JPH02183123A - 半導体回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野コ この発明は、光センサアレイが受ける光強度の分布をこ
れと関数関係にある時間幅をもつ検出信号に変換して出
力する光センサを用い、その検出信号の時間幅を量子化
データに変換して出力する半導体回路、ことに自動焦点
カメラなどに組込まれる測光用の半導体回路に関する。

〔従来の技術〕

被写体からの反射光は非常に広いコントラストを持ち、
かつ日射条件等によってコントラストが大幅に変化する
ので、これを検出する光センサにはできるだけその全部
をカバーして光強度の強弱を弁別できる測定範囲を持ち
、かつ光強度の分布幅が狭い場合にもその分解能が極端
に落ちないことが求められる。そこで、光の強弱をその
関数である時間幅を有する検出信号に変える光センサを
用いて測定できるダイナミックレンジを広げ、さらに検
出信号を量子化信号に変換する半導体回路を用いること
により、検出信号の後処理を容易化したものが知られて
いる。

第２図は１個の単位光センサを示す接続図、第３図はそ
の綾部の信号波形図である。図において、単位光センサ
１は光導電形のフォトダイオード１ａと、これに並列接
続されたコンデンサ１Ｃと、直列接続されたリセットト
ランジスタ１ｂと、シキい値ｖｔｈを有するコンパレー
タ１ｄとで構成され、トランジスタｉｂ　ＫＨレベルの
リセットパルスＲ１を加えて導通させ、コンパレータ１
ｄの入力端電位Ｖを０電位（大地電位）にする。このと
き、ダイオード１ａに逆向きに印加される電圧ＶＤＤに
よってコンデンサ１Ｃが導通したトランジスタ１ｂを介
して充電され、リセットパルスＲ１がＬレベルに変化し
た時点ではコンデンサ１Ｃの充電電圧が印加電圧ＶＤＤ
とバランスして電圧Ｖは零電位を保持する。この状態で
フォトトランジスタ１ａＫ被検出光りが入射し入射光の
強さλに逆比例してその抵抗が低下すると、コンデンサ
１Ｃのチャージはダイオード１ａｔ介して放電してその
充電電圧が徐々に低下しＶＤＤとの間に差電圧が生ずる
ので、コンパレータ１ｄの入力電圧Ｖは第３図に示すよ
うに直線的に上昇する。電圧Ｖがしきい値ｖｔｈに達す
るとコンパレータ１ｄの出力はＬレベルからＨレベルに
変化し、以後Ｈレベルを保持する検出信号Ｓ１が出力さ
れる。したがって、単位光センサは被検出光の光の強さ
λ１をその関数である時間幅τ１に変換するよう機能す
るものであり、リセットパルスＲ８がＬレベルに戻っり
後検出信号Ｓ１が立上がるまでの時間が時間幅τ１とな
る。

上述の単位光センサにおいて、被検出光りの光の強さλ
１　と検出信号が立上がるまでの時間幅τ１が互いに逆
比例関係にあるとすれば、その関数曲線は第４図に示す
ような双曲線になる。光の強さλ１をその関数である時
間幅τ１によって量子化しようとする場合、測定しよう
とする光の強さの範囲Ｒを決め、その最大値をλ０．最
小値をλｍとしてその間を複数個９例えばｍ個に分割し
て、個々の光の強さλ０〜λ１〜λｍに対応する時間幅
Ｔ１とその最短時間τ０（光の強さλ０に対応）。

最長時間τｍ（λｍに対応）を量子化データとすれば、
単位光センサ１の検出信号Ｓ１の時間幅τ１が上記量子
化データのいずれに対応するかを半導体回路で判別する
ことによって被検出光の光の強さの分布、いいかえれば
被写体からの光のコントラストを時間幅という広いダイ
ナミックレンジを有する計測容易な量子化データに変換
して測定することができる。

