JPH05128434A - 磁気ヘツド及びその製造方法 - Google Patents
磁気ヘツド及びその製造方法Info
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- JPH05128434A JPH05128434A JP28610691A JP28610691A JPH05128434A JP H05128434 A JPH05128434 A JP H05128434A JP 28610691 A JP28610691 A JP 28610691A JP 28610691 A JP28610691 A JP 28610691A JP H05128434 A JPH05128434 A JP H05128434A
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Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ラミネート層を構成する金属磁性膜の磁気特
性が劣化することを防止することにある。 【構成】 高飽和磁束密度を有する金属磁性膜（１）と
絶縁薄膜（２）とを交互に積層したラミネート層（３）
を非磁性体板（４）（５）に被着形成した一対にコア
（８）（９）を接合一体化し、そのコアチップ（14）の
媒体摺接面（15）に磁気ギャップｇを形成した磁気ヘッ
ドにおいて、非磁性体板（４）（５）とラミネート層
（３）との間に厚膜のＣｒ膜（31）を介在させる。ま
た、Ｃｒ膜（31）とラミネート層（３）を構成する金属
磁性膜（１）との間にＳｉＯ2やＡｌ2Ｏ3等の絶縁薄膜
（２）を介在させる。Ｃｒ膜（31）を厚膜に形成するこ
とにより、ラミネート層（３）を形成する上でその下地
が平坦化されることになる。また、絶縁薄膜（２）はＣ
ｒ膜（31）を厚膜にしたことによりＣｒ膜（31）を構成
するＣｒがラミネート層（３）の金属磁性膜（１）を構
成するセンダスト中に拡散することを阻止する。
性が劣化することを防止することにある。 【構成】 高飽和磁束密度を有する金属磁性膜（１）と
絶縁薄膜（２）とを交互に積層したラミネート層（３）
を非磁性体板（４）（５）に被着形成した一対にコア
（８）（９）を接合一体化し、そのコアチップ（14）の
媒体摺接面（15）に磁気ギャップｇを形成した磁気ヘッ
ドにおいて、非磁性体板（４）（５）とラミネート層
（３）との間に厚膜のＣｒ膜（31）を介在させる。ま
た、Ｃｒ膜（31）とラミネート層（３）を構成する金属
磁性膜（１）との間にＳｉＯ2やＡｌ2Ｏ3等の絶縁薄膜
（２）を介在させる。Ｃｒ膜（31）を厚膜に形成するこ
とにより、ラミネート層（３）を形成する上でその下地
が平坦化されることになる。また、絶縁薄膜（２）はＣ
ｒ膜（31）を厚膜にしたことによりＣｒ膜（31）を構成
するＣｒがラミネート層（３）の金属磁性膜（１）を構
成するセンダスト中に拡散することを阻止する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気ヘッド及びその製造
方法に関し、詳しくは、ＶＴＲ装置に使用され、高飽和
磁束密度を有する金属磁性膜を積層した構造を持つＴＳ
Ｓ型又はストレート型の磁気ヘッド及びその製造方法に
関する。
方法に関し、詳しくは、ＶＴＲ装置に使用され、高飽和
磁束密度を有する金属磁性膜を積層した構造を持つＴＳ
Ｓ型又はストレート型の磁気ヘッド及びその製造方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、高密度記録用のＶＴＲ装置に使
用される磁気ヘッドには、高飽和磁束密度を有する金属
磁性膜を積層した構造を持つＴＳＳ型のものがある。図
６の（ａ）（ｂ）は対をなすＴＳＳ型の磁気ヘッドを一
つのヘッドベースに搭載するダブルアジマスタイプのも
ので、その一方の磁気ヘッドを示す。
用される磁気ヘッドには、高飽和磁束密度を有する金属
磁性膜を積層した構造を持つＴＳＳ型のものがある。図
６の（ａ）（ｂ）は対をなすＴＳＳ型の磁気ヘッドを一
つのヘッドベースに搭載するダブルアジマスタイプのも
ので、その一方の磁気ヘッドを示す。
【０００３】この磁気ヘッドは、同図に示すように高飽
和磁束密度を有するセンダスト等の金属磁性膜（１）と
ＳｉＯ2やＡｌ2Ｏ3等の絶縁薄膜（２）とを交互に積層
したラミネート層（３）を有する。具体的に、このラミ
ネート層（３）は金属磁性膜（１）と絶縁薄膜（２）と
の密着性を向上させるため、両者間に薄いＣｒ膜（30）
を介在させている。そのラミネート層（３）の一方の側
にセラミック等の非磁性体板（４）（５）を、且つ、他
方の側にガラス（６）（７）を配したＣ字状コア（８）
とＩ字状コア（９）〔以下、Ｃコア、Ｉコアと称す〕と
をその接合面（10）（11）間にギャップスペーサとなる
