JPH0216696B2 - - Google Patents
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- JPH0216696B2 JPH0216696B2 JP58107403A JP10740383A JPH0216696B2 JP H0216696 B2 JPH0216696 B2 JP H0216696B2 JP 58107403 A JP58107403 A JP 58107403A JP 10740383 A JP10740383 A JP 10740383A JP H0216696 B2 JPH0216696 B2 JP H0216696B2
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- JP
- Japan
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- insulating layer
- metal
- copper foil
- foil
- substrate
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- Pressure Welding/Diffusion-Bonding (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、熱放散性にすぐれた金属箔張り金属
基板の製法に関するものである。
基板の製法に関するものである。
従来からフエノール樹脂・紙系銅張積層板やエ
ポキシ樹脂・ガラスクロス系銅張積層板等の樹脂
系銅張積層板の製造は、Ｂステージ迄半硬化した
プレプリグと銅箔とを多数重ね合せ、これを多段
プレスに挿入して、加熱加圧し、樹脂を硬化させ
て行つていた。この方法の利点は、１度に多数の
積層基板の製造が出来る点にあるが、欠点は、 予備操作、昇温等の時間が長くかかること、 基板の加熱むらを少なくするための昇温、冷
却等の工程管理が難しいこと、 設備投資が多大となること であつた。
ポキシ樹脂・ガラスクロス系銅張積層板等の樹脂
系銅張積層板の製造は、Ｂステージ迄半硬化した
プレプリグと銅箔とを多数重ね合せ、これを多段
プレスに挿入して、加熱加圧し、樹脂を硬化させ
て行つていた。この方法の利点は、１度に多数の
積層基板の製造が出来る点にあるが、欠点は、 予備操作、昇温等の時間が長くかかること、 基板の加熱むらを少なくするための昇温、冷
却等の工程管理が難しいこと、 設備投資が多大となること であつた。
ところで、パワートランジスタやパワーIC等
の発熱の大きい半導体素子を搭載するハイブリツ
ドIC用基板として、近年、熱伝導性と電気絶縁
性を備えたアルミニウムベース銅張基板が出現
し、一部の用途では、独占的に使用されるに至つ
ている。これらのアルミニウム基板は、接着剤を
塗布した銅箔を、アルミニウム基板に多段プレス
で熱圧着するか、もしくは、Ｂステージ状に半硬
化したプレプリグをアルミニウム基板の上に静置
し、次に銅箔を置いて多段プレスで熱圧着する方
法により製造されている。しかしながら、アルミ
ニウム基板と銅箔の間に存在する絶縁性の接着層
の厚さが、前述の樹脂系銅張積層板の場合の1/10
〜1/50と薄いために、プレス時に脱ガスを完全に
行なうことが大変難しく、気泡が残存することが
あるため、銅箔の接着強度信頼性および耐電圧信
頼性に難点があつた。
の発熱の大きい半導体素子を搭載するハイブリツ
ドIC用基板として、近年、熱伝導性と電気絶縁
性を備えたアルミニウムベース銅張基板が出現
し、一部の用途では、独占的に使用されるに至つ
ている。これらのアルミニウム基板は、接着剤を
塗布した銅箔を、アルミニウム基板に多段プレス
で熱圧着するか、もしくは、Ｂステージ状に半硬
化したプレプリグをアルミニウム基板の上に静置
し、次に銅箔を置いて多段プレスで熱圧着する方
法により製造されている。しかしながら、アルミ
ニウム基板と銅箔の間に存在する絶縁性の接着層
の厚さが、前述の樹脂系銅張積層板の場合の1/10
〜1/50と薄いために、プレス時に脱ガスを完全に
行なうことが大変難しく、気泡が残存することが
あるため、銅箔の接着強度信頼性および耐電圧信
頼性に難点があつた。
本発明者らは、このような操作的に大変難し
く、また設備投資の多大となる多段プレスを用い
ない金属箔張り金属基板の製法について鋭意検討
した結果、多段プレスよりも簡単な操作で、かつ
接着強度信頼性のある金属箔張り金属基板の製法
を発明するに至つた。
く、また設備投資の多大となる多段プレスを用い
