JPH0434318B2 - - Google Patents
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- JPH0434318B2 JPH0434318B2 JP62143949A JP14394987A JPH0434318B2 JP H0434318 B2 JPH0434318 B2 JP H0434318B2 JP 62143949 A JP62143949 A JP 62143949A JP 14394987 A JP14394987 A JP 14394987A JP H0434318 B2 JPH0434318 B2 JP H0434318B2
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
- H05K3/381—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the substrate
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
- C23C18/20—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
- C23C18/22—Roughening, e.g. by etching
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/42—Plated through-holes or plated via connections
- H05K3/422—Plated through-holes or plated via connections characterised by electroless plating method; pretreatment therefor
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/07—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing
- H05K2203/0779—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing characterised by the specific liquids involved
- H05K2203/0786—Using an aqueous solution, e.g. for cleaning or during drilling of holes
- H05K2203/0796—Oxidant in aqueous solution, e.g. permanganate
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/12—Using specific substances
- H05K2203/122—Organic non-polymeric compounds, e.g. oil, wax or thiol
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- H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
- H05K3/0055—After-treatment, e.g. cleaning or desmearing of holes
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K3/382—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the metal
- H05K3/383—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the metal by microetching
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- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/42—Plated through-holes or plated via connections
- H05K3/425—Plated through-holes or plated via connections characterised by the sequence of steps for plating the through-holes or via connections in relation to the conductive pattern
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- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はプリント回路基板の製造工程に関す
る。
る。
［従来の技術］
多層プリント回路基板は広く知られており、こ
れらはエポキシガラス層積層板であるか、必要に
応じて銅回路層をさらに含む積層板から成るのが
普通である。
れらはエポキシガラス層積層板であるか、必要に
応じて銅回路層をさらに含む積層板から成るのが
普通である。
しばしばこの積層板は穿孔されるかまたは穴が
形成されて電気部品もしくは電子部品がこの基板
に固定できるようにされている。通常この基板の
片面もしくは両面を例えば無電解技術を用いて銅
めつきし、かつ穴の壁もまためつきするのが普通
であり、これにより“スループレート”ホールと
した知られるホールを有する基板ができる。
形成されて電気部品もしくは電子部品がこの基板
に固定できるようにされている。通常この基板の
片面もしくは両面を例えば無電解技術を用いて銅
めつきし、かつ穴の壁もまためつきするのが普通
であり、これにより“スループレート”ホールと
した知られるホールを有する基板ができる。
触媒を用いてその上に銅が析出される表面は前
処理するのが普通である。
処理するのが普通である。
公知触媒としては塩化スズ水溶液中のコロイド
性パラジウム懸濁液が挙げられる。表面の触媒活
性化処理に引き続いて、この基板をフツ化ホウ素
酸のような促進剤と接触させてからめつき処理に
かける。
性パラジウム懸濁液が挙げられる。表面の触媒活
性化処理に引き続いて、この基板をフツ化ホウ素
酸のような促進剤と接触させてからめつき処理に
かける。
触媒活性化工程に先だつて、この基板をコンデ
イシヨニング薬剤で処理する。一般にこのコンデ
イシヨニング薬剤中には四級アンモニウム湿潤剤
