JPH02185031A - 水蒸気乾燥装置 - Google Patents
水蒸気乾燥装置Info
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- JPH02185031A JPH02185031A JP374289A JP374289A JPH02185031A JP H02185031 A JPH02185031 A JP H02185031A JP 374289 A JP374289 A JP 374289A JP 374289 A JP374289 A JP 374289A JP H02185031 A JPH02185031 A JP H02185031A
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- sample
- drying
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- carrier gas
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、水蒸気乾燥装置に係り、特に半導体ウェハ、
磁気ディスク基板、ガラス騙板等の洗浄後の乾燥に好適
な水蒸気乾燥装置に関する。
磁気ディスク基板、ガラス騙板等の洗浄後の乾燥に好適
な水蒸気乾燥装置に関する。
(従来の技術〕
従来のこの種の水蒸気乾燥装置については1例えば、特
開昭60−231329号に記載のように、水素と酸素
とを混合し燃焼させて発生させた水蒸気を試料の載置さ
れた乾燥容器内に送給して乾燥する装置が、また水蒸気
による乾燥ではないがその他関連するものとして乾燥窒
素ガスを用いて乾燥させるものとして特開昭57−42
121号に記載のように、水洗された試料をバスケット
ごと加熱されたチャンバー内に載置し、先ず超音波振動
により発生させた純水からの水蒸気をこのチャンバー内
に送給し、しばらく水蒸気洗浄した後、雰囲気を窒素ガ
スのごとき乾燥ガスに切り替えて乾燥する装置等が知ら
れている。
開昭60−231329号に記載のように、水素と酸素
とを混合し燃焼させて発生させた水蒸気を試料の載置さ
れた乾燥容器内に送給して乾燥する装置が、また水蒸気
による乾燥ではないがその他関連するものとして乾燥窒
素ガスを用いて乾燥させるものとして特開昭57−42
121号に記載のように、水洗された試料をバスケット
ごと加熱されたチャンバー内に載置し、先ず超音波振動
により発生させた純水からの水蒸気をこのチャンバー内
に送給し、しばらく水蒸気洗浄した後、雰囲気を窒素ガ
スのごとき乾燥ガスに切り替えて乾燥する装置等が知ら
れている。
しかしながら、上記従来の技術に紹介した前者の水素ガ
スを燃焼させて水蒸気を発生させる方式の装置では、残
留酸素ガスが試料上で水蒸気と反応して例えばウェハ表
面にシミを発生させる要因となり、また水素ガスを燃焼
させて水蒸気を発生させるものであるため取扱が複雑と
なり、安全管理上の問題もある。また、後者の窒素ガス
で乾燥させる方式では、水蒸気に比較して窒素ガスの熱
容量が数分の−と小さいため乾燥スピードが遅いという
問題があった。
スを燃焼させて水蒸気を発生させる方式の装置では、残
留酸素ガスが試料上で水蒸気と反応して例えばウェハ表
面にシミを発生させる要因となり、また水素ガスを燃焼
させて水蒸気を発生させるものであるため取扱が複雑と
なり、安全管理上の問題もある。また、後者の窒素ガス
で乾燥させる方式では、水蒸気に比較して窒素ガスの熱
容量が数分の−と小さいため乾燥スピードが遅いという
問題があった。