ＳｉＯ2等の非磁性体薄膜〔図示せず〕を介して接合一
体化したものである。尚、このＣコア（８）とＩコア
（９）との一体化はガラス（７）（８）（12）（13）に
よる溶着でもって行なわれる。
和磁束密度を有するセンダスト等の金属磁性膜（１）と
ＳｉＯ2やＡｌ2Ｏ3等の絶縁薄膜（２）とを交互に積層
したラミネート層（３）を有する。具体的に、このラミ
ネート層（３）は金属磁性膜（１）と絶縁薄膜（２）と
の密着性を向上させるため、両者間に薄いＣｒ膜（30）
を介在させている。そのラミネート層（３）の一方の側
にセラミック等の非磁性体板（４）（５）を、且つ、他
方の側にガラス（６）（７）を配したＣ字状コア（８）
とＩ字状コア（９）〔以下、Ｃコア、Ｉコアと称す〕と
をその接合面（10）（11）間にギャップスペーサとなる
ＳｉＯ2等の非磁性体薄膜〔図示せず〕を介して接合一
体化したものである。尚、このＣコア（８）とＩコア
（９）との一体化はガラス（７）（８）（12）（13）に
よる溶着でもって行なわれる。
【０００４】Ｃコア（８）とＩコア（９）との接合一体
化によりコアチップ（14）が得られ、コアチップ（14）
の曲面加工された頂端面が磁気テープが走行する媒体摺
接面（15）となり、媒体摺接面（15）にラミネート層
（３）の厚みによって決まるトラック幅を有する磁気ギ
ャップｇが形成される。この磁気ギャップｇはその両側
から非磁性体板（４）（５）及びガラス（６）（７）で
もって保護されている。また、コアチップ（14）のＣコ
ア（８）の内側に巻線窓（16）が開口形成され、その外
側に巻線溝（17）が刻設されており、図示しないが、こ
の巻線窓（16）と巻線溝（17）を利用して絶縁被覆処理
された線材を巻回することによりコイルが形成される。
化によりコアチップ（14）が得られ、コアチップ（14）
の曲面加工された頂端面が磁気テープが走行する媒体摺
接面（15）となり、媒体摺接面（15）にラミネート層
（３）の厚みによって決まるトラック幅を有する磁気ギ
ャップｇが形成される。この磁気ギャップｇはその両側
から非磁性体板（４）（５）及びガラス（６）（７）で
もって保護されている。また、コアチップ（14）のＣコ
ア（８）の内側に巻線窓（16）が開口形成され、その外
側に巻線溝（17）が刻設されており、図示しないが、こ
の巻線窓（16）と巻線溝（17）を利用して絶縁被覆処理
された線材を巻回することによりコイルが形成される。
【０００５】次に、上記構造からなる磁気ヘッドの製造
方法を図７乃至図９に示して説明する。
方法を図７乃至図９に示して説明する。
【０００６】まず、Ｃコア（８）は以下の要領で製作さ
れる。即ち、図７の（ａ）に示すようにセラミック等の
非磁性体板（18）を用意する。そして、図７の（ｂ）に
示すように非磁性体板（18）に複数のガラス溝（19）を
刻設した上でガラス溝（19）にガラス（12）を充填す
る。その上で、非磁性体板（18）にガラス溝（19）と平
行して複数のトラック溝（20）をブレードによる切削加
工で刻設する。その後、図８の（ａ）に示すように非磁
性体板（18）にセンダスト等の高飽和磁束密度を有する
金属磁性材とＳｉＯ2やＡｌ2Ｏ3等の絶縁材とをスパッ
タリング等により交互に被着させ、上記トラック溝（2
0）に金属磁性膜（１）と絶縁薄膜（２）とを交互に積
層したラミネート層（３）を形成する。この時、金属磁
性膜（１）と絶縁薄膜（２）との間に薄いＣｒ膜（30）
を介在させることにより膜相互間での密着性を向上させ
る。また、上記金属磁性膜（１）を非磁性体板（18）に
直接的に被着させると非磁性体板（18）を組成するセラ
ミックにより金属磁性膜（１）を組成するセンダストが
劣化するため、非磁性体板（18）に形成する第一層は絶
縁薄膜（２）としている。ラミネート層（３）の形成
後、トラック溝（20）にガラスモールドによりガラス
（６）を充填した上でラッピングする。次に、図８の
（ｂ）に示すように非磁性体板（18）にトラック溝（2
0）と直交する方向に複数の巻線窓用溝（21）をブレー
ドによる切削加工で刻設すると共に、反対側に巻線窓用
溝（21）と平行して複数の巻線溝〔図示せず〕を刻設す
る。そして、図中鎖線で示すように非磁性体板（18）を
巻線窓用溝（21）と平行な方向に沿って所定寸法で切断
することによりＣコア（８）の基材となるＣコアブロッ
ク（22）を得る。
れる。即ち、図７の（ａ）に示すようにセラミック等の
非磁性体板（18）を用意する。そして、図７の（ｂ）に
示すように非磁性体板（18）に複数のガラス溝（19）を
刻設した上でガラス溝（19）にガラス（12）を充填す
る。その上で、非磁性体板（18）にガラス溝（19）と平
行して複数のトラック溝（20）をブレードによる切削加
工で刻設する。その後、図８の（ａ）に示すように非磁