が含まれている。このコンデイシヨニング薬剤の
機能はプリント回路基板の穿孔ホールの表面に触
媒性パラジウム粒子が吸着し易くすることにあ
る。この段階における基板上の汚染物の量は充分
に低く、これによつて該コンデイシヨニング工程
や引き続く触媒活性化工程などが妨害されるよう
な水準であつてはならない。
イシヨニング薬剤で処理する。一般にこのコンデ
イシヨニング薬剤中には四級アンモニウム湿潤剤
が含まれている。このコンデイシヨニング薬剤の
機能はプリント回路基板の穿孔ホールの表面に触
媒性パラジウム粒子が吸着し易くすることにあ
る。この段階における基板上の汚染物の量は充分
に低く、これによつて該コンデイシヨニング工程
や引き続く触媒活性化工程などが妨害されるよう
な水準であつてはならない。
プリント回路基板、特に多層基板の製造に当た
つては、コンデイシヨニング工程に先だつてこれ
らの基板を例えばアルカリ性過マンガン酸酸カリ
ウムのような過マンガン酸塩沿中に浸漬して樹脂
性の汚れを除き、スループレートホール中の銅の
接着を改善するようにする。この処理によつてホ
ール壁中のエポキシガラス表面に二酸化マンガン
が沈着してくることが避けられないが、この沈着
は次の工程、特にホール壁のコンデイシヨニング
工程を妨害して触媒を受け入れ難くし、最終銅め
つき製品の被覆性を阻害する要因になる。過酸化
水素−硫酸混合物や亜硫酸混合物のように二酸化
マンガンを除去する還元剤は公知である。しかし
かかる溶液はコンデイシヨニング溶液と相容性が
悪い傾向があり、このために多層基板をコンデイ
シヨニングに先立つて２回濯ぐ必要が起こる。
つては、コンデイシヨニング工程に先だつてこれ
らの基板を例えばアルカリ性過マンガン酸酸カリ
ウムのような過マンガン酸塩沿中に浸漬して樹脂
性の汚れを除き、スループレートホール中の銅の
接着を改善するようにする。この処理によつてホ
ール壁中のエポキシガラス表面に二酸化マンガン
が沈着してくることが避けられないが、この沈着
は次の工程、特にホール壁のコンデイシヨニング
工程を妨害して触媒を受け入れ難くし、最終銅め
つき製品の被覆性を阻害する要因になる。過酸化
水素−硫酸混合物や亜硫酸混合物のように二酸化
マンガンを除去する還元剤は公知である。しかし
かかる溶液はコンデイシヨニング溶液と相容性が
悪い傾向があり、このために多層基板をコンデイ
シヨニングに先立つて２回濯ぐ必要が起こる。
EP出願第0137981号には、過マンガン酸塩処理
後に残留する二酸化マンガンの還元剤としての硫
酸ヒドロキシルアミンを開示しているが、ここで
はコンデイシヨナーの施工とは別個の工程で還元
剤を施す従来方法が適用されており、還元剤工程
とコンデイシヨニング工程間に濯ぎ工程を必要と
している。
後に残留する二酸化マンガンの還元剤としての硫
酸ヒドロキシルアミンを開示しているが、ここで
はコンデイシヨナーの施工とは別個の工程で還元
剤を施す従来方法が適用されており、還元剤工程
とコンデイシヨニング工程間に濯ぎ工程を必要と
している。
［発明が解決しようとする問題点］
本発明はコンデイシヨニング薬剤とはほとんど
千渉しないか僅かに干渉する程度の従来未知の物
性を有する還元剤の提供を目的とする。
千渉しないか僅かに干渉する程度の従来未知の物
性を有する還元剤の提供を目的とする。
［問題点を解決するための手段］
本発明の前記目的は、本発明の提案するヒドロ
キシルアミンおよびその塩類によつて達成され
る。
キシルアミンおよびその塩類によつて達成され
る。
本発明の還元剤は千渉の程度が極めて低いの
で、この還元剤をコンデイシヨニング薬剤と混合
しても使用ができるほどである。
で、この還元剤をコンデイシヨニング薬剤と混合
しても使用ができるほどである。
本発明の第１の提案によれば、プリント回路基
板用の積層板処理のための水性組成物が提供さ
れ、この組成物は正電荷を有する四級窒素原子を
有する湿潤剤と、該湿潤剤に相容する還元剤から
成つている。この還元剤はヒドロキシルアミンま
たは一種もしくは二種以上のその塩類であるのが
好ましいが、しかし修酸または一種もしくは二種
以上の修酸塩でも同様に有効である。ヒドラジン
または一種のその塩も還元剤として使用できる
が、環境的には好ましくない。
板用の積層板処理のための水性組成物が提供さ
れ、この組成物は正電荷を有する四級窒素原子を
有する湿潤剤と、該湿潤剤に相容する還元剤から
成つている。この還元剤はヒドロキシルアミンま
たは一種もしくは二種以上のその塩類であるのが
好ましいが、しかし修酸または一種もしくは二種
以上の修酸塩でも同様に有効である。ヒドラジン
または一種のその塩も還元剤として使用できる
が、環境的には好ましくない。
この意味でこの還元剤はときとして中和剤と呼
べれ、また湿潤済はコンデイシヨナーと呼称され
るので、、本発明の第１提案による組成物は中和
剤／コンデイシヨナーと呼べるかもしれない。
べれ、また湿潤済はコンデイシヨナーと呼称され
るので、、本発明の第１提案による組成物は中和
剤／コンデイシヨナーと呼べるかもしれない。
還元剤または還元剤の一つとしてのヒドロキシ
ルアミンは塩として存在するのが好ましい。硫酸
塩および例えば塩化水素酸のようなハロゲン化水
素酸塩が好ましい塩類である。同様に、ナトリウ
ムやカリウムのような周期律表第1a族金属の修
酸塩類は遊離の修酸より好ましい。作業用組成物
中に存在する成分の正確な物性および量目はその
pHに依存する。
ルアミンは塩として存在するのが好ましい。硫酸
塩および例えば塩化水素酸のようなハロゲン化水
素酸塩が好ましい塩類である。同様に、ナトリウ
ムやカリウムのような周期律表第1a族金属の修
酸塩類は遊離の修酸より好ましい。作業用組成物
中に存在する成分の正確な物性および量目はその
pHに依存する。
還元剤は二酸化マンガンおよび／または他の有
害なマンガン酸化物の全部またはほとんどを積層
体から還元・除去するのに有効な量、好ましくは
１〜100g／、さらに好ましくは10〜50g／、
最も好ましくは15〜30g／の量で存在させる。
害なマンガン酸化物の全部またはほとんどを積層
体から還元・除去するのに有効な量、好ましくは
１〜100g／、さらに好ましくは10〜50g／、
最も好ましくは15〜30g／の量で存在させる。
四級湿潤剤の目的は積層体表面を触媒に対して
受け入れ易くする為のものであり、銅の析出に対
する触媒活性を表面に付与させるのが目的であ
る。
受け入れ易くする為のものであり、銅の析出に対
する触媒活性を表面に付与させるのが目的であ
る。
この四級湿潤剤は一般式
〔式中、R1，R2，R3およびR4のそれぞれは独立
にC1〜C20アルキル基、C6もしくはC10アリール基
またはC7〜C30アリールアルキルもしくはアルキ
ルアリール基を示し、それぞれは任意に一つの基
