JPH02180961A - 半導体基板の層間絶縁膜および／または表面保護膜用組成物ならびに半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は半導体基板の層間絶縁膜および／または表面保
護用組成物ならびに導体層間の層間絶縁膜および／また
は表面保護膜として好適なポリイミド系樹脂膜を用いた
多層配線構造の半導体装置に関する。

（従来の技術） 従来、ポリイミド系樹脂は、化学気相成長法等で形成し
た二酸化シリコン等の無機絶縁膜と比べて高平坦性を有
することから、多層配線構造を有する半導体の層間絶縁
膜および表面保護膜に広く用いられている。その使用方
法は次のようにして行なわれている。まずウエノ・−、
ガラス板、金属などの上に回路素子が形成され、その所
定部分が露出している半導体基板上に、ポリイミド系樹
脂の前駆体であるポリアミド酸の溶液を塗布し、熱処理
により、ポリアミド酸の一部または全部をイミド化する
。次にホトレジストを所望のノ（ターンに形成し、エツ
チング液に浸漬して不要部分を溶解除去し、ホトレジス
トを剥離する。一部イミド化してエツチングした場合に
は再度熱処理を行ない完全に硬化させる。従来のポリイ
ミド系樹脂を完全に硬化させるには２５０°Ｃ以上の温
度が必要である。

しかしながら、ａ−８ｉ（アモルファスシリコン）で形
成したイメージセンサ−または化合物半導体が内遺され
た半導体基板では、その使用電極材料と半導体素子間の
反応防止または半導体素子そのものの耐熱性等から９層
間絶縁膜および表面保護膜に使用する材料の形成処理温
度は約２５０℃以下とする必要があるため、従来のポリ
イミド樹脂膜が完全にイミド化しない２５０℃以下の熱
処理で使用されている。従って、眉間絶縁膜および表面
保護膜には未反応のポリアミド酸が残存し、導体層の腐
食等が発生し易く耐湿信頼性に劣る問題があった。

また２５０℃以下で完全に硬化できる方法としては、イ
ミド化が完結しているポリイミド、または一部イミド化
しているポリアミドイミドをＮ−メチルピロリドン、ｒ
−ブチルラクトン等の極性溶媒に溶解させた溶液を用い
る方法が、いずれの場合も硬化後にエツチングが不可能
であったり。

特殊なエツチング液またはエツチング工程を必要とする
ため実用的でない。

さらに半導体装置の眉間絶縁または表面保護被膜材料と
して、ポリイミド系樹脂を用いる場合半導体基板の下地
には酸化シリコン、窒化シリコン等が存在する。一般の
ポリイミド系樹脂はこれらの無機被膜との密着性が良く
ないので接着性を確保するためにはシラン系、金属の有
機キレート等のカップリング剤の使用が不可欠であり、
カップリング剤層を形成する工程が必要となりプロセス
が繁雑化するという問題がある。

（発明が解決しようとする課題） 本発明の目的は、前記従来技術の問題点を解決し、２５
０℃以下で完全に硬化でき、かつ湿式エツチング加工が
可能で、半導体基板の下地（無機膜）との接着性に優れ
たポリイミド系樹脂膜を生成する半導体基板の眉間絶縁
膜および／または表面保護膜用組成物ならびにこれを用
いた接着力及び耐腐食性を主とした耐湿信頼性に優れた
半導体装置を提供することにある。

（課題を解決するための手段） 本発明は、少なくとも（ａ）−量大 （式中、ｎは２〜１６の整数） で示される酸二無水物を含むテトラカルボン酸二無水物
、（ｂ）ジアミン、及び（ｃｌジアミノシロキサンを有
機極性溶媒中で反応させて得られるポリアミド酸シリコ
ン型中間体を含有してなる半導体基板の層間絶縁膜およ
び／または表面保護膜用組成物ならびにこのポリアミド
酸シリコン型中間体を脱水閉環して得られるポリイミド
系樹脂膜を半導体基板のＦ−間絶縁膜および／または表
面保護膜として用いてなる半導体装置に関する。

さらに本発明は上記のポリアミド酸シリコン型中間体が
ジアミンの一部としてジアミノアミド化合物を反応させ
て得られるポリアミド酸シリコン型中間体である半導体
装置の層間絶縁膜および／または表面保護膜用組成物な
らびにこのポリアミド酸シリコン型中間体を脱水閉環し
て得られるポリイミド系樹脂膜を半導体基板の層中絶縁
膜および／または表面保護膜として用いてなる半導体装
置に関する。

