JPH02178990A - プリント回路製造用の基板材料調整剤 - Google Patents
プリント回路製造用の基板材料調整剤Info
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- JPH02178990A JPH02178990A JP27635788A JP27635788A JPH02178990A JP H02178990 A JPH02178990 A JP H02178990A JP 27635788 A JP27635788 A JP 27635788A JP 27635788 A JP27635788 A JP 27635788A JP H02178990 A JPH02178990 A JP H02178990A
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Landscapes
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、へ〇r/不含のパラジウム塩及びアミノピリ
ジンを官有するアルカリ性溶8i:、を〜プリント回路
製造用の基板材料の調整剤として使用することに関する
。
ジンを官有するアルカリ性溶8i:、を〜プリント回路
製造用の基板材料の調整剤として使用することに関する
。
導体板工業の分野での開発は、過去において、着るしく
飛躍し、これは、特に精密化煩向によシ促進された。こ
れは更に、両面導体板上に見られる回路の著るしい集密
化をもたらしたが、絶えず複雑化する多層回路では、そ
の表現(Au5aruok )が最も!要である。回路
導体軌条及び回路面は極めて狭く相互に印刷されていて
、ひしろ80〜150 amの幅のP3縁間隔で相互に
分けられているだけで必る。
飛躍し、これは、特に精密化煩向によシ促進された。こ
れは更に、両面導体板上に見られる回路の著るしい集密
化をもたらしたが、絶えず複雑化する多層回路では、そ
の表現(Au5aruok )が最も!要である。回路
導体軌条及び回路面は極めて狭く相互に印刷されていて
、ひしろ80〜150 amの幅のP3縁間隔で相互に
分けられているだけで必る。
これに反して、同じ開発時点で、基板材料は原則的に変
わっていない。これは相変ら′rN強のため及び耐焔性
の理由から充填材料が添加されているガラス繊維強化エ
ポキシド樹脂工p成っている。従って、慣用の操作法で
は、残留している狭い絶縁ノーを、化学的前処理及び金
属化のための、部分的に攻撃的な媒体の障害性の影!#
をまったく受けないように保つことは困難性が増大して
いる。従来の回路におけるこの間隔は、周辺作用を奸容
することができるような寸法にされていたので、このた
めに、高精密化され、空間節約性に実施される最新の回
路では、もはや使用される余地がない。作動面に影響す
るだけでなく、材料の内部に予測不可能に浸入作用する
溶液は、スルホール間のもしくはスルホールと回路面の
間の絶縁作用を低下させ、常に経費のかかる回路の全体
的な亀気的機能金脅かす。
わっていない。これは相変ら′rN強のため及び耐焔性
の理由から充填材料が添加されているガラス繊維強化エ
ポキシド樹脂工p成っている。従って、慣用の操作法で
は、残留している狭い絶縁ノーを、化学的前処理及び金
属化のための、部分的に攻撃的な媒体の障害性の影!#
をまったく受けないように保つことは困難性が増大して
いる。従来の回路におけるこの間隔は、周辺作用を奸容
することができるような寸法にされていたので、このた
めに、高精密化され、空間節約性に実施される最新の回
路では、もはや使用される余地がない。作動面に影響す
るだけでなく、材料の内部に予測不可能に浸入作用する
溶液は、スルホール間のもしくはスルホールと回路面の
間の絶縁作用を低下させ、常に経費のかかる回路の全体
的な亀気的機能金脅かす。
金属化のための阜備としての調整の分野で活性化剤は中
心的役割をにたしている。これにより、金属化すべきス
ルーホールの絶縁表面にり1続く化学的金属化の芽晶点
(Keimpunkt )になるパラジウム金属が吸着
される。通例、この工程は、強塩酸酸性の塩化パラジウ
