JPH02174108A - ３端子コンデンサ - Google Patents
３端子コンデンサInfo
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- JPH02174108A JPH02174108A JP63330087A JP33008788A JPH02174108A JP H02174108 A JPH02174108 A JP H02174108A JP 63330087 A JP63330087 A JP 63330087A JP 33008788 A JP33008788 A JP 33008788A JP H02174108 A JPH02174108 A JP H02174108A
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- JP
- Japan
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- conductor
- insulating sheet
- terminal
- capacitance
- inductance
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- Pending
Links
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- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 37
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 21
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 4
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 4
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 3
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- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
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- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/38—Multiple capacitors, i.e. structural combinations of fixed capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H1/00—Constructional details of impedance networks whose electrical mode of operation is not specified or applicable to more than one type of network
- H03H1/0007—Constructional details of impedance networks whose electrical mode of operation is not specified or applicable to more than one type of network of radio frequency interference filters
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Filters And Equalizers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は３端子コンデンサに関し、特に電磁波妨害フ
ィルタとして用いられ、端子間に静電容量とともにイン
ダクタンスが形成される、３端子コンデンサに関する。
ィルタとして用いられ、端子間に静電容量とともにイン
ダクタンスが形成される、３端子コンデンサに関する。
第１１図は従来の３端子コンデンサを示す正面図である
。円板状のセラミック１には、両側に電極２が形成され
る。一方の電極２には、第１１図に示すように、コ字側
に折り曲げられた導線３が取り付けられる。他方の電極
２には、真っ直ぐの導線４が取り付けられる。そして、
セラミック１および電極２の部分は破線で示すように、
モールドされる。そうすると、端子３ａおよび３ｂ間に
は、導線３自体によって、第１２図に示すように、イン
ダクタンスＬ１およびＬ２が形成される。
。円板状のセラミック１には、両側に電極２が形成され
る。一方の電極２には、第１１図に示すように、コ字側
に折り曲げられた導線３が取り付けられる。他方の電極
２には、真っ直ぐの導線４が取り付けられる。そして、
セラミック１および電極２の部分は破線で示すように、
モールドされる。そうすると、端子３ａおよび３ｂ間に
は、導線３自体によって、第１２図に示すように、イン
ダクタンスＬ１およびＬ２が形成される。
また、インダクタンスＬ１とＬ２との接続点と、端子４
ａ間には、セラミック１を誘電体とする静電容量Ｃが形
成される。
ａ間には、セラミック１を誘電体とする静電容量Ｃが形
成される。
第１１図に示すような３端子コンデンサでは、静電容量