本発明に用いられる前記（ａｌ−量大で示されるテトラ
カルボン酸二無水物としては９例えばヘブタメチレンビ
ストリメリテートニ無水物、オクタメチレンビストリメ
リテートニ無水物、デカメチレンビストリメリテートニ
無水物などが挙げられ。

これらは２種以上を併用することもできる。これらの酸
二無水物は無水トリメリット酸モノクロライドと対応す
るジオールから合成することができる。

前記［ａｌ−量大で示される酸二無水物は単独で用いて
もよいが他の酸二無水物と併用してもよく。

他の酸二無水物としては９例えばピロメリット酸二無水
物、３１工４．４′−ジフェニルテトラカルボン酸二無
水物、　　３．ａ：４，４′−ベンゾフェノンテトラカ
ルホン酸二無水物、　　シクロペンタンテトラカルボン
酸二無水物、１，２，５．６−ナフタレンテトラカルボ
ン酸二無水物、２，３，６．７−ナフタレンテトラカル
ボン酸二無水物、２，３，５．６−ピリジンテトラカル
ボン酸二無水物、１，４，５．８−ナフタレンテトラカ
ルボン酸二無水物、３，４，９．１０−ペリレンテトラ
カルボン酸二無水物、４．４’−スルホニルシフタル酸
二無水物などが挙げられ、これらは２８以上併用して用
いることもできる。これらの他の酸二無水物は、全酸二
無水物量の５０モルチ未満の範凹で使用することが、ポ
リアミド酸の硬化温度（イミド化完結温度）の点から好
ましい。

本発明に用いられる（ｂｌジアミンとしては、４．４’
−ジアミノジフェニルエーテル、４．４’−ジアミノジ
フェニルメタン、４．４’−ジアミノジフェニルスルホ
ン、４．４’−ジアミノジフェニルサルファイド。

ベンジジン、メタフェニレンジアミン、パラフェニレン
ジアミン、１．５−ナフタレンジアミン、スローす７タ
レンジアミンなどが挙げられ、これらは２種以上を併用
することもできる。

本発明に用いられる（ｃ）ジアミノシロキサンとしては
２例えば−量大 （Ｒは２価の炭化水素基、Ｒ′は１価の炭化水素基を示
し、　Ｒ，Ｒ′は同一でも相違してもよ＜、ｎは１以上
の整数である） で示される化合物が用いられ９例えば ＣＨ３ＣＨ３ ＣＨ３ＣＨ３ ＣＨｓ　　　　Ｃル ＣａＨｓ　　　ＣｇＨｓ ＣＨ３ＣＨ３ などがあり、これらは１種又は２８１以上が用いられる
。

また必要に応じて次式で示されるジアミノアミド化合物
を、前記ジアミンの一部として用いるこ（式中、Ｙは５
ＯｚｔたはＣＯ、Ｘ　’ｒｉ　Ｏ、ＣＨ２、Ｓｏｚ　。

ＳまたはＣＯを意味し、かつ１個のアミノ基とＹ　−Ｍ
Ｈｚ基とは互いにオルト位に位置する。）これらの化合
物の具体例としては、４．４’−ジアミノジフェニルエ
ーテル−３−スルホンアミド。

亀４′−ジアミノジフェニルエーテル−４−スルホンア
ミド、３．４’−ジアミノジフェニルエーテル−３′−
スルホンアミド、３．３’−ジアミノジフェニルエーテ
ル−４−スルホンアミド、４．４’−ジアミノジフェニ
ルメタン−３−スルホンアミド、３．４’−ジアミノジ
フェニルメタン−４−スルホンアミド。

λ４’　−ジアミノジフェニルメタン−３′−スルホン
アミド、３．３’−ジアミノジフェニルメタン−４−ス
ルホンアミド、４．４’−ジアミノジフェニルスルホン
−３−スルホンアミド、３．４’−ジアミノジフェニル
スルホン−４−スルホンアミド、３．４’−ジアミノジ
フェニルスルホン−３′−スルホンアミド。