性体板（18）にセンダスト等の高飽和磁束密度を有する
金属磁性材とＳｉＯ2やＡｌ2Ｏ3等の絶縁材とをスパッ
タリング等により交互に被着させ、上記トラック溝（2
0）に金属磁性膜（１）と絶縁薄膜（２）とを交互に積
層したラミネート層（３）を形成する。この時、金属磁
性膜（１）と絶縁薄膜（２）との間に薄いＣｒ膜（30）
を介在させることにより膜相互間での密着性を向上させ
る。また、上記金属磁性膜（１）を非磁性体板（18）に
直接的に被着させると非磁性体板（18）を組成するセラ
ミックにより金属磁性膜（１）を組成するセンダストが
劣化するため、非磁性体板（18）に形成する第一層は絶
縁薄膜（２）としている。ラミネート層（３）の形成
後、トラック溝（20）にガラスモールドによりガラス
（６）を充填した上でラッピングする。次に、図８の
（ｂ）に示すように非磁性体板（18）にトラック溝（2
0）と直交する方向に複数の巻線窓用溝（21）をブレー
ドによる切削加工で刻設すると共に、反対側に巻線窓用
溝（21）と平行して複数の巻線溝〔図示せず〕を刻設す
る。そして、図中鎖線で示すように非磁性体板（18）を
巻線窓用溝（21）と平行な方向に沿って所定寸法で切断
することによりＣコア（８）の基材となるＣコアブロッ
ク（22）を得る。
【０００７】一方、Ｉコア（９）についてはＣコア
（８）の場合とほぼ同様で、図９の（ａ）に示すように
非磁性体板（23）にガラス溝（24）を刻設した上でガラ
ス溝（24）にガラス（13）を充填し、その後、ガラス溝
（24）と平行してトラック溝（25）を刻設する。そし
て、図９の（ｂ）に示すようにトラック溝（25）にラミ
ネート層（３）を形成し、更に、トラック溝（25）にガ
ラス（７）を充填した上で、図中鎖線で示すように非磁
性体板（23）をトラック溝（25）と直交する方向に沿っ
て所定寸法で切断することによりＩコア（９）の基材と
なるＩコアブロック（26）を得る。
（８）の場合とほぼ同様で、図９の（ａ）に示すように
非磁性体板（23）にガラス溝（24）を刻設した上でガラ
ス溝（24）にガラス（13）を充填し、その後、ガラス溝
（24）と平行してトラック溝（25）を刻設する。そし
て、図９の（ｂ）に示すようにトラック溝（25）にラミ
ネート層（３）を形成し、更に、トラック溝（25）にガ
ラス（７）を充填した上で、図中鎖線で示すように非磁
性体板（23）をトラック溝（25）と直交する方向に沿っ
て所定寸法で切断することによりＩコア（９）の基材と
なるＩコアブロック（26）を得る。
【０００８】以上のようにして得られたＣコアブロック
（22）又はＩコアブロック（26）のいずれか一方の接合
面にギャップスペーサとなるＳｉＯ2等の非磁性体薄膜
〔図示せず〕を被着形成した上で、Ｃコアブロック（2
2）とＩコアブロック（26）とをその接合面を突き合わ
せ、ガラス（６）（７）（12）（13）による溶着でもっ
て接合一体化する。その後、接合一体化されたＣコアブ
ロック（22）とＩコアブロック（26）とを所定寸法でス
ライスすることにより図６の（ａ）（ｂ）に示すコアチ
ップ（14）を得る。
（22）又はＩコアブロック（26）のいずれか一方の接合
面にギャップスペーサとなるＳｉＯ2等の非磁性体薄膜
〔図示せず〕を被着形成した上で、Ｃコアブロック（2
2）とＩコアブロック（26）とをその接合面を突き合わ
せ、ガラス（６）（７）（12）（13）による溶着でもっ
て接合一体化する。その後、接合一体化されたＣコアブ
ロック（22）とＩコアブロック（26）とを所定寸法でス
ライスすることにより図６の（ａ）（ｂ）に示すコアチ
ップ（14）を得る。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した磁
気ヘッドでは、その製造上、ブレードによる切削加工で
もって非磁性体板（18）（23）にトラック溝（20）（2
5）を刻設するようにしている。このようにブレードに
よる切削加工で刻設されたトラック溝（20）（25）の面
は凹凸があり平坦化することは非常に困難であった。そ
の結果、平坦化されていないトラック溝（20）（25）に
ラミネート層（３）を被着形成した場合、ラミネート層
（３）を構成する金属磁性膜（１）の磁気特性が劣化
し、磁気ヘッドにおける記録及び再生効率が大幅に低下
するという問題があった。
気ヘッドでは、その製造上、ブレードによる切削加工で
もって非磁性体板（18）（23）にトラック溝（20）（2
5）を刻設するようにしている。このようにブレードに
よる切削加工で刻設されたトラック溝（20）（25）の面
は凹凸があり平坦化することは非常に困難であった。そ
の結果、平坦化されていないトラック溝（20）（25）に
ラミネート層（３）を被着形成した場合、ラミネート層
（３）を構成する金属磁性膜（１）の磁気特性が劣化
