JPH0217627A - Ｘ線露光装置 - Google Patents
Ｘ線露光装置Info
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- JPH0217627A JPH0217627A JP63166839A JP16683988A JPH0217627A JP H0217627 A JPH0217627 A JP H0217627A JP 63166839 A JP63166839 A JP 63166839A JP 16683988 A JP16683988 A JP 16683988A JP H0217627 A JPH0217627 A JP H0217627A
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- mask
- wafer
- membrane
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- ray exposure
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
スルーブツトを向上しうるようにするｘｍｎ光装置の改
良に関し、 Ｘ線露光用マスク８と被露光ウェーハ１７とは密着され
ていることが望ましいが、この状態では位置合わせがで
きないため、若干の距＃離隔させて位置合わせをなし、
位置合わせ完了後に、ｘｍｉ光用マスク８との距離をで
きるだけ短縮して、露光する 位置合わせを容易にするため、マスクとウェーハとを離
隔させてマスクとウェーハとを位置合わせした後、Ｘ線
露光に適する距離まで、マスクとウェーハとの間隙を狭
めた時に、マスクのメンブレンの変形が少なくなるよう
にし、また、メンブレンが速やかに平坦な状態に戻るよ
うにし、露光装置の位置合わせ時間を短縮し、スループ
ットを向上しうるようにしたＸ線露光装置を提供するこ
とを目的とし、 Ｘ線源と、このＸ線源が放出するＸ線を透過し、メンブ
レンとメンブレン支持手段とよりなるＸ線露光用マスク
を有し、ヘリウム等不活性ガスが充満される不活性ガス
チェンバーと、前記のＸ線露光用マスクに対向して被露
光ウェーハが載置され、移動可能であるステージとを有
するＸ線露光装置において、前記のメンブレン支持手段
の周辺部には、露光領域における前記のメンブレンと前
記のウェーハとの間隔より大きな間隔を保持する段差が
設けられているＸ線露光装置をもって達成される。
良に関し、 Ｘ線露光用マスク８と被露光ウェーハ１７とは密着され
ていることが望ましいが、この状態では位置合わせがで
きないため、若干の距＃離隔させて位置合わせをなし、
位置合わせ完了後に、ｘｍｉ光用マスク８との距離をで
きるだけ短縮して、露光する 位置合わせを容易にするため、マスクとウェーハとを離
隔させてマスクとウェーハとを位置合わせした後、Ｘ線
露光に適する距離まで、マスクとウェーハとの間隙を狭
めた時に、マスクのメンブレンの変形が少なくなるよう
にし、また、メンブレンが速やかに平坦な状態に戻るよ
うにし、露光装置の位置合わせ時間を短縮し、スループ
ットを向上しうるようにしたＸ線露光装置を提供するこ
とを目的とし、 Ｘ線源と、このＸ線源が放出するＸ線を透過し、メンブ
レンとメンブレン支持手段とよりなるＸ線露光用マスク
を有し、ヘリウム等不活性ガスが充満される不活性ガス
チェンバーと、前記のＸ線露光用マスクに対向して被露
光ウェーハが載置され、移動可能であるステージとを有
するＸ線露光装置において、前記のメンブレン支持手段
の周辺部には、露光領域における前記のメンブレンと前
記のウェーハとの間隔より大きな間隔を保持する段差が
設けられているＸ線露光装置をもって達成される。
本発明は、Ｘ線露光装置の改良に関する。特に、スルー
プットを向上しうるようにする改良に関する。
プットを向上しうるようにする改良に関する。
第５図参照
図は従来技術に係るＸ線露光装置の１例の構成図である
０図において、１４はＸ線源であり、真空室１９中に配
置され、Ｘ線ＸＲを、図において、下方に放出する。真