−OR5、−NHR5R6（式中、R5およびR6のそれぞ
れは独立に水素原子またはC1〜C20アルキル基を
示す）により置換されていてもよく、さらにXn-
は酸性度ｎ（ｎは１〜４の整数、好ましくは１で
ある）の相溶性アニオンを示す〕 にて表わされる四級アンモニウム湿潤剤であるこ
とができる。
にC1〜C20アルキル基、C6もしくはC10アリール基
またはC7〜C30アリールアルキルもしくはアルキ
ルアリール基を示し、それぞれは任意に一つの基
−OR5、−NHR5R6（式中、R5およびR6のそれぞ
れは独立に水素原子またはC1〜C20アルキル基を
示す）により置換されていてもよく、さらにXn-
は酸性度ｎ（ｎは１〜４の整数、好ましくは１で
ある）の相溶性アニオンを示す〕 にて表わされる四級アンモニウム湿潤剤であるこ
とができる。
一般に、四級アンモニウムカチオン上への置換
基はこのカチオンがこの溶液中に充分に可溶性で
あるか、さもなければ相溶性になるように選択す
る。
基はこのカチオンがこの溶液中に充分に可溶性で
あるか、さもなければ相溶性になるように選択す
る。
R1，R2，R3およびR4の少なくとも二つはC1〜
C4アルキル基または置換アルキル基、特にメチ
ル、エチルまたはプロピル基を表わすのが好まし
い。しかしまた、R1，R2，R3およびR4の少なく
とも一つは上記のような置換されたもので、かつ
R5とR6の少なくとも一つはステアリルのような
C6〜C20のアルキル基を表わすのが好ましい。
C4アルキル基または置換アルキル基、特にメチ
ル、エチルまたはプロピル基を表わすのが好まし
い。しかしまた、R1，R2，R3およびR4の少なく
とも一つは上記のような置換されたもので、かつ
R5とR6の少なくとも一つはステアリルのような
C6〜C20のアルキル基を表わすのが好ましい。
好ましいカチオンには、ステアリルアミドプロ
ピルジメチル−２−ヒドロキシエチルアンモニウ
ムおよびオキシエチルアルキルアンモニウムが包
含される。ステアリルアミドプロピルジメチル−
２−ヒドロキシエチルアンモニウムりん酸塩はチ
バ−ガイギ−（Ciba−Geigy）社から商品名
「CYASTAT−SP」として市販されている。
ピルジメチル−２−ヒドロキシエチルアンモニウ
ムおよびオキシエチルアルキルアンモニウムが包
含される。ステアリルアミドプロピルジメチル−
２−ヒドロキシエチルアンモニウムりん酸塩はチ
バ−ガイギ−（Ciba−Geigy）社から商品名
「CYASTAT−SP」として市販されている。
カチオンはセチリピリジニウムのようなC1〜
C20アルキルピリジウム基であつてもよい。
C20アルキルピリジウム基であつてもよい。
アニオンもまた一般に、この溶液中に充分可溶
性であるか、さもなければ相容性であるように選
択する。このものは塩素イオン、臭素イオンのよ
うなハロゲンイオン、硝酸イオン、りん酸イオ
ン、硫酸イオン、酸性りん酸イオン、または二酸
性りん酸イオンであることができる。好ましいア
ニオンは硝酸イオンおよび二酸性りん酸イオンで
ある。
性であるか、さもなければ相容性であるように選
択する。このものは塩素イオン、臭素イオンのよ
うなハロゲンイオン、硝酸イオン、りん酸イオ
ン、硫酸イオン、酸性りん酸イオン、または二酸
性りん酸イオンであることができる。好ましいア
ニオンは硝酸イオンおよび二酸性りん酸イオンで
ある。
湿潤剤の量は0.1〜10g／、典型的には0.5〜
5g／、例えば１〜3g／である。
5g／、例えば１〜3g／である。
この水溶液はまた任意に錯化剤を含有してもよ
く、このものの機能は酸化物を除去して表面を清
浄にすることにある。錯化剤は一般にはアミンま
たはアミン誘導体である。好適な錯化剤には可溶
性アミン、アルカノールアミン（特にモノエタノ
ールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノー
ルアミンのようなC1〜C6アルカノールアミン）、
アミンカルボン酸、ヒドロキシカルボン酸、およ
びアミンりん酸が包含される。かかる錯化剤の使
用により改良された結果が得られるが、中でも可
溶性アミンカルボン酸が好ましい。テトラエチレ
ンペンタミンもまた使用できる。若し錯化剤を含
む組成物が室温以上で使用される際には錯化剤は
非揮発性のものでなければならない。
く、このものの機能は酸化物を除去して表面を清
浄にすることにある。錯化剤は一般にはアミンま
たはアミン誘導体である。好適な錯化剤には可溶
性アミン、アルカノールアミン（特にモノエタノ
ールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノー
ルアミンのようなC1〜C6アルカノールアミン）、
アミンカルボン酸、ヒドロキシカルボン酸、およ
びアミンりん酸が包含される。かかる錯化剤の使
用により改良された結果が得られるが、中でも可
溶性アミンカルボン酸が好ましい。テトラエチレ
ンペンタミンもまた使用できる。若し錯化剤を含
む組成物が室温以上で使用される際には錯化剤は
非揮発性のものでなければならない。
錯化剤の使用量は１〜50g／、典型的には５
〜30g／、例えば10〜20g／である。
〜30g／、例えば10〜20g／である。
この溶液の好ましい他の成分は非イオン性界面
活性剤である。相容性で、非イオン性界面活性剤
の好ましい例としては、例えば12モルのエチレン
オキシドが付加したポリオキシエチレンノニルフ
エノールエーテルのようなポリオキシエチレン直
鎖アルキルエーテルである。非イオン性界面活性
剤は一般に湿潤剤として作用し、一般に水ブレー
ク自由表面を提供する。
活性剤である。相容性で、非イオン性界面活性剤
の好ましい例としては、例えば12モルのエチレン
オキシドが付加したポリオキシエチレンノニルフ
エノールエーテルのようなポリオキシエチレン直
鎖アルキルエーテルである。非イオン性界面活性
剤は一般に湿潤剤として作用し、一般に水ブレー
ク自由表面を提供する。
非イオン性界面活性剤の使用量は、0.1〜20g／
、典型的には0.5〜5g／、例えば１〜3g／
である。
、典型的には0.5〜5g／、例えば１〜3g／
である。
組成物のpHは必ずしも限定的ではないが、１
〜14の範囲、好ましくは７以下の酸性条件下で好
ましい結果を与える。特に２〜４のpH範囲が好
ましい。
〜14の範囲、好ましくは７以下の酸性条件下で好
ましい結果を与える。特に２〜４のpH範囲が好
ましい。
本発明の第２の提案によれば、プリント回路基
用の積層板を処理する方法が提供され、積層板を
あらかじめ過マンガン酸塩で処理するものであつ
て、該方法は正に荷電した四級窒素原子を有する
湿潤剤および該湿潤剤に相容性の還元剤を含有す
る水性組成物と積層板とを接触させることから成
つている。
用の積層板を処理する方法が提供され、積層板を
