JPH021686Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH021686Y2 JPH021686Y2 JP5615483U JP5615483U JPH021686Y2 JP H021686 Y2 JPH021686 Y2 JP H021686Y2 JP 5615483 U JP5615483 U JP 5615483U JP 5615483 U JP5615483 U JP 5615483U JP H021686 Y2 JPH021686 Y2 JP H021686Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oscillation
- transistor
- magnetic head
- capacitor
- bias
- Prior art date
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- Expired
Links
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 30
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔考案の技術分野〕
この考案はテープレコーダに係り、特にそのバ
イアス発振回路の改良に関する。
イアス発振回路の改良に関する。
従来、テープレコーダのバイアス発振回路とし
て第1図に示すように構成されたものが知られて
いる。
て第1図に示すように構成されたものが知られて
いる。
すなわち、これはトランジスタQに図示の如く
接続したインダクタンスL、コンデンサCおよび
抵抗R1〜R5、ダイオードDでなる発振回路部
OSCがトランスTを介して負荷となる磁気ヘツ
ドHに結合されてなるものである。
接続したインダクタンスL、コンデンサCおよび
抵抗R1〜R5、ダイオードDでなる発振回路部
OSCがトランスTを介して負荷となる磁気ヘツ
ドHに結合されてなるものである。
この場合、トランスTの一次側は上記インダク
タンスL成分としても利用されている。
タンスL成分としても利用されている。
しかしながら、このような従来のバイアス発振
回路にあつては、発振回路部OSCと磁気ヘツド
HとがトランスTで結合されているために、トラ
ンスTによる損失分とそのヒステリシス分による
歪があつて非能率的であるという欠点を有してい
た。
回路にあつては、発振回路部OSCと磁気ヘツド
HとがトランスTで結合されているために、トラ
ンスTによる損失分とそのヒステリシス分による
歪があつて非能率的であるという欠点を有してい
た。
また、第1図のような構成では部品点数も多い
ことから、不経済であるという問題を有してい
た。
ことから、不経済であるという問題を有してい
た。
さらには、磁気ヘツドHに供給するバイアス電
流の値を用いる回路定数だけでは一義的に設定し
得ないという問題もあつた。
流の値を用いる回路定数だけでは一義的に設定し
得ないという問題もあつた。
そこで、この考案は以上のような点に鑑みてな
されたもので、損失や歪がなく能率的であると共
に、部品点数を少なくして経済的であるばかり
か、バイアス電流の設定を容易になし得るように
改良した極めて良好なるテープレコーダのバイア
ス発振回路を提供することを目的としている。
されたもので、損失や歪がなく能率的であると共
に、部品点数を少なくして経済的であるばかり
か、バイアス電流の設定を容易になし得るように
改良した極めて良好なるテープレコーダのバイア
ス発振回路を提供することを目的としている。
すなわち、この考案によるテープレコーダのバ
イアス発振回路は、一端が基準電位点に接続され
た発振コイルと、この発振コイルの両端に各一端
が対応して接続された第1および第2のコンデン
サと、これら第1および第2のコンデンサの各他
端にベースが共通に接続されると共に、コレクタ
が電源に接続されたトランジスタと、このトラン
ジスタのコレクタ−ベース間に接続された第1の
抵抗と、前記トランジスタのエミツタと前記発振
コイルの中間端子間に接続された第2の抵抗とを
具備し、前記発振コイルの他端から磁気ヘツドに
所定のバイアス電流を供給する構成としたことを
特徴としている。
イアス発振回路は、一端が基準電位点に接続され
た発振コイルと、この発振コイルの両端に各一端
が対応して接続された第1および第2のコンデン
サと、これら第1および第2のコンデンサの各他
端にベースが共通に接続されると共に、コレクタ
が電源に接続されたトランジスタと、このトラン
ジスタのコレクタ−ベース間に接続された第1の
抵抗と、前記トランジスタのエミツタと前記発振
コイルの中間端子間に接続された第2の抵抗とを
具備し、前記発振コイルの他端から磁気ヘツドに
所定のバイアス電流を供給する構成としたことを
特徴としている。
以下図面を参照してこの考案の一実施例につき
詳細に説明する。
詳細に説明する。
すなわち、第2図に示すようにトランジスタ
Q11のベースはコンデンサC11,C12を介して発振
コイルL11の両端に接続されている。
Q11のベースはコンデンサC11,C12を介して発振
コイルL11の両端に接続されている。
ここで、発振コイルL11の図示下端側とコンデ
ンサC12との接続点は接地されている。
ンサC12との接続点は接地されている。
また、前記トランジスタQ11はそのコレクタが
直接的に電源+Bに接続されると共に抵抗R11を
介してベースに接続され、且つそのエミツタが抵
抗R12を介して上記発振コイルL11の中間端子に接
続されている。
直接的に電源+Bに接続されると共に抵抗R11を
介してベースに接続され、且つそのエミツタが抵
抗R12を介して上記発振コイルL11の中間端子に接
続されている。
そして、前記発振コイルL11の図示上端側が抵
抗R13を介して負荷となる磁気ヘツドH11の一端
に接続され、この磁気ヘツドH11の他端は接地さ
