JPH02178980A - 発光ダイオード - Google Patents
発光ダイオードInfo
- Publication number
- JPH02178980A JPH02178980A JP63335132A JP33513288A JPH02178980A JP H02178980 A JPH02178980 A JP H02178980A JP 63335132 A JP63335132 A JP 63335132A JP 33513288 A JP33513288 A JP 33513288A JP H02178980 A JPH02178980 A JP H02178980A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor layer
- light emitting
- opening
- emitting diode
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/5445—Dispositions of bond wires being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. parallel arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/931—Shapes of bond pads
- H10W72/932—Plan-view shape, i.e. in top view
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、発光ダイオードに関する。
従来の技術
従来からの発光ダイオ−１′：とじては、たとえばガリ
ウノ、・ヒ素（Ｇ ａ Ａ ｓ ）から成る第１のｒｊ
型半導体層上にガリウム・ヒ素・リン（Ｇａ Ａ ｓ
Ｐ ）から成る第２のｒＩ型半導体層が形成され、第２
の口型半導体層の表面にはマスク層が形成される。
ウノ、・ヒ素（Ｇ ａ Ａ ｓ ）から成る第１のｒｊ
型半導体層上にガリウム・ヒ素・リン（Ｇａ Ａ ｓ
Ｐ ）から成る第２のｒＩ型半導体層が形成され、第２
の口型半導体層の表面にはマスク層が形成される。
このマスク層には、ホトエンチンクの手法によってドー
ピング用の開口が形成される。マスク層の開口を介して
前記第２のｒｌ型半導体層にｒ）型の拡散層が形成され
る。アノ−ド電極が前記口型の拡散層に設けられるとと
もに、カソード電極が前記第１のｒｉ型半導体層に付け
られる。
ピング用の開口が形成される。マスク層の開口を介して
前記第２のｒｌ型半導体層にｒ）型の拡散層が形成され
る。アノ−ド電極が前記口型の拡散層に設けられるとと
もに、カソード電極が前記第１のｒｉ型半導体層に付け
られる。
このような構成を有する発光タイオードにおいては、ア
ノード電極とカソード電極との間に電圧を印加すること
によって、駆動電流がアノード電極からｌ：Ｉ型の拡散
層、第１のｒｌ型半導体層、および第２のｒｊ型の半導
体層を介してカソード電極に流れ、前記に）型の拡散層
と第１のｒｌ型半導体層との接自面において光が発生ず
る。この光はト）型の拡散層を介して外部に放射され、
これによって該発光ダイオードの発光が実現される。
ノード電極とカソード電極との間に電圧を印加すること
によって、駆動電流がアノード電極からｌ：Ｉ型の拡散
層、第１のｒｌ型半導体層、および第２のｒｊ型の半導
体層を介してカソード電極に流れ、前記に）型の拡散層
と第１のｒｌ型半導体層との接自面において光が発生ず
る。この光はト）型の拡散層を介して外部に放射され、
これによって該発光ダイオードの発光が実現される。
発明が解決しようとする課題
二ｆ）ような構成の発光タイオードては、アノード電極
とカソード電極との間に電圧を印加すると、ｐ型の拡散
層におけるアノード電極か接続されている部分での電流
密度は大きいけれども、アノード電極から遠ざかるに−
）れて電流密度が小さくなる。したがって、ｒ）型の拡
散層が形成する発光領域においては、アノード電極から
遠ざかるにつれてその発光強度が小さくなり、発光領域
に」〕ζ′）る発光強度分布に偏りが生じてしまう。