あらかじめ過マンガン酸塩で処理するものであつ
て、該方法は正に荷電した四級窒素原子を有する
湿潤剤および該湿潤剤に相容性の還元剤を含有す
る水性組成物と積層板とを接触させることから成
つている。
積層板は一般に複数のエポキシガラス樹脂層か
ら成つており、接触方法は通常は浸漬により、場
合によつてはスプレー法も使用できる。
ら成つており、接触方法は通常は浸漬により、場
合によつてはスプレー法も使用できる。
湿潤剤／還元剤溶液の接触時間は15秒ないし30
分、典型的には30秒ないし15分、例えば１〜10分
であるが、いかなる場合でもコンデイシヨナーと
して機能する四級アンモニウム湿潤剤に対する好
適接触時間が考慮されるのが普通である。本発明
の処理温度は、室温または室温以下（例えば５
℃）ないし80〜90℃であり、遊離のヒドロキシル
アミンを用いる場合にはヒドロキシルアミンが温
水中で分解するので高温側での操作には注意が必
要である。室温ないし75℃の範囲が適当である。
分、典型的には30秒ないし15分、例えば１〜10分
であるが、いかなる場合でもコンデイシヨナーと
して機能する四級アンモニウム湿潤剤に対する好
適接触時間が考慮されるのが普通である。本発明
の処理温度は、室温または室温以下（例えば５
℃）ないし80〜90℃であり、遊離のヒドロキシル
アミンを用いる場合にはヒドロキシルアミンが温
水中で分解するので高温側での操作には注意が必
要である。室温ないし75℃の範囲が適当である。
多層プリント回路基板の製造において、本発明
の方法によれば多層積層板の処理工程を短縮し単
純化できるので、従来ダブルサイド基板用だけに
用いられた装置を多層基板処理用にも転用するこ
とができる。その理由は次のようである。
の方法によれば多層積層板の処理工程を短縮し単
純化できるので、従来ダブルサイド基板用だけに
用いられた装置を多層基板処理用にも転用するこ
とができる。その理由は次のようである。
多層基板は通常エポキシガラスから作られた非
導電性層の間にサンドイツチされた銅層または銅
トラツクを内蔵している。かかる基板を穿孔する
とドリルビツトにより発生した摩擦熱がエポキシ
を溶融して内部の銅上に亘つてエポキシの汚れが
できる。そこで汚れ除去剤として過マンガン酸塩
が使用される。従来は穿孔された多層基板は次の
ように処理していた：過マンガン酸塩による脱−
汚れ処理−濯ぎ−濯ぎ−中和剤処理−濯ぎ−濯ぎ
−コンデイシヨナ−処理−濯ぎ−濯ぎ−エツチン
グ（外側銅層を無電解銅析出に対して接着性にす
る）−次工程。
導電性層の間にサンドイツチされた銅層または銅
トラツクを内蔵している。かかる基板を穿孔する
とドリルビツトにより発生した摩擦熱がエポキシ
を溶融して内部の銅上に亘つてエポキシの汚れが
できる。そこで汚れ除去剤として過マンガン酸塩
が使用される。従来は穿孔された多層基板は次の
ように処理していた：過マンガン酸塩による脱−
汚れ処理−濯ぎ−濯ぎ−中和剤処理−濯ぎ−濯ぎ
−コンデイシヨナ−処理−濯ぎ−濯ぎ−エツチン
グ（外側銅層を無電解銅析出に対して接着性にす
る）−次工程。
もつと単純なダブルサイド基板は同じ程度の汚
れ（銅層またはトラツクが内在しないので）の問
題はなく、穿孔したときには次のように簡単に処
理される：コンデイシヨナ−処理−濯ぎ−濯ぎ−
エツチング−次工程。エツチングを含めて僅かに
４工程が含まれるだけである。したがつて処理装
置はこれらの工程をカバーする四つのワーク・ス
テーシヨンが有ればこと足りる。
れ（銅層またはトラツクが内在しないので）の問
題はなく、穿孔したときには次のように簡単に処
理される：コンデイシヨナ−処理−濯ぎ−濯ぎ−
エツチング−次工程。エツチングを含めて僅かに
４工程が含まれるだけである。したがつて処理装
置はこれらの工程をカバーする四つのワーク・ス
テーシヨンが有ればこと足りる。
本発明の方法によれば、穿孔した多層基板の処
理に次のように僅か４工程を要するだけである：
過マンガン酸塩による脱−汚れ処理−中和剤／コ
ンデイシヨナ−処理−濯ぎ−エツチング；ここで
も四つのワーク・ステーシヨンが有ればこと足り
る。そこで、本発明の方法に従えば、単純なダブ
ル層プリント回路基板処理装置を僅かに手直しす
るだけで、もつと複雑な多層プリント回路基板の
製造用にも使用することができるようになる。
理に次のように僅か４工程を要するだけである：
過マンガン酸塩による脱−汚れ処理−中和剤／コ
ンデイシヨナ−処理−濯ぎ−エツチング；ここで
も四つのワーク・ステーシヨンが有ればこと足り
る。そこで、本発明の方法に従えば、単純なダブ
ル層プリント回路基板処理装置を僅かに手直しす
るだけで、もつと複雑な多層プリント回路基板の
製造用にも使用することができるようになる。
本発明の第３の提案によれば、プリント回路基
板用の穿孔した多層積層板に銅が析出し易くする
為の処理方法が提供され、該方法は(a)穿孔したホ
ールから汚れを除くために積層板を過マンガン酸
塩で処理し、(b)正に荷電した四級窒素原子を有す
る湿潤剤と該湿潤剤に相容性の還元剤とを含有す
る水性組成物と積層板とを接触させ、(c)積層板の
外側銅層を軽くエツチングして無電解銅めつきを
受け易い程度の接着性を付与し、(d)積層板を酸性
溶液と接触させ、(e)積層板を触媒析出用組成物と
接触させて積層板表面に触媒活性を付与してその
表面に銅が析出し易くし、かつ任意に(f)さらに積
層板を促進剤組成物と接触させる工程から成る。
板用の穿孔した多層積層板に銅が析出し易くする
為の処理方法が提供され、該方法は(a)穿孔したホ
ールから汚れを除くために積層板を過マンガン酸
塩で処理し、(b)正に荷電した四級窒素原子を有す
る湿潤剤と該湿潤剤に相容性の還元剤とを含有す
る水性組成物と積層板とを接触させ、(c)積層板の
外側銅層を軽くエツチングして無電解銅めつきを
受け易い程度の接着性を付与し、(d)積層板を酸性
溶液と接触させ、(e)積層板を触媒析出用組成物と
接触させて積層板表面に触媒活性を付与してその
表面に銅が析出し易くし、かつ任意に(f)さらに積
層板を促進剤組成物と接触させる工程から成る。
上記の方法は基本的方法として知られるプリン
ト回路基板製造方法の一つの変形である。積層板
が外側銅層を有しないときには、軽いエツチング
（または“マイクロエツチング”）工程(c)は省略さ
れる。
ト回路基板製造方法の一つの変形である。積層板
が外側銅層を有しないときには、軽いエツチング
（または“マイクロエツチング”）工程(c)は省略さ
れる。
工程(d)と(e)間を除いては各工程間に通常濯ぎ工
程が必要である（２回でない場合は１回）。しか
し本発明で可能になつたように工程(a)後に濯ぎ工
程がない場合には、工程(b)で用いる水性組成物に
は緩衝剤が含まれることが好ましい。還元剤を構