れている。
抗R13を介して負荷となる磁気ヘツドH11の一端
に接続され、この磁気ヘツドH11の他端は接地さ
れている。
而して、以上の構成において負荷となる磁気ヘ
ツドH11のインピーダンス特性(対周波数)が既
知であり、且つ発振コイルL11の両端に生じる発
振電圧V0を固定化すれば、磁気ヘツドH11に供給
するバイアス電流i0はバイアス設定用の抵抗R13
の値によつて決定することができる。
ツドH11のインピーダンス特性(対周波数)が既
知であり、且つ発振コイルL11の両端に生じる発
振電圧V0を固定化すれば、磁気ヘツドH11に供給
するバイアス電流i0はバイアス設定用の抵抗R13
の値によつて決定することができる。
この場合、発振周波数0は
で与えられる。
また、上記バイアス電流i0は磁気ヘツドH11の
インピーダンスをZ0(但し周波数は0とする)と
すれば、 i0≒V0/R13+Z0 の如く発振電圧V0に依存して与えられることに
なる。
インピーダンスをZ0(但し周波数は0とする)と
すれば、 i0≒V0/R13+Z0 の如く発振電圧V0に依存して与えられることに
なる。
この場合、発振電圧V0は
V0≒αC12/C11+C12(但しαは定数)
となり、コンデンサC11,C12の値によつて決定さ
れる。
れる。
つまり、バイアス電流i0はコンデンサC11とC12
との比により、容易に任意の値に設定することが
できるという利点を有している。
との比により、容易に任意の値に設定することが
できるという利点を有している。
また、以上のようなバイアス発振回路は、従来
のように発振回路部と磁気ヘツドとをトランス結
合しているものではないので損失や歪がなく能率
的であると共に、用いる部品点数を少なくし得る
ので経済的であるという効用を有している。
のように発振回路部と磁気ヘツドとをトランス結
合しているものではないので損失や歪がなく能率
的であると共に、用いる部品点数を少なくし得る
ので経済的であるという効用を有している。
さらには、高負帰還として温度特性の安定化に
寄与し得るという利点を有している。
寄与し得るという利点を有している。
なお、この考案は上記し且つ図示した実施例の
みに限定されることなく、この考案の要旨を逸脱
しない範囲で種々の変形や適用が可能であること
は言う迄もない。
みに限定されることなく、この考案の要旨を逸脱
しない範囲で種々の変形や適用が可能であること
は言う迄もない。
従つて、以上詳述したようにこの考案によれ
ば、損失や歪がなく能率的であると共に、部品点
数を少なくして経済的であるばかりか、バイアス
電流の設定を容易になし得るように改良した極め
て良好なるテープレコーダのバイアス回路を提供
することが可能となる。
ば、損失や歪がなく能率的であると共に、部品点
数を少なくして経済的であるばかりか、バイアス
電流の設定を容易になし得るように改良した極め
て良好なるテープレコーダのバイアス回路を提供
することが可能となる。
第1図は従来のバイアス発振回路を示す構成
図、第2図はこの考案に係るバイアス発振回路の
一実施例を示す構成図である。 Q11……トランジスタ、C11,C12……コンデン
サ、L11……発振コイル、R11〜R13……抵抗、
H11……磁気ヘツド、+B……電源。
図、第2図はこの考案に係るバイアス発振回路の
一実施例を示す構成図である。 Q11……トランジスタ、C11,C12……コンデン
サ、L11……発振コイル、R11〜R13……抵抗、
H11……磁気ヘツド、+B……電源。
Claims (1)
- 一端が基準電位点に接続された発振コイルと、
この発振コイルの両端に各一端が対応して接続さ
れた第1および第2のコンデンサと、これら第1
および第2のコンデンサの各他端にベースが共通
に接続されると共に、コレクタが電源に接続され
たトランジスタと、このトランジスタのコレクタ
−ベース間に接続された第1の抵抗と、前記トラ
ンジスタのエミツタと前記発振コイルの中間端子
間に接続された第2の抵抗とを具備し、前記発振
コイルの他端から磁気ヘツドに所定のバイアス電
流を供給する構成としたことを特徴とするテープ
レコーダのバイアス発振回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5615483U JPS59164925U (ja) | 1983-04-15 | 1983-04-15 | テ−プレコ−ダのバイアス発振回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5615483U JPS59164925U (ja) | 1983-04-15 | 1983-04-15 | テ−プレコ−ダのバイアス発振回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59164925U JPS59164925U (ja) | 1984-11-05 |
| JPH021686Y2 true JPH021686Y2 (ja) | 1990-01-17 |
Family
ID=30186475
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5615483U Granted JPS59164925U (ja) | 1983-04-15 | 1983-04-15 | テ−プレコ−ダのバイアス発振回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59164925U (ja) |
-
1983
- 1983-04-15 JP JP5615483U patent/JPS59164925U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59164925U (ja) | 1984-11-05 |
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