空室１９を透過したＸ線は、Ｘ線透過窓２０を介して、
不活性ガスチェンバー１５中に入射する。不活性ガスチ
ェンバー１５には、不活性ガス導入手段２１を介してヘ
リウム等の不活性ガスが導入され、不活性ガスは不活性
ガス排出手段２２を介して、不活性ガスチェンバー１５
外に排出される。また、不活性ガスチェンバー１５には
、Ｘ腺ＸＲが照射される領域にＸ線露光用マスク８が設
けられて、マスクパターンに対応して選択的にＸ線ＸＲ
を透過する。１６は被露光ウェーハ１７が載置されるス
テージであり、ｘ−ｙ−ｚ方向に移動可能であり、ステ
ップアンドリピート方式をもって逐次移動されて、その
上に載置されるウェーハ１７の各露光領域を逐次露光す
る。
０図において、１４はＸ線源であり、真空室１９中に配
置され、Ｘ線ＸＲを、図において、下方に放出する。真
空室１９を透過したＸ線は、Ｘ線透過窓２０を介して、
不活性ガスチェンバー１５中に入射する。不活性ガスチ
ェンバー１５には、不活性ガス導入手段２１を介してヘ
リウム等の不活性ガスが導入され、不活性ガスは不活性
ガス排出手段２２を介して、不活性ガスチェンバー１５
外に排出される。また、不活性ガスチェンバー１５には
、Ｘ腺ＸＲが照射される領域にＸ線露光用マスク８が設
けられて、マスクパターンに対応して選択的にＸ線ＸＲ
を透過する。１６は被露光ウェーハ１７が載置されるス
テージであり、ｘ−ｙ−ｚ方向に移動可能であり、ステ
ップアンドリピート方式をもって逐次移動されて、その
上に載置されるウェーハ１７の各露光領域を逐次露光す
る。
ところで、露光精度を向上するには、ｘｇｎ光用マスク
８と被露光ウェーハ１７とは密着されていることが望ま
しいが、この状態では位置合わせができないため、若干
の距離離隔させて位置合わせをなし、位置合わせ完了後
に、Ｘ線露光用マスク８との距離をできるだけ短縮して
、露光することが一般である。
８と被露光ウェーハ１７とは密着されていることが望ま
しいが、この状態では位置合わせができないため、若干
の距離離隔させて位置合わせをなし、位置合わせ完了後
に、Ｘ線露光用マスク８との距離をできるだけ短縮して
、露光することが一般である。
次に、Ｘ線露光用マスク８の製造工程について説明する
。
。
第６図参照
シリコン基板等１上に、水素化窒化ボロン（以下ＢＮ−
Ｈと言う）、水素化炭化窒化ボロン（以下ＢＮＣ−Ｈと
言う）、水素化窒化シリコン（以下５ＩＮ−Ｈと言う）
、炭化シリコン（以下ＳＩＣと言う）等のグループから
選択された材料をＣＶＤ法等を使用して堆積し、厚さ１
〜６ｎの堆積層２を形成する。
Ｈと言う）、水素化炭化窒化ボロン（以下ＢＮＣ−Ｈと
言う）、水素化窒化シリコン（以下５ＩＮ−Ｈと言う）
、炭化シリコン（以下ＳＩＣと言う）等のグループから
選択された材料をＣＶＤ法等を使用して堆積し、厚さ１
〜６ｎの堆積層２を形成する。
第７図参照
堆積層２の表面にメツキベース材の薄膜を形成し、シリ
コン基板等１に、フォトリソグラフィー法を使用して露
光領域に対応するシリコン基板１の中央線３をエツチン
グ除去して補助枠９を形成し、堆積層２上にフォトリソ
グラフィー法を使用してパターン（図示せず）を形成し
、このパターン上に、金、タンタル、タングステン等を
メツキするか、スパッタ法を使用して形成するかして、
これをパターニングしてＸ線露光用パターン１２を形成
し、シリコン基板の補助枠９に保持され、堆積層２上に
パターンの形成されているメンブレン１０よりなるマス
ク本体を形成する。
コン基板等１に、フォトリソグラフィー法を使用して露
光領域に対応するシリコン基板１の中央線３をエツチン
グ除去して補助枠９を形成し、堆積層２上にフォトリソ
グラフィー法を使用してパターン（図示せず）を形成し
、このパターン上に、金、タンタル、タングステン等を
メツキするか、スパッタ法を使用して形成するかして、
これをパターニングしてＸ線露光用パターン１２を形成
し、シリコン基板の補助枠９に保持され、堆積層２上に
パターンの形成されているメンブレン１０よりなるマス
ク本体を形成する。
第８図参照
