JPH02174036A - 陰極線管の製造方法 - Google Patents
陰極線管の製造方法Info
- Publication number
- JPH02174036A JPH02174036A JP33140188A JP33140188A JPH02174036A JP H02174036 A JPH02174036 A JP H02174036A JP 33140188 A JP33140188 A JP 33140188A JP 33140188 A JP33140188 A JP 33140188A JP H02174036 A JPH02174036 A JP H02174036A
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- Japan
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- gas
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- electron gun
- ray tube
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- Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、陰極線管の製造方法に関し、特に電子銃を
構成する電掻等の酸化を極力抑制する製造方法に関する
ものである。
構成する電掻等の酸化を極力抑制する製造方法に関する
ものである。
従来の陰極線管の製造方法を図に基づいて説明する。同
図において、1は陰極線管の外囲器で、画面表示用のパ
ネル部la、アノードを形成するための円錐状のファン
ネル部1b及びステムと電子銃を受は入れるように開か
れた円筒状のネック部ICから構成されている。
図において、1は陰極線管の外囲器で、画面表示用のパ
ネル部la、アノードを形成するための円錐状のファン
ネル部1b及びステムと電子銃を受は入れるように開か
れた円筒状のネック部ICから構成されている。
外囲器1を形成するにあたり、パネル部1aの内面に表
示用の蛍光膜2が塗布形成されており、ネック部1cが
接続されたファンネル部1bの内面にアノード用の内部
導電膜3が塗布形成されている。ファンネル部1bは大
きい方の端部でフリット封じによりパネル部1aに接続
されて外囲器1を形成する。なお、蛍光膜2の露出面上
にはメタルバンクとしてアルミニウム膜(図示せず)が
蒸着されており、このアルミニウム膜の平滑性を得るた
めに、前取ってラッカーフィルミングが施こされている
。上記アルミニウム膜を蒸着形成後には、上記ラフカー
フィルミング膜(図示せず)は不要なために外囲器1を
約350℃〜400℃の温度に調整されたベーキング炉
に通過させることにより上記ラフカーフィルミング膜を
焼却除去している、しかし、この焼却により外囲器1内
部に発生する焼却ガスは、上記ラフカーフィルミング膜
の焼却ガスばかりでなく蛍光膜2や内部導電膜3に含ま
れている不純物の焼却ガスも含まれている。通常は、上
記ベーキング工程を終えた後に、電子銃(図示せず)を
ネック部ICに装着する電子銃封着を実施する前に、外
囲器1内を清浄に保つために外囲器1内の気体の置換を
行なっている。
示用の蛍光膜2が塗布形成されており、ネック部1cが
接続されたファンネル部1bの内面にアノード用の内部
導電膜3が塗布形成されている。ファンネル部1bは大
きい方の端部でフリット封じによりパネル部1aに接続
されて外囲器1を形成する。なお、蛍光膜2の露出面上
にはメタルバンクとしてアルミニウム膜(図示せず)が
蒸着されており、このアルミニウム膜の平滑性を得るた
めに、前取ってラッカーフィルミングが施こされている
。上記アルミニウム膜を蒸着形成後には、上記ラフカー
フィルミング膜(図示せず)は不要なために外囲器1を
約350℃〜400℃の温度に調整されたベーキング炉
に通過させることにより上記ラフカーフィルミング膜を
焼却除去している、しかし、この焼却により外囲器1内
部に発生する焼却ガスは、上記ラフカーフィルミング膜
の焼却ガスばかりでなく蛍光膜2や内部導電膜3に含ま
