JPH02185028A - 薄膜の形成方法 - Google Patents
薄膜の形成方法Info
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- JPH02185028A JPH02185028A JP382289A JP382289A JPH02185028A JP H02185028 A JPH02185028 A JP H02185028A JP 382289 A JP382289 A JP 382289A JP 382289 A JP382289 A JP 382289A JP H02185028 A JPH02185028 A JP H02185028A
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- thin film
- semiconductor substrate
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体装置の製造に用いられる薄膜の形成方
法に関するものである。
法に関するものである。
（従来の技術）
近年、半導体装置の製造に用いられる薄膜の形成方法と
して、再現性、信頼性、自動化および処理能力に優れて
いるスパッタリングが、多く採用されている。
して、再現性、信頼性、自動化および処理能力に優れて
いるスパッタリングが、多く採用されている。
この種の従来の薄膜の形成方法について第２図により説
明する。
明する。
同図は、スパッタリングの原理を示す構成図で、スパッ
タ成膜装置は、不活性ガス供給口１ａと排出口１ｂが設
けられた成膜室１の中に、上方に配置した陰極２にはタ
ーゲット３を、また下方に配置した陽極４には半導体基
板５をそれぞれ装着し。
タ成膜装置は、不活性ガス供給口１ａと排出口１ｂが設
けられた成膜室１の中に、上方に配置した陰極２にはタ
ーゲット３を、また下方に配置した陽極４には半導体基
板５をそれぞれ装着し。
これらが相対向するように配設したものである。
このように構成されたスパッタ成膜装置を用い半導体基
板５の表面に薄膜を形成するには、まず、成膜室ｌを真
空にした後、不活性ガス供給口１ａからアルゴンガスを
供給し、一定圧のアルゴンガス雰囲気とした後、陰極２
と陽極４の間に高電圧を印加し放電を起こさせる。アル
ゴンガスは、陽イオン６と電子７に分解され、それぞれ
陰極２に接続されたターゲット３および陽極４に接続さ
れた半導体基板５に引き寄せられる。質量を持つ陽イオ
ン６は加速されて高速となりターゲット３に衝突し、原
子８を叩き出す、叩き出された原子８は、対向して配置
された半導体基板５の表面に付着し薄膜を形成する。
板５の表面に薄膜を形成するには、まず、成膜室ｌを真
空にした後、不活性ガス供給口１ａからアルゴンガスを
供給し、一定圧のアルゴンガス雰囲気とした後、陰極２
と陽極４の間に高電圧を印加し放電を起こさせる。アル
ゴンガスは、陽イオン６と電子７に分解され、それぞれ
陰極２に接続されたターゲット３および陽極４に接続さ
れた半導体基板５に引き寄せられる。質量を持つ陽イオ
ン６は加速されて高速となりターゲット３に衝突し、原
子８を叩き出す、叩き出された原子８は、対向して配置
された半導体基板５の表面に付着し薄膜を形成する。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、上記の構成では、原子８の動きに方向性
があるため１段差を有するパターン上に形成される薄膜
は、段差の側面で膜厚が薄くなり。
があるため１段差を有するパターン上に形成される薄膜
は、段差の側面で膜厚が薄くなり。
段差被覆率が悪く歩留りが低下し信頼性が低いという問
題があった。
題があった。
本発明は上記の問題を解決するもので、段差被覆率のよ
い信頼性の高い薄膜の形成方法を提供するものである。
い信頼性の高い薄膜の形成方法を提供するものである。
（課題を解決するための手段）
上記の問題を解決するため、本発明は、不活性ガスとソ
ースガスとを混合した雰囲気中で半導体基板を温度２５
０℃以上に加熱して成膜するものである。
ースガスとを混合した雰囲気中で半導体基板を温度２５
０℃以上に加熱して成膜するものである。
（作 用）
上記の構成により、半導体基板表面で、スパッタリング
による蒸着と方向性のない化学的気相成長が同時に起こ
り、段差側面の薄膜が厚く形成されるので１段差被覆率
のよい薄膜が形成される。
による蒸着と方向性のない化学的気相成長が同時に起こ
り、段差側面の薄膜が厚く形成されるので１段差被覆率
のよい薄膜が形成される。
（実施例）
本発明の一実施例をアルミ合金薄膜の形成方法を例とし
て、第１図（ａ）および（ｂ）により説明する。
て、第１図（ａ）および（ｂ）により説明する。
第１ｖ４（ａ）および（ｂ）は本発明による薄膜の形成
方法の原理を示す構成図およびその要部拡大断面図であ
る。
方法の原理を示す構成図およびその要部拡大断面図であ
る。
第１図（ａ）に示す本発明による成膜装置が、第２図に
示した従来例と異なる点は、成膜室１の不活性ガス供給
口１ａに並んでソースガス供給口ＩＣが設けられた点と
１図に描いていないが、半導体基板５の加熱器を設けた
点である。その他は従来例と変らないので、同一構成部
品には同一符号を付してその説明を省略する。
示した従来例と異なる点は、成膜室１の不活性ガス供給
口１ａに並んでソースガス供給口ＩＣが設けられた点と
１図に描いていないが、半導体基板５の加熱器を設けた
点である。その他は従来例と変らないので、同一構成部
品には同一符号を付してその説明を省略する。
このように構成された成膜装置を用い、半導体基板５の
表面にアルミ合金薄膜を形成するには、アルゴンガスを
不活性ガス供給口１ａから、ラジカルなソースガスとし
てＡ Ｑ （ＣＨ，）３ガスをソースガス供給口ＩＣか
らそれぞれ供給し、成膜室１の内部を一定圧の混合ガス
雰囲気とする一方、半導体基板５を温度２５０℃以上に