本発明の目的は、上記問題を解決することに有り、安全
かつ高速で、シミが発生し難い低コストな改良された水
蒸気乾燥装置を提供することにある。
かつ高速で、シミが発生し難い低コストな改良された水
蒸気乾燥装置を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
上記目的は、水蒸気発生器と、この水蒸気発生器に連結
されたキャリアガス供給部と、このキャリアガスにより
搬送された水蒸気をフィルタを介して送給される水蒸気
加熱器とを有して成る加熱乾燥された水蒸気供給部と;
試料予熱部と、加熱手段の設けられた水蒸気吹き付け部
と、加熱手段の設けられた乾燥室とが順次隣接して設け
られ、しかも試料を順次移動させる搬送移動Ia横とを
有して成る試料乾燥部と;前記水蒸気供給部からの加熱
乾燥された水蒸気を前記水蒸気吹き付け部に接続供給す
る手段とを有して成り;これにより予熱された試料が、
前記水蒸気吹き付け部を移動する間にキャリアガスによ
り搬送された加熱乾燥水蒸気に吹き付けられ熱せられて
水分を蒸発させ、さらに乾燥室にて乾燥される構成を有
して成る水蒸気乾燥装置により、達成される。
されたキャリアガス供給部と、このキャリアガスにより
搬送された水蒸気をフィルタを介して送給される水蒸気
加熱器とを有して成る加熱乾燥された水蒸気供給部と;
試料予熱部と、加熱手段の設けられた水蒸気吹き付け部
と、加熱手段の設けられた乾燥室とが順次隣接して設け
られ、しかも試料を順次移動させる搬送移動Ia横とを
有して成る試料乾燥部と;前記水蒸気供給部からの加熱
乾燥された水蒸気を前記水蒸気吹き付け部に接続供給す
る手段とを有して成り;これにより予熱された試料が、
前記水蒸気吹き付け部を移動する間にキャリアガスによ
り搬送された加熱乾燥水蒸気に吹き付けられ熱せられて
水分を蒸発させ、さらに乾燥室にて乾燥される構成を有
して成る水蒸気乾燥装置により、達成される。
f作用〕
水蒸気発生器は試料乾燥に用いる水蒸気を発生し、キャ
リアガス供給部から供給される窒素等の不活性ガスによ
り水蒸気加熱器に向かって運ばれ、その途中でフィルタ
ーにより水蒸気中の微小粒子、ミストが除去され、更に
水蒸気加熱器で、100℃以上、好ましくは150〜3
00℃程度に加熱されてから、試料乾燥部の水蒸気吹き
付け部に供給される。一方、ウェハやディスク基板等の
試料は、例えば温浴からなる試料予熱部で温められた後
、水蒸気吹き付け部に移動しここでキャリアガスにより
搬送された加熱乾燥水蒸気に吹き付けられる。試料に吹
き付けられた水蒸気は、試料及びその表面に付着する水
滴に連続的に熱を与えることにより試料表面の水分を蒸
発させ酸素と反応してシミを発生するのを妨げる。水蒸
気吹き付け部における加熱手段は、吹き付けられた水蒸
気が凝集しないように加熱するものである。また、試料
の移動は、搬送移動機構により行なわれるが、試料全面
にくまなく蒸気が吹き付けられ試料は乾燥される。更に
乾燥室内で蒸気が凝集ミストとなって試料に付着するの
を防止するため、加熱ヒータ等の加熱手段により乾燥室
内の蒸気は100℃以上に保たれ、ミストの付着による
シミの発生を防ぎつつ乾燥される。なお、水蒸気発生器
と水蒸気加熱器との間に設けるフィルターは、水蒸気中
の微小粒子やミスト等を除去するためのものであり、例
えばグラスファイバーや合成繊維等を充填したものから
構成される。
リアガス供給部から供給される窒素等の不活性ガスによ
り水蒸気加熱器に向かって運ばれ、その途中でフィルタ
ーにより水蒸気中の微小粒子、ミストが除去され、更に
水蒸気加熱器で、100℃以上、好ましくは150〜3