れている不純物の焼却ガスも含まれている。通常は、上
記ベーキング工程を終えた後に、電子銃(図示せず)を
ネック部ICに装着する電子銃封着を実施する前に、外
囲器1内を清浄に保つために外囲器1内の気体の置換を
行なっている。
この気体の置換は、例えば実公昭50−19903号公
報等に開示されている。この方法によれば、先端部に非
汚染性ガスを導出するための孔4aが形成されたノズル
4をネック部ICの開放端から挿入し、非汚染性ガスを
ノズル4に通して孔4aから導出することにより、非汚
染性ガスを外囲器1内に導入して充填させ、外囲器l内
の気体交換を行なっている。この非汚染性ガスとしては
空気が用いられ、−16℃の露点を持つ室温の空気が望
ましいことが開示されている。
報等に開示されている。この方法によれば、先端部に非
汚染性ガスを導出するための孔4aが形成されたノズル
4をネック部ICの開放端から挿入し、非汚染性ガスを
ノズル4に通して孔4aから導出することにより、非汚
染性ガスを外囲器1内に導入して充填させ、外囲器l内
の気体交換を行なっている。この非汚染性ガスとしては
空気が用いられ、−16℃の露点を持つ室温の空気が望
ましいことが開示されている。
上記のようにして気体の交換後は、封着温度700℃〜
900℃で電子銃の装着を行なう。電子銃の封着後には
、充填されたガスの除去と電極の脱ガスのための排気と
ベーキングを行なう。さらに、カソード活性化、排気管
の封じ切りを行なう。なお、必要に応じてゲッタリング
を行なう。
900℃で電子銃の装着を行なう。電子銃の封着後には
、充填されたガスの除去と電極の脱ガスのための排気と
ベーキングを行なう。さらに、カソード活性化、排気管
の封じ切りを行なう。なお、必要に応じてゲッタリング
を行なう。
又、最近では電子銃フォーカス電極にアークシールドを
設けてネック部ICの内壁にこのアークシールド材の一
部を真空蒸着し、陰極線管内の放電を抑制するスパッタ
・ド・アーク・シールド(以下、SASと略称する)を
施こすことが行なわれている。
設けてネック部ICの内壁にこのアークシールド材の一
部を真空蒸着し、陰極線管内の放電を抑制するスパッタ
・ド・アーク・シールド(以下、SASと略称する)を
施こすことが行なわれている。
従来の陰極線管の製造方法は以上のようなので、外囲器
1内を非汚染性ガスとしての空気にて気体置換した後に
電子銃の封着を高温で行なうが、この温度によりカソー
ドのニッケル金属が外囲器1内の酸素等と反応して酸化
され、後工程でのカソード活性化を行なってもカソード
への通常の電流量では初期エミッションが少なく大きな
電流を必、要とするので、カソードの寿命即ち陰極線管
の寿命が短かくなる課題があった。
1内を非汚染性ガスとしての空気にて気体置換した後に
電子銃の封着を高温で行なうが、この温度によりカソー
ドのニッケル金属が外囲器1内の酸素等と反応して酸化
され、後工程でのカソード活性化を行なってもカソード
への通常の電流量では初期エミッションが少なく大きな
電流を必、要とするので、カソードの寿命即ち陰極線管
の寿命が短かくなる課題があった。
また、SAS用のアークシールド材が酸化してしまい、
真空蒸着できなくなる等の課題があった。
真空蒸着できなくなる等の課題があった。
この発明は上記のような課題を解決するためになされた
もので、電子銃封着時における電子銃構成金属の酸化を
低減させ、寿命等に信顧性を保証させ得る陰極線管の製
造方法を得ることを目的とする。
もので、電子銃封着時における電子銃構成金属の酸化を
低減させ、寿命等に信顧性を保証させ得る陰極線管の製
造方法を得ることを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕。
この発明に係る陰極線管の製造方法は、外囲器をベーキ
ングする工程と、外囲器内を非汚染性ガスで置換する工
程と、置換後に電子銃を封着する工程とを備えた製造方
法において、非汚染性ガスとして不活性ガスを用い、置
換後の雰囲気を酸素濃度が10%以下且つ湿分量を一5
℃以下の露点にしたものである。
ングする工程と、外囲器内を非汚染性ガスで置換する工
程と、置換後に電子銃を封着する工程とを備えた製造方
法において、非汚染性ガスとして不活性ガスを用い、置