ム及び塩化錫(■〕の加えられた溶液(この溶液中では
酸化により錫は2価から4価になり還元によジパラゾウ
ム元素が生じる)中で進行する。
心的役割をにたしている。これにより、金属化すべきス
ルーホールの絶縁表面にり1続く化学的金属化の芽晶点
(Keimpunkt )になるパラジウム金属が吸着
される。通例、この工程は、強塩酸酸性の塩化パラジウ
ム及び塩化錫(■〕の加えられた溶液(この溶液中では
酸化により錫は2価から4価になり還元によジパラゾウ
ム元素が生じる)中で進行する。
塩IRIR性媒体例えば主としてへ〇グ/宮有浴液から
重大な障害作用が生じ、これは、ウィッキング(wio
king ; Doahtbildung :灯心形1
.)もしくはリプレーティング(replat比g;
Rueck−V er kupf erung j後方
メツキ)として公知である。これは、塩酸及び他のハロ
ゲン化物にょ9、ガラス仕上げ面(Glas日ahli
cht )の各ブリッジがその生成と逆に再び破壊され
、ガラスと樹脂との間の結合が基板材料中で形成される
事実に帰因する。毛細管が生じ、その中tノ・ロダン含
有溶液がガラス繊維に沿って浸入し、これが、樹脂から
灯心状に突出する。同時に、金属内の深部で活性化が進
み、後方でも即ち処理面の後でも綱メツキが生じる。ガ
ラスNA維を有する型の高価な基板材料になる程この害
作用は大きくなるはずである。
重大な障害作用が生じ、これは、ウィッキング(wio
king ; Doahtbildung :灯心形1
.)もしくはリプレーティング(replat比g;
Rueck−V er kupf erung j後方
メツキ)として公知である。これは、塩酸及び他のハロ
ゲン化物にょ9、ガラス仕上げ面(Glas日ahli
cht )の各ブリッジがその生成と逆に再び破壊され
、ガラスと樹脂との間の結合が基板材料中で形成される
事実に帰因する。毛細管が生じ、その中tノ・ロダン含
有溶液がガラス繊維に沿って浸入し、これが、樹脂から
灯心状に突出する。同時に、金属内の深部で活性化が進
み、後方でも即ち処理面の後でも綱メツキが生じる。ガ
ラスNA維を有する型の高価な基板材料になる程この害
作用は大きくなるはずである。
もう1つの欠点は錫化合物からも生じる、即ち例えばガ
ラス上での遅滞性で使用される被覆を考慮することが必
要でおるような長い活性化時間では、切断された内層の
前面の銅に過剰に活性化される。その粘稠性に基づきそ
れ自体が表面に付着する加水分解性錫化合物によシ、こ
の領域は、特に多くのパラジウム芽晶で被われ、内部層
とスルーホールの金R被覆との堅固な結合′fr:阻止
する抑制層が生じる。これは、ノ)ンダの熱負荷による
分離(後の分離〕の原因になる。
ラス上での遅滞性で使用される被覆を考慮することが必
要でおるような長い活性化時間では、切断された内層の
前面の銅に過剰に活性化される。その粘稠性に基づきそ
れ自体が表面に付着する加水分解性錫化合物によシ、こ
の領域は、特に多くのパラジウム芽晶で被われ、内部層
とスルーホールの金R被覆との堅固な結合′fr:阻止
する抑制層が生じる。これは、ノ)ンダの熱負荷による
分離(後の分離〕の原因になる。
絶縁%−性を改良するためにエポキシド樹脂に、剛直/
7レキシゾル回路を得るためにA型性が増大しているよ
うなポリイミド製の中間ノー企挿入すると、酸性のハロ
ダン含有媒体中では、ポリイミドが低い一一領域では完
全に不活性で必るのC1まったく付着性を期待すること
はできない。
7レキシゾル回路を得るためにA型性が増大しているよ
うなポリイミド製の中間ノー企挿入すると、酸性のハロ
ダン含有媒体中では、ポリイミドが低い一一領域では完
全に不活性で必るのC1まったく付着性を期待すること
はできない。
Cの欠点は完全にさけるべきである。それというのも、
ガラス仕上げ面のエーテルブリッジが侵されない場合に
のみ、がラス/樹脂結合は完全に保持され、これによp
1導体板内に電気はならない。最後に、中間層材料とし
て息賛性が増大しているポリイミドも、同じ調整メカニ
ズムに関係させることができる。
ガラス仕上げ面のエーテルブリッジが侵されない場合に
