JPH02170988A - 錫めっき材 - Google Patents
錫めっき材Info
- Publication number
- JPH02170988A JPH02170988A JP32189288A JP32189288A JPH02170988A JP H02170988 A JPH02170988 A JP H02170988A JP 32189288 A JP32189288 A JP 32189288A JP 32189288 A JP32189288 A JP 32189288A JP H02170988 A JPH02170988 A JP H02170988A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- concentration
- tin
- plating
- plating film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
息１上鬼剋■公立
本発明は、錫めっき材の改良に関するもので、特に錫め
っき材のプレス加工性を改善したものである。
っき材のプレス加工性を改善したものである。
の ′ と−壱
錫は、りん青銅、黄銅等の銅合金にめっきするのに用い
られ、この錫めっき材はプレス加工を受けた後端子、コ
ネクタ等の電子部品に利用される。
られ、この錫めっき材はプレス加工を受けた後端子、コ
ネクタ等の電子部品に利用される。
しかし、従来の錫めっき材は、プレス剪断加工時に材料
エッヂ部分のめっきが剥離して、ヒゲ状になるヒゲバリ
という異常が発生する。このヒゲバリは、電子部品に組
み込まれた場合に、回路短絡の原因となるため、電子部
品の信頬性の点より問題となる。
エッヂ部分のめっきが剥離して、ヒゲ状になるヒゲバリ
という異常が発生する。このヒゲバリは、電子部品に組
み込まれた場合に、回路短絡の原因となるため、電子部
品の信頬性の点より問題となる。
また、ヒゲバリは、プレス加工中に脱落して、金型に付
着して押し込みの原因となる。金型にヒゲバリが付着し
た・場合、プレス機を停止して金型交換もしくは金型清
掃の必要があるため、生産効率の点で非常に問題となる
。
着して押し込みの原因となる。金型にヒゲバリが付着し
た・場合、プレス機を停止して金型交換もしくは金型清
掃の必要があるため、生産効率の点で非常に問題となる
。
以上の様に、錫めっき材に発生するヒゲバリの問題は、
電子部品としての信転性、プレス作業の効率化という点
より強くその改善が望まれていた。
電子部品としての信転性、プレス作業の効率化という点
より強くその改善が望まれていた。
本発明者は、以上の状況に鑑み、研究を重ねた結果、ヒ
ゲバリの発生と錫めっき皮膜中の不純物としての鉛濃度
との間に強い相関関係があることを見い出した。つまり
、鉛濃度が高くなればなるほどヒゲバリの発生頻度が高
くなるのである。
ゲバリの発生と錫めっき皮膜中の不純物としての鉛濃度
との間に強い相関関係があることを見い出した。つまり
、鉛濃度が高くなればなるほどヒゲバリの発生頻度が高
くなるのである。
錫めっき中に鉛が共析されるのは、鉛の標準単極電位が
、−０，１２６Ｖと錫の−０，１４０Ｖと非常に近いた
めであると考えられる。この様に標準単極電位が近いた
めに、アノード中に含まれる鉛がそのままめっき皮膜中
に共析されるのである。つまり、アノード中の鉛が多い
とめっき皮膜に含まれる鉛の量が多くなり、ヒゲバリ発
生頻度が高くなる。
、−０，１２６Ｖと錫の−０，１４０Ｖと非常に近いた
めであると考えられる。この様に標準単極電位が近いた
めに、アノード中に含まれる鉛がそのままめっき皮膜中
に共析されるのである。つまり、アノード中の鉛が多い
とめっき皮膜に含まれる鉛の量が多くなり、ヒゲバリ発
生頻度が高くなる。
従来、錫めっきのアノードは、この様な観点から選択さ
れていなかったため、値段の安い、鉛を多量に含んだ純
度の低いものを使用することが多かった。その結果とし
て、錫めっき皮膜中の鉛濃度が高く、ヒゲバリ発生頻度
の多いめっき材となることが多かった。
れていなかったため、値段の安い、鉛を多量に含んだ純
度の低いものを使用することが多かった。その結果とし
て、錫めっき皮膜中の鉛濃度が高く、ヒゲバリ発生頻度
の多いめっき材となることが多かった。
が”° しようとする課
本発明は、如上の状況に鑑みなされたものであって、錫
めっき皮膜中の鉛濃度が０．０５％以下であればプレス
加工時のヒゲバリ発生が認められなくなること、また、
錫めっき皮膜中の鉛濃度がめつき７ノード中の鉛濃度に
依存することの知見を得て本発明をなすに至った。
めっき皮膜中の鉛濃度が０．０５％以下であればプレス
加工時のヒゲバリ発生が認められなくなること、また、
錫めっき皮膜中の鉛濃度がめつき７ノード中の鉛濃度に
依存することの知見を得て本発明をなすに至った。
すなわち、本発明では、錫めっきに用いるアット中の鉛
濃度を制限することにより、錫めっき皮膜中の鉛濃度を
０．０５％以下に押え、プレス加工時のヒゲバリ発生を
減少させることが可能となる。
濃度を制限することにより、錫めっき皮膜中の鉛濃度を
０．０５％以下に押え、プレス加工時のヒゲバリ発生を
減少させることが可能となる。
したがって、本発明は、プレス加工時においてヒゲバリ
の発生の少ない錫めっき材を提供することを課題とする
。
の発生の少ない錫めっき材を提供することを課題とする
。
課 を”°するための手
本発明では、錫めっき皮膜中の鉛濃度が０．０５％以下
であれば良く、アノード中の鉛濃度については限定しな