マスク本体を、セラミック、炭化シリコン等からなる枠
状支持体４に接着し、ｘｍｇ光用マスク８を形成する。
状支持体４に接着し、ｘｍｇ光用マスク８を形成する。
第９図参照
第５図に示す従来技術に係るＸ線露光装置を使用するに
あたっては、上記のとおり、上記のマスク８をＸ線露光
装置の不活性ガスチェンバー１５の底板をなすマスク支
持部５に装着し、マスク８とウェーハ支持台たるステー
ジ１６に載置されたウェーハ１７との間隙を約１Ｏｎに
セットして、マスク８のパターン１２（第８図参照）と
ウェーハ１７とを位置合わせした後、この間隙をｘｖｘ
ｎ光に最適な１０〜１５．ｎに減少するためにウェーハ
支持台たるステージ１６を上方に移動すると、マスク８
とウェーハ１７との間隙に存在する空気または雰囲気ガ
スが外方へ逃げきれず、マスク８とウェーハ１７とに挟
まれた空間の圧力が上昇し、マスク８のメンブレン１０
が図に破線をもって示すように膨らんでしまう、メンブ
レン１０に、あらかじめ偏力が充分に与えられていない
と、この変形は特に大きく、メンブレン１０が平坦化す
るまでの時間が長くなり、この結果、マスク８とウェー
ハ１７との位置合わせ時間が長くなってスルーブツトが
低下する。
あたっては、上記のとおり、上記のマスク８をＸ線露光
装置の不活性ガスチェンバー１５の底板をなすマスク支
持部５に装着し、マスク８とウェーハ支持台たるステー
ジ１６に載置されたウェーハ１７との間隙を約１Ｏｎに
セットして、マスク８のパターン１２（第８図参照）と
ウェーハ１７とを位置合わせした後、この間隙をｘｖｘ
ｎ光に最適な１０〜１５．ｎに減少するためにウェーハ
支持台たるステージ１６を上方に移動すると、マスク８
とウェーハ１７との間隙に存在する空気または雰囲気ガ
スが外方へ逃げきれず、マスク８とウェーハ１７とに挟
まれた空間の圧力が上昇し、マスク８のメンブレン１０
が図に破線をもって示すように膨らんでしまう、メンブ
レン１０に、あらかじめ偏力が充分に与えられていない
と、この変形は特に大きく、メンブレン１０が平坦化す
るまでの時間が長くなり、この結果、マスク８とウェー
ハ１７との位置合わせ時間が長くなってスルーブツトが
低下する。
本発明の目的は、この欠点を解消することにあり、Ｘ線
源と、このＸ線源が放出するＸ線を透過し、メンブレン
とメンブレン支持手段とよりなるＸ線露光用マスクを有
し、ヘリウム等不活性ガスが充満される不活性ガスチェ
ンバーと、前記のＸ線露光用マスクに対向して被露光ウ
ェーハが載置され、移動可能であるステージとを有する
Ｘ線露光装置を使用して、Ｘ線露光するにあたり、マス
クとウェーハとを離隔させて位置合わせをした後、マス
クとウェーハとの間隙をＸ線露光に最適な１０〜１５ｎ
に減少するために、マスクとウェーハとつ間隙を狭めた
時に、マスクを構成するメンブレンの変形を少なくし、
また、メンブレンが速やかに平坦な状態に戻るようにし
、露光装置の位置合わせ時間が短縮し、スループットが
向上しうるように改良したＸ線露光装置を提供すること
にある。
源と、このＸ線源が放出するＸ線を透過し、メンブレン
とメンブレン支持手段とよりなるＸ線露光用マスクを有
し、ヘリウム等不活性ガスが充満される不活性ガスチェ
ンバーと、前記のＸ線露光用マスクに対向して被露光ウ
ェーハが載置され、移動可能であるステージとを有する
Ｘ線露光装置を使用して、Ｘ線露光するにあたり、マス
クとウェーハとを離隔させて位置合わせをした後、マス
クとウェーハとの間隙をＸ線露光に最適な１０〜１５ｎ
に減少するために、マスクとウェーハとつ間隙を狭めた
時に、マスクを構成するメンブレンの変形を少なくし、
また、メンブレンが速やかに平坦な状態に戻るようにし
、露光装置の位置合わせ時間が短縮し、スループットが
向上しうるように改良したＸ線露光装置を提供すること
にある。
〔！１１９Ｉを解決するための手段〕
上記の目的は、Ｘ線源（１４）と、このＸ線源（１４）
が放出するＸ線を透過し、メンブレン（１０）とメンブ
レン支持手段（１１）とよりなるＸ線露光用マスク（８
）を有し、ヘリウム等不活性ガスが充満される不活性ガ
