユーティを固定した場合に比して全（変化していな
い。

〔発明の効果〕

以上詳述した如く本発明の光学式記録媒体製造方法では
、モニタの波高値に基づいて、光変調器の出力光の消光
比が最良の状態になるようにバイアス電圧を制御するの
で、レーザカッティングを行う信号のデユーティが変化
した場合にあっても、消光比が劣化されることなく最良
の状態に維持しながら、レーザカッティングを行うこと
ができる。

この結果、高品質な光学式記録媒体を製造することがで
きる等、本発明は優れた効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る光学式記録媒体製造方法の概念を
説明するためのブロック図、第２図は変調光を光センサ
にてモニタした波形図、第３図は光学式記録媒体の製造
工程を示すブロック図、第４図は光変調器の動作原理を
説明するための模式図、第５図、第６図は光変調器の印
加電圧と変調光出力との関係を示すグラフ、第７図は光
変調器のバイアス電圧の制御原理を説明するための模式
１．２・・・受光素子　３，４・・・ピークホールド回
路　５・・・比較制御回路　６・・・バイアス電圧制御
回路　７・・・光変調器　４１・・・ポッケルスセル　
４３・・・偏光子 特、許　出願人　　　三洋電機株式会社代理人　弁理士
　　　河　野　　登　夫弔 図 弔 図 弔 図 弔 図 弔 図 弔 図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、電気光学変調素子を備えた光変調器からの変調光を
   用いて情報を記録原盤に記録する工程を有する光学式記
   録媒体製造方法において、前記光変調器はその変調光を
   示すモニタを有し、該モニタの信号波高値に基づいて、
   前記光変調器からの変調光の消光比を最良の状態に維持
   することを特徴とする光学式記録媒体製造方法。