第５図は上述の光センサを用いた従来の半導体（ロ）路
を示すブロック図であり、光センサ部１ｏは第２図につ
いて説明した単位光センサ１を複数個アレイ状に配列し
たものからなシ、各単位光センサ１の検出信号Ｓ１は始
動信号発生回路としてのＯＲゲート７に入力されるとと
もに、各単位光センサ１に対応して配されたラッチ回路
′１１にその作動信号として供給される。一方２は前述
の量子化データをアドレスととに記憶する例えばＲＯＭ
であり、量子化データの指定手段としてのカウンタ５が
発するアドレスＡ１によって指定された量子化データＤ
Ｒが比較手段としてのコンパレータ４に入力される。ク
ロック回路６は量子化データの最短時間幅τ０よシ短か
い例えば一定周期のクロックパルスＣＰを発するもので
あシ、クロック計数回路としてのカウンタ３によって計
数され、その計数データＤＣがコンパレータ４に入力さ
れる。したがって、ＲＯＭ２に記憶させる量子化データ
ＤＲがそれぞれの時間幅τ１の範囲内でクロックパルス
ＣＰを幾つカウントすればよいかという形で記憶されて
いれば、コンパレータ４がデータＤＲとＤＣが等しい値
となったときアドレスの切換信号ＳＡｙ発し、これを受
けたアドレスの指定手段としてのカウンタ５が切換信号
ＳＡｉカウントシてアドレスを一つ更新する。その際比
較手段４に出されていた量子化データＤＲはバス４１に
呼び出され、この間に検出信号Ｓ１がＨレベルに立上が
った単位光センサ１が存在すれば、これに対応するラッ
チ回路１１に読み込まれる。また、比俊回路４にはＲＯ
Ｍ２の更新されたアドレスに記憶された新たな量子化デ
ータが入力される。

第５図の半導体回路を始動する仕方としては、各単位光
センサ１にリセットパルスＲ１を、カウンタ５にリセッ
トパルスＲ８を加えて初期化すると、フォトダイオード
１ａは被検出光りを感知してコンデンサ１Ｃの充電を開
始する。センサアレイ中の最も強い光を受けた単位光セ
ンサ１の電位Ｖがそのしきい値ｖｔｈ　　に達してコン
パレータ１ｄの出力がＬレベルからＨレベルに変化しＨ
レベルの最初の量子化データがコンパレータ４に読み込
まれる。また信号ＳＳを受けたＮＡＮＤゲート９はその
出力がＨレベルからＬレベルに変化し、これを受けたカ
ウンタ３も動作可能になシ、カウンタ６がクロックパル
スＣＰのカウントを開始する。

データＤＲとＤＣが一致すると、コンパレータ４はＨレ
ベルからＬレベルに瞬７時変化するアドレス切換信号Ｓ
Ａを出力し、カウンタ５はアドレスを一つ更新すると同
時にコンパレータに出されていた量子化データがラッチ
回路１１にラッチされる。

また、切換信号ＳＡによってＮＡＮＤゲート９の出力は
瞬時Ｌレベルとなシ、カウンタ３はリセットされた後再
びクロックパルスＣＰのカウントを開始する。この動作
が量子化データの数だけ繰シ返されることによシ、ラッ
チ回路１１には単位光センサ１の数に対応する量子化デ
ータが蓄積される。

〔発明が解決しようとする課題〕

従来の半導体回路においては、記憶手段としてのＲＯＭ
２に記憶させる量子化データを、被検出光乙の光の強さ
λ１の範囲Ｒ１いいかえれば測定しようとする被写体の
コントラストｔ−あらかじめ想定して、範囲Ｒｔ−複数
分割した量子化データＤＲを記憶させているために、被
写体のコントラストと想定した光の強さλの範囲Ｒがた
またま一致するか、あるいは両者の範囲が近い条件では
分解能の高い量子化データが得られる。しかしながら、
被写体のコントラストが想定した範囲よシ低い場合には
、ＲＯＭ２に記憶した量子化データの一部分しか量子化
に利用できないためにコントラストの分解能が低下して
しまい、例えば自動焦点調節に必要な量子化データが得
られないという問題が発生する。