ない金属箔張り金属基板の製法について鋭意検討
した結果、多段プレスよりも簡単な操作で、かつ
接着強度信頼性のある金属箔張り金属基板の製法
を発明するに至つた。
すなわち本発明は、金属板の少なくとも一主面
上にエポキシ系樹脂組成物の絶縁層を形成し、前
記絶縁層と金属箔とを加熱ロール間で加圧すると
ともに前記絶縁層を溶融しながら前記金属箔を前
記絶縁層に仮接着して金属箔張り金属基板とな
し、次いで該金属箔張り金属基板を再度加熱処理
して前記絶縁層を後硬化させる金属箔張り金属基
板の製法であつて、 前記金属板に形成する前記エポキシ系樹脂組成
物の絶縁層が少なくとも二層となし、しかも金属
板にエポキシ系樹脂組成物を塗布した後加熱硬化
させて一層目の絶縁層を形成し、次いで二層目の
絶縁層を形成する際に、前記一層目の絶縁層の硬
化させるための時間より前記二層目の絶縁層の硬
化させるための加熱時間を短かくし、硬化度合を
異ならせることを特徴とする金属箔張り金属基板
の製法である。
上にエポキシ系樹脂組成物の絶縁層を形成し、前
記絶縁層と金属箔とを加熱ロール間で加圧すると
ともに前記絶縁層を溶融しながら前記金属箔を前
記絶縁層に仮接着して金属箔張り金属基板とな
し、次いで該金属箔張り金属基板を再度加熱処理
して前記絶縁層を後硬化させる金属箔張り金属基
板の製法であつて、 前記金属板に形成する前記エポキシ系樹脂組成
物の絶縁層が少なくとも二層となし、しかも金属
板にエポキシ系樹脂組成物を塗布した後加熱硬化
させて一層目の絶縁層を形成し、次いで二層目の
絶縁層を形成する際に、前記一層目の絶縁層の硬
化させるための時間より前記二層目の絶縁層の硬
化させるための加熱時間を短かくし、硬化度合を
異ならせることを特徴とする金属箔張り金属基板
の製法である。
以下図面により本発明を詳細に説明する。
第１図は、本発明の加熱ロール部分の概略断面
図であり、第２図は、金属箔張り金属基板を挿入
した概略断面図である。第１図は、本発明に用い
ることのできる加熱ロール部分であり、符号１及
び６は、ラミネートする材料を移送時に支持する
台（支持台）である。２，３，４及び５は、ロー
ルであり、該ロール２，３，４及び５は、油圧等
で圧力がかけられる構造になつている。ロールの
中では少なくともロール２には、ヒーターが入つ
ており、その表面は、シリコンゴムの様な耐熱性
ゴムから成つており、ラミネート時の脱ガスを容
易にしている。ロール３，４及び５は、ロール２
とまつたく同じ仕様であつてもよいが、金属製ロ
ールでも可能である。
図であり、第２図は、金属箔張り金属基板を挿入
した概略断面図である。第１図は、本発明に用い
ることのできる加熱ロール部分であり、符号１及
び６は、ラミネートする材料を移送時に支持する
台（支持台）である。２，３，４及び５は、ロー
ルであり、該ロール２，３，４及び５は、油圧等
で圧力がかけられる構造になつている。ロールの
中では少なくともロール２には、ヒーターが入つ
ており、その表面は、シリコンゴムの様な耐熱性
ゴムから成つており、ラミネート時の脱ガスを容
易にしている。ロール３，４及び５は、ロール２
とまつたく同じ仕様であつてもよいが、金属製ロ
ールでも可能である。
金属箔張り金属基板（以下基板という）の製造
に際しては、まず絶縁層８を金属基板９上に形成
し、その上に金属箔７を静置し、第１図の加熱ロ
ールに通す。その結果、第２図に示すように、絶
縁層８の表面層は、ロール２のヒーターによる熱
で溶融すると共にロール２と３の圧力で金属箔７
に矢印の方向へ脱ガスを伴ないながら、次々と圧
着される。基板は、更にロール４と５で再加圧下
加熱もしくは冷却され仮接着される。この仮接着
された基板は、更に加熱して後硬化させる。この
後硬化には、通常の送風乾燥機や遠赤外乾燥機等
が用いられるが、加熱プレスする方法でも可能で
ある。
に際しては、まず絶縁層８を金属基板９上に形成
し、その上に金属箔７を静置し、第１図の加熱ロ
ールに通す。その結果、第２図に示すように、絶
縁層８の表面層は、ロール２のヒーターによる熱
で溶融すると共にロール２と３の圧力で金属箔７
に矢印の方向へ脱ガスを伴ないながら、次々と圧
着される。基板は、更にロール４と５で再加圧下
加熱もしくは冷却され仮接着される。この仮接着
された基板は、更に加熱して後硬化させる。この
後硬化には、通常の送風乾燥機や遠赤外乾燥機等
が用いられるが、加熱プレスする方法でも可能で
ある。
本発明の金属基板としては、アルミニウムおよ
びその合金、鉄、鉄−ニツケル合金、ステンレ
ス、等が用いられるが、アルマイト処理したアル