00℃程度に加熱されてから、試料乾燥部の水蒸気吹き
付け部に供給される。一方、ウェハやディスク基板等の
試料は、例えば温浴からなる試料予熱部で温められた後
、水蒸気吹き付け部に移動しここでキャリアガスにより
搬送された加熱乾燥水蒸気に吹き付けられる。試料に吹
き付けられた水蒸気は、試料及びその表面に付着する水
滴に連続的に熱を与えることにより試料表面の水分を蒸
発させ酸素と反応してシミを発生するのを妨げる。水蒸
気吹き付け部における加熱手段は、吹き付けられた水蒸
気が凝集しないように加熱するものである。また、試料
の移動は、搬送移動機構により行なわれるが、試料全面
にくまなく蒸気が吹き付けられ試料は乾燥される。更に
乾燥室内で蒸気が凝集ミストとなって試料に付着するの
を防止するため、加熱ヒータ等の加熱手段により乾燥室
内の蒸気は100℃以上に保たれ、ミストの付着による
シミの発生を防ぎつつ乾燥される。なお、水蒸気発生器
と水蒸気加熱器との間に設けるフィルターは、水蒸気中
の微小粒子やミスト等を除去するためのものであり、例
えばグラスファイバーや合成繊維等を充填したものから
構成される。
以下本発明に係る水蒸気乾燥装置の一実施例を図面を用
いて説明する。第1図は本発明の水蒸気乾燥装置の要部
構成概略図である。
いて説明する。第1図は本発明の水蒸気乾燥装置の要部
構成概略図である。
水蒸気乾燥装置の基本構成は、乾燥処理前に熱容量の大
きい試料(例えばウェハもしくはディスク基板)1を予
熱する温浴槽2、この温浴槽2に50〜90℃のきれい
な熱媒体、例えば純水を供給するための液供給部3、予
熱された試料1を乾燥させるための蒸気ノズル4及び蒸
気の凝集によるミスト発生を防止するためのヒータ5を
有した乾燥室6.蒸気ノズル4に150〜300’Cの
きれいな水蒸気を供給するための水蒸気供給部7、試料
1をパルスモータを用いて上下搬送する搬送機構部8か
ら成る。温浴槽2には熱媒体である液体、例えば純水が
満たされており、また液溜りによる汚染を防止するため
温浴槽の構造はオーバーフロー型で純水を下部から供給
することが出来る液供給部3に連通されている。乾燥室
6は外気が中に入らないような密閉構造とし、また蒸気
が外に漏れないようにシャッタ10.排気口11を設け
、蒸気ノズル4からの水蒸気を排気する。試料1は搬送
機構部8に連結されたアーム12に取付けられて温浴槽
2内の液体9に浸漬される。一定時間浸漬を行ない、試
料1の温度が所定温度まで上昇した後、試料1はアーム
12によってゆっくり上部へ搬送され、試料1の表面に
蒸気ノズル4から水蒸気が吹き付けられる。その結果、
試料1の表面に付着していた水や熱媒体である液体9は
水蒸気と置換し除去され、試料1は乾燥装置上部まで搬
送されて乾燥処理が終了する。
きい試料(例えばウェハもしくはディスク基板)1を予
熱する温浴槽2、この温浴槽2に50〜90℃のきれい
な熱媒体、例えば純水を供給するための液供給部3、予
熱された試料1を乾燥させるための蒸気ノズル4及び蒸
気の凝集によるミスト発生を防止するためのヒータ5を
有した乾燥室6.蒸気ノズル4に150〜300’Cの
きれいな水蒸気を供給するための水蒸気供給部7、試料
1をパルスモータを用いて上下搬送する搬送機構部8か
ら成る。温浴槽2には熱媒体である液体、例えば純水が
満たされており、また液溜りによる汚染を防止するため
温浴槽の構造はオーバーフロー型で純水を下部から供給
することが出来る液供給部3に連通されている。乾燥室
6は外気が中に入らないような密閉構造とし、また蒸気
が外に漏れないようにシャッタ10.排気口11を設け