この発明の目的は、被検出光の光の強さの範囲に差があ
っても、常に分解能の高い量子化データが得られる半導
体回路を得ることにある。

〔課題′ｊ＆：＃Ｉ決するための手段〕上記課題を解決
するために、この発明によれば、被測定光を受けその光
の強さの関数である時間幅を持つ複数の検出信号′ｆｒ
−順次発生する光センサ部と、被測定光の光の分布範囲
を複数分割した光の強さをその関数である時間値として
の量子化データとしてアドレスごとに記憶する記憶手段
およびそのアドレスを発生するアドレス指定回路と、所
定の周期をもつクロックパルスを計数する計数回路と、
この計数回路の計数値と前記記憶手段からの量子化デー
タとが等しくなまたときアドレス切換信号をアドレス指
定回路に向けて出力する比較回路とを備え、前記検出信
号の時間幅をこれに相応した量子化データに変換して出
力するものにおいて、基準となる光の分布範囲に対応す
る量子化データを記憶する記憶回路、およびこれよシ狭
い光の分布範囲に対応する量子化データを記憶する記憶
回路とが切換可能に半導体回路に接続された記憶手段と
、前記アドレス指定回路が計数するアドレス数が所定数
に満たない時点で前記複数の検出信号のすべてが出され
たとき記憶回路を狭い光の分布範囲に対応する量子化デ
ータを記憶した記憶回路に切換える信号を発する被測定
光のコントラスト判定回路とを備えてなるものとする。

〔作用〕

上記手段において、記憶手段を切換回路としてのマルチ
プレクサを介して切換可能に回路に接続し九複数の記憶
回路で構成し、測定しようとする光の強さの範囲Ｒの異
なる広さを複数分割して得られる量子化データを記憶さ
せるとともに、元センサが最長時間幅の検゛出信号の立
上がシを検知して出力する停止信号がアドレス指定回路
のカウント数が所定数に達しない時点で出されたとき切
換回路としてのマルチプレクサに切換信号を発する被写
体のコントラスト判定回路を設けたことにより、例えば
最初標準的なコントラストに対応する量子化データを記
憶した記憶回路によって量子化を行い、その結果、量子
化データの指定手段のカウント数が所定数に達しない時
点で停止信号が出された場合、これを被写体のコントラ
ストが低いものと判定し、これより範囲の狭い量子化デ
ータを記憶した記憶回路に切換えて量子化を自動的にや
シ直すことができるので、被写体のコントラストが低い
場合にも量子化の刻みを小さくして量子化することが可
能となシ、被写体のコントラストの差に基因する童子化
データの分解能の低下を防止できる。

〔実施例〕

以下この発明を実施例に基づいて説明する。

第１図はこの発明の実施例を示すブロック図であシ、従
来装置と同じ部分には同一参照符号を用い゛ることによ
シ詳細な説明を省略する。図において、光セ／す部１０
は第２図および第３図についてすでに説明した単位光セ
ンサ１を複数個プレイ状に配列したものであシ、各単位
光センサ１の出力側にはそれぞれの検出信号８１ヲ動作
信号とするラッチ回路１１と、始動信号ＳＳの発生回路
としてのＯＲゲート７と、停止信号ＳＴの発生回路とし
てのＡ？ｌｒＤゲート８とが設けられる。また、量子化
データＤＲの記憶手段２ａは図では二つのＲＯＭ２１お
よびＲＯＭ２２で表わされる複数の記憶回路が、切換回
路としてのマルチプレクサ２３および２４によって切換
可能に接続され、マルチプレクサのｉｎ端子にＨレベル
の切換信号ＳＷが入力されると範囲Ｒの広い量子化デー
タを記憶したＲＯＭ２１が半導体回路に接続され、ｉｎ
ｎ端 子にＬレベルの切換信号５ｌｌｌが入力されると範囲の
狭いＲＯＭ２２が半導体回路に接続される。さらに、ア
ドレス指定回路としてのカウンタ１５はカウント数が所
定数に達したとき出力がＬレベルに変化するＱｋ端子を
もち、Ｑｋ端子とマルチプレクサ２３および２４との間
には７リツプフロツプ回路３１，３２．および３３を互
いにカスケード接続し九コントラスト判定回路３０が設
けられ、フリップフロップ３２にはｊＮＤゲート８から
の停止信号ＳＴが加えられる。なお、アドレス指定回路
としてのカウンタ１５のリセット端子ＲにはＯＲゲート
７からの始動信号ＳＳが、ま九カウント入力端子Ｃには
ＯＲゲート２５を介してコンパレータ４からの切換信号
８Ａと停止信号ＳＴとが入力され、また始動信号ＳＳ、
および切換信号ＳＡがＮＡＮＤゲート９を介してクロッ
ク計数回路としてのカウンタ３のリセット端子Ｒに入力
される。