３．３′−ジアミノジフェニルスルホン−４−スルホン
アミド、４．４’−ジアミノジフェニルサルファイド−
３−スルホンアミド、亀４′−ジアミノジフェニルサル
ファイド−４−スルホンアミド、３．３’−ジアミノジ
フェニルサルファイド−４−スルホンアミド、３．４’
−ジアミノジフェニルサルファイド−３′−スルホンア
ミド、１．４−ジアミノベンゼン−２−スルホンアミド
、４．４’−ジアミノジフェニルエーテル−３−カルボ
ンアミド、３．４’−ジアミノジフェニルエーテル−４
−カルボンアミド、３゜４′−ジアミノジフェニルエー
テル−３′−カルボンアミド、３．３’−ジアミノジフ
ェニルエーテル−４カルボンアミド、４．４’−ジアミ
ノジフェニルメタン−３−カルボンアミド、３．４’−
ジアミノジフェニルメタン−４−カルボンアミド、λ４
′−ジアミノジフェニルメタン−３′−カルボンアミド
、３゜３′−ジアミノジフェニルメタン−４−カルボン
アミド、４．４’−ジアミノジフェニルスルホン−３＝
カルボンアミド、３．４’−ジアミノジフェニルスルホ
ン−４−カルボンアミド、λ４′−ジアミノジフェニル
スルホン−３′−カルボンアミド、３．３’−ジアミノ
ジフェニルスルホン−４−カルボンアミド。

４．４′−ジアミノジフェニルサルファイド−３−カル
ボンアミド、入４′−ジアミノジフェニルサルファイド
−４−カルボンアミド、λ３′−ジアミノジフェニルサ
ルファイド−４−カルボンアミド、３＋４′−ジアミノ
ジフェニルサルファイド−３′−スルホンアミド、１．
４−ジアミノベンゼン−２−カルボンアミドなどがある
。これらのジアミノアミド化合物は、２種以上を併用す
ることもできる。

本発明に用いるポリアミド酸シリコン型中間体は、上記
のジアミン、及びジアミノシロキサンの総量を上記のテ
トラカルボン酸二無水物とほぼ等モルとして反応させて
得られる。ポリアミド酸シリコン型中間体の硬化物の半
導体素子表面との接着性及び耐熱性の点からジアミン成
分のうち、ジアミノシロキサンを０．１〜５０モルチと
することが好ましい。ジアミノアミド化合物を用いる場
合にはジアミン成分のうち５〜３０モルチとすることが
好ましい。

前記のテトラカルボン酸二無水物、ジアミンおよびジア
ミノシロキサンからポリイミド系樹脂膜の前駆体である
ポリアミド酸シリコン型中間体を得るには１％−公昭５
７−５４０７号公報に示されるような公知の方法が用い
られる。例えばポリアミド酸シリコン型中間体は前記の
テトラカルボン酸二無水物の総量と、ジアミン、ジアミ
ノシロキサンおよび必要により用いられるジアミノアミ
ド化合物の総量とをほぼ等モル使用して有機極性溶媒中
で反応させて得られ、まず、ジアミンおよびジアミノシ
ロキサン必要に応じて添加されるジアミノアミド化合物
を前記有機極性溶媒中によく溶かし９次に酸二無水物を
添加し、この反応系を好ましくは約８０℃以下、より好
ましくは室温付近以下の温度に保ちながら３〜６時間攪
拌することによって得られる。

前記有機極性溶媒としては、生成するポリアミド酸を溶
解するものが好ましく１例えばＮ−メチル−２−ピロリ
ドン、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチ
ルホルムアミド、Ｎ、Ｎ−ジエチルホルムアミド、ジメ
チルスルホキシド、ヘキサメチルホスホルアミド、テト
ラメチレンスルホンなどの１種または２種以上が用いら
れる。

本発明におけるポリイミド系樹脂膜は、前記ポリアミド
酸シリコン中間体を１５０〜２５０℃。

好ましくは１８０〜２３０℃の温度で熱処理して溶媒を
除去し、かつ脱水閉環して得られる。

本発明の半導体装置の製造工程の一例を以下に説明する
。

第１図は、多層配線構造の半導体装置の製造工程図であ
る。図において９回路素子を有する８ｉ基板、ガラス板
、金属板などの半導体基板１は２回路素子の所定部分を
除いてシリコン酸化膜等の保護膜２で被覆され、露出し
た回路素子上に第１導体層３が形成されている。該半導
体基板上に前述したポリアミド酸シリコン型中間体がス
ピナー法などで塗布され、熱処理により溶媒の除去およ
びポリアミド酸シリコン型中間体の脱水閉環が行なわれ
２層間絶縁膜としてのポリイミド系樹脂膜４が形成され
る（工程（ａ））。