とカソード電極との間に電圧を印加すると、ｐ型の拡散
層におけるアノード電極か接続されている部分での電流
密度は大きいけれども、アノード電極から遠ざかるに−
）れて電流密度が小さくなる。したがって、ｒ）型の拡
散層が形成する発光領域においては、アノード電極から
遠ざかるにつれてその発光強度が小さくなり、発光領域
に」〕ζ′）る発光強度分布に偏りが生じてしまう。
二のような発光タイオードをたとえば光プリンタヘッド
として用いた場６には、その表示品質が劣化してしまう
ので、従来から発光領域の全領域に亘る発光輝度分布が
均一となるような構成か望まれている。また、少ない消
費電力て大きな発光強度を得ることができるような構成
も望まれている。
として用いた場６には、その表示品質が劣化してしまう
ので、従来から発光領域の全領域に亘る発光輝度分布が
均一となるような構成か望まれている。また、少ない消
費電力て大きな発光強度を得ることができるような構成
も望まれている。
したがって本発明の目的は、発光領域における発光強度
分布の偏りを小さくするとともに、少ない消費電力て大
きな発光強度を得ることができる発光ダイオードを提供
することである。
分布の偏りを小さくするとともに、少ない消費電力て大
きな発光強度を得ることができる発光ダイオードを提供
することである。
課題を解決するための手段
本発明は、一方導電形式の第１半導体層の表面に電気絶
縁性を有し、かつ透光性を有する膜を形成し、 この農は複数の開口′ｉたけ周縁部が屈曲した形状を有
する開口を形成し、 第１半導体層の前記開口に露出している部分とその開口
の周縁て前記膜に被覆されている部分とに亘って他方導
電形式の第２半導体層を形成し、第１半導体層に一方電
極を設けるとともに、第２半導体層に他方電極を設ける
ようにしたことを特徴とする発光ダイオードである。
縁性を有し、かつ透光性を有する膜を形成し、 この農は複数の開口′ｉたけ周縁部が屈曲した形状を有
する開口を形成し、 第１半導体層の前記開口に露出している部分とその開口
の周縁て前記膜に被覆されている部分とに亘って他方導
電形式の第２半導体層を形成し、第１半導体層に一方電
極を設けるとともに、第２半導体層に他方電極を設ける
ようにしたことを特徴とする発光ダイオードである。
作 用
本発明に従えば、一方導電形式の第１半導体層の表面に
複数の開口または周縁部か屈曲した形状を有する開口が
形成された膜を形成し、第１半導体層の前記開口に露出
している部分とその開口の周縁て前記膜に被覆されてい
る部分とに亘って他方導電形式の第２半導体層を形成す
る。このように第２半導体層を形成することによって、
第２半導体層の前記開口の周縁で前記膜に被覆されてい
る部分の層厚が第１半導体層の前記開口に露出している
部分よりも小さくなる。したがって第１半導体層に設け
られる一方電極と第２半導体層に設けられる他方電極と
の間に駆動電流を流して第１半導体層と第２半導体層と
のｐ ｒｌｌ接面面おいて光を発生させると、第２半導
体層の前記膜に被覆されている部分における光の吸収量
をその層厚が小さい分だけ抑制することができ、開口に
露出している部分の輝度よりも太き・くすることができ
る。
複数の開口または周縁部か屈曲した形状を有する開口が
形成された膜を形成し、第１半導体層の前記開口に露出
している部分とその開口の周縁て前記膜に被覆されてい
る部分とに亘って他方導電形式の第２半導体層を形成す
る。このように第２半導体層を形成することによって、
第２半導体層の前記開口の周縁で前記膜に被覆されてい
る部分の層厚が第１半導体層の前記開口に露出している
部分よりも小さくなる。したがって第１半導体層に設け
られる一方電極と第２半導体層に設けられる他方電極と
の間に駆動電流を流して第１半導体層と第２半導体層と
のｐ ｒｌｌ接面面おいて光を発生させると、第２半導
体層の前記膜に被覆されている部分における光の吸収量
をその層厚が小さい分だけ抑制することができ、開口に
露出している部分の輝度よりも太き・くすることができ
る。
このように開口の周縁部における輝度を大きくすること
によって、この発光ダイオード全体の輝度を向上させる
ことができる。
によって、この発光ダイオード全体の輝度を向上させる
ことができる。
実施例