上述のように構成され九実施例回路において、元センサ
部１０は通常１６ないし６４個の光センサ１をアレイ状
に並べ九もので構成され、図示しないレンズ等の手段で
被写体の映像がこの元センブアレイ上に結像される。し
たがって、各単位光センｔ１のリセットトランジスタｊ
ｂＫリセットパルスＲ１を同時に加えると、Ｒ１がＬレ
ベルに変化した時点で各単位光センサ１は測光を開始す
る。そして最も強い光λ０を受けた単位光センサの電圧
Ｖがしきい値ｖｔｈ　　に到達してコンパレータ１ｄの
出力がＨレベルに変化するに要する時間を時間幅τ０を
経て立上がる検出信号Ｓ１が出力される。その後、光の
強さの関数である時間幅τ１を経て各単位光センサから
検出信号ｓ１が順次出力される。

カウンタ３および１５．コンパレータ４．クロック回ｊ
１８６．記憶手段２０．コントラスト判定回路３０等は
検出信号Ｓ１の立上がＤｉＣ要する時間幅τ１を短かい
側から順次量子化するための半導体回路であ）、ラッチ
回路１１を含む光センサ部１０に対して共通に一組設け
られる。アドレス指定回路としてのカウンタ１５は例え
ば７ビツト構成のカウンタであり、アドレスバス４１を
介してマルチプレクサ２３およびラッチ回路１１にアド
レス指定回路える。各ラッチ回路１１はバス４１に対応
して７ピツト構成され、検出信号Ｓ１の立上がりに同期
してアドレスＡ１を読み込むとともに、データバス４２
を介して記憶したアドレスＡ１を読み出せるよう構成さ
れてよく、また記憶回路としてのＲＯＭ　２１　または
２２に記憶された量子化データＤＲを読み込み、読み出
せるよう構成してもよい。

ＲＯＭ２１および２２は、量子化しようとする光の強さ
の測定範囲Ｒの異なる広さを互いに等しい数で複数分割
した量子化データをアドレスＡ１に対応して記憶し、ア
ドレス指定回路１５が発するアドレスＡ１によって読み
出せるものであればよく、その分割数ｍはアドレス指定
回路１５のビット数ｆｎビットとした場合、ｍ＝２　＋
ｉに決められる。すなわち、アドレス指定回路のカウン
タ１５が７ビツト構成である場合、記憶回路２１には第
４図に示す測定範囲Ｒ４−１２８分割した合計１２９個
の光の強さλ０ないしλｍに対してそれぞれの関数値と
しての時間τ０ないし７ｍなる量子化データをアドレス
Ａ１　ごとに記憶させ、記憶回路２２にはこれよ）狭い
測定箱＠Ｒ／Ｘを同様に分割したきざみの細かい量子化
データを記憶させる。

また、クロックＣＰは量子化データＤＲの最短時間τ０
をさらに複数分割した一定周期のクロックパルスで１Ｌ
その計数回路としてのカウンタ３で計数されたデータＤ
Ｃがコンパレータ４で記憶回路から入力される量子化デ
ータＤＲと比較されるので、量子化データＤＲはカラ／
り３がクロックパルスＣＰｔ−幾つカウントすればよい
かを指定する形で記憶回路２１．２２に記憶させておく
。

つぎに実施例回路の動作について説明する。まず、各単
位光セル１およびカウンタ１５ＫＨレベルのリセットパ
ルスＲ，、Ｒ，’を加え、７リツプ７０ツブ３１および
３３にＬレベルのリセットパルスＲ，、Ｒ４を加える。

このとき、各単位光センサのコンパレータ入力端子は大
地電位となル、コンパレータ１ｄの出力はすべてＬレベ
ルになるので、ＯＲゲート７およびＡＮＤゲート８の出
力もＬレベルとなる。その結果ＮＡＮＤゲート９の出力
はＨレベルとな）クロックＣＰのカウンタ３がリセット
され、カウンタ１５はＨレベルのリセットパルスＲ２に
よってリセットされる。またカウンタ１５の出力Ｑｋは
Ｈレベルになるので、７リツプ７０ツブ３１の出力Ｑｌ
はＬレベル、３２の出力Ｑ、および３３の出力Ｑ３はＨ
レベルとなり、Ｈレベルの切換信号ＳＷがマルチプレク
サ２３および２４に加えられることによシ、範囲Ｒの広
い量子化データを記憶したＲＯＭ２１が半導体回路に接
続される。