し、磁気ヘッドにおける記録及び再生効率が大幅に低下
するという問題があった。
【００１０】そこで、本発明は上記問題点に鑑みて提案
されたもので、その目的とするところは、ラミネート層
を構成する金属磁性膜の磁気特性が劣化することのない
ようにし得る磁気ヘッド及びその製造方法を提供するこ
とにある。
されたもので、その目的とするところは、ラミネート層
を構成する金属磁性膜の磁気特性が劣化することのない
ようにし得る磁気ヘッド及びその製造方法を提供するこ
とにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の技術的手段として、本発明は、非磁性体板にトラック
溝及び巻線窓用溝を刻設し、そのトラック溝及び巻線窓
用溝に高飽和磁束密度を有する金属磁性膜と絶縁薄膜と
を交互に積層したラミネート層を形成した一対のコアを
接合一体化し、そのコアチップの媒体摺接面に磁気ギャ
ップを形成するに際し、上記トラック溝及び巻線窓用溝
の刻設後、その溝面を逆バイアススパッタした上でトラ
ック溝及び巻線窓用溝にＣｒ膜を厚膜に形成し、そのＣ
ｒ膜上にラミネート層を被着形成するようにしたことを
特徴とする。
の技術的手段として、本発明は、非磁性体板にトラック
溝及び巻線窓用溝を刻設し、そのトラック溝及び巻線窓
用溝に高飽和磁束密度を有する金属磁性膜と絶縁薄膜と
を交互に積層したラミネート層を形成した一対のコアを
接合一体化し、そのコアチップの媒体摺接面に磁気ギャ
ップを形成するに際し、上記トラック溝及び巻線窓用溝
の刻設後、その溝面を逆バイアススパッタした上でトラ
ック溝及び巻線窓用溝にＣｒ膜を厚膜に形成し、そのＣ
ｒ膜上にラミネート層を被着形成するようにしたことを
特徴とする。
【００１２】上記製造方法において、Ｃｒ膜の膜厚を50
0〜10000オングストロームとし、また、Ｃｒ膜の形成
後、そのＣｒ膜上に絶縁薄膜を形成した上でラミネート
層を被着形成することが望ましい。
0〜10000オングストロームとし、また、Ｃｒ膜の形成
後、そのＣｒ膜上に絶縁薄膜を形成した上でラミネート
層を被着形成することが望ましい。
【００１３】更に、本発明は、高飽和磁束密度を有する
金属磁性膜と絶縁薄膜とを交互に積層したラミネート層
を非磁性体板に被着形成した一対にコアを接合一体化
し、そのコアチップの媒体摺接面に磁気ギャップを形成
した磁気ヘッドにおいて、上記非磁性体板とラミネート
層との間に厚膜のＣｒ膜を介在させたことを特徴とす
る。
金属磁性膜と絶縁薄膜とを交互に積層したラミネート層
を非磁性体板に被着形成した一対にコアを接合一体化
し、そのコアチップの媒体摺接面に磁気ギャップを形成
した磁気ヘッドにおいて、上記非磁性体板とラミネート
層との間に厚膜のＣｒ膜を介在させたことを特徴とす
る。
【００１４】
【作用】本発明では、トラック溝及び巻線窓用溝の溝面
を逆バイアススパッタすることにより平坦化し、そのト
ラック溝及び巻線窓用溝にＣｒ膜を厚膜に形成すること
によって、逆バイアススパッタにより平坦化された溝面
を更に平坦化する。この平坦化されたＣｒ膜上にラミネ
ート層を被着形成すれば、そのラミネート層を構成する
金属磁性膜の磁気特性が劣化することを可及的に抑制で
きる。
を逆バイアススパッタすることにより平坦化し、そのト
ラック溝及び巻線窓用溝にＣｒ膜を厚膜に形成すること
によって、逆バイアススパッタにより平坦化された溝面
を更に平坦化する。この平坦化されたＣｒ膜上にラミネ
ート層を被着形成すれば、そのラミネート層を構成する
金属磁性膜の磁気特性が劣化することを可及的に抑制で
きる。
【００１５】また、上記Ｃｒ膜上に絶縁薄膜を形成した
上でラミネート層を被着形成するようにすれば、上記Ｃ
ｒ膜が厚膜であっても、絶縁薄膜によってＣｒ膜を構成
するＣｒが金属磁性膜を構成するセンダストに拡散する
ことを阻止する。
上でラミネート層を被着形成するようにすれば、上記Ｃ
ｒ膜が厚膜であっても、絶縁薄膜によってＣｒ膜を構成
するＣｒが金属磁性膜を構成するセンダストに拡散する
ことを阻止する。
【００１６】
【実施例】本発明に係る磁気ヘッド及びその製造方法の
実施例を図１乃至図５を参照しながら説明する。尚、図
６乃至図９と同一又は相当部分には同一参照符号を付し
て重複説明は省略する。
実施例を図１乃至図５を参照しながら説明する。尚、図
６乃至図９と同一又は相当部分には同一参照符号を付し
て重複説明は省略する。
【００１７】図１の（ａ）（ｂ）に示す本発明における
磁気ヘッドのＣコア（８）及びＩコア（９）は、非磁性
体板（４）（５）とラミネート層（３）との間に厚膜の
Ｃｒ膜（31）を介在させたものである。このＣｒ膜（3
1）の膜厚としては、後述するように500〜10000オング
ストロームが好ましく、また、上記Ｃｒ膜（31）とラミ
