JPH02169575A - 新規な電荷移動錯体 - Google Patents
新規な電荷移動錯体Info
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- JPH02169575A JPH02169575A JP32198988A JP32198988A JPH02169575A JP H02169575 A JPH02169575 A JP H02169575A JP 32198988 A JP32198988 A JP 32198988A JP 32198988 A JP32198988 A JP 32198988A JP H02169575 A JPH02169575 A JP H02169575A
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- NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N Butylhydroxytoluene Chemical compound CC1=CC(C(C)(C)C)=C(O)C(C(C)(C)C)=C1 NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、電解コンデンサ、帯電防止剤、導電性フィル
ム、電池、スイッチング素子等の有機電子材料、電子写
真材料および有機光学材料の素材として有用な？、７．
８．８−テトラシアノキノジメン（以下ＴＣＮＱという
）を７クセプターとする新規な電荷移動錯体に関するも
のである。
ム、電池、スイッチング素子等の有機電子材料、電子写
真材料および有機光学材料の素材として有用な？、７．
８．８−テトラシアノキノジメン（以下ＴＣＮＱという
）を７クセプターとする新規な電荷移動錯体に関するも
のである。
（従来の技術）
ＴＣＮＱは電子を受は入れやすい性質を有する化合物（
アクセプター）であり、電子を与え易い性質を有する化
合物（ドナー）とから構成される電荷移動錯体が既に多
数合成されている。これらのＴＣＮＱ錯体の特徴的な物
性は、ＴＣＮＱに由来することはもちろんであるが、ド
ナー物質を代えることにより変化させることができるに れらの電荷移動錯体は、加工、成型が容易であるという
大きな特徴を有しているため、電解コンデンサ、帯電防
止剤、導電性フィルム、電池、スイッチング素子等の分
野に、その利用が期待されている。
アクセプター）であり、電子を与え易い性質を有する化
合物（ドナー）とから構成される電荷移動錯体が既に多
数合成されている。これらのＴＣＮＱ錯体の特徴的な物
性は、ＴＣＮＱに由来することはもちろんであるが、ド
ナー物質を代えることにより変化させることができるに れらの電荷移動錯体は、加工、成型が容易であるという
大きな特徴を有しているため、電解コンデンサ、帯電防
止剤、導電性フィルム、電池、スイッチング素子等の分
野に、その利用が期待されている。
Ｔ ＣＮ Ｑ 錯体の一般的な合成方法としては、ヨー
ドイオンの還元性を利用し、ドナーのヨウ素化物と中性
のＴＣＮＱを反応させることによる方法、あるいはドナ
ーのヨウ素化物とＴＣＮＱのリナウム塩とを反応させた
後、中性のＴＣＮＱをドーピングさせる方法（Ｄ、Ｓ、
Ａｃｋｅｒ、 Ｗ、Ｒ，Ｈｅｒｔｌｅｒ。
ドイオンの還元性を利用し、ドナーのヨウ素化物と中性
のＴＣＮＱを反応させることによる方法、あるいはドナ
ーのヨウ素化物とＴＣＮＱのリナウム塩とを反応させた
後、中性のＴＣＮＱをドーピングさせる方法（Ｄ、Ｓ、
Ａｃｋｅｒ、 Ｗ、Ｒ，Ｈｅｒｔｌｅｒ。
Ｊ、Ａｍ、Ｃｈｅｗ、Ｓｏｃ、、８４．３３７０（１９
６２））などがある。
６２））などがある。
（発明が解決しようとする問題点）
前述のようにＴＣＮＱと組み合わせるドナーを代えるこ
とによってＴＣＮＱ錯体の特性を変化させることが可能
であり、使用目的に応じた特性を有するＴＣＮＱ錯体の
開発が強く望まれている。
とによってＴＣＮＱ錯体の特性を変化させることが可能
であり、使用目的に応じた特性を有するＴＣＮＱ錯体の
開発が強く望まれている。
本発明はこれらの要望に答えるべく、安価でかつ容易に
合成でき、種々の電気化学的あるいは光化学的材料等へ
の応用が幅広く期待できる新規なＴＣＮＱ９ｉ体を提供
することを目的とする。
合成でき、種々の電気化学的あるいは光化学的材料等へ
の応用が幅広く期待できる新規なＴＣＮＱ９ｉ体を提供
することを目的とする。
（問題点を解決するための手段）
本発明者等は、ドナー物質として２個のピリジン架橋体
を使用し、これをＴＣＮＱと反応させることにより、優
れた特性を有するＴＣＮＱ錯体が得られることを見出し
、本発明を完成するに至りｔこ。
を使用し、これをＴＣＮＱと反応させることにより、優
れた特性を有するＴＣＮＱ錯体が得られることを見出し
、本発明を完成するに至りｔこ。
すなわち本発明は、下記一般式
（但し、Ｒは炭素数１〜１２のフルキレン基または −
（ＣＨ２）ｎ−◎−（ＣＨｚ）ｎ−基であり、■は１〜
３の整数を表わす）で表わされる２個のピリジンの架橋
体をドナーとし、？、７，８．８−テトラシアノキメジ
メタンを７クセプターとする新規な電荷移動錯体である
。