がＣ＝０．０１μＦ程度と小さかった。
がＣ＝０．０１μＦ程度と小さかった。
また、複数のセラミックを積層した積層コンデンサにし
ても、静電容量はＣ＝０．１μＦ程度にしかならなかっ
た。
ても、静電容量はＣ＝０．１μＦ程度にしかならなかっ
た。
また、第１１図に示すようなコンデンサでは、５０ＭＨ
ｚ以上の高周波領域では優れた減衰特性を示すが、５０
ＭＨｚ以下になると、インダクタンスＬｌおよびＬ２に
よる誘導性リアクタンスが小さくなるため、減衰特性が
極端に悪くなる。
ｚ以上の高周波領域では優れた減衰特性を示すが、５０
ＭＨｚ以下になると、インダクタンスＬｌおよびＬ２に
よる誘導性リアクタンスが小さくなるため、減衰特性が
極端に悪くなる。
それゆえに、この発明の主たる目的は、静電容量が大き
く、しかもインダクタンスも大きくし、５０ＭＨｚ以下
の周波数領域においても優れた減衰特性が得られる、３
端子コンデンサを提供することである。
く、しかもインダクタンスも大きくし、５０ＭＨｚ以下
の周波数領域においても優れた減衰特性が得られる、３
端子コンデンサを提供することである。
（課題を解決するための手段〕
この発明は、長尺の第１の絶縁シート、第１の絶縁シー
トの一面にその長手方向に延びて形成された第１の導体
、第１の導体に取り付けられ、それぞれの端部が第１の
絶縁シートの幅方向に露出する２つの第１の端子、第１
の絶縁シートと積層される第２の絶縁シート、第２の絶
縁シートの一面にその長手方向に延びて形成された第２
の導体、および第２の導体に形成され、その端部が第２
の絶縁シートの幅方向に露出する第２の端子を備え、第
１および第２の絶縁シートが第１および第２の導体とと
もに巻回され、第１および第２の端子が外部に露出する
、３端子コンデンサである。
トの一面にその長手方向に延びて形成された第１の導体
、第１の導体に取り付けられ、それぞれの端部が第１の
絶縁シートの幅方向に露出する２つの第１の端子、第１
の絶縁シートと積層される第２の絶縁シート、第２の絶
縁シートの一面にその長手方向に延びて形成された第２
の導体、および第２の導体に形成され、その端部が第２
の絶縁シートの幅方向に露出する第２の端子を備え、第
１および第２の絶縁シートが第１および第２の導体とと
もに巻回され、第１および第２の端子が外部に露出する
、３端子コンデンサである。
第１の絶縁シートの上に、第２の絶縁シートが積層され
るので、第２の絶縁シートが第１の絶縁シート上に形成
された第１の導体と第２の絶縁シート上に形成された第
２の導体とによって挾まれる。したがって、第１および
第２の導体がすなわち第１および第２の端子間には静電
容量が形成される。また、第１の導体自体によって、第
１の端子間にはインダクタンスが形成される。
るので、第２の絶縁シートが第１の絶縁シート上に形成
された第１の導体と第２の絶縁シート上に形成された第
２の導体とによって挾まれる。したがって、第１および
第２の導体がすなわち第１および第２の端子間には静電
容量が形成される。また、第１の導体自体によって、第
１の端子間にはインダクタンスが形成される。
この発明によれば、第１および第２の絶縁シートが第１
および第２の導体とともに巻回されて形成されるため、
大きな静電容量を得ることができるとともにインダクタ
ンスも従来に比べて非常に大きくできるので、５０ＭＨ
ｚ以下の周波数領域においても優れた減衰特性を得るこ
とができる。
および第２の導体とともに巻回されて形成されるため、
大きな静電容量を得ることができるとともにインダクタ
ンスも従来に比べて非常に大きくできるので、５０ＭＨ
ｚ以下の周波数領域においても優れた減衰特性を得るこ
とができる。
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。
〔実施例］
第２図を参照して、まず、絶縁材料として、たとえばポ
リエステルフィルムなどのような長尺のフィルムシート
１２および１４を準備する。フィルムシート１２の上面
には、長手方向に連続的にたとえばＡ！またはＣｕなど
の良導性金属からなる導体箔１６が貼り付け、られる。
リエステルフィルムなどのような長尺のフィルムシート
１２および１４を準備する。フィルムシート１２の上面
には、長手方向に連続的にたとえばＡ！またはＣｕなど
の良導性金属からなる導体箔１６が貼り付け、られる。
フィルムシート１４の上面には、中央部に、同じく良導
性金属からなる導体箔１８が貼り付けられる。
性金属からなる導体箔１８が貼り付けられる。
導体箔１６の両端には、別の導体箔２０をスポット溶接
などによって固着することにより、端子２２および２４
がそれぞれ取り付けられる。導体箔１８の中央部には、
同じく導体箔２０にスポット溶接を施すことにより、端
子２６が取り付けられる。なお、第２図では、スポット
溶接を施した部分には、導体箔２０に黒丸を付している
。
などによって固着することにより、端子２２および２４
がそれぞれ取り付けられる。導体箔１８の中央部には、
同じく導体箔２０にスポット溶接を施すことにより、端
子２６が取り付けられる。なお、第２図では、スポット
溶接を施した部分には、導体箔２０に黒丸を付している
。
第２図に示すように、３つの端子２２〜２６の取り付け
を終えると、フィルムシート１２および１４を重ねた後
、フィルムシート１４の上面側が内側になるようにフィ
ルムシート１２および１４を円筒状に巻く。そうすると
、第１図（Ａ）および（Ｂ）にそれぞれ上面図および側
面図を示すような３端子コンデンサ１０が完成する。