次に環化ゴム系またはフェノールノボラック系の感光性
樹脂層５が前記層間絶縁膜４上にスピナー法によって形
成され、公知の写真食刻技術によって所定部分の眉間絶
縁膜４が露出するように窓６Ａが設けられる（工程（ｂ
））。

該窓６Ａの層間絶縁膜４は、ヒドラジン、ヒドラジンと
ポリアミンの混合液、水酸化テトラメチルアンモニウム
溶液等の有機アルカリ溶液を食刻液とした化学的エツチ
ング手段によって選択的にエツチングされ、窓６Ｂがあ
けられる。次いで窓６Ｂから露出した第１導体層３を腐
食することなく感光樹脂層５のみを腐食するようなエツ
チング溶液を用いて感光樹脂層５が完全に除去される（
工程（Ｃ））。

さらに公知の金属膜形成法および写真食刻技術を用いて
第２導体層７を形成させ、第１導体層３との電気的接続
が完全に行なわれる（工程（ｄ））。

３層以上の多層配線構造体を形成する場合は、上記の工
程を繰り返して行ない各層を形成する。すなわち導体層
の上に絶縁層となる層間絶縁膜を形成する工程（ａ）、
この被膜の所定の場所を選択的に除去し窓を開口して下
部に存する導体層を露出させる工程（ｂｌ、　（ｃｌ、
および上記被膜上に延在し、下部に存する導体層の所定
部分と接続された上部の導体を形成する工程（ｄｌを繰
り返すことになる。

次に表面保護［８が形成される。該保護膜８は。

前述のポリアミド酸シリコン型中間体を多層配線構造の
半導体装置の最上部の導体層上に同様に塗布されたのち
所定部分に窓６Ｃを形成して作製される（工程（ｅ））
。この表面保護膜８によって導体層を外部からの水分、
異物などから保護することができる。

なお１本発明の半導体装置においては、前述のポリイミ
ド系樹脂膜を半導体装置の層間絶縁または表面保護のい
ずれかのみに用いても半導体装置の層間絶縁および表面
保護の両者に用いてもよい。

（実施例） 以下９本発明を実施例により具体的に説明する。

実施例１ 温度計、攪拌機及び塩化カルシウム管を備えた５００ｃ
ｃの三つロフラスコに４．４′−ジアミノジフェニルエ
ーテル（以下ＤＤＥとする）２７．０９（０，１３５モ
ル）、１．３−ビス（アミノプロピル）テトラメチルジ
シロキサン３．７３ｇ（０，０１５モル）およびＮ、Ｎ
−ジメチルアセトアミド３１ｚ８ｑを入れ、ＤＤＥが溶
解するまで攪拌する。内容物を氷冷し温度が５℃を超え
ないように少量ずつオクタメチレンピストリメリテート
ニ無水物７４．１９（０，１５モル）を添加する。添加
後５℃で５時間攪拌を続けた。その後８０℃で４時間反
応させ。

樹脂分濃度２５重量％、粘度２０ポアズのポリアミド酸
シリコン型中間体溶液を得た。

この溶液を、第１図の工程（ａｔにおいてシリコン酸化
膜２と第１導体層３としてアルミニウムを用いたガラス
板の半導体基板１上に回転数４００゜ｒｐｍでスピナー
塗布した後１次いで熱風循環式オーブンにて１３０〜１
４０℃で３０分熱処理を行ない層間絶縁膜Ｎ４を形成し
た。次に該絶縁膜層４の所定部分のみを選択的に除去す
るため、該層４上にフェノールノボラック樹脂系の感光
性樹脂（ポジ型ホトレジスト、ＡＺ−１３５０Ｊヘキス
ト社製）層５を回転数３０００　ｒｐｒｎのスピナー塗
布して形成し、公知の写真食刻技術によって露光した後
、水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液系の現像液（
ＮＭＤ−３，東京応化製）でレジストを現像し、さらに
この溶液を食刻液に用いて２５℃で２分エツチング処理
し、前記絶縁膜層４を選択的にエツチングし、窓６Ｂを
あけ、第１導体層３をこの部分で露出させた。しかるの
ち第１導体層３を腐食することなく感光樹脂層５のみを
食刻するレジスト剥離液（アセトン）を用いて室温下で
２分間浸漬処理し、感光樹脂層５を完全に除去した。