第１図は本発明の一実施例の発光ダイオード１の平面図
であり、第２図は発光ダイオード１が用いられる光プリ
ンタヘッド２の平面図である。第２図を参照して、電気
絶縁性材料から成る基板３の表面には、共通リード線４
が被着形成されている。共通リード線４はその上部に発
光ダイオード１が接合され、発光ダイオード１に電力を
印加して発光させるための一方の電極として作用する。
であり、第２図は発光ダイオード１が用いられる光プリ
ンタヘッド２の平面図である。第２図を参照して、電気
絶縁性材料から成る基板３の表面には、共通リード線４
が被着形成されている。共通リード線４はその上部に発
光ダイオード１が接合され、発光ダイオード１に電力を
印加して発光させるための一方の電極として作用する。
発光ダイオード１の配列に対して平行となるように、駆
動用の集積回路らが前記基板３上に設けられている。接
続リード線６は、基板３上に形成されている。接続リー
ド線６は、発光ダイオード１の個別電極７および前記集
積回路５の出力端子５ａにそれぞれボンティングワイヤ
８を介して接続され、集積回路５の入力端子５ｂはボン
ディングワイヤ９によって基板３上の個別駆動リード線
１０に接続される。個別駆動リード線１０は、可撓性回
路配線基板］１に設けられた多数のプリント配線１２に
接続される。
動用の集積回路らが前記基板３上に設けられている。接
続リード線６は、基板３上に形成されている。接続リー
ド線６は、発光ダイオード１の個別電極７および前記集
積回路５の出力端子５ａにそれぞれボンティングワイヤ
８を介して接続され、集積回路５の入力端子５ｂはボン
ディングワイヤ９によって基板３上の個別駆動リード線
１０に接続される。個別駆動リード線１０は、可撓性回
路配線基板］１に設けられた多数のプリント配線１２に
接続される。
第３図は発光ダイオードの構成および動作を説明するた
めの図てあり、第３図（１）には、第１図の切断面線■
−■から見た断面が示されている。
めの図てあり、第３図（１）には、第１図の切断面線■
−■から見た断面が示されている。
発光タイオート１はＧ ａ、 Ａ ｓ （ガリウムーヒ
素）から成るｒｉ型の第１半導体層１５上にＡ ｓ Ｈ
ｓ （アルシン）とＰＨ３（ホス■・ン）とＱ ａ（ガ
リウム）とを適量に含むガスを接触させてその表面にＧ
ａ Ａ ｓ Ｐ （ガリウムーヒ素−リン）から成る
ｎ型の第２半導体層１６を成長させ、次にこの第２半導
体層１６の表面にｓ ｉ、 ｓＮ ４ （窒化シリコン
〉またはＳｉＯ２（酸化シリコン）がら成るドーピング
用のマスク層１−７を形成する。このマスク層］７には
ドーピングを行うための複数の開口１８がホトエンチン
グの手法によって形成される。この後に前記開口１８に
Ｚｒ＋（亜鉛）のガスをさらし、ｒｌ型の半導体層１６
の一部にＺ ｒｒを拡散させてｐ型の半導体層１つを形
成する。この１：〉型の半導体層１つと前記第２のｒｌ
型半導体層１６とによってｌ：Ｉ ｒｌ接６が実現され
る。
素）から成るｒｉ型の第１半導体層１５上にＡ ｓ Ｈ
ｓ （アルシン）とＰＨ３（ホス■・ン）とＱ ａ（ガ
リウム）とを適量に含むガスを接触させてその表面にＧ
ａ Ａ ｓ Ｐ （ガリウムーヒ素−リン）から成る
ｎ型の第２半導体層１６を成長させ、次にこの第２半導
体層１６の表面にｓ ｉ、 ｓＮ ４ （窒化シリコン
〉またはＳｉＯ２（酸化シリコン）がら成るドーピング
用のマスク層１−７を形成する。このマスク層］７には
ドーピングを行うための複数の開口１８がホトエンチン
グの手法によって形成される。この後に前記開口１８に
Ｚｒ＋（亜鉛）のガスをさらし、ｒｌ型の半導体層１６
の一部にＺ ｒｒを拡散させてｐ型の半導体層１つを形
成する。この１：〉型の半導体層１つと前記第２のｒｌ
型半導体層１６とによってｌ：Ｉ ｒｌ接６が実現され
る。
前記１〕型の半導体層］っは、マスク層１７の複数の開
口］。８を介してドーピングされて形成されるために、
たとえばマスク層１７の各開口１８間に形成される複数
の帯状部１．７ ａによって被覆された部分における）
：ｐ型の半導体層１９の厚さｄ １ば、開口１８に対応
する部分の厚さｄ２よりも小さくなる。またｐ型の半導
体層１つの長手方向両側部（第３図（１）の左右方向両