次に、リセットパルスＲ，，Ｒ，′ｆｒＬレベルＫ。

Ｒ，、Ｒ，をＨレベルに変化させると、単位光センサの
コンパレータ入力Ｖはフォトダイオード１ａが受ける光
の強さに反比例する上昇速度で上昇を開始するが、７リ
ツプフロツプ３１，３２．３３は前述の状態ｆ：維持す
る。この状態から７０時間経過して最も強い光λ０を受
は九単位光センサの電圧Ｖがしきい値Ｖｔｈ　Ｋ到達す
るとコンパレータ１ｄの出力はＨレベルに変化する。こ
れと同時ＫＯＲゲート７の出力がＨレベルに変化し、始
動信号ＳＳがＮＡＮＤゲート９およびカウンタ１５に加
わるので、ＷＡＮＤゲート９の出力はＬレベルとなって
カウンタ３がクロックパルスＣＰのカウントを開始する
とともに１カランタ１５は最初のアドレスＡＩを出力し
、これに対応する量子化データがＲＯＭ２１からコンパ
レータ４に読み込まれる。々お、この状態ではコンパレ
ータ４の出力は不一致状態なのでＨレベルとなる。

この状態でカウンタ３がＣＰｔ−カウントシ、そのカウ
ントデータＤＣが量子化データＤＲと一致′すると、コ
ンパレータ４の出力はＨレベルからＬレベルに短時間変
化し、Ｌレベルの切換信号８ＡがＮＡＲＤゲート９に加
わるので、ＮＡＮＤゲートの出力は短時間Ｈレベルとな
ってカウンタ３をリセットし、直ちＫＬレベルに戻ると
とＫよυカウンタ３はクロックパルスＣＰのカウントを
再開する。また、Ｌレベルに変化した切換信号８ＡはＯ
Ｒゲート２５ｆ：介してアドレス指定回路としてのカウ
ンタ１５のカウント端子ＣＫ入力されるので、カウンタ
１５は一つカウントシ、更新されたアドレスＡ！　をバ
ス４１を介してＲＯＭ２１に送ってこれに相応する量子
化データをコンパレータ４に読み込ませると同時に、ア
ドレスＡ１　　に相応する量子化データまたはアドレス
ＡＩ　が最初に動作した単位光センナに対応して配され
たラッチ回路１１にラッチされ、最初に動作した単位光
センサが受けた光の強さλ０の関数としての時間幅τ０
を基準にして次の時間幅τ１が量子化データまたはアド
レスデータに変換されてラッチ回路１１に記憶される。

上記量子化動作はアドレス指定手段としてのカウンタ１
５がアドレス・を更新するたびに繰返し行われ、強い光
を受けた単位光センサから順次量子化が行われる。そし
て、最も弱い光λｍを受けた単位光セ／すのコンパレー
タ１ｄの出力がＨＬ／ヘルに変化すると、ＡＮＤゲート
８の出力がＨレベルとなシ、停止信号ＳＴがＯＲゲート
２５を介してカウンタ１５のリセット端子Ｒに入力され
るので、カウンタ１５のカウント端子ＣはＨレベルに固
定されてカウントを停止する。また、ＡＮＤゲート８の
出力がＨレベルに変化する前にカウンタ１５が所定数の
切換信号をカウントして出力ＱｋがＬレベルに変化した
場合、フリップフロップ６１の出力Ｑ、はＨレベルに変
化するが、フリップフロップ３２．３３の出力Ｑｚ　−
ＱｓはＨレベルを維持するので、マルチプレクサ２３．
２４はＲＯＭ２１に接続された状態を維持し、ＡＮＤゲ
ート８の出力停止信号ＳＴがＨレベルとなった時点で量
子化が終了し、再びＨレベルのリセット信号Ｒ１ｙＲ２
およびＬレベルのリセット信号Ｒ＠　＃　Ｒ４によって
回路を初期化するまで量子化動作は停止する。

一方、アドレス指定回路としてのカウンタ１５のカウン
ト数が量子化データ数よシ少い所定数に達しない時点で
すべての単位光センサ１の出力がＨレベルに変化し、こ
れを受けてＡＮＤゲート８がＨレベルの停止信号５Ｔｔ
−出力した場合、これをＯＲゲート２５を介して受けた
カウンタ１５がカラントラ停止するとともに、停止信号
５Ｔｔ−受けたコントラスト判定回路３０の７リツプ７
０ツブ３２がその出力Ｑｚｔ−Ｌレベルに変化させ、こ
れを受けて７リツプフロツプ３３の出力切換信号８Ｗ’
ｌｚＬレベルに変化させるコントラスト判定機能が発現
され、一対のマルチプレクサ２１および２２が動作して
測定範囲Ｒの狭い量子化データを記憶させたＲＯＭ２２
が半導体回路に接続され、細かいステップでの量子化動
作が再び最初から行われる。