のみ、がラス/樹脂結合は完全に保持され、これによp
1導体板内に電気はならない。最後に、中間層材料とし
て息賛性が増大しているポリイミドも、同じ調整メカニ
ズムに関係させることができる。
本発BJ8Jは、ハロゲン化物全使用せずに、アルカリ
媒体中にパラジウムを含有し、銅塊外のすべての基板材
料に対する優れた吸着力を有する(6〕 安定な調整剤?提供することを課題としている。
媒体中にパラジウムを含有し、銅塊外のすべての基板材
料に対する優れた吸着力を有する(6〕 安定な調整剤?提供することを課題としている。
この課題は、eV請求項に記載のようなハロダン不含の
パラジウム塩及び2−アミノビリゾ/を含有するアルカ
リ性溶液の使用により解決される。
パラジウム塩及び2−アミノビリゾ/を含有するアルカ
リ性溶液の使用により解決される。
有オUな笑施形は請求項2〜8項に記載さ扛ている。
本発明により使用される調整剤は、アルカリ性媒体中で
、金Ij74金意想外に顕著に錯体化し、銅金属以外の
ガラスを包含する穿孔基板材料に対する殆んど特異的な
吸着力を利用するパラジウムに対する錯形成剤を含有す
る。
、金Ij74金意想外に顕著に錯体化し、銅金属以外の
ガラスを包含する穿孔基板材料に対する殆んど特異的な
吸着力を利用するパラジウムに対する錯形成剤を含有す
る。
従って、この調整剤は、基板材料殊に、スルーホールの
前処理のための特有の方法で、貫通接触及びプリント回
路用導体板の形成の目的にとって極めて好適で8る。
前処理のための特有の方法で、貫通接触及びプリント回
路用導体板の形成の目的にとって極めて好適で8る。
吸N9.錯体は、その施与の後に、還元により、有利に
、ジメチルアミノボラン又はホウ水素化ナトリウムを主
体とする還元剤の使用により、分解される。
、ジメチルアミノボラン又はホウ水素化ナトリウムを主
体とする還元剤の使用により、分解される。
この場合、この錯体は、水溶性成分中で分解し、パラジ
ウム金M粒子がほぼ原子寸法で残る。
ウム金M粒子がほぼ原子寸法で残る。
従って、前記糧類のいわゆる過活性化は排除されている
。意外にも、網上の吸着は排除されており、銅は、随伴
成分を付着しない。それというのも、これらは、水溶性
成分として容易に洗浄除去されるからである。
。意外にも、網上の吸着は排除されており、銅は、随伴
成分を付着しない。それというのも、これらは、水溶性
成分として容易に洗浄除去されるからである。
本発明によシ使用される調整剤は、従って、慣用の操作
法の使用の際に受けるべきナベでの欠点を克服する。塩
酸の不在に基づき、その使用は危険がなく、腐蝕作用合
せず、その分析的観察は、パラジウム測定のみに限られ
る。
法の使用の際に受けるべきナベでの欠点を克服する。塩
酸の不在に基づき、その使用は危険がなく、腐蝕作用合
せず、その分析的観察は、パラジウム測定のみに限られ
る。
近い将来の計画は、導体板を、連続的に種々異なる処理
溶液が高速で流出する噴出ノズルの上を水平に案内する
仕上げう・イン金企図している。電気との必然的な緊密
な接触は、酸化に敏感な活性化剤(その錫−2−化合物
は連続的に、酸化されて4価の錫の化合物にされ、従っ
て無効になる)の使用を禁じている。
溶液が高速で流出する噴出ノズルの上を水平に案内する
仕上げう・イン金企図している。電気との必然的な緊密
な接触は、酸化に敏感な活性化剤(その錫−2−化合物
は連続的に、酸化されて4価の錫の化合物にされ、従っ
て無効になる)の使用を禁じている。
これに反して、本発明により使用する調整剤は、全く酸
化に鈍感でめp1流山−又は噴射法での使用にとって一
様に最も好適である。
化に鈍感でめp1流山−又は噴射法での使用にとって一
様に最も好適である。
この基板材料のm整は、自体公知の方法で行なう。
板を浄化し、スルーホール中の樹脂汚染物を除去し、ア
ルカリ性又12酸性の処理溶液で洗浄し、次いでずすき
゛洗いをし、更に、所望の場合にはもう1回エツチング
浄化金行なう。
ルカリ性又12酸性の処理溶液で洗浄し、次いでずすき
゛洗いをし、更に、所望の場合にはもう1回エツチング
浄化金行なう。
次いで、本発明による調整を行なう。