次に層間絶縁層４を後熱処理として２３０℃で６０分処
理して完全に硬化した膜厚的３μｍのポリイミド系樹脂
膜を得た。さらに公知の真空蒸着法、スパッタ法および
写真食刻技術を用いてアルミニウムの第２導体層７を形
成し、第１導体層３との電気的接続を完全に行なった。

さらに得られた多層配線構造体上にポリアミド酸溶液を
第２導体層７の上に回転数４００　Ｏｒｐｍでスピナー
塗布し２層間絶縁膜膚４を形成したと同じ方法で表面保
護膜層８を形成し、半導体装置を作製した。なお１表面
保護層８は、第１図の工程（ｅ）に示すような窓あけ（
ポリイミド系樹脂膜の選択的エツチング）処理はしてい
ないため、第２導体層７は露出していない。また、その
後に半導体基板の封止（パッケージ）処理も行なってい
ない。

実施例２ 実施例１において、酸二無水物をテカメチレンビストリ
メリテートニ無水物７８．３９（０，１５モル）に代え
た以外は実施例１と同様にしてポリアミド酸シリコン型
中間体溶液を合成し、これを用いて実施例１と同様にし
て半導体基板上に層間絶縁膜および表面保護膜を形成さ
せ、半導体装置を作製した。

実施例３ 実施例１において、酸二無水物をデカメチレンビストリ
メリテートニ無水物５２．２ｇ（０，１０モル）とピロ
メリット酸二無水物１０．９９（０，０５モル）との混
合物に代えた以外は実施例１と同様にしてポリアミド酸
シリコン型中間体溶液を合成し、これを用いてポリイミ
ド系樹脂のエツチング処理後の熱処理、２３０℃で６０
分を２５０℃で６０分に変えて行なった以外は実施例１
と同様にして層間絶縁膜および表面保＠膜を形成させ、
半導体装置を作製した。

実施例４ 実施例１において、ジアミンを４，４′−ジアミノジフ
ェニルエーテル−３−カルボンアミド３．６５ｇ（ｏ、
ｏｔｓモル）、　ＤＤＥ２４．０　ｇ（０，１２モル）
および１．３−ビス（アミノプロピル）−テトラメチル
ジシロキサン３．７３９（０，０１５モル）に代えた以
外は実施例１と同様にしてポリアミド酸シリコン型中間
体溶液を合成し、これを用いて実施例１と同様にして半
導体基板上に眉間絶縁膜および表面保護膜を形成させ、
半導体装置を作製した。

比較例１ 実施例１において、酸二無水物にピロメリット酸二無水
物２３．９８ｇ（０，１１モル）を用いた以外は実施例
１と同様にポリアミド酸シリコン型中間体溶液を合成し
、これを用いて半導体装置を作製した。

比較例２ 実施例１において、ジアミノシロキサンである１、３−
ビス（アミノプロピル）−テトラメチルジシロキサンを
用いないこと以外は実施例１と同じジアミンおよび酸二
無水物を使用してポリアミド酸溶液を合成した。これを
用いて実施例１と同様にして眉間絶縁膜および表面保護
膜を形成させ。

半導体装置を作製した。

〈試験例〉 実施例１〜３および比較例１〜２で作製した半導体装置
を試料として耐湿試験を２つの方法で行なった。１つは
基盤目試験による耐湿接着力試験で、他の１つは導体層
であるアルミ配線層の耐湿試験下での耐腐食性試験とし
た。