端部〉付近では、マスク層１７に被覆されているなめに
その厚さ（１３は前記厚さｄ２よりも小さくなる。この
ような現象は、Ｆｌ型の半導体層１つを形成ずためにマ
スク層１７を介してＺ ｎをドーピングする際にＺ ｒ
ｒが開口１８に対応する部分のみならず帯状部１７ａな
どによって被覆されている部分にもまわり込んで拡散す
るためである。
口］。８を介してドーピングされて形成されるために、
たとえばマスク層１７の各開口１８間に形成される複数
の帯状部１．７ ａによって被覆された部分における）
：ｐ型の半導体層１９の厚さｄ １ば、開口１８に対応
する部分の厚さｄ２よりも小さくなる。またｐ型の半導
体層１つの長手方向両側部（第３図（１）の左右方向両
端部〉付近では、マスク層１７に被覆されているなめに
その厚さ（１３は前記厚さｄ２よりも小さくなる。この
ような現象は、Ｆｌ型の半導体層１つを形成ずためにマ
スク層１７を介してＺ ｎをドーピングする際にＺ ｒ
ｒが開口１８に対応する部分のみならず帯状部１７ａな
どによって被覆されている部分にもまわり込んで拡散す
るためである。
二のようにして形成されたｌ二１型の半導体層１９の一
方端（第３図（１）の左方側端部）の部分には、前記個
別電極７が接続され、ｒ１型の第１半導体層１５側には
前記共通リード線４が接続される。
方端（第３図（１）の左方側端部）の部分には、前記個
別電極７が接続され、ｒ１型の第１半導体層１５側には
前記共通リード線４が接続される。
このような個別電極７および共通リード線４間に電圧を
印加すると、個別電極７からＰｌ型半導体層９、第２の
ｒｌ型の半導体Ｎｌ １６および第１のｒｌ型半導体層
１．５を介して共通り−Ｉ・線４に駆動電流が流れる。
印加すると、個別電極７からＰｌ型半導体層９、第２の
ｒｌ型の半導体Ｎｌ １６および第１のｒｌ型半導体層
１．５を介して共通り−Ｉ・線４に駆動電流が流れる。
第３図（２）には、同図（１）に示される断面における
駆動電流の電流密度分布が示されている。
駆動電流の電流密度分布が示されている。
同図（］）における矢符は駆動電流の流れを示している
。第３［ｆｆ１（２）から明らかなように、各半導体層
１．５，１６．１９を流れる駆動電流は個別電極７から
遠去かるにつれて小さくなる。
。第３［ｆｆ１（２）から明らかなように、各半導体層
１．５，１６．１９を流れる駆動電流は個別電極７から
遠去かるにつれて小さくなる。
このような電流密度分布によって得られる発光強度分布
は、第３図（３）に示されている。同図（３）に示され
るように、前記マスク層１−７（の帯状部１．７ ａに
対応する部分における発光強度には、それぞれビークＰ
Ｉ−，Ｐ２．Ｐ３か現われ、マスク層１７の他方側部］
７（に対応する部分にもビークＰ４が現われる。これは
、前述した帯状部１．７ ａおよび他側部１７ｃに被覆
されたｐ型の半導体層１つの層厚ｃｌ １か他の部分の
層厚ｄ ２よりも小さくなっているためである。
は、第３図（３）に示されている。同図（３）に示され
るように、前記マスク層１−７（の帯状部１．７ ａに
対応する部分における発光強度には、それぞれビークＰ
Ｉ−，Ｐ２．Ｐ３か現われ、マスク層１７の他方側部］
７（に対応する部分にもビークＰ４が現われる。これは
、前述した帯状部１．７ ａおよび他側部１７ｃに被覆
されたｐ型の半導体層１つの層厚ｃｌ １か他の部分の
層厚ｄ ２よりも小さくなっているためである。
すなわち、ｐ型の半導体層］−９とｒｌ型の半導体層１
６とのｐ ｎ接き面において発生した光は、ｐ型の半導
体層１つにおいて一部が吸収され、残りの光が外部に放
出される。ト）型の半導体層１つにおいて帯状部１７ε
ｔなどによって被覆されている部分はその層厚ｃｌ ］
か他の部分の層厚（１２に比Ｉ＼て小さいために、前述
した光の吸収量か比較的小さく抑制される。したがって
、外部に放射される発光量はこれら帯状部１７ ＝ｔて
被覆された部分グ）方が大きくなり、発光強度分布にお
いて前述したようなと−クＰ１〜Ｐ４が現われることに
なる。
６とのｐ ｎ接き面において発生した光は、ｐ型の半導
体層１つにおいて一部が吸収され、残りの光が外部に放
出される。ト）型の半導体層１つにおいて帯状部１７ε
ｔなどによって被覆されている部分はその層厚ｃｌ ］