ネート層（３）を構成する金属磁性膜（１）との間にＳ
ｉＯ2やＡｌ2Ｏ3等の絶縁薄膜（２）を介在させる。こ
の絶縁薄膜（２）の膜厚としては、30〜1000オングスト
ロームが好ましい。上記Ｃｒ膜（31）を厚膜に形成する
ことによりラミネート層（３）を形成する上でその下地
が平坦化されることになる。また、上記絶縁薄膜（２）
はＣｒ膜（31）を厚膜にしたことによりＣｒ膜（31）を
構成するＣｒがラミネート層（３）の金属磁性膜（１）
を構成するセンダスト中に拡散することを阻止する。
磁気ヘッドのＣコア（８）及びＩコア（９）は、非磁性
体板（４）（５）とラミネート層（３）との間に厚膜の
Ｃｒ膜（31）を介在させたものである。このＣｒ膜（3
1）の膜厚としては、後述するように500〜10000オング
ストロームが好ましく、また、上記Ｃｒ膜（31）とラミ
ネート層（３）を構成する金属磁性膜（１）との間にＳ
ｉＯ2やＡｌ2Ｏ3等の絶縁薄膜（２）を介在させる。こ
の絶縁薄膜（２）の膜厚としては、30〜1000オングスト
ロームが好ましい。上記Ｃｒ膜（31）を厚膜に形成する
ことによりラミネート層（３）を形成する上でその下地
が平坦化されることになる。また、上記絶縁薄膜（２）
はＣｒ膜（31）を厚膜にしたことによりＣｒ膜（31）を
構成するＣｒがラミネート層（３）の金属磁性膜（１）
を構成するセンダスト中に拡散することを阻止する。
【００１８】尚、この実施例の磁気ヘッドは、コアチッ
プ（14）の巻線窓（16）の内端面（27）にもラミネート
層（３）を形成し、更に、ガラス（28）を被着形成した
ものであり、その巻線窓（16）における非磁性体板
（４）とラミネート層（３）との間についても上述した
Ｃｒ膜（31）を介在させ、また、Ｃｒ膜（31）とラミネ
ート層（３）の金属磁性膜（１）との間に絶縁薄膜
（２）を介在させている。
プ（14）の巻線窓（16）の内端面（27）にもラミネート
層（３）を形成し、更に、ガラス（28）を被着形成した
ものであり、その巻線窓（16）における非磁性体板
（４）とラミネート層（３）との間についても上述した
Ｃｒ膜（31）を介在させ、また、Ｃｒ膜（31）とラミネ
ート層（３）の金属磁性膜（１）との間に絶縁薄膜
（２）を介在させている。
【００１９】次に、上述した磁気ヘッドの製造方法を図
２乃至図５に示して説明する。
２乃至図５に示して説明する。
【００２０】まず、Ｃコア（８）は以下の要領で製作さ
れる。即ち、図２の（ａ）に示すようにセラミック等の
非磁性体板（18）を用意する。そして、図２の（ｂ）に
示すように非磁性体板（18）に複数のガラス溝（19）を
刻設した上でガラス溝（19）にガラス（12）を充填す
る。その上で、非磁性体板（18）にガラス溝（19）と平
行して複数のトラック溝（20）をブレードによる切削加
工でもって刻設する。
れる。即ち、図２の（ａ）に示すようにセラミック等の
非磁性体板（18）を用意する。そして、図２の（ｂ）に
示すように非磁性体板（18）に複数のガラス溝（19）を
刻設した上でガラス溝（19）にガラス（12）を充填す
る。その上で、非磁性体板（18）にガラス溝（19）と平
行して複数のトラック溝（20）をブレードによる切削加
工でもって刻設する。
【００２１】その後、図３の（ａ）に示すように非磁性
体板（18）にトラック溝（20）と直交する方向に複数の
巻線窓用溝（21）をブレードによる切削加工でもって刻
設すると共に、反対側に巻線窓用溝（21）と平行して複
数の巻線溝〔図示せず〕を刻設する。次に、ラミネート
層（３）を形成するに先立って、非磁性体板（18）の溝
形成面を逆バイアススパッタする。この逆バイアススパ
ッタにより、ブレードによる切削加工でもって凹凸のあ
るトラック溝（20）及び巻線窓用溝（21）の表面が平坦
化される。
体板（18）にトラック溝（20）と直交する方向に複数の
巻線窓用溝（21）をブレードによる切削加工でもって刻
設すると共に、反対側に巻線窓用溝（21）と平行して複
数の巻線溝〔図示せず〕を刻設する。次に、ラミネート
層（３）を形成するに先立って、非磁性体板（18）の溝
形成面を逆バイアススパッタする。この逆バイアススパ
ッタにより、ブレードによる切削加工でもって凹凸のあ
るトラック溝（20）及び巻線窓用溝（21）の表面が平坦
化される。
【００２２】その後、図３の（ｂ）に示すように平坦化
されたトラック溝（20）及び巻線窓用溝（21）にＣｒを
スパッタリング等により被着させて厚膜のＣｒ膜（31）
を形成する。このＣｒ膜（31）の形成により後述のラミ
ネート層（３）の下地をより一層平坦化する。このよう
に平坦化するためには、Ｃｒ膜（31）の膜厚は500〜100
00オングストロームとすることが好ましい。膜厚が500
オングストロームよりも小さいと、より一層の平坦化を
実現することが困難となり、逆に、10000オングストロ