ミニウム板でも何ら支障はない。
びその合金、鉄、鉄−ニツケル合金、ステンレ
ス、等が用いられるが、アルマイト処理したアル
ミニウム板でも何ら支障はない。
次に金属箔としては、銅箔、アルミニウム箔、
アルミニウム箔と銅箔とをクラツドした箔、銅箔
に異種の金属をメツキした箔等が使用できる。金
属箔の厚みは、5μ〜200μが適当である。
アルミニウム箔と銅箔とをクラツドした箔、銅箔
に異種の金属をメツキした箔等が使用できる。金
属箔の厚みは、5μ〜200μが適当である。
本発明による基板製造に用いる金属箔は、枚葉
状、ロール状のいづれでも良く特に、後者の場合
は、連続製造が可能である。
状、ロール状のいづれでも良く特に、後者の場合
は、連続製造が可能である。
次に、本発明に用いる金属基板上の絶縁層は、
加熱により溶融するＢステージ状のプリプレグや
フイラー入りエポキシ樹脂等のエポキシ系樹脂組
成物が良く、少なくとも２度に分けて塗布する方
が、耐電圧の点から好ましい。更にこの絶縁層
は、硬化度合の異なることが、耐電圧の点から好
ましい。
加熱により溶融するＢステージ状のプリプレグや
フイラー入りエポキシ樹脂等のエポキシ系樹脂組
成物が良く、少なくとも２度に分けて塗布する方
が、耐電圧の点から好ましい。更にこの絶縁層
は、硬化度合の異なることが、耐電圧の点から好
ましい。
又、本発明のラミネートの条件としては、絶縁
層の溶解、仮接着の状態によつても異なるが、ロ
ール温度は、50〜200℃、ロール速度0.5〜10m／
分、ロール圧着力は、１〜10Kg/cm2の範囲が好ま
しく、この範囲以外では、金属基板への金属箔の
仮接着の状態及び生産性が低下する。又、その後
の金属箔張り金属基板の後硬化については、一般
に乾燥器中で、20℃〜200℃、で温度との関係に
より24時間から10分まで、絶縁層硬化剤の状態に
より硬化時間を選択する必要がある。
層の溶解、仮接着の状態によつても異なるが、ロ
ール温度は、50〜200℃、ロール速度0.5〜10m／
分、ロール圧着力は、１〜10Kg/cm2の範囲が好ま
しく、この範囲以外では、金属基板への金属箔の
仮接着の状態及び生産性が低下する。又、その後
の金属箔張り金属基板の後硬化については、一般
に乾燥器中で、20℃〜200℃、で温度との関係に
より24時間から10分まで、絶縁層硬化剤の状態に
より硬化時間を選択する必要がある。
以下、実施例により更に本発明を説明する。
実施例 １
1.5mmのアルミニウム板上に硬化剤を含んだフ
イラー入りエポキシ樹脂を、スプレーガンで約
40μの厚さになる様に塗装した。次いでこれをア
ルミニウム板上で80℃、90分で硬化させ、次に同
様にして更に40μの絶縁層を塗布した。この絶縁
層付きアルミニウム板を80℃、30分硬化させ、第
１図に示す構造を有するロール直径15cmの加熱ロ
ールで35μの枚葉状の銅箔をラミネートした。ロ
ール２と３は、150℃に加熱してあり、ロール４
と５は加熱してない条件である。アルミニウム板
送りスピードは1.0m／分であり、ロール２と４
には、２Kg/cm2の圧力がかけられている。
イラー入りエポキシ樹脂を、スプレーガンで約
40μの厚さになる様に塗装した。次いでこれをア
ルミニウム板上で80℃、90分で硬化させ、次に同
様にして更に40μの絶縁層を塗布した。この絶縁
層付きアルミニウム板を80℃、30分硬化させ、第
１図に示す構造を有するロール直径15cmの加熱ロ
ールで35μの枚葉状の銅箔をラミネートした。ロ
ール２と３は、150℃に加熱してあり、ロール４
と５は加熱してない条件である。アルミニウム板
送りスピードは1.0m／分であり、ロール２と４
には、２Kg/cm2の圧力がかけられている。
次に、この操作で出来上つた銅箔張りアルミニ
ウム基板は送風乾燥機で140℃、３時間後硬化さ
せた。得られた銅箔張りアルミニウム基板の剥離
強度は、2.0Kg/cm2であり、半田バス300℃、30分
の浸漬テストにおいても銅箔のふくれは、みられ
なかつた。この熱処理後の銅箔張りアルミニウム
基板は、耐電圧を測定したところ2KV以上であ
つた。
ウム基板は送風乾燥機で140℃、３時間後硬化さ
せた。得られた銅箔張りアルミニウム基板の剥離
強度は、2.0Kg/cm2であり、半田バス300℃、30分
の浸漬テストにおいても銅箔のふくれは、みられ
なかつた。この熱処理後の銅箔張りアルミニウム
基板は、耐電圧を測定したところ2KV以上であ
つた。
実施例 ２
実施例１と同様にアルミニウム板上に２つの異
なる硬化度合を有するフイラー入りエポキシ樹脂
絶縁層を形成し更にその上に30μの絶縁層を形成