スチェンバー（１５）と、前記のＸ線露光用マスク（８
）に対向して被露光ウェーハ（１７）が載置され、移動
可能であるステージ（１６）とを有するＸ線露光装置に
おいて、前記のメンブレン支持手段（１１）の周辺部に
は、露光領域における前記のメンブレン（１０）と前記
のウェーハ（１７）との間隔より大きな間隔を保持する
段差（１日）が設けられているＸ線露光装置によって達
成される。
が放出するＸ線を透過し、メンブレン（１０）とメンブ
レン支持手段（１１）とよりなるＸ線露光用マスク（８
）を有し、ヘリウム等不活性ガスが充満される不活性ガ
スチェンバー（１５）と、前記のＸ線露光用マスク（８
）に対向して被露光ウェーハ（１７）が載置され、移動
可能であるステージ（１６）とを有するＸ線露光装置に
おいて、前記のメンブレン支持手段（１１）の周辺部に
は、露光領域における前記のメンブレン（１０）と前記
のウェーハ（１７）との間隔より大きな間隔を保持する
段差（１日）が設けられているＸ線露光装置によって達
成される。
第１図、第４図参照
１〜６ｎと極めて薄いメンブレン１０を保持するシリコ
ン基板等の補助枠９を枠状支持体４に接着固定するため
に、補助枠９の幅は余り小さくできない、このため、マ
スク８とウェーハ１７とが狭い間隙をもって対向する面
積が不所望に大きくなり、マスク８とウェーハ１７とに
挟まれた流体のコンダクタンスが小さくなる。
ン基板等の補助枠９を枠状支持体４に接着固定するため
に、補助枠９の幅は余り小さくできない、このため、マ
スク８とウェーハ１７とが狭い間隙をもって対向する面
積が不所望に大きくなり、マスク８とウェーハ１７とに
挟まれた流体のコンダクタンスが小さくなる。
そのため、マスク８とウェーハ１７とを、ＸＹ軸方向に
位置合わせをなした後、マスク８とウェーハ１７との間
隙を狭めたときに、マスク８とウェーハ１７との間にあ
る流体の圧力が上昇し、この上昇式で与えられる。こ＼
で、Ｐｏは大気圧であり、Ｃはマスクとウェーハとの間
の流体のコンダクタンスであり、Ｋは常数である。
位置合わせをなした後、マスク８とウェーハ１７との間
隙を狭めたときに、マスク８とウェーハ１７との間にあ
る流体の圧力が上昇し、この上昇式で与えられる。こ＼
で、Ｐｏは大気圧であり、Ｃはマスクとウェーハとの間
の流体のコンダクタンスであり、Ｋは常数である。
コンダクタンスＣが小さいと、時定数Ｔは大きくなり、
変形したメンブレン１０が元の状態に戻るまでの時間が
長くなる。そこで、メンブレン１０を保持する補助枠９
と枠状支持体４との接着固定面積は従来通り確保しなが
ら、マスク８とウェーハ１７との間の流体のコンダクタ
ンスＣを大きくする手段がないかという点に着目し、こ
れを具体化して、本発明を完成したものである。
変形したメンブレン１０が元の状態に戻るまでの時間が
長くなる。そこで、メンブレン１０を保持する補助枠９
と枠状支持体４との接着固定面積は従来通り確保しなが
ら、マスク８とウェーハ１７との間の流体のコンダクタ
ンスＣを大きくする手段がないかという点に着目し、こ
れを具体化して、本発明を完成したものである。
狭い間隙を有する平行２面間を流れる流体のコンダクタ
ンスＣは間隙の２乗に比例すると云う物理学上の法則を
利用し、補助枠９の枠状支持体４との接着面積は従来通
りとし、補助枠９の接着面と反対側の面の外周に段差１
８を設けて補助枠９の外周部とウェーハ１７との間隙を
大きくし、この部分のコンダクタンスＣを太き（するこ
とによって、前記の時定数Ｔを小さくすることを可能と
したものである。
ンスＣは間隙の２乗に比例すると云う物理学上の法則を
利用し、補助枠９の枠状支持体４との接着面積は従来通
りとし、補助枠９の接着面と反対側の面の外周に段差１
８を設けて補助枠９の外周部とウェーハ１７との間隙を
大きくし、この部分のコンダクタンスＣを太き（するこ
とによって、前記の時定数Ｔを小さくすることを可能と
したものである。
以下、図面を参照して、本発明の一実施例に係るＸ線露
光装置に使用され、本発明の要旨に係るＸ線露光用マス
クの製造工程と、このＸ線露光用マスクを使用する本発