ームよりも大きいと、ラミネート層（３）を構成する金
属磁性膜（１）の磁気特性を劣化させるおそれがある。
されたトラック溝（20）及び巻線窓用溝（21）にＣｒを
スパッタリング等により被着させて厚膜のＣｒ膜（31）
を形成する。このＣｒ膜（31）の形成により後述のラミ
ネート層（３）の下地をより一層平坦化する。このよう
に平坦化するためには、Ｃｒ膜（31）の膜厚は500〜100
00オングストロームとすることが好ましい。膜厚が500
オングストロームよりも小さいと、より一層の平坦化を
実現することが困難となり、逆に、10000オングストロ
ームよりも大きいと、ラミネート層（３）を構成する金
属磁性膜（１）の磁気特性を劣化させるおそれがある。
【００２３】上述のようにしてＣｒ膜（31）を形成した
後、そのＣｒ膜（31）を下地としてトラック溝（20）及
び巻線窓用溝（21）にラミネート層（３）を形成する。
即ち、非磁性体板（18）にセンダスト等の高飽和磁束密
度を有する金属磁性材とＳｉＯ2やＡｌ2Ｏ3等の絶縁材
とをスパッタリング等により交互に被着させ、トラック
溝（20）及び巻線窓用溝（21）に金属磁性膜（１）と絶
縁薄膜（２）とを交互に積層したラミネート層（３）を
形成する。この時、金属磁性膜（１）と絶縁薄膜（２）
との間に薄いＣｒ膜（31）を介在させることにより膜相
互間での密着性を向上させる。また、上記金属磁性膜
（１）を厚膜のＣｒ膜（31）に直接的に被着させるとＣ
ｒ膜（31）を組成するＣｒが金属磁性膜（１）に拡散し
て金属磁性膜（１）を組成するセンダストを劣化させる
ため、Ｃｒ膜（31）上に形成する第一層としてＳｉＯ2
やＡｌ2Ｏ3等の絶縁薄膜（２）を30〜1000オングストロ
ーム程度の膜厚で被着形成する。
後、そのＣｒ膜（31）を下地としてトラック溝（20）及
び巻線窓用溝（21）にラミネート層（３）を形成する。
即ち、非磁性体板（18）にセンダスト等の高飽和磁束密
度を有する金属磁性材とＳｉＯ2やＡｌ2Ｏ3等の絶縁材
とをスパッタリング等により交互に被着させ、トラック
溝（20）及び巻線窓用溝（21）に金属磁性膜（１）と絶
縁薄膜（２）とを交互に積層したラミネート層（３）を
形成する。この時、金属磁性膜（１）と絶縁薄膜（２）
との間に薄いＣｒ膜（31）を介在させることにより膜相
互間での密着性を向上させる。また、上記金属磁性膜
（１）を厚膜のＣｒ膜（31）に直接的に被着させるとＣ
ｒ膜（31）を組成するＣｒが金属磁性膜（１）に拡散し
て金属磁性膜（１）を組成するセンダストを劣化させる
ため、Ｃｒ膜（31）上に形成する第一層としてＳｉＯ2
やＡｌ2Ｏ3等の絶縁薄膜（２）を30〜1000オングストロ
ーム程度の膜厚で被着形成する。
【００２４】そして、図４の（ａ）に示すようにラミネ
ート層（３）を形成したトラック溝（20）及び巻線窓用
溝（21）にガラスモールドによりガラス（６）（28）を
充填し、更に図４の（ｂ）に示すようにラッピングした
上で巻線窓用溝（21）に充填されたガラス（28）を切削
加工する。そして、図中鎖線で示すようにこの非磁性体
板（18）を巻線窓用溝（21）と平行な方向に所定寸法で
切断することによりＣコア（８）の基材となるＣコアブ
ロック（22）を得る。
ート層（３）を形成したトラック溝（20）及び巻線窓用
溝（21）にガラスモールドによりガラス（６）（28）を
充填し、更に図４の（ｂ）に示すようにラッピングした
上で巻線窓用溝（21）に充填されたガラス（28）を切削
加工する。そして、図中鎖線で示すようにこの非磁性体
板（18）を巻線窓用溝（21）と平行な方向に所定寸法で
切断することによりＣコア（８）の基材となるＣコアブ
ロック（22）を得る。
【００２５】一方、Ｉコア（26）についてはＣコア
（８）の場合とほぼ同様で、図５の（ａ）に示すように
非磁性体板（23）にガラス溝（24）を刻設した上でガラ
ス溝（24）にガラス（13）を充填し、その後、ガラス溝
（24）と平行してトラック溝（25）を刻設する。そし
て、非磁性体板（23）の表面、特に、トラック溝（25）
を逆バイアススパッタにより平坦化した後、図５の
（ｂ）に示すように平坦化されたトラック溝（25）に厚
膜のＣｒ膜（31）を形成してより一層平坦化した上で、
絶縁薄膜（２）を介してラミネート層（３）を形成し、
トラック溝（25）にガラス（７）を充填する。そして、
図中鎖線で示すように非磁性体板（23）をトラック溝
（25）と直交する方向に所定寸法で切断することにより
Ｉコア（９）の基材となるＩコアブロック（26）を得
る。
（８）の場合とほぼ同様で、図５の（ａ）に示すように
非磁性体板（23）にガラス溝（24）を刻設した上でガラ
ス溝（24）にガラス（13）を充填し、その後、ガラス溝
（24）と平行してトラック溝（25）を刻設する。そし