、蒸気ノズル4からの水蒸気を排気する。試料1は搬送
機構部8に連結されたアーム12に取付けられて温浴槽
2内の液体9に浸漬される。一定時間浸漬を行ない、試
料1の温度が所定温度まで上昇した後、試料1はアーム
12によってゆっくり上部へ搬送され、試料1の表面に
蒸気ノズル4から水蒸気が吹き付けられる。その結果、
試料1の表面に付着していた水や熱媒体である液体9は
水蒸気と置換し除去され、試料1は乾燥装置上部まで搬
送されて乾燥処理が終了する。
第2図は、前記第1図の水蒸気乾燥装置において試料1
を乾燥するために使用する水蒸気供給部7の内部構成を
示す、水蒸気供給部7内の水蒸気発生器13の内部には
異物を除くためのフィルタ14を介して不純物イオン等
のない液、例えば純水が外部から供給され、その一部は
液の汚染を防ぐためドレン16から定量バルブ17を通
って一定量排出されている。水蒸気発生器13には加熱
ヒータ18が設けられ、一定速度で水蒸気19が発生さ
れている。この水蒸気19は、異物を除くためのフィル
タ20を介して供給される不活性なキャリアガス、例え
ば窒素ガス等により、ミルスト及び水蒸気中の微粒子を
除くためのフィルタ21を通って水蒸気加熱器22に運
ばれ、ヒータ23で100℃以上、好ましくは150〜
300℃に加熱され蒸気ノズル4までの間に蒸気の凝集
を防ぐための保温ヒータ24を有した蒸気輸送パイプ2
5で蒸気ノズルに蒸気を輸送する。
を乾燥するために使用する水蒸気供給部7の内部構成を
示す、水蒸気供給部7内の水蒸気発生器13の内部には
異物を除くためのフィルタ14を介して不純物イオン等
のない液、例えば純水が外部から供給され、その一部は
液の汚染を防ぐためドレン16から定量バルブ17を通
って一定量排出されている。水蒸気発生器13には加熱
ヒータ18が設けられ、一定速度で水蒸気19が発生さ
れている。この水蒸気19は、異物を除くためのフィル
タ20を介して供給される不活性なキャリアガス、例え
ば窒素ガス等により、ミルスト及び水蒸気中の微粒子を
除くためのフィルタ21を通って水蒸気加熱器22に運
ばれ、ヒータ23で100℃以上、好ましくは150〜
300℃に加熱され蒸気ノズル4までの間に蒸気の凝集
を防ぐための保温ヒータ24を有した蒸気輸送パイプ2
5で蒸気ノズルに蒸気を輸送する。
第3図は、第1図の装置において熱容量の大きい試料を
予熱するために使用する液供給部3の内部構成を示す、
液供給部3は熱交換器26と液加熱槽27から成り、液
の供給系は液溜りによる汚染、例えばバクテリア等の発
生が生じないようにフロー型としである。フィルタ28
を介してきた純水は熱交換器26により温浴槽2から廃
液となった温水で加温し、次いで液加熱槽27のヒータ
29で50〜90℃までに加熱後、乾燥装置に供給する
。液加熱槽27では気泡30が発生し、温浴槽2で飛沫
となりシミの生じる原因となるため、温浴槽2に供給す
る前に脱泡器31を入れ、気泡のない温水を供給する。
予熱するために使用する液供給部3の内部構成を示す、
液供給部3は熱交換器26と液加熱槽27から成り、液
の供給系は液溜りによる汚染、例えばバクテリア等の発
生が生じないようにフロー型としである。フィルタ28
を介してきた純水は熱交換器26により温浴槽2から廃
液となった温水で加温し、次いで液加熱槽27のヒータ
29で50〜90℃までに加熱後、乾燥装置に供給する
。液加熱槽27では気泡30が発生し、温浴槽2で飛沫
となりシミの生じる原因となるため、温浴槽2に供給す
る前に脱泡器31を入れ、気泡のない温水を供給する。
脱泡器31は上部が大気開放状態とし、温水が温浴槽2