このように１被写体から光センサアレイに結像される映
像のコントラストが大幅に変化することｔＳらかしめ想
定して、異なるコントラストを測定範囲Ｒとし、測定範
囲Ｒをそれぞれｍ；２　十１分割した量子化データとし
て記憶した複数の記憶回路を設け、アドレスのカウント
数と停止信号とに基づいてコントラスト判定回路が記憶
回路の切換信号を出力することによシ、映像のコントラ
ストに対応した好適なステップで童子化を行うことが可
能になる。なお、ラッチ回路１１に一時記憶された童子
化データはデータバス４２を介して外部回路に読み出さ
れ、データの後処理が行われることはいうまでもないこ
とである。

〔発明の効果〕

この発明は前述のように、互いに切換回路を介して半導
体回路に切換可能に接続された複数の記憶回路で記憶手
段を構成し、各記憶回路に互いにコントラストの異なる
量子化データを記憶させるとともに、コントラスト判定
回路によって記憶回路を切換えて使用するよう構成した
。その結果、元センサアレイに入射する光のコントラス
トをこれに好適な量子化データを用いて量子化すること
が可能になシ、従来光センサアレイに入射する光のコン
トラストが低い場合問題となった分解能の低下が排除さ
れ、コントラストの広狭に左右されることなく精度の高
い量子化データが得られる半導体回路を提供することが
できる。また、この半導体回路を例えば自動焦点カメラ
の焦点調節に適用することによシ、従来装置に比べてよ
り精度の高い焦点調節を行える利点が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の実施例回路を示すプロック図、第２
図は単位光センサを示す接続図、第３図は単位光センサ
各部の信号波形図、第４図は光の強さとその関数である
時間幅との関係を示す特性線図、第５図は従来の回路構
成を示すブロック図である。 １・・・単位光セ／す、１ａ・・・ホトダイオード、１
ｄ・・・コンパレータ、２．２０・・・記ｆｆ１−１．
３・・・クロ）、６・・・クロック発生回路、７・・・
始動信号発生回路（ＯＲゲート）、８・・・停止信号発
生回路（ＡＮＤゲー））、１０・・・光・センサ部、１
１・・・ラッチ回路、２１．２２・・・記憶回路、２３
．２４・・・切換回路（マルチプレクサ）、３０・・・
コントラスト判定回路、３１．３２．３３・・・７リツ
プフロツプ回路、Ｒ１，Ｒ，、Ｒ，、Ｒ，・・・リセッ
ト信号、Ｌ・・・被検出光、Ｓｌ・・・検出信号、Ｒ・
・・測定範囲、τ・・・時間幅、ＣＰ・・・クロックパ
ルス、ＤＲ・・・量子化データ、Ａ１・・・アドレズデ
ータ、ＳＡ、ＳＷ・・・切換信号、ＳＳと 第２８ 第３圀 第４固 腋立傳号の時間幅で

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １）被測定光を受けその光の強さの関数である時間幅を
   持つ複数の検出信号を順次発生する光センサ部と、被測
   定光の光の分布範囲を複数分割した光の強さをその関数
   である時間値としての量子化データとしてアドレスごと
   に記憶する記憶手段およびそのアドレスを発生するアド
   レス指定回路と、所定の周期をもつクロックパルスを計
   数する計数回路と、この計数回路の計数値と前記記憶手
   段からの量子化データとが等しくなったときアドレス切
   換信号をアドレス指定回路に向けて出力する比較回路と
   を備え、前記検出信号の時間幅をこれに相応した量子化
   データに変換して出力するものにおいて、基準となる光
   の分布範囲に対応する量子化データを記憶する記憶回路
   、およびこれより狭い光の分布範囲に対応する量子化デ
   ータを記憶する記憶回路とが切換可能に半導体回路に接
   続された記憶手段と、前記アドレス指定回路が計数する
   アドレス数が所定数に満たない時点で前記複数の検出信
   号のすべてが出されたとき記憶回路を狭い光の分布範囲
   に対応する量子化データを記憶した記憶回路に切換える
   信号を発する被測定光のコントラスト判定回路とを備え
   てなることを特徴とする半導体回路。