し、80℃、20分硬化後、第１図の２，３，４，５
のすべてのロールを100℃に加熱した状態で基板
送りスピード1.5m／分で枚葉状35μ銅箔をラミネ
ートした。ただしロール４及び５を通加した基板
は、冷風により冷却され10分以内に室温になつ
た。
なる硬化度合を有するフイラー入りエポキシ樹脂
絶縁層を形成し更にその上に30μの絶縁層を形成
し、80℃、20分硬化後、第１図の２，３，４，５
のすべてのロールを100℃に加熱した状態で基板
送りスピード1.5m／分で枚葉状35μ銅箔をラミネ
ートした。ただしロール４及び５を通加した基板
は、冷風により冷却され10分以内に室温になつ
た。
この操作で出来上つた銅箔張りアルミニウム基
板を実施例１と同じ条件で後硬化した。得られた
銅箔張りアルミニウム基板の剥離強度は、2.2Kg/
cm2であり、実施例１と同じく、300℃、30分の半
田バス浸漬テストにおいても銅箔のふくれは生じ
なかつた。この熱処理後の銅箔張りアルミニウム
基板は、耐電圧を測定したところ3KV以上であ
つた。
板を実施例１と同じ条件で後硬化した。得られた
銅箔張りアルミニウム基板の剥離強度は、2.2Kg/
cm2であり、実施例１と同じく、300℃、30分の半
田バス浸漬テストにおいても銅箔のふくれは生じ
なかつた。この熱処理後の銅箔張りアルミニウム
基板は、耐電圧を測定したところ3KV以上であ
つた。
実施例 ３
実施例２と同じ、異なつた硬化度合を有する３
層から成る絶縁層を塗布した30cm角のアルミニウ
ム板を、実施例２と同じ加熱ロール条件で、ロー
ル状35μ銅箔を用いてラミネートした。冷却は、
実施例２と同様に行い、銅箔を切断後、実施例１
と同じ条件で後硬化した。得られた銅箔張りアル
ミニウム基板の剥離強度は、1.9Kg/cmであり、
300℃、30分の半田バス浸漬テストにおいても銅
箔のふくれは生じなかつた。この熱処理後の銅箔
張りアルミニウム基板は、耐電圧を測定したとこ
ろ、3KV以上であつた。
層から成る絶縁層を塗布した30cm角のアルミニウ
ム板を、実施例２と同じ加熱ロール条件で、ロー
ル状35μ銅箔を用いてラミネートした。冷却は、
実施例２と同様に行い、銅箔を切断後、実施例１
と同じ条件で後硬化した。得られた銅箔張りアル
ミニウム基板の剥離強度は、1.9Kg/cmであり、
300℃、30分の半田バス浸漬テストにおいても銅
箔のふくれは生じなかつた。この熱処理後の銅箔
張りアルミニウム基板は、耐電圧を測定したとこ
ろ、3KV以上であつた。
比較例 １
実施例１と同じ絶縁層付アルミニウム板上に
35μ銅箔を静置し、100゜に加熱したプレス機には
さみ、加圧下30分放置した後、温度を150℃に上
げ２時間加熱して銅張基板を製造した。銅箔張り
アルミニウム基板の剥離強度を測定したところ、
大部分は、2.0Kg/cmあつたが部分的に1.4Kg/cmを
示す場合があり、銅箔と絶縁層の間に気泡が混入
している可能性があつた。この銅箔張りアルミニ
ウム基板を300℃、30分の半田バス浸漬テストに
かけたところ、数分で部分的な銅箔のふくれがみ
られ、最終的には直径５cmの銅箔ふくれが認めら
れた。更に熱処理を行なわない銅箔張りアルミニ
ウム基板は、耐電圧を測定したところ0.5KV以下
であつた。
35μ銅箔を静置し、100゜に加熱したプレス機には
さみ、加圧下30分放置した後、温度を150℃に上
げ２時間加熱して銅張基板を製造した。銅箔張り
アルミニウム基板の剥離強度を測定したところ、
大部分は、2.0Kg/cmあつたが部分的に1.4Kg/cmを
示す場合があり、銅箔と絶縁層の間に気泡が混入
している可能性があつた。この銅箔張りアルミニ
ウム基板を300℃、30分の半田バス浸漬テストに
かけたところ、数分で部分的な銅箔のふくれがみ
られ、最終的には直径５cmの銅箔ふくれが認めら
れた。更に熱処理を行なわない銅箔張りアルミニ
ウム基板は、耐電圧を測定したところ0.5KV以下
であつた。
比較例 ２
実施例１と同様の操作により80μの絶縁層を1.5
mm板厚のアルミニウム板上に塗装した。この絶縁
層付アルミニウム基板を80℃、30分硬化させ、実
施例１と同じラミネート条件、および硬化条件で
操作を行ない、35μ銅箔張りアルミニウム基板を
製造した。得られた銅箔張りアルミニウム基板の
剥離強度は1.9Kg/cmであり、半田バス300℃、30
分の浸漬において部分的にふくれが生じた。この
熱処理後の銅箔張りアルミニウム基板は、耐電圧
を測定したところ1.0KV以下であつた。熱処理前
の該基板をエツチングし、銅箔を除去したとこ
ろ、部分的に絶縁層に欠陥があつた。