明の一実施例に係るＸ線露光装置とについて説明して、
本発明の構成と特有の効果をさらに明らかにする。
光装置に使用され、本発明の要旨に係るＸ線露光用マス
クの製造工程と、このＸ線露光用マスクを使用する本発
明の一実施例に係るＸ線露光装置とについて説明して、
本発明の構成と特有の効果をさらに明らかにする。
まづ、マスクの製造工程について説明する。
第２図参照
フォトリソグラフィー法を使用して、シリコン基板１の
外周部を除去し、此処に段差１８（図において下面に形
成される）を形成し、ＣＶＤ法を使用して、その段差１
８をカバーして、ＢＮ−Ｈ。
外周部を除去し、此処に段差１８（図において下面に形
成される）を形成し、ＣＶＤ法を使用して、その段差１
８をカバーして、ＢＮ−Ｈ。
ＢＮＣ−ＨＳＳＩＮ−Ｈ，ＳｉＣ等を堆積し、１〜６μ
厚の堆積層２を形成する。
厚の堆積層２を形成する。
第３図参照
堆積層２の表面（図において下面）にメツキベースの薄
膜（図示せず）を形成し、これにフォトリソグラフィー
法を使用してパターン（図示せず）を形成し、このパタ
ーン上に金、タンタル、タングステン等をメツキするか
、スパッタ法を使用して形成するかして、これをパター
ニングしてＸ線露光用パターン１２を形成し、フォトリ
ソグラフィー法を使用して、シリコン基板１の露光領域
（パターン領域）に対応する中央部をエツチング除去し
て補助枠９を形成して、マスク本体を形成する。この補
助枠９は、パターンが形成されているメンブレン１０を
強固に保持するが、使用されるとき、ウェーハ１７（第
１図参照）と対接する領域（内周領域）は極めて小さい
。
膜（図示せず）を形成し、これにフォトリソグラフィー
法を使用してパターン（図示せず）を形成し、このパタ
ーン上に金、タンタル、タングステン等をメツキするか
、スパッタ法を使用して形成するかして、これをパター
ニングしてＸ線露光用パターン１２を形成し、フォトリ
ソグラフィー法を使用して、シリコン基板１の露光領域
（パターン領域）に対応する中央部をエツチング除去し
て補助枠９を形成して、マスク本体を形成する。この補
助枠９は、パターンが形成されているメンブレン１０を
強固に保持するが、使用されるとき、ウェーハ１７（第
１図参照）と対接する領域（内周領域）は極めて小さい
。
第４図参照
前記マスク本体を、セラミック、ＳｉＣ等からなる枠状
支持体４に接着して、Ｘ線露光式ステッパ用マスクを形
成する。
支持体４に接着して、Ｘ線露光式ステッパ用マスクを形
成する。
なお、補助枠９と枠状支持体４とを一体的に形成するこ
とも可能である。
とも可能である。
次に、本発明の要旨に係るＸ線露光用マスクを使用する
本発明の一実施例に係るＸ線露光装置の構造について説
明する。
本発明の一実施例に係るＸ線露光装置の構造について説
明する。
図において、１４はＸ線源であり、真空室１９中に配置
され、Ｘ線ＸＲを図において、下方に放出する。真空室
１９を透過したＸ線はＸ線透過窓２０を介して、不活性
ガスチェンバー１５中に入射する。不活性ガスチェンバ
ー１５には、不活性ガス導入手段２１を介してヘリウム
等の不活性ガスが導入され、ヘリウム等の不活性ガスは
不活性ガス排出手段２２を介して、不活性ガスチェンバ
ー１５外に排出される。またζ不活性ガスチェンバー１
５にはＸ＆ｌＸ Ｒが照射される領域にＸ線露光用マス
ク８が設けられて、マスクパターンに対応して選択的に
Ｘ線ＸＲが透過する。
され、Ｘ線ＸＲを図において、下方に放出する。真空室
１９を透過したＸ線はＸ線透過窓２０を介して、不活性
ガスチェンバー１５中に入射する。不活性ガスチェンバ
ー１５には、不活性ガス導入手段２１を介してヘリウム
等の不活性ガスが導入され、ヘリウム等の不活性ガスは
不活性ガス排出手段２２を介して、不活性ガスチェンバ
ー１５外に排出される。またζ不活性ガスチェンバー１
５にはＸ＆ｌＸ Ｒが照射される領域にＸ線露光用マス
ク８が設けられて、マスクパターンに対応して選択的に
Ｘ線ＸＲが透過する。
ところで、マスク８を構成し、枠状支持体４と補助枠９