換後の雰囲気を酸素濃度が10%以下且つ湿分量を一5
℃以下の露点にしたものである。
この発明における陰極線管の製造方法は、不活性ガスに
よる置換後の外囲器内の雰囲気を酸素濃度が10%以下
且つ湿分量を一5℃以下の露点にして難酸化性雰囲気に
したので、その後の電子銃封着等の高温熱処理工程によ
る電子銃の構成電極の酸化を極力抑制する。
よる置換後の外囲器内の雰囲気を酸素濃度が10%以下
且つ湿分量を一5℃以下の露点にして難酸化性雰囲気に
したので、その後の電子銃封着等の高温熱処理工程によ
る電子銃の構成電極の酸化を極力抑制する。
(実施例〕
以下、この発明の一実施例を図面に基づいて説明する。
図において、陰極線管の外囲器1はパネル部1a、 フ
ァンネル部1b、ネック部1cから構成され、パネル部
1a内面には蛍光膜2が塗布形成され、その露出面上に
ラフカーフィルミング膜を介してアルミニウム膜が蒸着
形成され、ファンネル部1b内面には内部導電膜3が塗
布形成されている。ここ迄の工程は周知なので詳細な説
明を省略する。上記アルミニウム膜の形成により不要と
なった残留物としてのラッカーフィルミング膜の焼却除
去を主目的として、上記外囲器1を350℃〜400℃
の温度に昇温させたベーキング炉内に通過させ、ベーキ
ングを行なう。
ァンネル部1b、ネック部1cから構成され、パネル部
1a内面には蛍光膜2が塗布形成され、その露出面上に
ラフカーフィルミング膜を介してアルミニウム膜が蒸着
形成され、ファンネル部1b内面には内部導電膜3が塗
布形成されている。ここ迄の工程は周知なので詳細な説
明を省略する。上記アルミニウム膜の形成により不要と
なった残留物としてのラッカーフィルミング膜の焼却除
去を主目的として、上記外囲器1を350℃〜400℃
の温度に昇温させたベーキング炉内に通過させ、ベーキ
ングを行なう。
上記ベーキング工程を終えると、外囲器1内にはCO□
、■20等の酸化性ガスやその他各種のガスが混在した
汚染性ガスとしての焼却ガスが存在している。
、■20等の酸化性ガスやその他各種のガスが混在した
汚染性ガスとしての焼却ガスが存在している。
次に、ネック部1cの開口端から先端部に孔4aを有す
るノズル4を挿入し、孔4aをパネル部1aとファンネ
ル部1bの境界近傍の中心部に位置させ、非汚染性ガス
としての不活性ガス5をノズル4に通して孔4aから導
出して外囲器1内に導入する。この不活性ガス5の導入
量が多くなるにつれて上記焼却ガスはネック部1cの開
口端から外部に排除される。外囲器1内に、不活性ガス
5を適度に充填した後には外囲器1からノズル4を取出
し、次の工程に移る。この不活性ガス5の導入量は、外
囲器1の内容積の1.5倍以上の容量が必要である。又
、不活性ガス5としては、例えばN2ガスを用いるのが
一般的である。
るノズル4を挿入し、孔4aをパネル部1aとファンネ
ル部1bの境界近傍の中心部に位置させ、非汚染性ガス
としての不活性ガス5をノズル4に通して孔4aから導
出して外囲器1内に導入する。この不活性ガス5の導入
量が多くなるにつれて上記焼却ガスはネック部1cの開
口端から外部に排除される。外囲器1内に、不活性ガス
5を適度に充填した後には外囲器1からノズル4を取出
し、次の工程に移る。この不活性ガス5の導入量は、外
囲器1の内容積の1.5倍以上の容量が必要である。又
、不活性ガス5としては、例えばN2ガスを用いるのが
一般的である。
上記のようにして気体の置換後は、電子銃の封着、排気
、ベーキング、カソードの活性化、排気管の封じ切り等
の周知の工程を順次に行なう。
、ベーキング、カソードの活性化、排気管の封じ切り等
の周知の工程を順次に行なう。
上記実施例における各種の実験結果では、不活性ガス5
の外囲器1内への導入後においては、外囲器l内の雰囲
気条件を酸素ガス濃度を10%以下にすると共に、外囲
器1内の雰囲気の湿分量を5℃以下の露点とすればよい
。そうすれば、電子銃封着時の700℃〜900℃の温
度に対して電子銃を構成する電極の酸化が少なく、後に
実施される排気工程、エージング工程で十分なカソード
活性化が行なわれ、初期エミソシリンが良好で寿命トラ
ブルの少ない陰極線管が得られる。又、SASに使用す