成しうる修酸塩はこの役割を果たすことができ
る。
程が必要である（２回でない場合は１回）。しか
し本発明で可能になつたように工程(a)後に濯ぎ工
程がない場合には、工程(b)で用いる水性組成物に
は緩衝剤が含まれることが好ましい。還元剤を構
成しうる修酸塩はこの役割を果たすことができ
る。
過マンガン酸塩はアルカリ性溶液、例えば過マ
ンガン酸カリウムや過マンガン酸ナトリウムのよ
うな過マンガン酸のアルカリ金属塩のアルカリ性
溶液として使用される。
ンガン酸カリウムや過マンガン酸ナトリウムのよ
うな過マンガン酸のアルカリ金属塩のアルカリ性
溶液として使用される。
促進剤はフツ化ホウ素酸が用いられる。
次の銅無電解めつきは還元剤としてホルムアル
デヒドを用いる通常のめつき組成物を用いて実施
できる。めつきした積層板は次いで常法により仕
上りプリント回路基板に加工される。
デヒドを用いる通常のめつき組成物を用いて実施
できる。めつきした積層板は次いで常法により仕
上りプリント回路基板に加工される。
［実施例］
次に実施例により本発明をさらに詳しくのべ
る。
る。
実施例 １
穿孔ホール付きの４層のエポキシガラスプリン
ト回路基板を50g／NaOHと45g／過マンガ
ン酸カリウムとを含む65℃溶液中に20分浸漬して
脱−汚れれ操作を行つた。濯いでから観察すると
ホール壁上に二酸化マンガンが存在するのが見ら
れた。さらにこの基板を1.35％モノエタノールア
ミン、0.3％のステアリルアミドジメチルヒドロ
キシエチルアンモニウムりん酸塩および0.06％ポ
リオキシエチレンノニルフエノールエーテル（エ
チレンオキシド12モル付加物）を含有するコンデ
イシヨニング薬剤溶液中に浸漬した；このコンデ
イシヨナーはさらに20g／のヒドロキシルアミ
ン塩酸塩を含有していた。65℃におけるこの浸漬
をさらに５分間続けた。ガス発生と二酸化マンガ
ンの消失が観察された。さらに観察するとホール
壁上の二酸化マンガンが消失しているのが解つ
た。この基板をさらに通常の順序に従つて触媒活
性化と促進化を行ない、次いで公知の無電解銅め
つき組成物で30分間めつきして２〜2.5ミクロ膜
厚の銅被膜を得た。バツクライトテストを用いて
ホールを観察したところ、ホール壁が無電解銅め
つきで完全に被覆されているのが解つた。
ト回路基板を50g／NaOHと45g／過マンガ
ン酸カリウムとを含む65℃溶液中に20分浸漬して
脱−汚れれ操作を行つた。濯いでから観察すると
ホール壁上に二酸化マンガンが存在するのが見ら
れた。さらにこの基板を1.35％モノエタノールア
ミン、0.3％のステアリルアミドジメチルヒドロ
キシエチルアンモニウムりん酸塩および0.06％ポ
リオキシエチレンノニルフエノールエーテル（エ
チレンオキシド12モル付加物）を含有するコンデ
イシヨニング薬剤溶液中に浸漬した；このコンデ
イシヨナーはさらに20g／のヒドロキシルアミ
ン塩酸塩を含有していた。65℃におけるこの浸漬
をさらに５分間続けた。ガス発生と二酸化マンガ
ンの消失が観察された。さらに観察するとホール
壁上の二酸化マンガンが消失しているのが解つ
た。この基板をさらに通常の順序に従つて触媒活
性化と促進化を行ない、次いで公知の無電解銅め
つき組成物で30分間めつきして２〜2.5ミクロ膜
厚の銅被膜を得た。バツクライトテストを用いて
ホールを観察したところ、ホール壁が無電解銅め
つきで完全に被覆されているのが解つた。
比較例 １
次の処方により中和剤溶液を調製した：
20g／ Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）
エチレンジアミン−Ｎ，N′，N′−三酢酸・
トリ−Na塩 6.6g／ ヒドロキシルアミン硫酸塩 ５ml／ 硫酸pH2.4（20℃） 次いで65℃に加熱した。
トリ−Na塩 6.6g／ ヒドロキシルアミン硫酸塩 ５ml／ 硫酸pH2.4（20℃） 次いで65℃に加熱した。
１mmホールを有する６層のエポキシガラスプリ
ント回路基板を次の溶液中に70℃、20分間、穿孔
汚れを除くために浸漬した： 40g／ 過マンガン酸カリウム 40g／ 水酸化ナトリウム 次いでこの基板を冷水で簡単に濯ぎ、中和剤溶
液中に３分間浸漬した。ガス発生が観察された。
ント回路基板を次の溶液中に70℃、20分間、穿孔
汚れを除くために浸漬した： 40g／ 過マンガン酸カリウム 40g／ 水酸化ナトリウム 次いでこの基板を冷水で簡単に濯ぎ、中和剤溶
液中に３分間浸漬した。ガス発生が観察された。
濯いだ後、基板の一部を切り取り顕微鏡でホー
ル壁上の二酸化マンガンの存在を観察したところ
二酸化マンガンに認められなかつた。残余の基板
を次のように処理した： (a) 20ml／硫酸を含む100g／過硫酸ナトリ
ウム溶液で２分間エツチング (b)濯ぎ (c) 200g／塩化ナトリウムと50ml／塩化水
素酸の溶液中に30分間浸漬 (d) 150mg／のパラジウムを含むパラジウム／
スズ溶液中に５分間浸漬 (e) 濯ぎ (f) フツ化ホウ素酸の10％溶液中に２分間浸漬 (g)濯ぎ (h) 公知の無電解めつき液中で15分間無電解めつ
きして平均膜厚0.7ミクロンのめつき膜を生成
させる。
ル壁上の二酸化マンガンの存在を観察したところ
二酸化マンガンに認められなかつた。残余の基板
を次のように処理した： (a) 20ml／硫酸を含む100g／過硫酸ナトリ
ウム溶液で２分間エツチング (b)濯ぎ (c) 200g／塩化ナトリウムと50ml／塩化水
素酸の溶液中に30分間浸漬 (d) 150mg／のパラジウムを含むパラジウム／
スズ溶液中に５分間浸漬 (e) 濯ぎ (f) フツ化ホウ素酸の10％溶液中に２分間浸漬 (g)濯ぎ (h) 公知の無電解めつき液中で15分間無電解めつ
きして平均膜厚0.7ミクロンのめつき膜を生成
させる。
再度この基板を切り取りバツクライトテストで
ホール下の無電解銅めつきの被覆状態が観察でき
るようにした。ホール壁中に存在するガラス繊維
上には銅めつきの析出が認められなかつた。
ホール下の無電解銅めつきの被覆状態が観察でき
るようにした。ホール壁中に存在するガラス繊維
上には銅めつきの析出が認められなかつた。
実施例 ３
中和剤溶液がさらに１ml／のステアリルアミ
ドプロピルジメチル−２−ジドロキシエチルアン
モニウム硝酸塩「Cyastat SN 50」（商品名、
Ciba−Geigy社）を含有する以外は実施例２と同
様に操作を行なつた。
ドプロピルジメチル−２−ジドロキシエチルアン
モニウム硝酸塩「Cyastat SN 50」（商品名、
Ciba−Geigy社）を含有する以外は実施例２と同
様に操作を行なつた。
中和剤での処理後、ホール壁上には二酸化マン
ガンは残留していなかつた。
ガンは残留していなかつた。
無電解めつきを15分間行なつて0.7ミクロンの