て、非磁性体板（23）の表面、特に、トラック溝（25）
を逆バイアススパッタにより平坦化した後、図５の
（ｂ）に示すように平坦化されたトラック溝（25）に厚
膜のＣｒ膜（31）を形成してより一層平坦化した上で、
絶縁薄膜（２）を介してラミネート層（３）を形成し、
トラック溝（25）にガラス（７）を充填する。そして、
図中鎖線で示すように非磁性体板（23）をトラック溝
（25）と直交する方向に所定寸法で切断することにより
Ｉコア（９）の基材となるＩコアブロック（26）を得
る。
【００２６】以上のようにして得られたＣコアブロック
（22）又はＩコアブロック（26）のいずれか一方の接合
面にギャップスペーサとなるＳｉＯ2等の非磁性体薄膜
〔図示せず〕を被着形成した上で、Ｃコアブロック（2
2）とＩコアブロック（26）とをその接合面を突き合わ
せ、ガラス（６）（７）（12）（13）（28）による溶着
でもって接合一体化する。その後、接合一体化されたＣ
コアブロック（22）とＩコアブロック（26）とを所定寸
法でスライスすることにより図１の（ａ）（ｂ）に示す
コアチップ（14）を得る。
（22）又はＩコアブロック（26）のいずれか一方の接合
面にギャップスペーサとなるＳｉＯ2等の非磁性体薄膜
〔図示せず〕を被着形成した上で、Ｃコアブロック（2
2）とＩコアブロック（26）とをその接合面を突き合わ
せ、ガラス（６）（７）（12）（13）（28）による溶着
でもって接合一体化する。その後、接合一体化されたＣ
コアブロック（22）とＩコアブロック（26）とを所定寸
法でスライスすることにより図１の（ａ）（ｂ）に示す
コアチップ（14）を得る。
【００２７】
【発明の効果】本発明によれば、トラック溝及び巻線窓
用溝の溝面を逆バイアススパッタにより平坦化し、その
平坦化された溝面をＣｒ膜により平坦化することができ
るので、Ｃｒ膜上に形成されたラミネート層を構成する
金属磁性膜の磁気特性が劣化することを可及的に抑制で
き、また、Ｃｒ膜とラミネート層との間に介在する絶縁
薄膜により、上記Ｃｒ膜が厚膜であっても、Ｃｒ膜を構
成するＣｒが金属磁性膜を構成するセンダストに拡散す
ることを阻止でき、記録及び再生効率の良好な高品質の
磁気ヘッドを提供できる。
用溝の溝面を逆バイアススパッタにより平坦化し、その
平坦化された溝面をＣｒ膜により平坦化することができ
るので、Ｃｒ膜上に形成されたラミネート層を構成する
金属磁性膜の磁気特性が劣化することを可及的に抑制で
き、また、Ｃｒ膜とラミネート層との間に介在する絶縁
薄膜により、上記Ｃｒ膜が厚膜であっても、Ｃｒ膜を構
成するＣｒが金属磁性膜を構成するセンダストに拡散す
ることを阻止でき、記録及び再生効率の良好な高品質の
磁気ヘッドを提供できる。
【図１】（ａ）は本発明に係る磁気ヘッドの実施例を示
す正面図、（ｂ）はその磁気ヘッドの平面図
す正面図、（ｂ）はその磁気ヘッドの平面図
【図２】図１の磁気ヘッドのＣコアの製造方法を説明す
る上で、（ａ）は非磁性体板を示す斜視図、（ｂ）はト
ラック溝を形成した非磁性体板を示す斜視図
る上で、（ａ）は非磁性体板を示す斜視図、（ｂ）はト
ラック溝を形成した非磁性体板を示す斜視図
【図３】図１の磁気ヘッドのＣコアの製造方法を説明す
る上で、（ａ）は巻線窓用溝を形成し上で逆バイアスス
パッタする非磁性体板を示す斜視図、（ｂ）はＣｒ膜、
絶縁薄膜及びラミネート層を形成した非磁性体板を示す
斜視図
る上で、（ａ）は巻線窓用溝を形成し上で逆バイアスス
パッタする非磁性体板を示す斜視図、（ｂ）はＣｒ膜、
絶縁薄膜及びラミネート層を形成した非磁性体板を示す
斜視図
【図４】図１の磁気ヘッドのＣコアの製造方法を説明す
る上で、（ａ）はガラスモールドした非磁性体板を示す
斜視図、（ｂ）はガラスモールド後ラッピングした非磁
性体板を示す斜視図
る上で、（ａ）はガラスモールドした非磁性体板を示す
斜視図、（ｂ）はガラスモールド後ラッピングした非磁
性体板を示す斜視図
【図５】図１の磁気ヘッドのＩコアの製造方法を説明す
る上で、（ａ）はトラック溝を形成した非磁性体板を示
す斜視図、（ｂ）はＣｒ膜、絶縁薄膜及びラミネート層
を形成し、ガラスモールド後ラッピングした非磁性体板
を示す斜視図
る上で、（ａ）はトラック溝を形成した非磁性体板を示
す斜視図、（ｂ）はＣｒ膜、絶縁薄膜及びラミネート層
を形成し、ガラスモールド後ラッピングした非磁性体板
を示す斜視図
【図６】（ａ）は従来の磁気ヘッドを示す正面図、
（ｂ）はその磁気ヘッドの平面図
（ｂ）はその磁気ヘッドの平面図
【図７】図６の磁気ヘッドのＣコアの製造方法を説明す
る上で、（ａ）は非磁性体板を示す斜視図、（ｂ）はト
ラック溝を形成した非磁性体板を示す斜視図
る上で、（ａ）は非磁性体板を示す斜視図、（ｂ）はト
ラック溝を形成した非磁性体板を示す斜視図