本発明により使用すべき水溶液の基本組成は次のと29
でめる; ハログン不含の塩(例えば硫酸塩) の形のパラジウム 0.08〜0.21i/1
有/f′uに0.151171 2−アミノピリジン 1.5〜2−59/1有オ
Uに1.811/1 及び 水酸化アルカリ (例えば水酸化ナトリウム) 5〜10El/73この
溶液は付加的に少なくとも401/l有利に6011/
lのホウ酸を含有していてよい。
でめる; ハログン不含の塩(例えば硫酸塩) の形のパラジウム 0.08〜0.21i/1
有/f′uに0.151171 2−アミノピリジン 1.5〜2−59/1有オ
Uに1.811/1 及び 水酸化アルカリ (例えば水酸化ナトリウム) 5〜10El/73この
溶液は付加的に少なくとも401/l有利に6011/
lのホウ酸を含有していてよい。
声値ハ10〜13、WオIIK 10.5 C,ibル
。
。
還元剤としては、特に有利にジメチルアミノボラン及び
ホウ水素化ナトリウムを肌5〜2g/l特に1.0g/
lの濃度で使用することができる。
ホウ水素化ナトリウムを肌5〜2g/l特に1.0g/
lの濃度で使用することができる。
化学的及び′iLJ会により電気化学的輩属化のために
、このために公知の浴を公知方法で使用することができ
る。
、このために公知の浴を公知方法で使用することができ
る。
本発明によp装造されたプリント回路は一気工業で使用
される。
される。
次の例で本発明を説明する。
〔実施例J
まず常法で、多層回路の場合には、樹脂(ji!18−
物をスルーホールから除去する。引続き、両面導体板に
おけると同僚に次の操作順序全実施するニ ー慣用型の浴中での浄化に 4〜6分 40〜65℃
−すすぎ洗い 一慣用型の浴中での浄化に より酸性にする(pi−11) 4〜6分 25〜60℃ −すすぎ洗い 一慣用のエツチング浄化温 中での鋼表面の浄化のた めのエツチング浄化 1〜2分 室温 一活性化剤への異種イオン 1〜2分 室温の混入を
阻止し、−一値 を安定化するための予備 浸漬浴中への浸漬 一次の組成の本発明の 4〜6分 60〜40℃溶液
での調整: パラジウム 4重量% 96チ硫酸 36.6 1 及び 水 59.4 1からのパラジウ
ム原溶液 2.47.92−アミノピリジン
0.09&99.5 % ホfyH3
,OO,9 水 9
4.44.9この濃縮物2.3#(27)’に作業のた
め絶えず攪拌しながら、水7.61中の水酸化ナトリウ
ム60.Fの溶液中に導入し、引続き、更に水酸化ナト
リウム又は硫酸で−10,5に調節−すすぎ洗い 一活性化剤に適合させた 4〜6分 60°0次
の組成の還元剤での還元: ジメチルアミノボラン 11.0.?水
89.0gこの#紬吻10
&金、作業のために、攪拌しながら水9.Bl中の水酸
化ナトリウム5CINの浴液中に導入する(P1]値1
2) −10%の稀釈還元剤溶液中に浸漬 −最初に接続された銅層の形成のための慣用型の浴中で
の化学的銅メツキ このように調整された最小間隔190μmの2本のスル
ーホールeよ、材料型に相応する最大le3縁値106
MΩを有する。
物をスルーホールから除去する。引続き、両面導体板に
おけると同僚に次の操作順序全実施するニ ー慣用型の浴中での浄化に 4〜6分 40〜65℃
−すすぎ洗い 一慣用型の浴中での浄化に より酸性にする(pi−11) 4〜6分 25〜60℃ −すすぎ洗い 一慣用のエツチング浄化温 中での鋼表面の浄化のた めのエツチング浄化 1〜2分 室温 一活性化剤への異種イオン 1〜2分 室温の混入を
阻止し、−一値 を安定化するための予備 浸漬浴中への浸漬 一次の組成の本発明の 4〜6分 60〜40℃溶液
での調整: パラジウム 4重量% 96チ硫酸 36.6 1 及び 水 59.4 1からのパラジウ
ム原溶液 2.47.92−アミノピリジン
0.09&99.5 % ホfyH3
,OO,9 水 9
4.44.9この濃縮物2.3#(27)’に作業のた
め絶えず攪拌しながら、水7.61中の水酸化ナトリウ
ム60.Fの溶液中に導入し、引続き、更に水酸化ナト
リウム又は硫酸で−10,5に調節−すすぎ洗い 一活性化剤に適合させた 4〜6分 60°0次