とよりなる支持手段１１の周辺部には、露光領域におけ
る前記のメンブレン１０と前記のウェーハ１７との間隔
より大きな間隔を保持する段差１８が設けられている。
とよりなる支持手段１１の周辺部には、露光領域におけ
る前記のメンブレン１０と前記のウェーハ１７との間隔
より大きな間隔を保持する段差１８が設けられている。
上記メンブレン１０の材料の一例としてヤング率３ Ｘ
ＩＯ”ｄｙｎ ／ｃｊのβ−３ＩＣよりなる外径６０ｍ
のメンブレンを初期張力９ ｘ１０” ｄｙｎ ／ｃｄ
となるよう形成した外径７５ａｉのマスク本体と外径１
００鴎のウェーハとの間隙を１Ｏｎから１５．ＩＦｍに
変化させた場合に、変形したマスクのメンブレンが平坦
化するまでの所要時間は、従来構造のマスクにおいては
７秒であったが、上記せる本発明の一実施例に係るマス
クにおいては０．５秒に短縮された。
ＩＯ”ｄｙｎ ／ｃｊのβ−３ＩＣよりなる外径６０ｍ
のメンブレンを初期張力９ ｘ１０” ｄｙｎ ／ｃｄ
となるよう形成した外径７５ａｉのマスク本体と外径１
００鴎のウェーハとの間隙を１Ｏｎから１５．ＩＦｍに
変化させた場合に、変形したマスクのメンブレンが平坦
化するまでの所要時間は、従来構造のマスクにおいては
７秒であったが、上記せる本発明の一実施例に係るマス
クにおいては０．５秒に短縮された。
以上説明せるとおり、本発明に係るＸ線露光装置は、マ
スクを構成する支持手段の周辺部に、露光領域における
前記メンブレンと前記ウェーハとの間隔より大きな間隔
を保持する段差が設けられているマスクが使用されてい
るので、マスクと被露光ウェーハとの間の流体のコンダ
クタンスが大きくなり、ＸＹ方向位置合わせ完了後にマ
スクとウェーハとの間隙を狭めた時に、マスクのメンブ
レンの変形が少なくなるとともに、速やかにメンブレン
が平坦な状態に戻り、露光マスクの位１合わせ時間が短
縮され、スループットが向上するＸ線露光装置が実現す
る。
スクを構成する支持手段の周辺部に、露光領域における
前記メンブレンと前記ウェーハとの間隔より大きな間隔
を保持する段差が設けられているマスクが使用されてい
るので、マスクと被露光ウェーハとの間の流体のコンダ
クタンスが大きくなり、ＸＹ方向位置合わせ完了後にマ
スクとウェーハとの間隙を狭めた時に、マスクのメンブ
レンの変形が少なくなるとともに、速やかにメンブレン
が平坦な状態に戻り、露光マスクの位１合わせ時間が短
縮され、スループットが向上するＸ線露光装置が実現す
る。
第１図は、本発明の一実施例に係るＸ線露光装置の構成
図である。 第２図、第３図、第４図は、本発明の一実施例に係るＸ
線露光用マスクの製造工程図である。 第５図は、従来技術に係るＸ線露光装置の構成図である
。 第６図、第７図、第８図は、従来技術に係るＸ線露光用
マスクの製造工程図である。 第９図は、Ｘ線露光装置のマスク装着部の構造図である
。 １・・・シリコン基板等 ２・・・ＢＮ−Ｈ，ＢＮＣ−Ｈ，Ｓ ｌＮ−Ｈ。 ＳｉＣ等の堆積層、 ・・マスクの中央部、 ・・マスクの枠状支持体、 ・・マスク支持部、 ・・被露光ウェーハ、 ・・ウェーハ支持台、 ・・Ｘ線露光用マスク、 ・・マスクの補助枠、 ・・マスクのメンブレン、 本発明 第１図 工程図 第２図 メンブレン支持手段、 Ｘ線露光用パターン、 Ｘ線源、 不活性ガスチェンバー ステージ、 被露光ウェーハ、 段差、 真空室、 Ｘ線透過窓、 不活性ガス導入手段、 不活性ガス排出手段。
図である。 第２図、第３図、第４図は、本発明の一実施例に係るＸ
線露光用マスクの製造工程図である。 第５図は、従来技術に係るＸ線露光装置の構成図である
。 第６図、第７図、第８図は、従来技術に係るＸ線露光用
マスクの製造工程図である。 第９図は、Ｘ線露光装置のマスク装着部の構造図である