か他の部分の層厚（１２に比Ｉ＼て小さいために、前述
した光の吸収量か比較的小さく抑制される。したがって
、外部に放射される発光量はこれら帯状部１７ ＝ｔて
被覆された部分グ）方が大きくなり、発光強度分布にお
いて前述したようなと−クＰ１〜Ｐ４が現われることに
なる。
このようにマスク層１７に対して複数の開口１８を設け
ることによって、その発光領域３０における発光強度を
全体的に大きくすることができる。
ることによって、その発光領域３０における発光強度を
全体的に大きくすることができる。
また、従来の技術ては、Ｐ形の半導体層１つの層厚はマ
スク層］、７の他方側部１７ｃによって覆われている部
分のみが薄くなっており、したがって発光強度分布にお
いてはビークＰ４のみが現われることになり、このため
発光領域における発光強度分布のむらが生じていたけれ
ども、本実施例では帯状部１．７ ａが複数個設けられ
るような構成としたので、発光領域３０における発光強
度分布の不均一さを小さくすることができ、このような
発光タイオード］を光フ゛リンタヘッドに用いることに
よ−）でその画像品質の劣化を防止することがてきる。
スク層］、７の他方側部１７ｃによって覆われている部
分のみが薄くなっており、したがって発光強度分布にお
いてはビークＰ４のみが現われることになり、このため
発光領域における発光強度分布のむらが生じていたけれ
ども、本実施例では帯状部１．７ ａが複数個設けられ
るような構成としたので、発光領域３０における発光強
度分布の不均一さを小さくすることができ、このような
発光タイオード］を光フ゛リンタヘッドに用いることに
よ−）でその画像品質の劣化を防止することがてきる。
なお、前述したマスク層１７は、たとえばイヒ学気相（
ＣＶ Ｄ）なとによって形成し、その層厚はたとえば２
０００人程度に選はれる。
ＣＶ Ｄ）なとによって形成し、その層厚はたとえば２
０００人程度に選はれる。
第４図は、本発明の池の実施例の発光タイオード１ａの
平面図である。本実施例は、前述した第１の実施例と類
似しており、対応する部分には同一の参照符を付す。本
実施例の発光ダイオード１ａにおいては、マスク層１７
に複数の開口１８εｔが形成され、この開口１８２１に
よ−）て発光領域２０の長手方向に平行な帯状部２１お
よび長手方向と直交する複数の帯状部２２か設けられる
。
平面図である。本実施例は、前述した第１の実施例と類
似しており、対応する部分には同一の参照符を付す。本
実施例の発光ダイオード１ａにおいては、マスク層１７
に複数の開口１８εｔが形成され、この開口１８２１に
よ−）て発光領域２０の長手方向に平行な帯状部２１お
よび長手方向と直交する複数の帯状部２２か設けられる
。
第５図は、本実施例の発光ダイオード１． ＝ｉの構成
および動作を説明するための図てあり、同図（〕）には
第４図の切断面線ＩＶ−ＩＶから見た断面図が示されて
いる。第５図（１）に示されるように、発光領域２０に
対応するト）型の半導体層１つにおいては、前記マスク
層１７の帯状部２１に被覆されている部分のＭ厚Ｄ３が
他の部分Ｄ４よりも小さくなっている。したがって、こ
の部分に才〕ける発光強度分布には、ピークＰ５か現わ
れる（第５図（２）参照）。このように本実施例におい
ても発光領域２０における前記帯状部２１および１行帯
状部２２によって被覆されている部分の発光強度を高め
ることができ、かつ発光領域２０における発光強度分布
の均一化に寄与することができる。
および動作を説明するための図てあり、同図（〕）には
第４図の切断面線ＩＶ−ＩＶから見た断面図が示されて
いる。第５図（１）に示されるように、発光領域２０に
対応するト）型の半導体層１つにおいては、前記マスク
層１７の帯状部２１に被覆されている部分のＭ厚Ｄ３が
他の部分Ｄ４よりも小さくなっている。したがって、こ
の部分に才〕ける発光強度分布には、ピークＰ５か現わ
れる（第５図（２）参照）。このように本実施例におい
ても発光領域２０における前記帯状部２１および１行帯
状部２２によって被覆されている部分の発光強度を高め
ることができ、かつ発光領域２０における発光強度分布
の均一化に寄与することができる。
なお、前述した２つの実施例では、マスク層１７に複数
個の開口１８．１８ε１を形成するようにしたけれども