加熱する。次に陰極２と陽極４の間に高電圧をかけて放
電を起こさせると、アルゴンガスは分解して陽イオン６
と電子７に分解する一方、ＡＱ（ＣＨ，）、ガスはラジ
カルなソースガス分子９となる。陰極２に引かれて加速
された陽イオン６によりターゲット３から叩き出された
原子８は、これに対向して配置された半導体基板５の表
面に付着する。一方、ソースガス分子９は、２５０℃以
上の温度に保たれた半導体基板５の表面で、化学的気相
成長を起こし薄膜を形成する。
表面にアルミ合金薄膜を形成するには、アルゴンガスを
不活性ガス供給口１ａから、ラジカルなソースガスとし
てＡ Ｑ （ＣＨ，）３ガスをソースガス供給口ＩＣか
らそれぞれ供給し、成膜室１の内部を一定圧の混合ガス
雰囲気とする一方、半導体基板５を温度２５０℃以上に
加熱する。次に陰極２と陽極４の間に高電圧をかけて放
電を起こさせると、アルゴンガスは分解して陽イオン６
と電子７に分解する一方、ＡＱ（ＣＨ，）、ガスはラジ
カルなソースガス分子９となる。陰極２に引かれて加速
された陽イオン６によりターゲット３から叩き出された
原子８は、これに対向して配置された半導体基板５の表
面に付着する。一方、ソースガス分子９は、２５０℃以
上の温度に保たれた半導体基板５の表面で、化学的気相
成長を起こし薄膜を形成する。
第１図（ｂ）は、半導体基板５の表面に形成されたＰＳ
Ｇ膜１０の段差部を拡大して示した要部拡大断面図で、
スパッタリングによる原子８は方・向性を有するため、
ＰＳＧ膜ＩＯの段差面には付着し難いが、化学的気相成
長を起こすソースガス分子９は方向性を有しないため、
ＰＳＧＩＩＩＯの段差面にも表面と同じ成長率で成膜す
るので１段差面の膜厚を厚くすることができる。
Ｇ膜１０の段差部を拡大して示した要部拡大断面図で、
スパッタリングによる原子８は方・向性を有するため、
ＰＳＧ膜ＩＯの段差面には付着し難いが、化学的気相成
長を起こすソースガス分子９は方向性を有しないため、
ＰＳＧＩＩＩＯの段差面にも表面と同じ成長率で成膜す
るので１段差面の膜厚を厚くすることができる。
以上のように本実施例によれば、スパッタ蒸着と化学的
気相成長による成膜を同時に行うので、段差被覆率のよ
い薄膜を形成することができる。
気相成長による成膜を同時に行うので、段差被覆率のよ
い薄膜を形成することができる。
なお、本実施例では、ソースガスとしてＡ ａ （ＣＨ
ｚ Ｌを用いたが、Ａ Ｑ （Ｃｉ２．）等、アルミ合
金膜を化学的気相成長により生成するガスであればよい
。
ｚ Ｌを用いたが、Ａ Ｑ （Ｃｉ２．）等、アルミ合
金膜を化学的気相成長により生成するガスであればよい
。
また、本実施例では、アルミ合金膜の形成を例としたが
、タングステン、モリブデン、二酸化シリコン等、スパ
ッタリング可能な材料の薄膜の形成でもよい、ただし、
ソースガスはこれらの薄膜の主成分を化学的気相成長に
より生成するソースガスを使用することは言うまでもな
い。
、タングステン、モリブデン、二酸化シリコン等、スパ
ッタリング可能な材料の薄膜の形成でもよい、ただし、
ソースガスはこれらの薄膜の主成分を化学的気相成長に
より生成するソースガスを使用することは言うまでもな
い。
第１図（ａ）および（ｂ）は本発明による薄膜の形成方
法の原理を示す構成図およびその要部拡大断面図、第２
図は従来の薄膜の形成方法の原理を示す構成図である。 １・・・成膜室、 １ａ・・・不活性ガス供給口、
ｌｂ・・・排出口、 １ｃ・・・ソースガス供給口、
２・・・陰極、 ３ ・・・ターゲット、 ４ ・・・
陽極、 ５・・・半導体基板、６・・・陽イオン、 ７
・・・電子、 ８・・・原子、 ９ ・・・ソースガス
分子、１０・・・ｐｓａＨｇ、１１・・・アルミ合金薄
膜。
法の原理を示す構成図およびその要部拡大断面図、第２
図は従来の薄膜の形成方法の原理を示す構成図である。 １・・・成膜室、 １ａ・・・不活性ガス供給口、
ｌｂ・・・排出口、 １ｃ・・・ソースガス供給口、
２・・・陰極、 ３ ・・・ターゲット、 ４ ・・・
陽極、 ５・・・半導体基板、６・・・陽イオン、 ７
・・・電子、 ８・・・原子、 ９ ・・・ソースガス
分子、１０・・・ｐｓａＨｇ、１１・・・アルミ合金薄
膜。
Claims (1)
- スパッタ成膜装置を用い、成膜室内をスパッタリング用
の不活性ガスと化学的気相成長用のソースガスとの混合
ガス雰囲気とし、さらに陽極の半導体基板を温度２５０
℃以上に加熱し、スパッタ成膜と同時に化学的気相成長
による成膜を行うことを特徴とする薄膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP382289A JPH02185028A (ja) | 1989-01-12 | 1989-01-12 | 薄膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP382289A JPH02185028A (ja) | 1989-01-12 | 1989-01-12 | 薄膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02185028A true JPH02185028A (ja) | 1990-07-19 |
Family
ID=11567888
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP382289A Pending JPH02185028A (ja) | 1989-01-12 | 1989-01-12 | 薄膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02185028A (ja) |
-
1989
- 1989-01-12 JP JP382289A patent/JPH02185028A/ja active Pending
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