い、この理由は、浴種によって、アノード中の鉛濃度と
めつき皮膜中に含まれる鉛濃度の相関関係が変化するた
めである。同様に、不溶性アノードを使用して、錫分の
補給を金属錫や酸化錫で行う場合も、めっき皮膜中の鉛
濃度が０．０５％以下になる様に、原料の金属すず酸化
錫中の鉛濃度を調整する。
であれば良く、アノード中の鉛濃度については限定しな
い、この理由は、浴種によって、アノード中の鉛濃度と
めつき皮膜中に含まれる鉛濃度の相関関係が変化するた
めである。同様に、不溶性アノードを使用して、錫分の
補給を金属錫や酸化錫で行う場合も、めっき皮膜中の鉛
濃度が０．０５％以下になる様に、原料の金属すず酸化
錫中の鉛濃度を調整する。
この様にして、錫めっき皮膜中に含まれる鉛の濃度が０
．０５％以下である錫めっき材は、プレス加工時のヒゲ
バリ発生が認められない。
．０５％以下である錫めっき材は、プレス加工時のヒゲ
バリ発生が認められない。
以下実施例により本発明を具体的に説明する。
実施例
以下に示すめっき仕様でめっきを行った錫めっき材をプ
レス加工したが、ヒゲバリの発生は認められなかった。
レス加工したが、ヒゲバリの発生は認められなかった。
めっき仕様
母材 ：りん青銅２種、黄銅２種 ０．２【上地め
っき：光沢錫めっき、４μｍ鉛濃度０．００４％下地め
っき：なし 銅めっき ０．５．１μｍ Ｎｉめっき ０．５、ｌ ｌ１ｍ めっき浴組成 ０上地めっき 光沢錫めっき 硫酸第一錫 硫酸 光沢剤 使用アノード中の鉛濃度 浴ａ ｔＳ℃、 電流密度 ０下地めっき 硫酸銅めっき 硫酸銅（５水塩） ３０ｇ／１ １７０ｇ／Ａ ３０ｍ＃！ ０．０００９％ ３Ａ／ｄ耐 １３５ｇ／ｊ！ 硫酸 １００ｇ／ｊ！ 浴温 室温、 電流密度 ５Ａ／ｄｆｆｒニツケルめっ
き ワット浴 硫酸ニッケル（６水塩）２８０ｇ／６ 塩化ニッケル（６水塩） ４０ｇ／ｌホウ酸
４５ｇ／Ａ 浴温４５℃、 電流密度 ５Ａ／ｄｉｒ錫めっき皮膜中
の鉛濃度は厚めつきを施してめっきだけを採り、湿式法
により分析した。また、アノード中の鉛濃度も湿式法に
より分析した。
っき：光沢錫めっき、４μｍ鉛濃度０．００４％下地め
っき：なし 銅めっき ０．５．１μｍ Ｎｉめっき ０．５、ｌ ｌ１ｍ めっき浴組成 ０上地めっき 光沢錫めっき 硫酸第一錫 硫酸 光沢剤 使用アノード中の鉛濃度 浴ａ ｔＳ℃、 電流密度 ０下地めっき 硫酸銅めっき 硫酸銅（５水塩） ３０ｇ／１ １７０ｇ／Ａ ３０ｍ＃！ ０．０００９％ ３Ａ／ｄ耐 １３５ｇ／ｊ！ 硫酸 １００ｇ／ｊ！ 浴温 室温、 電流密度 ５Ａ／ｄｆｆｒニツケルめっ
き ワット浴 硫酸ニッケル（６水塩）２８０ｇ／６ 塩化ニッケル（６水塩） ４０ｇ／ｌホウ酸
４５ｇ／Ａ 浴温４５℃、 電流密度 ５Ａ／ｄｉｒ錫めっき皮膜中
の鉛濃度は厚めつきを施してめっきだけを採り、湿式法
により分析した。また、アノード中の鉛濃度も湿式法に
より分析した。
次に参考例として鉛濃度を０．０５％より高くした場合
を比較例として示す。
を比較例として示す。
比較例
アノードを鉛濃度０．０８％のものを用いて実施例と同
様にめっきを施した。その結果、めっき皮膜中の鉛濃度
は０．０６％であった。
様にめっきを施した。その結果、めっき皮膜中の鉛濃度
は０．０６％であった。
このめっき材をプレス加工した所、ヒゲバリの発生が認
められた。
められた。
Claims (1)
- 錫めっき材において、めっき皮膜中に含まれる鉛の濃度
が０．０５％以下であることを特徴とする錫めっき材
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32189288A JPH02170988A (ja) | 1988-12-22 | 1988-12-22 | 錫めっき材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32189288A JPH02170988A (ja) | 1988-12-22 | 1988-12-22 | 錫めっき材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02170988A true JPH02170988A (ja) | 1990-07-02 |
Family
ID=18137567
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32189288A Pending JPH02170988A (ja) | 1988-12-22 | 1988-12-22 | 錫めっき材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02170988A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003105589A (ja) * | 2001-09-26 | 2003-04-09 | Ishihara Chem Co Ltd | ホイスカー防止用スズメッキ浴、及びスズメッキ方法 |
-
1988
- 1988-12-22 JP JP32189288A patent/JPH02170988A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003105589A (ja) * | 2001-09-26 | 2003-04-09 | Ishihara Chem Co Ltd | ホイスカー防止用スズメッキ浴、及びスズメッキ方法 |
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