基盤目試験はＪＩＳ　　Ｋ　　５４００にもとづいて行
ない、ナイフでポリイミド系樹脂膜の表面から半導体基
板表面までの深さでｆａｎ間隔で従横に傷を付け１ｍｍ
角で１００個のます目を作った。次にまず目を形成した
ポリイミド系樹脂膜の表面をセロハンテープ（積木化学
製）を密着させ貼り付けた後−気にセロハンテープを引
きはがし、半導体基板上に残っているます目状のポリイ
ミド系樹脂膜の数を数えた。ポリイミド系樹脂膜と半導
体基板との接着力が弱いと、セロハンテープ側にポリイ
ミド系樹脂膜が付着したまま半導体基板からづきはがさ
れる。試験は初期と耐湿試験（１２１℃。

蒸気圧２気圧の状態下に放置）後で行なった。

耐腐食性は作製した半導体装置を耐湿試験（１２１°Ｃ
９蒸気圧２気圧）下に放置し、各々の半導体装置につい
て導体層であるアルミニウム配線層の腐食進行状況を第
１表に示す時間毎に顕微鏡で観察して行なった。

耐湿接着力および耐腐食性試験の結果を第１表に示す。

第１表 村）耐湿接着力　基盤目試験での残存数（ｎ／１００）
を示す。

葺２）耐腐食性　腐食性の程度をＡ−Ｅの段階で表わし
た。

Ａ：半導体装置内でアルミニウム配線の腐食がなかった
。

Ｂ：腐食が約５〜１０チちった。

Ｃ：腐食が約３０〜５０％あった。

Ｄ二手導体装置内全域で腐食がみられた。

Ｅ；アルミニウム配線層が溶解した。

これらの結果から、実施例１〜３における本発明の半導
体装置は、比較例１および２の半導体装置と比較して優
れた耐湿信頼性を有することが示される。

これは実施例１〜３で用いたポリアミド酸シリコン型中
間体は２３０〜２５０℃で完全にイミド化してポリイミ
ド系樹脂膜が形成されているが。

比較例１で用いたポリアミドシリコン型中間体は２５０
℃の熱処理では完全にはイミド化せず、未反応のポリア
ミド酸が残存していることを示す。

なお、比較例１で用いたポリイミド系樹脂を、モノリシ
ックＩＣの８１ウエハー等の半導体基板に用いて３５０
℃で熱処理を行なった場合には、その半導体基板の耐湿
性は実施例１〜３の結果と同程度であった。

また、比較例２で用いたポリアミド酸は耐湿接着力が、
実施例１〜３と比べて耐湿試験（１２１℃、２気圧）下
で１００ｈ以上経過すると低下するため耐腐食性も劣る
ことを示している。

また以上の実施例では半導体装置の導体層としてアルミ
ニウムを用いたが２本発明においてはアルミニウムに限
定されるものではない。

（発明の効果） 本発明によれば、２５０℃以下の熱処理で完全に硬化で
き、かつ湿式エツチングができるポリイミド系樹脂が得
られ、これにより耐湿性に優れた高信頼性の多層配線構
造を有する半導体装置を得ることができ、モノリシック
ＩＣ，ＬＳＩのＳｌやＧａ、　Ａｓ等の化合物半導体等
が構造された半導体基板への適用が可能である。

【図面の簡単な説明】

第１図は、多層配線構造の半導体装置の製造工程図であ
る。 符号の説明 １・・・半導体基板 ３・・・第１導体層 ５・・・感光樹脂層 ７・・・第２導体層

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、少なくとも（ａ）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、ｎは２〜１６の整数） で示される酸二無水物を含むテトラカルボン酸二無水物
   、（ｂ）ジアミン及び（ｃ）ジアミノシロキサンを有機
   極性溶媒中で反応させて得られるポリアミド酸シリコン
   型中間体を含有してなる半導体基板の層間絶縁膜および
   ／または表面保護膜用組成物。 ２、ポリアミド酸シリコン型中間体が、ジアミンの一部
   としてジアミノアミド化合物を反応させて得られるポリ
   アミド酸シリコン型中間体である請求項１記載の半導体
   基板の層間絶縁膜および／または表面保護膜用組成物。 ３、請求項１記載のポリアミド酸シリコン型中間体を脱
   水閉環して得られるポリイミド系樹脂膜を半導体基板の
   層間絶縁膜および／または表面保護膜として用いてなる
   半導体装置。 ４、請求項２記載のポリアミド酸シリコン型中間体を脱
   水閉環して得られるポリイミド系樹脂膜を半導体基板の
   層間絶縁膜および／または表面保護膜として用いてなる
   半導体装置。