、たとえは周縁部か屈曲した１つの開口を形成するよう
にしてもよい。
個の開口１８．１８ε１を形成するようにしたけれども
、たとえは周縁部か屈曲した１つの開口を形成するよう
にしてもよい。
発明の効果
以上のように本発明に従えは、第１半導体層の表面に形
成される膜に、複数の開口または周縁部が屈曲した形状
を有する開口を形成するようにしたのて、この開口に周
縁で膜に被覆されている第２半導体層の部分における発
光輝度が大きくなる。
成される膜に、複数の開口または周縁部が屈曲した形状
を有する開口を形成するようにしたのて、この開口に周
縁で膜に被覆されている第２半導体層の部分における発
光輝度が大きくなる。
二のため全体としての発光輝度のばら−）きを少なくす
ることかてきるとともに、全体の発光強度を向上するこ
とができる。またこのような発光ダイオードをたとえは
光プリンタノ＼ツドとして用いる場訃には、発光強度の
ばらつきを小さくすることがてきるので、その画像品質
の劣化を防止することがてきる。
ることかてきるとともに、全体の発光強度を向上するこ
とができる。またこのような発光ダイオードをたとえは
光プリンタノ＼ツドとして用いる場訃には、発光強度の
ばらつきを小さくすることがてきるので、その画像品質
の劣化を防止することがてきる。
第１図は本発明の一実施伝の発光ダイオ−１で↑の平面
図、第２図は本発明の一実施例の発光ダイオード〕が用
いられる光プリンタヘッド２の一部の構成を示す平面図
、第３図は発光タイオート１の構成および動作を説明す
るだめの図、第４図は本発明の他の実施例の発光ダイオ
ード１２Ｌの平面図、第５図は発光ダイオード１２１の
構成および動作を説明するだめの図である。 １ ］、＝ｔ”’発光ダイオード、１５．１．６−ｒ
ｌ型半導体層、１７・・マスク層、１７２ｔ・・・帯状
部、１８・・開口、１．９−１：ｌ型半導体層代理人
弁理士 画数 圭一部 ｈ ｑフ Ｕ） −吠硯〈 紀梨漸バ
図、第２図は本発明の一実施例の発光ダイオード〕が用
いられる光プリンタヘッド２の一部の構成を示す平面図
、第３図は発光タイオート１の構成および動作を説明す
るだめの図、第４図は本発明の他の実施例の発光ダイオ
ード１２Ｌの平面図、第５図は発光ダイオード１２１の
構成および動作を説明するだめの図である。 １ ］、＝ｔ”’発光ダイオード、１５．１．６−ｒ
ｌ型半導体層、１７・・マスク層、１７２ｔ・・・帯状
部、１８・・開口、１．９−１：ｌ型半導体層代理人
弁理士 画数 圭一部 ｈ ｑフ Ｕ） −吠硯〈 紀梨漸バ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一方導電形式の第１半導体層の表面に電気絶縁性を有し
、かつ透光性を有する膜を形成し、この膜は複数の開口
または周縁部が屈曲した形状を有する開口を形成し、 第１半導体層の前記開口に露出している部分とその開口
の周縁で前記膜に被覆されている部分とに亘って他方導
電形式の第２半導体層を形成し、第１半導体層に一方電
極を設けるとともに、第２半導体層に他方電極を設ける
ようにしたことを特徴とする発光ダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63335132A JPH02178980A (ja) | 1988-12-28 | 1988-12-28 | 発光ダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63335132A JPH02178980A (ja) | 1988-12-28 | 1988-12-28 | 発光ダイオード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02178980A true JPH02178980A (ja) | 1990-07-11 |
Family
ID=18285126