銅めつきを生成させた後、めつきしたホールを観
察したところガラス繊維が完全に析出銅で被覆さ
れているのが解つた。
銅めつきを生成させた後、めつきしたホールを観
察したところガラス繊維が完全に析出銅で被覆さ
れているのが解つた。
実施例 ４
実施例３の中和剤溶液を実施例２の操作に組み
入れて行なつたが、ここでは過マンガン酸塩から
成る汚れ取り溶液と中和溶液間には濯ぎ操拶を挿
入せず、したがつて中和剤は直接過マンガン酸イ
オンで汚染された。
入れて行なつたが、ここでは過マンガン酸塩から
成る汚れ取り溶液と中和溶液間には濯ぎ操拶を挿
入せず、したがつて中和剤は直接過マンガン酸イ
オンで汚染された。
過マンガン酸イオンの色相は速やかに中和剤に
よつて消失し、浸漬後の観察ではホール壁上には
二酸化マンガンは認められなかつた。
よつて消失し、浸漬後の観察ではホール壁上には
二酸化マンガンは認められなかつた。
さらに実施例２と同様に操作後のバツクライト
による観察では、ホール壁が無電解銅めつきで完
全に被覆されているのが解つた。
による観察では、ホール壁が無電解銅めつきで完
全に被覆されているのが解つた。
実施例 ５
次の組成の中和剤溶液を使用した以外は実施例
２の操作を繰り返した。
２の操作を繰り返した。
6.0g／ ヒドロキシルアミン硫酸塩
１ml ステアリルアミドプロピルジメチル−２−
ヒドロキシエチルアンモニウム硝酸塩（50％
溶液） pH＝3.8／20℃ この溶液中に浸漬後、ホール壁上の二酸化マン
ガンは存在しないことが観察された。
ヒドロキシエチルアンモニウム硝酸塩（50％
溶液） pH＝3.8／20℃ この溶液中に浸漬後、ホール壁上の二酸化マン
ガンは存在しないことが観察された。
0.6〜0.8ミクロン膜厚の無電解めつきを施した
後、ホール壁は無電解銅めつきで完全に被覆され
ているのが観察できた。
後、ホール壁は無電解銅めつきで完全に被覆され
ているのが観察できた。
実施例 ６
次の中和剤溶液を使用した以外は実施例２の操
作を繰り返した： 6.0g／ ヒドロキシルアミン硫酸塩 １ml／ オキシエチルアルキルアンモニウムり
ん酸塩（50％溶液） pH＝3.8／20℃ この溶液中に浸漬後、ホール壁上には二酸化マ
ンガンが存在しないことが観察された。0.6〜0.8
ミクロンの無電解銅めつきを施した後、ホールは
無電解銅めつきで完全に被覆されているのが観察
された。
作を繰り返した： 6.0g／ ヒドロキシルアミン硫酸塩 １ml／ オキシエチルアルキルアンモニウムり
ん酸塩（50％溶液） pH＝3.8／20℃ この溶液中に浸漬後、ホール壁上には二酸化マ
ンガンが存在しないことが観察された。0.6〜0.8
ミクロンの無電解銅めつきを施した後、ホールは
無電解銅めつきで完全に被覆されているのが観察
された。
比較例 ２
次の中和剤溶液を使用した以外は実施例２の操
作を繰り返した： 6.0g／ ヒドロキシルアミン硫酸塩 pH＝3.8／20℃ この溶液中に浸漬後、ホール壁上には二酸化マ
ンガンが存在しないことが観察された。0.6〜0.8
ミクロンの無電解銅めつきを施した後、ホール壁
上のエポキシ樹脂表面は無電解銅めつきで被覆さ
れていたが、露出しているガラス繊維の表面には
なんらの析出が見られなかつた。
作を繰り返した： 6.0g／ ヒドロキシルアミン硫酸塩 pH＝3.8／20℃ この溶液中に浸漬後、ホール壁上には二酸化マ
ンガンが存在しないことが観察された。0.6〜0.8
ミクロンの無電解銅めつきを施した後、ホール壁
上のエポキシ樹脂表面は無電解銅めつきで被覆さ
れていたが、露出しているガラス繊維の表面には
なんらの析出が見られなかつた。
実施例 ７
次の中和剤溶液を使用した以外は実施例２の操
作を繰り返した： 20g／ 修酸カリウム・１水和物 ６ml／ 硫酸 １ml／ ステアリルアミドプロピルジメチル−
２−ヒドロキシエチルアンモニウム硝酸塩（50
％溶液） pH＝2.5／20℃ 過マンガン酸塩溶液と中和剤溶液間には濯ぎ操
作を挿入せず、したがつて中和剤溶液は直接過マ
ンガン酸イオンで汚染された。
作を繰り返した： 20g／ 修酸カリウム・１水和物 ６ml／ 硫酸 １ml／ ステアリルアミドプロピルジメチル−
２−ヒドロキシエチルアンモニウム硝酸塩（50
％溶液） pH＝2.5／20℃ 過マンガン酸塩溶液と中和剤溶液間には濯ぎ操
作を挿入せず、したがつて中和剤溶液は直接過マ
ンガン酸イオンで汚染された。
過マンガン酸イオンの色相は中和剤で急速に破
壊され、浸漬後の観察によればホール上の二酸化
マンガンは存在しなかつた。
壊され、浸漬後の観察によればホール上の二酸化
マンガンは存在しなかつた。
実施例２と同様にさらに操作してバツクライト
を使用して観察したところ、ホール壁は無電解銅
めつきで完全に被覆されているのが観察された。
を使用して観察したところ、ホール壁は無電解銅
めつきで完全に被覆されているのが観察された。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ プリント回路基板用積層板処理の為の水性組
成物であつて、正に荷電した４級窒素原子を有す
る湿潤剤と、該湿潤剤と相容性の還元剤とからな
る組成物。 ２ 該還元剤が、 (i) ヒドロキシルアミンおよびその塩、 (ii) シユウ酸およびその塩、ならびに (ii) 上記(i)と(ii)の混合物 から成る群から選択されることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の組成物。 ３ 該還元剤がヒドロキシルアミン硫酸塩、ヒド
ロキシルアミンハロゲン化水素酸塩、シユウ酸ナ
トリウムおよびシユウ酸カリウムから成る群から
選択されることを特徴とする特許請求の範囲第１
項または第２項に記載の組成物。 ４ 該湿潤剤が次の一般式 （式中、R1，R2，R3およびR4のそれぞれは独立
にC1〜C20アルキル基、C6もしくはC10アリール基
またはC7〜C30アリールアルキルもしくはアルキ
ルアリール基を示し、それぞれは任意に一つの基
−OR5、−NHR5R6により置換されていてもよく、
R5およびR6のそれぞれは独立に水素原子または
C1〜C20アルキル基を示し、更にXn-は酸性度ｎ
の相溶性アニオンを示し、この時ｎは１〜４の整
数である。）にて表わされることを特徴とする特
許請求の範囲第１項、第２項および第３項のいず
れか一つに記載の組成物。 ５ 錯化剤をさらに含有することを特徴とする特
許請求の範囲第１項、第２項、第３項および第４
項のいずれか一つに記載の組成物。 ６ 錯化剤が、可溶性アミン、アルカノールアミ
ン、アミンカルボン酸、ヒドロキシカルボン酸、
アミンリン酸およびテトラエチレンペンタミンお
よびこれらの混合物から成る群から選択されるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第５項に記載の組