。 １・・・シリコン基板等 ２・・・ＢＮ−Ｈ，ＢＮＣ−Ｈ，Ｓ ｌＮ−Ｈ。 ＳｉＣ等の堆積層、 ・・マスクの中央部、 ・・マスクの枠状支持体、 ・・マスク支持部、 ・・被露光ウェーハ、 ・・ウェーハ支持台、 ・・Ｘ線露光用マスク、 ・・マスクの補助枠、 ・・マスクのメンブレン、 本発明 第１図 工程図 第２図 メンブレン支持手段、 Ｘ線露光用パターン、 Ｘ線源、 不活性ガスチェンバー ステージ、 被露光ウェーハ、 段差、 真空室、 Ｘ線透過窓、 不活性ガス導入手段、 不活性ガス排出手段。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Ｘ線源（１４）と、 該Ｘ線源（１４）が放出するＸ線を透過し、メンブレン
（１０）とメンブレン支持手段（１１）とよりなるＸ線
露光用マスク（８）を有し、不活性ガスが充満される不
活性ガスチェンバー（１５）と、前記Ｘ線露光用マスク
（８）に対向して被露光ウェーハ（１７）が載置され、
移動可能であるステージ（１６）と を有するＸ線露光装置において、 前記メンブレン支持手段（１１）の周辺部には、露光領
域における前記メンブレン（１０）と前記ウェーハ（１
７）との間隔より大きな間隔を保持する段差（１８）が
設けられてなる ことを特徴とするＸ線露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63166839A JPH0217627A (ja) | 1988-07-06 | 1988-07-06 | Ｘ線露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63166839A JPH0217627A (ja) | 1988-07-06 | 1988-07-06 | Ｘ線露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0217627A true JPH0217627A (ja) | 1990-01-22 |
Family
ID=15838610
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63166839A Pending JPH0217627A (ja) | 1988-07-06 | 1988-07-06 | Ｘ線露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0217627A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60251620A (ja) * | 1984-05-29 | 1985-12-12 | Hitachi Ltd | Ｘ線マスク |
| JPS6167917A (ja) * | 1984-09-11 | 1986-04-08 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Ｘ線取り出し筒 |
| JPS61102734A (ja) * | 1984-10-26 | 1986-05-21 | Hitachi Ltd | Ｘ線露光装置 |
| JPS6249623A (ja) * | 1985-07-19 | 1987-03-04 | Nec Corp | Ｘ線露光マスク |
-
1988
- 1988-07-06 JP JP63166839A patent/JPH0217627A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60251620A (ja) * | 1984-05-29 | 1985-12-12 | Hitachi Ltd | Ｘ線マスク |
| JPS6167917A (ja) * | 1984-09-11 | 1986-04-08 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Ｘ線取り出し筒 |
| JPS61102734A (ja) * | 1984-10-26 | 1986-05-21 | Hitachi Ltd | Ｘ線露光装置 |
| JPS6249623A (ja) * | 1985-07-19 | 1987-03-04 | Nec Corp | Ｘ線露光マスク |
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