mm板厚のアルミニウム板上に塗装した。この絶縁
層付アルミニウム基板を80℃、30分硬化させ、実
施例１と同じラミネート条件、および硬化条件で
操作を行ない、35μ銅箔張りアルミニウム基板を
製造した。得られた銅箔張りアルミニウム基板の
剥離強度は1.9Kg/cmであり、半田バス300℃、30
分の浸漬において部分的にふくれが生じた。この
熱処理後の銅箔張りアルミニウム基板は、耐電圧
を測定したところ1.0KV以下であつた。熱処理前
の該基板をエツチングし、銅箔を除去したとこ
ろ、部分的に絶縁層に欠陥があつた。
第１図は、本発明の加熱ロール部分の概略断面
図、第２図は、金属箔張り金属基板を挿入した概
略断面図を示す。 符号 １，６…支持台、２，３，４，５…ロー
ル、７…金属箔、８…絶縁層、９…金属基板。
図、第２図は、金属箔張り金属基板を挿入した概
略断面図を示す。 符号 １，６…支持台、２，３，４，５…ロー
ル、７…金属箔、８…絶縁層、９…金属基板。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 金属板の少なくとも一主面上にエポキシ系樹
脂組成物の絶縁層を形成し、前記絶縁層と金属箔
とを加熱ロール間で加圧するとともに前記絶縁層
を溶融しながら前記金属箔を前記絶縁層に仮接着
して金属箔張り金属基板となし、次いで該金属箔
張り金属基板を再度加熱処理して前記絶縁層を後
硬化させる金属箔張り金属基板の製法であつて、 前記金属板に形成する前記エポキシ系樹脂組成
物の絶縁層が少なくとも二層となし、しかも金属
板にエポキシ系樹脂組成物を塗布した後加熱硬化
させて一層目の絶縁層を形成し、次いで二層目の
絶縁層を形成する際に、前記一層目の絶縁層の硬
化させるための加熱時間より前記二層目の絶縁層
の硬化させるための加熱時間を短かくし、硬化度
合を異ならせることを特徴とする金属箔張り金属
基板の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10740383A JPS59232845A (ja) | 1983-06-15 | 1983-06-15 | 金属箔張り金属基板の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10740383A JPS59232845A (ja) | 1983-06-15 | 1983-06-15 | 金属箔張り金属基板の製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59232845A JPS59232845A (ja) | 1984-12-27 |
| JPH0216696B2 true JPH0216696B2 (ja) | 1990-04-18 |
Family
ID=14458258
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10740383A Granted JPS59232845A (ja) | 1983-06-15 | 1983-06-15 | 金属箔張り金属基板の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59232845A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1088072A (ja) * | 1996-09-11 | 1998-04-07 | Toyo Seimitsu Kogyo Kk | 自動化供給を容易にする金属薄片の仮止めシート及び その製造方法。 |
| US9895903B2 (en) * | 2014-03-24 | 2018-02-20 | MGI Digital Technology | Method and system for gilding a substrate |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59167248A (ja) * | 1983-03-14 | 1984-09-20 | 松下電器産業株式会社 | 金属積層体の形成方法 |
-
1983
- 1983-06-15 JP JP10740383A patent/JPS59232845A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59232845A (ja) | 1984-12-27 |
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