成物。 ７ 非イオン性界面活性剤を更に含有することを
特徴とする特許請求の範囲第１項第２項、第３
項、第４項、第５項および第６項のいずれか一つ
に記載の組成物。 ８ プリント回路基板用の穿孔多層積層板に銅が
折出し易くするための方法であつて、該方法が (a) 穿孔ホールの脱−汚れ処理の目的でこの積層
板を過マンガン酸塩で処理し、 (b) 正に荷電した四級窒素原子を有する湿潤剤お
よびこの湿潤剤に相容性の還元剤を含有する水
性組成物と該積層体とを接触させ、 (c) この積層体の最外銅層を必要に応じて軽くエ
ツチングしてその上に無電解銅めつきを施すの
に適する接着性を付与し、 (d) この積層板を酸性溶液と接触させ、 (e) 触媒析出用組成物とこの積層板とを接触させ
てこの積層板の表面に銅を析出させ易くするた
めの触媒活性を付与し、 (f) 更にこの積層体を促進剤組成物と任意に接触
させる工程 とから成る方法。 ９ この過マンガン酸塩が過マンガン酸塩のアル
カリ溶液であり、かつ促進剤組成物がフツ化ホウ
素酸であることを特徴とする特許請求の範囲第８
項に記載の方法。 １０ プリント回路基板用の積層板の処理の方法
であつて、該積層板は過マンガン酸塩で予め処理
され、該方法が正に荷電した四級窒素原子を有す
る湿潤剤と該湿潤剤と相容する還元剤を含んでな
る水性組成物と該基板とを接触させることを含
み、前記還元剤が以下のもの、 (i) ヒドロキシルアミン及びその塩、および (ii) シユウ酸及びその塩、および (iii) 上記(i)と(ii)の混合物、 から選ばれてなり、該接触工程が過マンガン酸処
理の後になされ、それらの間に中間工程を含まな
いことを特徴とする処理方法。 １１ 銅めつきを受けるプリント回路基板のため
の穿孔多層積層板を調製する方法であつて、該方
法が、 (a) 穿孔された穴の汚れを除去するために該積層
板を過マンガン酸処理し、その後中間処理なし
に、 (b) 正に荷電した四級窒素原子を有する湿潤剤と
該湿潤剤と相容する還元剤を含んでなる水性組
成物と該基板とを接触させ、該還元剤が以下の
もの、 (i) ヒドロキシルアミン及びその塩、および (ii) シユウ酸及びその塩、および (iii) 上記(i)と(ii)の混合物、 から選ばれてなり、 (c) 該積層板上に最外銅層がある時に、該銅層を
軽くエツチングしてその上に無電解銅めつきを
施すのに適する接着性を付与し、 (d) 該積層板を酸性溶液と接触させ、 (e) 触媒析出用組成物とこの積層板とを接触させ
てこの積層板の表面に銅を析出させ易くするた
めの触媒活性を付与する、 ことを含んで成る方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB8613960 | 1986-06-09 | ||
| GB868613960A GB8613960D0 (en) | 1986-06-09 | 1986-06-09 | Treating laminates |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6313394A JPS6313394A (ja) | 1988-01-20 |
| JPH0434318B2 true JPH0434318B2 (ja) | 1992-06-05 |
Family
ID=10599172
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62143949A Granted JPS6313394A (ja) | 1986-06-09 | 1987-06-09 | 積層板処理用水性組成物および方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4873122A (ja) |
| EP (1) | EP0249425A3 (ja) |
| JP (1) | JPS6313394A (ja) |
| AU (1) | AU580913B2 (ja) |
| GB (1) | GB8613960D0 (ja) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0713304B2 (ja) * | 1987-12-14 | 1995-02-15 | 日立化成工業株式会社 | 銅の表面処理法 |
| US5032427A (en) * | 1988-04-25 | 1991-07-16 | Macdermid, Incorporated | Process for preparation printed circuit through-holes for metallization |
| IT1232863B (it) * | 1989-06-27 | 1992-03-05 | Alfachimici Spa | Procedimento a ciclo ridotto per la fabbricazione di circuiti stampati, e composizione per la sua attuazione |
| US5213840A (en) * | 1990-05-01 | 1993-05-25 | Macdermid, Incorporated | Method for improving adhesion to polymide surfaces |
| US5753601A (en) * | 1991-01-25 | 1998-05-19 | Ashland Inc | Organic stripping composition |
| JP3004071B2 (ja) * | 1991-04-16 | 2000-01-31 | 日本特殊陶業株式会社 | 集積回路用パッケージ |
| US5229169A (en) * | 1992-01-21 | 1993-07-20 | General Electric Company | Adhesion of electroless coatings to resinous articles by treatment with permanganate |
| US5693599A (en) * | 1993-12-16 | 1997-12-02 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Flux washing agent |
| US5985040A (en) * | 1998-09-21 | 1999-11-16 | Electrochemicals Inc. | Permanganate desmear process for printed wiring boards |