を終えると、フィルムシート１２および１４を重ねた後
、フィルムシート１４の上面側が内側になるようにフィ
ルムシート１２および１４を円筒状に巻く。そうすると
、第１図（Ａ）および（Ｂ）にそれぞれ上面図および側
面図を示すような３端子コンデンサ１０が完成する。
３端子コンデンサ１０は、円筒体に形成され、上面に３
つの端子２２〜２６が配置される。端子２２と２４の間
には、第３図に示すように、導体箔１６によるインダク
タンスＬＬ、Ｌ２およびＬ３の直列回路が形成される。
つの端子２２〜２６が配置される。端子２２と２４の間
には、第３図に示すように、導体箔１６によるインダク
タンスＬＬ、Ｌ２およびＬ３の直列回路が形成される。
導体箔１８と、導体箔１８に対向する導体箔１６の部分
によって、フィルムシート１２および１４を誘電体とし
て、静電容量Ｃが形成される。
によって、フィルムシート１２および１４を誘電体とし
て、静電容量Ｃが形成される。
なお、導体箔１６の中で静電容量Ｃを形成するための極
板として機能する部分は、同時にインダクタンスＬ３を
形成しているので、インダクタンスＬ３と静電容量Ｃは
分布定数型の回路となる。
板として機能する部分は、同時にインダクタンスＬ３を
形成しているので、インダクタンスＬ３と静電容量Ｃは
分布定数型の回路となる。
このような３端子コンデンサ１０は、フィルムシート１
２および１４が巻かれて形成されるので、第１１図に示
したような円板状のセラミック１を誘電体として形成さ
れた３端子コンデンサに比べて、同一寸法でＣ＝１μＦ
と約１０倍の静電容量を得ることができる。また、この
３端子コンデンサ１０では同時にインダクタンスも従来
に比べて大きくできるので、５０ＭＨｚ以下での減衰特
性が大幅に向上する。
２および１４が巻かれて形成されるので、第１１図に示
したような円板状のセラミック１を誘電体として形成さ
れた３端子コンデンサに比べて、同一寸法でＣ＝１μＦ
と約１０倍の静電容量を得ることができる。また、この
３端子コンデンサ１０では同時にインダクタンスも従来
に比べて大きくできるので、５０ＭＨｚ以下での減衰特
性が大幅に向上する。
第４図は、この発明に従った静電容量が２２００ｐＦの
３端子コンデンサを従来のものと比較した場合の周波数
に対する挿入損失を示す。破線Ａで示す従来の３端子コ
ンデンサでは５０ＭＨ２以下の周波数領域では挿入損失
が極端に低下するが、実線Ｂ、ＣおよびＤで示す実施例
の３端子コンデンサではＩＭＨｚ程度でもいずれも大き
な挿入損失を得ることができる。
３端子コンデンサを従来のものと比較した場合の周波数
に対する挿入損失を示す。破線Ａで示す従来の３端子コ
ンデンサでは５０ＭＨ２以下の周波数領域では挿入損失
が極端に低下するが、実線Ｂ、ＣおよびＤで示す実施例
の３端子コンデンサではＩＭＨｚ程度でもいずれも大き
な挿入損失を得ることができる。
フィルムシート１４および１６の巻回体によって作るた
め、静電容量および／またはインダクタンスは比較的任
意の値に設定でき、したがって第４図の線Ｂ−Ｄで示す
ようにその適用範囲を容易に拡大できるのである。
め、静電容量および／またはインダクタンスは比較的任
意の値に設定でき、したがって第４図の線Ｂ−Ｄで示す
ようにその適用範囲を容易に拡大できるのである。
第５図（Ａ）および（Ｂ）はこの発明の他の実施例を示
す上面図および側面図である。この実施例の３端子コン
デンサ１０では、接地端子として使われる端子２６はた
とえばはんだ付けなどによって後から取り付けられる。
す上面図および側面図である。この実施例の３端子コン
デンサ１０では、接地端子として使われる端子２６はた
とえばはんだ付けなどによって後から取り付けられる。
したがって、第６図に示すように、フィルムシート１４
上に貼り付けられる金属箔１８には端子２６が取り付け
られない。そのかわり、金属箔１８は第２図に示すもの
に比べると大きなものが使われ、端子２６を取り付ける
側にはみ出し部１８ａが設定される。このはみ出し部１
８ａは、フィルムシート１２および１４が巻回されて円
筒体に形成された後、第５図に示すように折り曲げられ
、端子２６がたとえばはんだ付けなどによって取り付け
られる。
上に貼り付けられる金属箔１８には端子２６が取り付け
られない。そのかわり、金属箔１８は第２図に示すもの
に比べると大きなものが使われ、端子２６を取り付ける
側にはみ出し部１８ａが設定される。このはみ出し部１
８ａは、フィルムシート１２および１４が巻回されて円
筒体に形成された後、第５図に示すように折り曲げられ
、端子２６がたとえばはんだ付けなどによって取り付け
られる。
金属箔１８の取り付は位置がフィルムシート１４の中央
部であれば、等価回路は第３図と同じになる。しかし、
金属箔１８の取り付は位置を中央部でなく端子２４側に
近づけると等価回路は第７図のようになる。端子２２側
に近づけると、等価回路は第８図のようになる。すなわ
ち、第３図では中央部に分布定数型のインダクタンスＬ
３および静電容量Ｃが形成され、両側にインダクタンス
Ｌ１およびＬ２がそれぞれ形成された。しかし、第７図
および第８図に示す３端子コンデンサ１０では、端子２
２または２４側に分布定数型のインダクタンスＬ３およ
び静電容１ｃが形成され、他方の端子側にインダクタン
スＬ１またはＬ２が形成される。すなわち、実施例によ
れば、先の実施例のＴ型ではなく、Ｌ型または逆り型の
回路構成を得ることができる。
部であれば、等価回路は第３図と同じになる。しかし、