の組成の還元剤での還元: ジメチルアミノボラン 11.0.?水
89.0gこの#紬吻10
&金、作業のために、攪拌しながら水9.Bl中の水酸
化ナトリウム5CINの浴液中に導入する(P1]値1
2) −10%の稀釈還元剤溶液中に浸漬 −最初に接続された銅層の形成のための慣用型の浴中で
の化学的銅メツキ このように調整された最小間隔190μmの2本のスル
ーホールeよ、材料型に相応する最大le3縁値106
MΩを有する。
(1υ
Claims (9)
- 1.ハロゲン不含のパラジウム塩及び2−アミノピリジ
ンを含有するアルカリ性溶液よりなることを特徴とする
、プリント回路製造用の基板材料調整剤。 - 2.硫酸パラジウム及び2−アミノピリジンを含有する
、請求項1記載の調整剤。 - 3.pH10〜13を有する、請求項1記載の調整剤。
- 4.付加的にホウ酸を含有する、請求項1記載の調整剤
。 - 5.パラジウム塩の形のパラジウム0.08〜0.2g
/l及び2−アミノピリジン1.5〜2.5g/lを含
有する、請求項1記載の調整剤。 - 6.スルーホールを調整の後に、ジメチルアミノボラン
又はホウ水素化ナトリウムのアルカリ溶液を主体とする
還元剤で処理し、次いで化学的にメッキするために使用
する、請求項1から5までのいずれか1項記載の調整剤
。 - 7.基板材料中のスルーホールを調整するための、請求
項1から6までのいずれか1項記載の調整剤。 - 8.請求項1から7までのいずれか1項記載の調整剤を
使用する、プリント回路の製法。 - 9.ハロゲン不含のパラジウム塩及び2−アミノピリジ
ンを含有するアルカリ性溶液で処理されたプリント回路
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27635788A JPH02178990A (ja) | 1988-11-02 | 1988-11-02 | プリント回路製造用の基板材料調整剤 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27635788A JPH02178990A (ja) | 1988-11-02 | 1988-11-02 | プリント回路製造用の基板材料調整剤 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02178990A true JPH02178990A (ja) | 1990-07-11 |
Family
ID=17568304
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27635788A Pending JPH02178990A (ja) | 1988-11-02 | 1988-11-02 | プリント回路製造用の基板材料調整剤 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02178990A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59116363A (ja) * | 1982-12-24 | 1984-07-05 | Hitachi Ltd | パラジウム活性化液 |
| JPS59170253A (ja) * | 1983-03-16 | 1984-09-26 | Hitachi Ltd | パラジウム活性化液 |
-
1988
- 1988-11-02 JP JP27635788A patent/JPH02178990A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59116363A (ja) * | 1982-12-24 | 1984-07-05 | Hitachi Ltd | パラジウム活性化液 |
| JPS59170253A (ja) * | 1983-03-16 | 1984-09-26 | Hitachi Ltd | パラジウム活性化液 |
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