| US6139762A (en) * | 1998-12-11 | 2000-10-31 | Shipley Company, L.L.C. | Methods for manufacture of electronic devices |
| US6454868B1 (en) | 2000-04-17 | 2002-09-24 | Electrochemicals Inc. | Permanganate desmear process for printed wiring boards |
| US20130084395A1 (en) * | 2011-09-29 | 2013-04-04 | Roshan V. Chapaneri | Treatment of Plastic Surfaces After Etching in Nitric Acid Containing Media |
| CN106269673A (zh) * | 2015-06-05 | 2017-01-04 | 大连崇达电路有限公司 | 印制线路板钻孔切片孔等加工中去除锰离子的方法 |
| CN105887053A (zh) * | 2016-05-06 | 2016-08-24 | 广东利尔化学有限公司 | 一种印制线路板化学镀铜前处理工艺 |
| JP6982383B2 (ja) * | 2016-08-10 | 2021-12-17 | 上村工業株式会社 | 還元処理と同時に用いられる無電解めっき用前処理液、およびプリント配線基板の製造方法 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3600330A (en) * | 1967-01-03 | 1971-08-17 | Photocircuits Division Of Koli | Metallization of insulating substrates |
| US3736170A (en) * | 1971-06-28 | 1973-05-29 | Ibm | Process for improved adhesion of electroless copper to a polyimide surface |
| US3930963A (en) * | 1971-07-29 | 1976-01-06 | Photocircuits Division Of Kollmorgen Corporation | Method for the production of radiant energy imaged printed circuit boards |
| CA1000453A (en) * | 1972-07-11 | 1976-11-30 | Francis J. Nuzzi | Process and composition for sensitizing articles for metallization |
| US4042729A (en) * | 1972-12-13 | 1977-08-16 | Kollmorgen Technologies Corporation | Process for the activation of resinous bodies for adherent metallization |
| US4054693A (en) * | 1974-11-07 | 1977-10-18 | Kollmorgen Technologies Corporation | Processes for the preparation of resinous bodies for adherent metallization comprising treatment with manganate/permanganate composition |
| US4073740A (en) * | 1975-06-18 | 1978-02-14 | Kollmorgen Technologies Corporation | Composition for the activation of resinous bodies for adherent metallization |
| US4425380A (en) * | 1982-11-19 | 1984-01-10 | Kollmorgen Technologies Corporation | Hole cleaning process for printed circuit boards using permanganate and caustic treating solutions |
| US4756930A (en) * | 1983-06-06 | 1988-07-12 | Macdermid, Incorporated | Process for preparing printed circuit board thru-holes |
| US4515829A (en) * | 1983-10-14 | 1985-05-07 | Shipley Company Inc. | Through-hole plating |
| US4634468A (en) * | 1984-05-07 | 1987-01-06 | Shipley Company Inc. | Catalytic metal of reduced particle size |
| US4668532A (en) * | 1984-09-04 | 1987-05-26 | Kollmorgen Technologies Corporation | System for selective metallization of electronic interconnection boards |
| DE3530617A1 (de) * | 1985-08-23 | 1987-02-26 | Schering Ag | Konditionierungsmittel fuer die behandlung von basismaterialien |
| US4751106A (en) * | 1986-09-25 | 1988-06-14 | Shipley Company Inc. | Metal plating process |
| US4775449A (en) * | 1986-12-29 | 1988-10-04 | General Electric Company | Treatment of a polyimide surface to improve the adhesion of metal deposited thereon |
-
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