金属箔１８の取り付は位置を中央部でなく端子２４側に
近づけると等価回路は第７図のようになる。端子２２側
に近づけると、等価回路は第８図のようになる。すなわ
ち、第３図では中央部に分布定数型のインダクタンスＬ
３および静電容量Ｃが形成され、両側にインダクタンス
Ｌ１およびＬ２がそれぞれ形成された。しかし、第７図
および第８図に示す３端子コンデンサ１０では、端子２
２または２４側に分布定数型のインダクタンスＬ３およ
び静電容１ｃが形成され、他方の端子側にインダクタン
スＬ１またはＬ２が形成される。すなわち、実施例によ
れば、先の実施例のＴ型ではなく、Ｌ型または逆り型の
回路構成を得ることができる。
第９図（Ａ）および（Ｂ）はこの発明のさらに他の実施
例を示す上面図および側面図である。先の実施例では外
形がいずれも円筒形であったが、この実施例では略平板
状に形成される。したがって、この実施例の３端子コン
デンサ１０では、フィルムシート１２および１４を巻回
して円筒体にした後、プレスされて略平板状にされる。
例を示す上面図および側面図である。先の実施例では外
形がいずれも円筒形であったが、この実施例では略平板
状に形成される。したがって、この実施例の３端子コン
デンサ１０では、フィルムシート１２および１４を巻回
して円筒体にした後、プレスされて略平板状にされる。
したがって、この実施例では円筒体の孔が押し潰されて
なくなっているので、その分だけ小型化される。
なくなっているので、その分だけ小型化される。
第１０図（Ａ）および（Ｂ）はこの発明のその他の実施
例を示す上面図および側面図である。この実施例の３端
子コンデンサ１０も、はみ出し部１８ａに後からはんだ
付けによって端子２６が形成される。そして、端子２２
は、金属箔１８のはみ出し部１８ａとの絶縁を完全にす
るため、被覆２８が設けられる。
例を示す上面図および側面図である。この実施例の３端
子コンデンサ１０も、はみ出し部１８ａに後からはんだ
付けによって端子２６が形成される。そして、端子２２
は、金属箔１８のはみ出し部１８ａとの絶縁を完全にす
るため、被覆２８が設けられる。
なお、実施例において、中空形状のものであれば、中空
部に強磁性体からなるコアを挿入することによりインダ
クタンスを大きくすることができる。
部に強磁性体からなるコアを挿入することによりインダ
クタンスを大きくすることができる。
また、第２図および第６図では静電容量を形成するため
の金属箔１８としてフィルムシート１４上にいずれも１
枚だけにしたが、金属箔１８を２枚貼り付けて静電容量
を２箇所で形成すると、π型フィルタに構成でき、さら
に複数箇所形成することによりラダー型フィルタが構成
できる。
の金属箔１８としてフィルムシート１４上にいずれも１
枚だけにしたが、金属箔１８を２枚貼り付けて静電容量
を２箇所で形成すると、π型フィルタに構成でき、さら
に複数箇所形成することによりラダー型フィルタが構成
できる。
さらに、以上の実施例のような３端子コンデンサ１０を
複数個並べて並列接続した後、モールドすると、大きな
静電容量および／またはインダクタンスを有する３端子
コンデンサブロツクが形成できる。
複数個並べて並列接続した後、モールドすると、大きな
静電容量および／またはインダクタンスを有する３端子
コンデンサブロツクが形成できる。
第１図（Ａ）および（Ｂ）はこの発明の一実施例を示す
上面図および側面図である。 第２図は第１図実施例に用いるフィルムシートを示す斜
視図である。 第３図は第１図実施例の等価回路図である。 第４図は第１図実施例と従来のコンデンサの周波数に対
する挿入損失を比較して示すグラフである。 第５図（Ａ）および（Ｂ）はこの発明の他の実施例を示
す上面図および側面図である。 第６図は第５図実施例に用いるフィルムシートを示す斜
視図である。 第７図は第５図実施例の等価回路図である。 第８図は第５図実施例のその他の等価回路図である。 第９図（Ａ）および（Ｂ）はこの発明のさらに他の実施
例を示す上面図および側面図である。 第１０図（Ａ）およびＣＢ）はこの発明のその他の実施
例を示す上面図および側面図である。 第１１図は従来のコンデンサの正面図であり、第１２図
はその等価回路図である。 図において、１２および１４は絶縁シート、１６〜２０
は金属箔、２２〜２６は端子を示す。 特許出願人 株式会社 村田製作所 代理人 弁理士 山 １） 義 大 笑 図 第 図 第４図 第 図 ｏ、＋ ＋ ｔｏ ＋ｏ。 −一−１１３Ｌ Ｒ（ＭＨｚ） 第 図 ＋０００ 第 図 第 図 第 図 第１０図 第１１図 第１２図
上面図および側面図である。 第２図は第１図実施例に用いるフィルムシートを示す斜
視図である。 第３図は第１図実施例の等価回路図である。 第４図は第１図実施例と従来のコンデンサの周波数に対
する挿入損失を比較して示すグラフである。 第５図（Ａ）および（Ｂ）はこの発明の他の実施例を示
す上面図および側面図である。 第６図は第５図実施例に用いるフィルムシートを示す斜
視図である。 第７図は第５図実施例の等価回路図である。 第８図は第５図実施例のその他の等価回路図である。 第９図（Ａ）および（Ｂ）はこの発明のさらに他の実施
例を示す上面図および側面図である。 第１０図（Ａ）およびＣＢ）はこの発明のその他の実施
例を示す上面図および側面図である。 第１１図は従来のコンデンサの正面図であり、第１２図
はその等価回路図である。 図において、１２および１４は絶縁シート、１６〜２０