【図８】図６の磁気ヘッドのＣコアの製造方法を説明す
る上で、（ａ）はラミネート層を形成し、ガラスモール
ド後ラッピングした非磁性体板を示す斜視図、（ｂ）は
巻線窓用溝を形成した非磁性体板を示す斜視図
る上で、（ａ）はラミネート層を形成し、ガラスモール
ド後ラッピングした非磁性体板を示す斜視図、（ｂ）は
巻線窓用溝を形成した非磁性体板を示す斜視図
【図９】図６の磁気ヘッドのＩコアの製造方法を説明す
る上で、（ａ）はトラック溝を形成した非磁性体板を示
す斜視図、（ｂ）はラミネート層を形成し、ガラスモー
ルド後ラッピングした非磁性体板を示す斜視図
る上で、（ａ）はトラック溝を形成した非磁性体板を示
す斜視図、（ｂ）はラミネート層を形成し、ガラスモー
ルド後ラッピングした非磁性体板を示す斜視図
１ 金属磁性膜 ２ 絶縁薄膜 ３ ラミネート層 ４ 非磁性体板 ５ 非磁性体板 ８ コア〔Ｃコア〕 ９ コア〔Ｉコア〕 14 コアチップ 15 媒体摺接面 31 Ｃｒ膜 ｇ 磁気ギャップ
Claims (4)
- 【請求項１】 非磁性体板にトラック溝及び巻線窓用溝
を刻設し、そのトラック溝及び巻線窓用溝に高飽和磁束
密度を有する金属磁性膜と絶縁薄膜とを交互に積層した
ラミネート層を形成した一対のコアを接合一体化し、そ
のコアチップの媒体摺接面に磁気ギャップを形成するに
際し、 上記トラック溝及び巻線窓用溝の刻設後、その溝面を逆
バイアススパッタした上でトラック溝及び巻線窓用溝に
Ｃｒ膜を厚膜に形成し、そのＣｒ膜上にラミネート層を
被着形成するようにしたことを特徴とする磁気ヘッドの
製造方法。 - 【請求項２】 請求項１記載のＣｒ膜の膜厚を500〜100
00オングストロームとしたことを特徴とする磁気ヘッド
の製造方法。 - 【請求項３】 請求項１又は２記載のＣｒ膜の形成後、
そのＣｒ膜上に絶縁薄膜を形成した上で、ラミネート層
を被着形成するようにしたことを特徴とする磁気ヘッド
の製造方法。 - 【請求項４】 高飽和磁束密度を有する金属磁性膜と絶
縁薄膜とを交互に積層したラミネート層を非磁性体板に
被着形成した一対にコアを接合一体化し、そのコアチッ
プの媒体摺接面に磁気ギャップを形成した磁気ヘッドに
おいて、 上記非磁性体板とラミネート層との間に厚膜のＣｒ膜を
介在させたことを特徴とする磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28610691A JPH05128434A (ja) | 1991-10-31 | 1991-10-31 | 磁気ヘツド及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28610691A JPH05128434A (ja) | 1991-10-31 | 1991-10-31 | 磁気ヘツド及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05128434A true JPH05128434A (ja) | 1993-05-25 |
Family
ID=17700015
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28610691A Pending JPH05128434A (ja) | 1991-10-31 | 1991-10-31 | 磁気ヘツド及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05128434A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5756201A (en) * | 1995-04-10 | 1998-05-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magnetic thin film for magnetic head, method of manufacturing the same, and magnetic head |
-
1991
- 1991-10-31 JP JP28610691A patent/JPH05128434A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5756201A (en) * | 1995-04-10 | 1998-05-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magnetic thin film for magnetic head, method of manufacturing the same, and magnetic head |
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