（ＣＨ２）ｎ−◎−（ＣＨｚ）ｎ−基であり、■は１〜
３の整数を表わす）で表わされる２個のピリジンの架橋
体をドナーとし、？、７，８．８−テトラシアノキメジ
メタンを７クセプターとする新規な電荷移動錯体である
。
本発明の新規なＴＣＮＱ錯体は、下記一般式のように表
わすことができる。
わすことができる。
式中、Ｒは前記と同一の意味を表わし、×およびｙはそ
れぞれ錯体中のＴＣＮＱアニオンラジカル（ＴＣＮＱ’
）と中性のＴｃＮＱ（ＴＣＮＱｏ）の組成比を表わす。
れぞれ錯体中のＴＣＮＱアニオンラジカル（ＴＣＮＱ’
）と中性のＴｃＮＱ（ＴＣＮＱｏ）の組成比を表わす。
ドナーと７クセフリーの比は１：３ないし１：５である
が、錯体の物性を考慮すると１：３．５ないし１：４．
５であることが好ましい。
が、錯体の物性を考慮すると１：３．５ないし１：４．
５であることが好ましい。
また、× とｙ との比は１：０．５ないし１：２であ
るが、１：０，９ないし１：１．１であることが好まし
い。
るが、１：０，９ないし１：１．１であることが好まし
い。
上記一般式で明らかなように本発明の錯体は、ドナー１
分子中に２個の四級窒素が含まれている点で、従来のＴ
ＣＮＱ錯体と大きく構造が異なる。
分子中に２個の四級窒素が含まれている点で、従来のＴ
ＣＮＱ錯体と大きく構造が異なる。
また、錯体の分解点が２５０℃以上と高く、炭素数３〜
８のフルキレン基あるいはｐ−キシリレン基で架橋した
錯体の分解点は２７０℃以上である。
８のフルキレン基あるいはｐ−キシリレン基で架橋した
錯体の分解点は２７０℃以上である。
従って耐熱性を必要とする用途への利用が可能であり、
従来に無かった産業上の利用の可能性がある。
従来に無かった産業上の利用の可能性がある。
次に本発明のＴＣＮＱ錯体の合成法について説明する。
まずピリジンとアルキレンジアイオグイドを無溶媒ある
いは適当な溶媒中で反応させることにより２個のピリジ
ンのＮ位同士をフルキレン基で架橋したドナーのショウ
素化物を得る。しかるのち前記ドナーのショウ素化物と
ＴＣＮＱとをアセトニトリル中にて反応させると、本゛
発明の新規なＴＣＮＱ錯体が得られる。
いは適当な溶媒中で反応させることにより２個のピリジ
ンのＮ位同士をフルキレン基で架橋したドナーのショウ
素化物を得る。しかるのち前記ドナーのショウ素化物と
ＴＣＮＱとをアセトニトリル中にて反応させると、本゛
発明の新規なＴＣＮＱ錯体が得られる。
（実施例）
以下、実施例により本発明をさらに詳しく説明する。
及奮且と
１．４−ブチレンージアイオダイドＳ、ＯＯｇ、ピリジ
ン２．５ ｓ、、およびアセトニトリル１０＋ｏ１を還
流冷却器および攪拌器のついた７ラスフに入れ還流下で
１時間反応させた。反応終了後室温まで冷却し、結晶を
ろ別しエチルエーテルで洗浄すること１こより、Ｎ 、
Ｎ“−１，４−ブチレンージビリノニウムージアイオ
グイド６．８７ｇを得た。この物質の物性値等を第１表
に示す。第１表中のＮ ＭＲ（７） 測定溶１１Ｘｌｉ
、ＣＤＣｆｆｉ３−ＤＭＳＯ−ｄ６を使用した。
ン２．５ ｓ、、およびアセトニトリル１０＋ｏ１を還
流冷却器および攪拌器のついた７ラスフに入れ還流下で
１時間反応させた。反応終了後室温まで冷却し、結晶を
ろ別しエチルエーテルで洗浄すること１こより、Ｎ 、
Ｎ“−１，４−ブチレンージビリノニウムージアイオ
グイド６．８７ｇを得た。この物質の物性値等を第１表
に示す。第１表中のＮ ＭＲ（７） 測定溶１１Ｘｌｉ
、ＣＤＣｆｆｉ３−ＤＭＳＯ−ｄ６を使用した。
次いでＴＣＮＱ６，００ｇと、アセトニトリル２１０ｍ
１とを還流冷却器および攪拌器のついたフラスコに入れ
加熱し、これにＮ、Ｎ’−１，４−ブチレンージピリジ
ニウムージアイオグイド５．１６ｇを添加した。添加後
１時間加熱還流な行ない、反応させた６反応終了後室温
まで冷却し、結晶をろ別し、メチルアルコールで洗浄す
ることにより、Ｎ、Ｎ’−１，４−ブチレンージビリジ
ニワム・ＴＣＮＱ錯体７．１４ｇを得た。得られた錯体
の元素分析の結果等を第２表に示す、なお第２表中の電
導度は加圧成型試料を用いて二端子法で測定した。
１とを還流冷却器および攪拌器のついたフラスコに入れ
加熱し、これにＮ、Ｎ’−１，４−ブチレンージピリジ
ニウムージアイオグイド５．１６ｇを添加した。添加後
１時間加熱還流な行ない、反応させた６反応終了後室温
まで冷却し、結晶をろ別し、メチルアルコールで洗浄す
ることにより、Ｎ、Ｎ’−１，４−ブチレンージビリジ
ニワム・ＴＣＮＱ錯体７．１４ｇを得た。得られた錯体
の元素分析の結果等を第２表に示す、なお第２表中の電
導度は加圧成型試料を用いて二端子法で測定した。
実施例２〜６
１モルのピリジンと、それぞれ１７２モルのメチレンー
ジアイオグイド、１，３−ブロビレンージアイオグイド
、１．５−ペンタメチレンーンフイオダイド、１，８−
オクタメチレンーノアイオダイド、ｐ−”ｒシリレンー
ジアイオダイドとを実施例１に準じてアセ）−４リル中
にて反応させ、それぞれ相当するドナーのショウ素化物
を得た。
ジアイオグイド、１，３−ブロビレンージアイオグイド
、１．５−ペンタメチレンーンフイオダイド、１，８−
オクタメチレンーノアイオダイド、ｐ−”ｒシリレンー
ジアイオダイドとを実施例１に準じてアセ）−４リル中