は金属箔、２２〜２６は端子を示す。 特許出願人 株式会社 村田製作所 代理人 弁理士 山 １） 義 大 笑 図 第 図 第４図 第 図 ｏ、＋ ＋ ｔｏ ＋ｏ。 −一−１１３Ｌ Ｒ（ＭＨｚ） 第 図 ＋０００ 第 図 第 図 第 図 第１０図 第１１図 第１２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 長尺の第１の絶縁シート、 前記第１の絶縁シートの一面にその長手方向に延びて形
成された第１の導体、 前記第１の導体に取り付けられ、それぞれの端部が前記
第１の絶縁シートの幅方向に露出する２つの第１の端子
、 前記第１の絶縁シートと積層される第２の絶縁シート、 前記第２の絶縁シートの一面にその長手方向に延びて形
成された第２の導体、および 前記第２の導体に形成され、その端部が前記第２の絶縁
シートの幅方向に露出する第２の端子を備え、 前記第１および第２の絶縁シートが前記第１および第２
の導体とともに巻回され、前記第１および第２の端子が
外部に露出する、３端子コンデンサ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63330087A JPH02174108A (ja) | 1988-12-26 | 1988-12-26 | ３端子コンデンサ |
| US07/455,993 US5040094A (en) | 1988-12-26 | 1989-12-22 | 3-terminal capacitor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63330087A JPH02174108A (ja) | 1988-12-26 | 1988-12-26 | ３端子コンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02174108A true JPH02174108A (ja) | 1990-07-05 |
Family
ID=18228640
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63330087A Pending JPH02174108A (ja) | 1988-12-26 | 1988-12-26 | ３端子コンデンサ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5040094A (ja) |
| JP (1) | JPH02174108A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005142721A (ja) * | 2003-11-05 | 2005-06-02 | Hioki Ee Corp | フィルタ素子 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7148768B2 (en) * | 2003-08-21 | 2006-12-12 | Hioki Denki Kabushiki Kaisha | Filter element |
| JP5216265B2 (ja) * | 2006-10-10 | 2013-06-19 | Ｎｅｃトーキン株式会社 | インダクタンス素子、フィルタ回路及びノイズフィルタ |
| US8908350B2 (en) * | 2008-06-25 | 2014-12-09 | Core Wireless Licensing S.A.R.L. | Capacitor |
| FR3150338A1 (fr) * | 2023-06-23 | 2024-12-27 | Thales | Bobinage, filtre inductif et transformateur à filtrage intégré |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5721809A (en) * | 1980-07-16 | 1982-02-04 | Tokyo Shibaura Electric Co | Filter |
| JPS63313906A (ja) * | 1987-01-14 | 1988-12-22 | Takeshi Ikeda | 箔巻電子部品およびその製造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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1988
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- 1989-12-22 US US07/455,993 patent/US5040094A/en not_active Expired - Lifetime
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|---|---|---|---|---|
| JP2005142721A (ja) * | 2003-11-05 | 2005-06-02 | Hioki Ee Corp | フィルタ素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5040094A (en) | 1991-08-13 |
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