るアークシールド材の酸化も殆んど無(、ネック部IC
内壁にこのアークシールド材の真空蒸着を容易に行なう
ことができる。
の外囲器1内への導入後においては、外囲器l内の雰囲
気条件を酸素ガス濃度を10%以下にすると共に、外囲
器1内の雰囲気の湿分量を5℃以下の露点とすればよい
。そうすれば、電子銃封着時の700℃〜900℃の温
度に対して電子銃を構成する電極の酸化が少なく、後に
実施される排気工程、エージング工程で十分なカソード
活性化が行なわれ、初期エミソシリンが良好で寿命トラ
ブルの少ない陰極線管が得られる。又、SASに使用す
るアークシールド材の酸化も殆んど無(、ネック部IC
内壁にこのアークシールド材の真空蒸着を容易に行なう
ことができる。
なお、不活性ガス5としてN2ガスを用いた場合に、外
囲器l内の上記雰囲気条件を達成するためには、N2ガ
スに含まれる湿分量を一40°C以下の低露点にすれば
良い。
囲器l内の上記雰囲気条件を達成するためには、N2ガ
スに含まれる湿分量を一40°C以下の低露点にすれば
良い。
又、気体置換方法を2段階式とし、前段で低露点の空気
を用いて外囲器内を置換し、後段で不活性ガスを外囲器
内に導入してもよい。この置換方式は、外囲器の外部に
衝撃・振動を与えてその内部に発生する塵埃を前段で外
囲器外に除去できる。
を用いて外囲器内を置換し、後段で不活性ガスを外囲器
内に導入してもよい。この置換方式は、外囲器の外部に
衝撃・振動を与えてその内部に発生する塵埃を前段で外
囲器外に除去できる。
次に14インチカラー陰極線管(内容積約7,51)に
ついての各種テストの結果を下表に示す。
ついての各種テストの結果を下表に示す。
上記表中、テスト肖1〜隘5は1段階置換方式であり、
テスト階6〜1IkL8は異なった置換ガスを用いた2
段階置換方式である。表中の結果で、電子銃構成金属の
酸化の低減及び寿命等の信頼性の向上に良好な結果を得
た場合にはO印、余り良くない場合をΔ印、悪かった場
合をX印で示している。管内条件で記載がない部分は管
内の酸素濃度を10%以下にすると共に管内の雰囲気の
湿分量を一5℃以下の露点にする条件を満たしていない
ことを示す。本発明を適用したのはテスト隘5とテスト
阻8であるが、両方とも良好な結果を得ている。
テスト階6〜1IkL8は異なった置換ガスを用いた2
段階置換方式である。表中の結果で、電子銃構成金属の
酸化の低減及び寿命等の信頼性の向上に良好な結果を得
た場合にはO印、余り良くない場合をΔ印、悪かった場
合をX印で示している。管内条件で記載がない部分は管
内の酸素濃度を10%以下にすると共に管内の雰囲気の
湿分量を一5℃以下の露点にする条件を満たしていない
ことを示す。本発明を適用したのはテスト隘5とテスト
阻8であるが、両方とも良好な結果を得ている。
テストll&18では、まず、−15℃の露点の空気を
201 /l1inの流量で30秒間、外囲器l内に流
し、管内の塵埃を除去し、次に一40℃の露点の窒素ガ
スを20 R/minの流量で30秒間外囲器1内に流
して置換する。これにより管内の雰囲気は酸素濃度がI
O%以下且つ湿分量が一5℃以下の露点になった。この
2段階式ガス置換の前後には上記したような周知の工程
が実行される。
201 /l1inの流量で30秒間、外囲器l内に流
し、管内の塵埃を除去し、次に一40℃の露点の窒素ガ
スを20 R/minの流量で30秒間外囲器1内に流
して置換する。これにより管内の雰囲気は酸素濃度がI
O%以下且つ湿分量が一5℃以下の露点になった。この
2段階式ガス置換の前後には上記したような周知の工程
が実行される。
なお、外囲器内に挿入されるノズルの位置、形状、導入
ガスの噴出方向については、上記実施例における外囲器
内雰囲気条件を満たすものであればどのようなものでも
よい。
ガスの噴出方向については、上記実施例における外囲器
内雰囲気条件を満たすものであればどのようなものでも
よい。
又、この発明は白黒又はカラー等の陰掻線管の種類に限
定されない。又、外囲器内の気体置換時期は外囲器のベ
ーキング工程後、電子銃封着工程前であれば何時でも良
いが、気体室l#後から電子銃封着工程開始迄に約2時
間以上の時間がある場合には、ネック部側開口部にカバ