にて反応させ、それぞれ相当するドナーのショウ素化物
を得た。
これらショウ素化物の物性値等を第１表に示す。
上記で合成したドナーのノヨウ素化物とＴＣＮＱを用い
て実施例１に準じて反応させ、それぞれ相当するＴＣＮ
Ｑ錯体を合成した。得られたＴＣＮＱ錯体の元素分析値
の結果等を第２表゛に示す。
て実施例１に準じて反応させ、それぞれ相当するＴＣＮ
Ｑ錯体を合成した。得られたＴＣＮＱ錯体の元素分析値
の結果等を第２表゛に示す。
（発明の効果）
本発明のＴＣＮＱ錯体はドナー１分子中に四級窒素を２
個含んでいること、錯体の分解点が高いという特徴を有
していることから、有機電子材料、電子写真材料および
有機光学材料の素材として従来にない新しい用途への利
用が可能である。
個含んでいること、錯体の分解点が高いという特徴を有
していることから、有機電子材料、電子写真材料および
有機光学材料の素材として従来にない新しい用途への利
用が可能である。
Claims (1)
- １．下記一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （但し、Ｒは炭素数１〜１２のアルキレン基または▲数
式、化学式、表等があります▼基であり、 ｎは１〜３の整数を表わす）で表わされる２個のピリジ
ンの架橋体をドナーとし、７，７，８，８−テトラシア
ノキノジメタンをアクセプターとする新規な電荷移動錯
体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32198988A JP2748270B2 (ja) | 1988-12-22 | 1988-12-22 | 新規な電荷移動錯体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32198988A JP2748270B2 (ja) | 1988-12-22 | 1988-12-22 | 新規な電荷移動錯体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02169575A true JPH02169575A (ja) | 1990-06-29 |
| JP2748270B2 JP2748270B2 (ja) | 1998-05-06 |
Family
ID=18138679
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32198988A Expired - Lifetime JP2748270B2 (ja) | 1988-12-22 | 1988-12-22 | 新規な電荷移動錯体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2748270B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2017021712A1 (en) * | 2015-07-31 | 2017-02-09 | Cambridge Display Technology Limited | Charge transfer salt, electronic device and method of forming the same |
| US11349084B2 (en) | 2015-12-18 | 2022-05-31 | Cambridge Display Technology Limited | Charge transfer salts and uses thereof |
-
1988
- 1988-12-22 JP JP32198988A patent/JP2748270B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2017021712A1 (en) * | 2015-07-31 | 2017-02-09 | Cambridge Display Technology Limited | Charge transfer salt, electronic device and method of forming the same |
| US11349084B2 (en) | 2015-12-18 | 2022-05-31 | Cambridge Display Technology Limited | Charge transfer salts and uses thereof |
| US11730055B2 (en) | 2015-12-18 | 2023-08-15 | Cambridge Display Technology Limited | Dopant, charge transfer salt and organic electronic device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2748270B2 (ja) | 1998-05-06 |
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Legal Events
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