JPH03181477A - 導電性高分子単量体及びその製法 - Google Patents
導電性高分子単量体及びその製法Info
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- JPH03181477A JPH03181477A JP31771089A JP31771089A JPH03181477A JP H03181477 A JPH03181477 A JP H03181477A JP 31771089 A JP31771089 A JP 31771089A JP 31771089 A JP31771089 A JP 31771089A JP H03181477 A JPH03181477 A JP H03181477A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は新規導電性高分子単量体及びその製法に関する
。
。
(従来の技術)
従来、導電性高分子として例えば、ポリアセチレン、ポ
リパラフェニレン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポ
リアニリン等の共役系高分子に電子受容性あるいは電子
供与性物質をドーパントとして用いたものの研究が盛ん
に行なわれている。
リパラフェニレン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポ
リアニリン等の共役系高分子に電子受容性あるいは電子
供与性物質をドーパントとして用いたものの研究が盛ん
に行なわれている。
ここに例示した共役系高分子の主な重合方法としでは電
気化学的重合法と化学的重合法が挙げられ、前者の重合
法では一般に高分子はフィルム状として得られ、後者の
重合法では繊維状あるいは粉末状の高分子が得られる。
気化学的重合法と化学的重合法が挙げられ、前者の重合
法では一般に高分子はフィルム状として得られ、後者の
重合法では繊維状あるいは粉末状の高分子が得られる。
しかしながら上記高分子とドーパントからなる導電性高
分子は一般に溶媒には不溶であり、また加熱しても溶融
することがないので加工性に劣り、広い範囲に応用する
ことが困難であった。
分子は一般に溶媒には不溶であり、また加熱しても溶融
することがないので加工性に劣り、広い範囲に応用する
ことが困難であった。
(発明が解決しようとする課題)
上記のような実情から、溶媒溶解性に富み導電率の安定
した導電性高分子を得るための新規な単量体が求められ
ていた。
した導電性高分子を得るための新規な単量体が求められ
ていた。
(課題を解決するための手段)
本発明者らは鋭意検討の結果、上記問題点を解決する手
段を見い出して、本発明を完成するに至った。
段を見い出して、本発明を完成するに至った。
すなわち本発明の目的は、下記一般式(1)(ただし、
式中nは1または2の整数、Rは炭素数1〜6の直鎖ア
ルキル基を表わす。)で示される新規な導電性高分子単
量体を提供することであり、また、下記一般式(II) H○(CH,CH,○)nR・・(IT)(式中nは1
または2の整数、Rは炭素数1〜6の直鎖アルキル基を
表わす、)で示される化合物と3−ブロモチオフェンと
をカップリングすることにより上記単量体を製造する方
法を提供せんとするものである。
式中nは1または2の整数、Rは炭素数1〜6の直鎖ア
ルキル基を表わす。)で示される新規な導電性高分子単
量体を提供することであり、また、下記一般式(II) H○(CH,CH,○)nR・・(IT)(式中nは1
または2の整数、Rは炭素数1〜6の直鎖アルキル基を
表わす、)で示される化合物と3−ブロモチオフェンと
をカップリングすることにより上記単量体を製造する方
法を提供せんとするものである。
カップリングの方法としては上記一般式(11)で表わ
される化合物を無溶媒または溶媒中でナトリウムと反応
せしめナトリウム塩とし、次いで3−ブロモチオフェン
を添加し反応せしめることにより行なう。溶媒としては
、不活性有機溶媒ならばあらゆる種類のものが適用でき
、具体的にはベンゼン、ヘキサン、トルエン、ジメチル
ホルムアミド、ジエチルエーテルなどがあげられる。カ
ップリング反応においてはヨウ化ナトリウム、酸化銅、
銅などの触媒を用いることも可能である。反応温度は特
に規制しないが、好ましくは溶媒あるいは反応系の沸点
に近い温度である。本発明の単量体を電気化学的な方法
あるいは化学的な方法で重合して得られる導電性高分子
はジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、γ−
ブチルラクトン、アセトン、アセトニトリルなど広範囲
の溶媒に溶解し、塗布などの方法により基体を導電化す
ることもできる。また導電性の安定性も良好なので導電
材料として広く応用できる。
される化合物を無溶媒または溶媒中でナトリウムと反応
せしめナトリウム塩とし、次いで3−ブロモチオフェン
を添加し反応せしめることにより行なう。溶媒としては
、不活性有機溶媒ならばあらゆる種類のものが適用でき
、具体的にはベンゼン、ヘキサン、トルエン、ジメチル
ホルムアミド、ジエチルエーテルなどがあげられる。カ
ップリング反応においてはヨウ化ナトリウム、酸化銅、
銅などの触媒を用いることも可能である。反応温度は特
に規制しないが、好ましくは溶媒あるいは反応系の沸点
に近い温度である。本発明の単量体を電気化学的な方法
あるいは化学的な方法で重合して得られる導電性高分子
はジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、γ−
ブチルラクトン、アセトン、アセトニトリルなど広範囲
の溶媒に溶解し、塗布などの方法により基体を導電化す
ることもできる。また導電性の安定性も良好なので導電
材料として広く応用できる。
(実施例)
以下、本発明を実施例に従って具体的に説明するが、本
発明はこれらの実施例に制限されるものではない。
発明はこれらの実施例に制限されるものではない。
実施例1
温度針、窒素吹込管、コンデンサ、撹はん機を取り付け
た3 00aQ、の四つロフラスコにメチルカルピトー
ルloogを仕込んだ。窒素気流下に金属ナトリウム5
.20gを少量ずつ添加し、メチルカルピトールのナト
リウム塩を生成した。これに酸化銅2.Og及びヨウ化
ナトリウム60mgを加え、次いで3−ブロモチオフェ
ン16.3gを添加し、150℃にて10時間反応させ
た。反応終了後酸化銅をろ別し、過剰のメチルカルピト
ールを水で抽出し、有機層を減圧蒸留することにより1
5.9gの3−メトキシエトキシエトキシチオフェンを
得た。このものの沸点は95〜bm■Hgであった。N
MRの測定結果を第1表に示す。
た3 00aQ、の四つロフラスコにメチルカルピトー
ルloogを仕込んだ。窒素気流下に金属ナトリウム5
.20gを少量ずつ添加し、メチルカルピトールのナト
リウム塩を生成した。これに酸化銅2.Og及びヨウ化
ナトリウム60mgを加え、次いで3−ブロモチオフェ
ン16.3gを添加し、150℃にて10時間反応させ
た。反応終了後酸化銅をろ別し、過剰のメチルカルピト
ールを水で抽出し、有機層を減圧蒸留することにより1
5.9gの3−メトキシエトキシエトキシチオフェンを
得た。このものの沸点は95〜bm■Hgであった。N
MRの測定結果を第1表に示す。
実施例2
メチルカルピトールのかわりにエチルセロソルブを用い
た他は実施例1と全く同様にして行ない12.6gの3
−エトキシエトキシチオフェンを得た。このものの沸点
は60〜61 ’C/ 1 mrnHgであった。N
M Rの測定結果を第1表に示す。
た他は実施例1と全く同様にして行ない12.6gの3
−エトキシエトキシチオフェンを得た。このものの沸点
は60〜61 ’C/ 1 mrnHgであった。N
M Rの測定結果を第1表に示す。
1凰園主
メチルカルピトールのかわりにブチルセロソルブを用い
た他は実施例1と全く同様にして行ない14、Igの3
−ブトキシエトキシチオフェンを得た。このものの沸点
は118℃/4miHgであった。NMRの測定結果を
第1表に示す。
た他は実施例1と全く同様にして行ない14、Igの3
−ブトキシエトキシチオフェンを得た。このものの沸点
は118℃/4miHgであった。NMRの測定結果を
第1表に示す。
皇皇里エ
メチルカルピトールのかわりにエチルカルビトフルを用
いた他は実施例1と全く同様にして行ない、3−エトキ
シエトキシエトキシチオフェン16.1gを得た。この
ものの沸点は114℃71m+aHgであった。NMR
の測定結果を第1表に示実施例5 メチルカルピトールのかわりにメチルセロソルブを用い
反応温度を130℃とした他は実施例1と全く同様にし
てl 1,5gの3−メトキシエトキシチオフェンを得
た。このものの沸点は60℃71mmHgであった。N
MRの測定結果を第1表に示す。
いた他は実施例1と全く同様にして行ない、3−エトキ
シエトキシエトキシチオフェン16.1gを得た。この
ものの沸点は114℃71m+aHgであった。NMR
の測定結果を第1表に示実施例5 メチルカルピトールのかわりにメチルセロソルブを用い
反応温度を130℃とした他は実施例1と全く同様にし
てl 1,5gの3−メトキシエトキシチオフェンを得
た。このものの沸点は60℃71mmHgであった。N
MRの測定結果を第1表に示す。
実施例6
実施例1と全く同様の反応装置に、予め調製したヘキシ
ルセロソルブナトリウム塩30g、トルエン200gを
仕込み、3−ブロモチオフェン16.3gと酸化銅2.
0gを加え、110℃で16時間反応させた。実施例1
と全く同様に処理して、14.9gの3−ヘキシルオキ
シエトキシチオフェンを得た。このものの沸点は113
℃10.5mmHgあった。NMRの測定結果を第1表
に示す。
ルセロソルブナトリウム塩30g、トルエン200gを
仕込み、3−ブロモチオフェン16.3gと酸化銅2.
0gを加え、110℃で16時間反応させた。実施例1
と全く同様に処理して、14.9gの3−ヘキシルオキ
シエトキシチオフェンを得た。このものの沸点は113
℃10.5mmHgあった。NMRの測定結果を第1表
に示す。
実施例7
ヘキシルセロソルブナトリウム塩の代わりにヘキシルカ
ルピトールナトリウム塩35gを用いた他は実施例6と
全く同様にして行ないl 6,2gの3−ヘキシルオキ
シエトキシエトキシチオフェンを得た。このものの沸点
は140−142℃10.5mmHgであった。NMR
測定結果を第1表に示す。
ルピトールナトリウム塩35gを用いた他は実施例6と
全く同様にして行ないl 6,2gの3−ヘキシルオキ
シエトキシエトキシチオフェンを得た。このものの沸点
は140−142℃10.5mmHgであった。NMR
測定結果を第1表に示す。
実施例8
乾燥したクロロホルム25mQに無水塩化第二鉄1.9
gを入れ窒素気流下に撹拌しつつ、実施例1で合成した
3−メトキシエトキシエトキシチオフェン0.8gを滴
下し、25℃で30分間重合反応を行なった。反応終了
後、生成した重合物をろ別し、水洗後、メタノールで2
回洗浄した。
gを入れ窒素気流下に撹拌しつつ、実施例1で合成した
3−メトキシエトキシエトキシチオフェン0.8gを滴
下し、25℃で30分間重合反応を行なった。反応終了
後、生成した重合物をろ別し、水洗後、メタノールで2
回洗浄した。
その後減圧下、50℃で24時間乾燥し、1.1gのポ
リ−3−メトキシエトキシエトキシチオフェンを得た。
リ−3−メトキシエトキシエトキシチオフェンを得た。
次にこのポリ−3−メトキシエトキシエトキシチオフェ
ン0.1g、塩化ビニル・酢酸ビニル共重合体(VMC
H,VCC社製)(7)30%MEK溶液0.25gお
よびイソシアネート系架橋剤(コロネートし、日本ポリ
ウレタン工業社製)の20%酢酸エチル溶液0.13g
をDMF 5.5 gおよび酢酸ブチル4gに溶解し、
導電性塗工液とした。この塗工液を厚さ50μmのポリ
エステルフィルムにバーコーターにて塗工し、100℃
で3分間乾燥した。このポリエステルフィルムの塗工面
の導電性は3X10“Ω・□であり、150℃で14日
間大気中に保存した後の導電性は6.2XIO’Ω・印
であった。
ン0.1g、塩化ビニル・酢酸ビニル共重合体(VMC
H,VCC社製)(7)30%MEK溶液0.25gお
よびイソシアネート系架橋剤(コロネートし、日本ポリ
ウレタン工業社製)の20%酢酸エチル溶液0.13g
をDMF 5.5 gおよび酢酸ブチル4gに溶解し、
導電性塗工液とした。この塗工液を厚さ50μmのポリ
エステルフィルムにバーコーターにて塗工し、100℃
で3分間乾燥した。このポリエステルフィルムの塗工面
の導電性は3X10“Ω・□であり、150℃で14日
間大気中に保存した後の導電性は6.2XIO’Ω・印
であった。
(発明の効果)
本発明により、加工性が良好で導電性の安定した導電性
高分子の単量体及びその製法を提供できた。
高分子の単量体及びその製法を提供できた。
Claims (2)
- (1)下記一般式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼・・( I ) (但し、式中nは1または2の整数、Rは炭素数1〜6
の直鎖アルキル基を示す。)で表わされる導電性高分子
単量体。 - (2)下記一般式(II) HO(CH_2CH_2O)nR・・(II)(但し、式
中nは1または2の整数、Rは炭素数1〜6の直鎖アル
キル基を示す。)で表わされる化合物と3−ブロモチオ
フェンとをカップリンすることを特徴とする一般式(
I ) ▲数式、化学式、表等があります▼・・( I ) (但し、式中nは1はまたは2の整数、Rは炭素数1〜
6の直鎖アルキルを示す。)で表わされる導電性高分子
単量体の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31771089A JPH03181477A (ja) | 1989-12-08 | 1989-12-08 | 導電性高分子単量体及びその製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31771089A JPH03181477A (ja) | 1989-12-08 | 1989-12-08 | 導電性高分子単量体及びその製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03181477A true JPH03181477A (ja) | 1991-08-07 |
Family
ID=18091169
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31771089A Pending JPH03181477A (ja) | 1989-12-08 | 1989-12-08 | 導電性高分子単量体及びその製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03181477A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008515195A (ja) * | 2004-09-24 | 2008-05-08 | プレックストロニクス インコーポレーティッド | 光電池におけるヘテロ原子位置規則性ポリ(3−置換チオフェン) |
| JP2008515194A (ja) * | 2004-09-24 | 2008-05-08 | プレックストロニクス インコーポレーティッド | エレクトロルミネセンス装置におけるヘテロ原子位置規則性ポリ(3−置換チオフェン) |
| WO2010110200A1 (ja) * | 2009-03-24 | 2010-09-30 | 三洋化成工業株式会社 | 導電性コーティング組成物及び導電性コーティング膜の製造方法 |
-
1989
- 1989-12-08 JP JP31771089A patent/JPH03181477A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008515195A (ja) * | 2004-09-24 | 2008-05-08 | プレックストロニクス インコーポレーティッド | 光電池におけるヘテロ原子位置規則性ポリ(3−置換チオフェン) |
| JP2008515194A (ja) * | 2004-09-24 | 2008-05-08 | プレックストロニクス インコーポレーティッド | エレクトロルミネセンス装置におけるヘテロ原子位置規則性ポリ(3−置換チオフェン) |
| WO2010110200A1 (ja) * | 2009-03-24 | 2010-09-30 | 三洋化成工業株式会社 | 導電性コーティング組成物及び導電性コーティング膜の製造方法 |
| JP2010248487A (ja) * | 2009-03-24 | 2010-11-04 | Sanyo Chem Ind Ltd | 導電性コーティング組成物及び導電性コーティング膜の製造方法 |
| CN102361942A (zh) * | 2009-03-24 | 2012-02-22 | 三洋化成工业株式会社 | 导电性涂布组合物和导电性涂布膜的制造方法 |
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