ーを施こし、外囲器の温度条件の変化等により外囲器内
の雰囲気条件が変化しないように一定に保たれるように
しておくことが望ましい。
定されない。又、外囲器内の気体置換時期は外囲器のベ
ーキング工程後、電子銃封着工程前であれば何時でも良
いが、気体室l#後から電子銃封着工程開始迄に約2時
間以上の時間がある場合には、ネック部側開口部にカバ
ーを施こし、外囲器の温度条件の変化等により外囲器内
の雰囲気条件が変化しないように一定に保たれるように
しておくことが望ましい。
以上のように、この発明によれば外囲器内の汚染性ガス
を不活性ガスにより置換して外囲器内の雰囲気を酸素濃
度が10%以下且つ湿分量を一5゛C以下の露点にして
難酸化膜性雰囲気にし、その後の熱処理工程による電子
銃の構成電極の酸化を極力抑制するうにしたので、電子
銃封着によるカソードの酸化を抑制して寿命トラブルを
なくすことができ、又、SAS用のアークシールド材の
酸化を防止してその蒸着を容易に行なえる効果がある。
を不活性ガスにより置換して外囲器内の雰囲気を酸素濃
度が10%以下且つ湿分量を一5゛C以下の露点にして
難酸化膜性雰囲気にし、その後の熱処理工程による電子
銃の構成電極の酸化を極力抑制するうにしたので、電子
銃封着によるカソードの酸化を抑制して寿命トラブルを
なくすことができ、又、SAS用のアークシールド材の
酸化を防止してその蒸着を容易に行なえる効果がある。
図はこの発明の一実施例による要部の工程を示す一部切
欠き断面図である。 図中、1・・・外囲器、1a・・・パネル部、1b・・
・ファンネル部、1c・・・ネック部、2・・・蛍光膜
、3・・・内部導電膜、4・・・ノズル、4a・・・孔
。 代理人 大 岩 増 雄
欠き断面図である。 図中、1・・・外囲器、1a・・・パネル部、1b・・
・ファンネル部、1c・・・ネック部、2・・・蛍光膜
、3・・・内部導電膜、4・・・ノズル、4a・・・孔
。 代理人 大 岩 増 雄
Claims (1)
- 外囲器内の残留物を気化する工程と、該工程により発生
した汚染性ガスを上記外囲器外に排除するために非汚染
性ガスで置換する工程と、該置換後上記外囲器のネック
部に電子、銃を封着する工程とを備えた陰極線管の製造
方法において、上記非汚染性ガスとして不活性ガスを用
いて置換して、上記外囲器内の酸素濃度を10%以下に
すると共に上記外囲器内の雰囲気の湿分量を−5℃以下
の露点にすることを特徴とする陰極線管の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33140188A JPH0675371B2 (ja) | 1988-12-27 | 1988-12-27 | 陰極線管の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33140188A JPH0675371B2 (ja) | 1988-12-27 | 1988-12-27 | 陰極線管の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02174036A true JPH02174036A (ja) | 1990-07-05 |
| JPH0675371B2 JPH0675371B2 (ja) | 1994-09-21 |
Family
ID=18243279
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33140188A Expired - Fee Related JPH0675371B2 (ja) | 1988-12-27 | 1988-12-27 | 陰極線管の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0675371B2 (ja) |
-
1988
- 1988-12-27 JP JP33140188A patent/JPH0675371B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0675371B2 (ja) | 1994-09-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |