JPH0217628A - レジストパターンの形成方法 - Google Patents
レジストパターンの形成方法Info
- Publication number
- JPH0217628A JPH0217628A JP63168069A JP16806988A JPH0217628A JP H0217628 A JPH0217628 A JP H0217628A JP 63168069 A JP63168069 A JP 63168069A JP 16806988 A JP16806988 A JP 16806988A JP H0217628 A JPH0217628 A JP H0217628A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist pattern
- rectangular
- electron beam
- aperture
- orthogonality
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ＬＳＩ、超ＬＳＩ等の高密度集積回路あるい
はそれ等の製造に用いるフォトマスクの製造の際のレジ
ストパターンの形成方法に関する。
はそれ等の製造に用いるフォトマスクの製造の際のレジ
ストパターンの形成方法に関する。
周知のように、近年、半導体集積回路の高性能化、高集
積化への要求は一層増大している。そのため、従来の紫
外線を用いたフォトリソグラフィーに代わって、電子線
、軟Ｘ線、イオンビーム等を用いたリソグラフィーによ
り超微細なパターン加工技術を確立する努力が払われて
いる。
積化への要求は一層増大している。そのため、従来の紫
外線を用いたフォトリソグラフィーに代わって、電子線
、軟Ｘ線、イオンビーム等を用いたリソグラフィーによ
り超微細なパターン加工技術を確立する努力が払われて
いる。
特にフォトマスクの製造では、既に電子線リソグラフィ
ーが工業的に実用化されており、つｚ−ハ基板への電子
線による直接ＦＭ画も試みられている。
ーが工業的に実用化されており、つｚ−ハ基板への電子
線による直接ＦＭ画も試みられている。
一方、このような超微細リソグラフィー技術を可能とす
るために使用されるレジスト材料もそれに応じた特性を
有するものでなければならないし、レジストプロセスも
非常に重要になると同時に、電子線露光装置に要求され
る描画精度も厳しくなってくる。
るために使用されるレジスト材料もそれに応じた特性を
有するものでなければならないし、レジストプロセスも
非常に重要になると同時に、電子線露光装置に要求され
る描画精度も厳しくなってくる。
電子線露光装置としては、数多くのものが開発されてい
るが、これらは電子ビームの走査方式により、偏向可能
な全域を走査しながらパターン部分のみをビームオンに
するラスター走査形と、パターン部分のみビームをアド
レスして走査するベクター走査形とがある。また、電子
ビームの形状により、電子銃で形成される電子ビームの
クロスオーバ像を縮小投影するガウス分布ビーム（円形
）と、これを途中に設けた成形アパーチャで矩形の断面
形にしてその寸法を変えながら描画する可変成形ビーム
とがある。
るが、これらは電子ビームの走査方式により、偏向可能
な全域を走査しながらパターン部分のみをビームオンに
するラスター走査形と、パターン部分のみビームをアド
レスして走査するベクター走査形とがある。また、電子
ビームの形状により、電子銃で形成される電子ビームの
クロスオーバ像を縮小投影するガウス分布ビーム（円形
）と、これを途中に設けた成形アパーチャで矩形の断面
形にしてその寸法を変えながら描画する可変成形ビーム
とがある。
これらの中で、電子ビームの走査方式としてベクター走
査形、電子ビームの形状として可変成形ビームを組み合
わせた可変成形ビームベクター走査方式の電子線露光装
置がもっとも描画速度が速く （高スループツト性）、
特に電子線レジストを塗布したウェーハ基板への電子線
の直接描画に利用されている。
査形、電子ビームの形状として可変成形ビームを組み合
わせた可変成形ビームベクター走査方式の電子線露光装
置がもっとも描画速度が速く （高スループツト性）、
特に電子線レジストを塗布したウェーハ基板への電子線
の直接描画に利用されている。
しかしながら、矩形成形方式の電子ＶＡｎ光装置で形成
された電子線の断面形状として、正確に直角の角を有す
る矩形を形成することは難しく、通常は電子線の断面形
状が矩形から若干ずれた状態で電子線露光を行っている
。そのため電子線露光により形成した矩形のレジストパ
ターン像も正確な直角をもたない。特に、微細なパター
ンではレジストパターンの直交度の悪さが顕著になると
いう問題がある。
された電子線の断面形状として、正確に直角の角を有す
る矩形を形成することは難しく、通常は電子線の断面形
状が矩形から若干ずれた状態で電子線露光を行っている
。そのため電子線露光により形成した矩形のレジストパ
ターン像も正確な直角をもたない。特に、微細なパター
ンではレジストパターンの直交度の悪さが顕著になると
いう問題がある。
そのため本発明は、矩形成形方式の電子線露光装置で形
成される電子線の断面形状の矩形の直交度を向上させる
ことを課題とする。
成される電子線の断面形状の矩形の直交度を向上させる
ことを課題とする。
そのために本発明は、上記の問題点を解決すべく種々研
究の結果、矩形成形スリットの回転補正を水平もしくは
垂直方向のどちらか一方に合わせ込み、前記合わせ込み
を行った方向を長辺とする矩形の断面形状を持つ電子線
を並べて電子線描画を行うことによって上記の問題点を
解決しうろことを見出して本発明を完成したものである
。
究の結果、矩形成形スリットの回転補正を水平もしくは
垂直方向のどちらか一方に合わせ込み、前記合わせ込み
を行った方向を長辺とする矩形の断面形状を持つ電子線
を並べて電子線描画を行うことによって上記の問題点を
解決しうろことを見出して本発明を完成したものである
。
上記の内容において、上記電子線の矩形の最大の大きさ
としては長辺が２〜２０μｍ、短辺が０゜５〜ＩＯμｍ
であることが望ましい。
としては長辺が２〜２０μｍ、短辺が０゜５〜ＩＯμｍ
であることが望ましい。
前述したように、矩形成形方式の電子線露光装置を用い
て直交度のよい矩形のレジストパターンを形成すること
ができるため、非常に高精度のレジストパターンを得る
ことができる。さらに１μｍ以下のサブミクロンのレジ
ストパターンにおいても工ンジラフネスの非常に少ない
パターンを得ることができる。
て直交度のよい矩形のレジストパターンを形成すること
ができるため、非常に高精度のレジストパターンを得る
ことができる。さらに１μｍ以下のサブミクロンのレジ
ストパターンにおいても工ンジラフネスの非常に少ない
パターンを得ることができる。
〔実施例］
以下、図面を参照しつつ実施例を説明する。
第１図（ａ）は本発明に係る電子線露光装置の断面模式
図、第１図（ｂ）は電子線を矩形に成形するためのアパ
ーチャ５．７の上面図、第２図は第１図に示す電子線描
画装置により描画し、形成したレジストパターンを示す
図、第３図はアパーチャ５．７を機械的に回転補正した
後、該電子線描画装置により描画形成したレジストパタ
ーンを示す図である。
図、第１図（ｂ）は電子線を矩形に成形するためのアパ
ーチャ５．７の上面図、第２図は第１図に示す電子線描
画装置により描画し、形成したレジストパターンを示す
図、第３図はアパーチャ５．７を機械的に回転補正した
後、該電子線描画装置により描画形成したレジストパタ
ーンを示す図である。
第１回において、１は電子銃、２は電子線、３はブラン
キング電極、４は照射レンズ、５は第１アパーヂヤ、６
は成形レンズ、７は第２アパーチヤ、８は縮小レンズ、
９は投影レンズ、１０は位置決め偏向器、１１は電子線
レジスト、１２はフォトマスクブランク、１３と１４は
電子線通過部、１５はレジストパターン像、θ、φはア
パーチャの直交度を示す。
キング電極、４は照射レンズ、５は第１アパーヂヤ、６
は成形レンズ、７は第２アパーチヤ、８は縮小レンズ、
９は投影レンズ、１０は位置決め偏向器、１１は電子線
レジスト、１２はフォトマスクブランク、１３と１４は
電子線通過部、１５はレジストパターン像、θ、φはア
パーチャの直交度を示す。
矩形成形方式の電子線露光装置は、第１図（ａ）に示す
ようにブランキング電極３、照射レンズ４、成形レンズ
６、縮小レンズ８、投影レンズ９、位置決め偏向器ｌＯ
を備え、ネガ型電子線レジスト１１を回転塗布したフォ
トマスク基板１２に電子銃１から放射された電子線２を
露光する。この電子光学系において、照射レンズ４と成
形レンズ６との間に第１アパーチヤ５を、成形レンズ６
と縮小レンズ８との間に第２アパーチヤアをそれぞれ配
置することによって、これら第１アパーチヤ５と第２ア
パーチヤアを組み合わせて矩形のレジストパターンを形
成する。第１図（ｂ）は第１アパーチヤ５と第２アパー
チヤアの拡大上面図であり、それぞれの電子通過部１３
．１４は、角度θ、φの角を持っている。
ようにブランキング電極３、照射レンズ４、成形レンズ
６、縮小レンズ８、投影レンズ９、位置決め偏向器ｌＯ
を備え、ネガ型電子線レジスト１１を回転塗布したフォ
トマスク基板１２に電子銃１から放射された電子線２を
露光する。この電子光学系において、照射レンズ４と成
形レンズ６との間に第１アパーチヤ５を、成形レンズ６
と縮小レンズ８との間に第２アパーチヤアをそれぞれ配
置することによって、これら第１アパーチヤ５と第２ア
パーチヤアを組み合わせて矩形のレジストパターンを形
成する。第１図（ｂ）は第１アパーチヤ５と第２アパー
チヤアの拡大上面図であり、それぞれの電子通過部１３
．１４は、角度θ、φの角を持っている。
上記矩形成形方式の電子線露光装置によりレジストパタ
ーンを形成する場合の手順は、まず、ネガ型電子線レジ
スト１１をフォトマスク基板１２に回転塗布し、電子線
露光装置で露光現像する。
ーンを形成する場合の手順は、まず、ネガ型電子線レジ
スト１１をフォトマスク基板１２に回転塗布し、電子線
露光装置で露光現像する。
しかる後、レジストパターンを形成する。該ネガ型電子
線レジストとしては、例えばクロロメチル化ポリスチレ
ンを主成分とするレジスト（商品名束ソー製ＣＭＳ−Ｅ
Ｘ （Ｒ）’）が用いられる。
線レジストとしては、例えばクロロメチル化ポリスチレ
ンを主成分とするレジスト（商品名束ソー製ＣＭＳ−Ｅ
Ｘ （Ｒ）’）が用いられる。
いま、第２図に示すレジストパターン１５が形成された
とすると、第１図〜）の第１アパーチヤ５と第２アパー
チヤアの直交度θ、φは第２図（ａ）のレジストパター
ン１５の直交度θ′、φ′に対応するが、これらの直交
度は、それぞれ一致しない。
とすると、第１図〜）の第１アパーチヤ５と第２アパー
チヤアの直交度θ、φは第２図（ａ）のレジストパター
ン１５の直交度θ′、φ′に対応するが、これらの直交
度は、それぞれ一致しない。
そこで、本発明では、まず、第１のアパーチャ５と第２
のアパーチャアを回転補正して第３図に示すように垂直
方向に合わせ込む。そして、このように機械的回転補正
を行った後、第４図に示すパターンを第５図のように縦
長の矩形ショットに分割し、合わせ込みを行った方向を
長辺とする矩形の断面形状を持つ電子線を並べて電子線
描画を行う。このようにすることにより、描画パターン
のエツジラフネスを０．０２μｍ以下にすることができ
た。該矩形ショットの最大の大きさは縦を１０μｍ１横
を２μｍとした。
のアパーチャアを回転補正して第３図に示すように垂直
方向に合わせ込む。そして、このように機械的回転補正
を行った後、第４図に示すパターンを第５図のように縦
長の矩形ショットに分割し、合わせ込みを行った方向を
長辺とする矩形の断面形状を持つ電子線を並べて電子線
描画を行う。このようにすることにより、描画パターン
のエツジラフネスを０．０２μｍ以下にすることができ
た。該矩形ショットの最大の大きさは縦を１０μｍ１横
を２μｍとした。
なお、上記の実施例では、垂直方向の回転補正を行った
が、水平方向でもよいことはいうまでもない。
が、水平方向でもよいことはいうまでもない。
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、１１
１ｍ以下のサブミクロンの微細なレジストパターンの形
成が、従来の矩形成形方式の電子線露光装置を用いて可
能となるという利点を有するものである。また、電子線
の矩形間の継ぎ精度が向上し、微細なレジストパターン
のエツジラフネスが減少するという効果もある。
１ｍ以下のサブミクロンの微細なレジストパターンの形
成が、従来の矩形成形方式の電子線露光装置を用いて可
能となるという利点を有するものである。また、電子線
の矩形間の継ぎ精度が向上し、微細なレジストパターン
のエツジラフネスが減少するという効果もある。
第１図（ａ）は本発明に係る電子線露光装置の断面模式
図、第１図（ｂ）は電子線を矩形に成形するためのアパ
ーチャ５．７の上面図、第２図は第１図に示す電子線描
画装置により１■画し、形成したレジストパターンを示
す図、第３図はアパーチャ５．７を機械的に回転補正し
た後、該電子線描画装置により描画形成したレジストパ
ターンを示す図、第４図は描画パターンを示す図、第５
図は矩形ショットに分割した後の描画パターンを示す図
である。 １・・・電子銃、２・・・電子線、３・・・ブランキン
グ電極、４・・・照射レンズ、５・・・第１アパーチヤ
、６・・・成形レンズ、７・・・第２アパーチヤ、８・
・・縮小レンズ、９・・・投影レンズ、１０・・・位置
決め偏向器、１１・・・電子線レジスト、１２・・・フ
ォトマスクブランク、１３．１４・・・電子線通過部、
１５・・・レジストパターン像。 出 願 人 大日本印刷株式会社
図、第１図（ｂ）は電子線を矩形に成形するためのアパ
ーチャ５．７の上面図、第２図は第１図に示す電子線描
画装置により１■画し、形成したレジストパターンを示
す図、第３図はアパーチャ５．７を機械的に回転補正し
た後、該電子線描画装置により描画形成したレジストパ
ターンを示す図、第４図は描画パターンを示す図、第５
図は矩形ショットに分割した後の描画パターンを示す図
である。 １・・・電子銃、２・・・電子線、３・・・ブランキン
グ電極、４・・・照射レンズ、５・・・第１アパーチヤ
、６・・・成形レンズ、７・・・第２アパーチヤ、８・
・・縮小レンズ、９・・・投影レンズ、１０・・・位置
決め偏向器、１１・・・電子線レジスト、１２・・・フ
ォトマスクブランク、１３．１４・・・電子線通過部、
１５・・・レジストパターン像。 出 願 人 大日本印刷株式会社
Claims (1)
- （１）矩形成形方式の電子線描画装置において、矩形成
形スリットの回転補正を水平もしくは垂直方向のいずれ
か一方に合わせ込んだ後、前記合わせ込みを行った方向
を長辺とする矩形の断面形状を持つ電子ビームを継げて
電子線描画を行うことにより、描画基板上に矩形のレジ
ストパターン像を得ることを特徴とするレジストパター
ンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63168069A JPH0217628A (ja) | 1988-07-06 | 1988-07-06 | レジストパターンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63168069A JPH0217628A (ja) | 1988-07-06 | 1988-07-06 | レジストパターンの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0217628A true JPH0217628A (ja) | 1990-01-22 |
Family
ID=15861262
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63168069A Pending JPH0217628A (ja) | 1988-07-06 | 1988-07-06 | レジストパターンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0217628A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013097015A (ja) * | 2011-10-28 | 2013-05-20 | Dainippon Printing Co Ltd | 光ファイバー加工用位相マスクおよびその製造方法 |
-
1988
- 1988-07-06 JP JP63168069A patent/JPH0217628A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013097015A (ja) * | 2011-10-28 | 2013-05-20 | Dainippon Printing Co Ltd | 光ファイバー加工用位相マスクおよびその製造方法 |
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