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63335132A Pending JPH02178980A (ja) | 1988-12-28 | 1988-12-28 | 発光ダイオード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02178980A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6161479A (ja) * | 1984-09-01 | 1986-03-29 | Oki Electric Ind Co Ltd | 発光素子の製造方法 |
| JPS62149178A (ja) * | 1985-10-15 | 1987-07-03 | Sanyo Electric Co Ltd | 光プリンタ用発光ダイオ−ド |
-
1988
- 1988-12-28 JP JP63335132A patent/JPH02178980A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6161479A (ja) * | 1984-09-01 | 1986-03-29 | Oki Electric Ind Co Ltd | 発光素子の製造方法 |
| JPS62149178A (ja) * | 1985-10-15 | 1987-07-03 | Sanyo Electric Co Ltd | 光プリンタ用発光ダイオ−ド |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3505374B2 (ja) | 発光部品 | |
| US6329676B1 (en) | Flat panel solid state light source | |
| US7285801B2 (en) | LED with series-connected monolithically integrated mesas | |
| JPH1140854A (ja) | 半導体発光素子 | |
| KR20090043058A (ko) | 발광 다이오드 패키지 | |
| US6335545B1 (en) | Light emitting diode element | |
| JP3706458B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| CN113257971B (zh) | 一种红光mini-LED芯片的制作方法 | |
| JP3453238B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子及びその製造方法 | |
| JP2004311677A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JPH1187773A (ja) | 発光素子 | |
| US8134172B2 (en) | LED and fabrication method thereof | |
| CN117174806B (zh) | 一种红光Mini LED外延结构、芯片及其制作方法 | |
| KR100495004B1 (ko) | 발광다이오드 및 그 제조방법 | |
| JP2655943B2 (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
| JPH02178980A (ja) | 発光ダイオード | |
| JPS58213491A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JP4978825B2 (ja) | ツェナーダイオードの製造方法 | |
| KR100329054B1 (ko) | 반도체발광소자및그의제조방법 | |
| JP2002016282A (ja) | 窒化物半導体素子 | |
| JP2006148059A (ja) | アレイ型発光ダイオード | |
| JPH05267715A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JP2002009337A (ja) | 窒化物半導体素子 | |
| JP3638413B2 (ja) | 半導体発光装置とその製造方法 | |
| KR20060038756A (ko) | 발광 다이오드 및 그 제조방법 |