に流れ込む程度に脱泡器31の液面の水位を温浴槽2の
水面より高く設置する。
に流れ込む程度に脱泡器31の液面の水位を温浴槽2の
水面より高く設置する。
上記実施例において試料予熱部を構成する温浴槽2の熱
媒体となる液体は、水、アルコール類、ハロゲン系有機
溶媒などの使用が可能であり、加熱によりその液体の粘
度が低下する液体が好ましい、特にコスト、安全性、環
境衛生面などを考慮すると水の使用が望ましい、また試
料1を乾燥する蒸気としては、水蒸気が好ましいが、そ
の他場合によってはアルコール類、ハロゲン系有機溶媒
などの蒸気によって置換することもでき、蒸気でなく加
温された窒素ガスなどの不活性ガスでも可能である。し
かし、上述のようにコスト、安全性。
媒体となる液体は、水、アルコール類、ハロゲン系有機
溶媒などの使用が可能であり、加熱によりその液体の粘
度が低下する液体が好ましい、特にコスト、安全性、環
境衛生面などを考慮すると水の使用が望ましい、また試
料1を乾燥する蒸気としては、水蒸気が好ましいが、そ
の他場合によってはアルコール類、ハロゲン系有機溶媒
などの蒸気によって置換することもでき、蒸気でなく加
温された窒素ガスなどの不活性ガスでも可能である。し
かし、上述のようにコスト、安全性。
環境衛生面などを考慮すると水蒸気にキャリアガスとし
て窒素ガスの混合ガスが好ましい。また、熱媒体で使用
する液体と蒸気の成分は同一のものを使用することが好
ましい。キャリアガスとして空気を用いることは、空気
中の酸素と水と試料とが反応してシミを生成するため好
ましくない。
て窒素ガスの混合ガスが好ましい。また、熱媒体で使用
する液体と蒸気の成分は同一のものを使用することが好
ましい。キャリアガスとして空気を用いることは、空気
中の酸素と水と試料とが反応してシミを生成するため好
ましくない。
この第1図の構成の装置で、水を熱媒体及び蒸気、キャ
リアガスを窒素ガスとして使用し、温浴槽の温度85℃
、乾燥室の温度250℃とした場合、試料として直径約
13cII+の磁気ディスク基板を例にとれば、乾燥時
間の短い遠心乾燥でも乾燥に30秒以上要するところを
、本発明の装置では15秒以下で乾燥でき、しかもシミ
の発生が全く見られなかった。また、水蒸気使用のため
、同じ体積の窒素ガスを200〜300℃に加熱する場
合に比べ、コストも1/10以下となった。更にアルコ
ール等の可燃性蒸気を用いないので安全な乾燥が行える
。
リアガスを窒素ガスとして使用し、温浴槽の温度85℃
、乾燥室の温度250℃とした場合、試料として直径約
13cII+の磁気ディスク基板を例にとれば、乾燥時
間の短い遠心乾燥でも乾燥に30秒以上要するところを
、本発明の装置では15秒以下で乾燥でき、しかもシミ
の発生が全く見られなかった。また、水蒸気使用のため
、同じ体積の窒素ガスを200〜300℃に加熱する場
合に比べ、コストも1/10以下となった。更にアルコ
ール等の可燃性蒸気を用いないので安全な乾燥が行える
。
本発明によれば、安全かつ従来の蒸気乾燥に比べ2倍以
上高速で清浄な乾燥処理ができるため汚染付着などに起
因する試料表面のシミ等の不良の発生を低減できる効果
がある。
上高速で清浄な乾燥処理ができるため汚染付着などに起
因する試料表面のシミ等の不良の発生を低減できる効果
がある。
第1図は本発明の一実施例となる装置全体構成の要部概
略説明図、第2図は水蒸気供給部の構成図、第3図は試
料予熱部の温浴を構成する液供給部の構成図である。 1・・・試料(ディスク基板)、2・・・温浴槽、3・
・・温水供給部、4・・・蒸気ノズル、5・・・ヒータ
、6・・・乾燥室、7・・・蒸気供給部、8・・・搬送
機構部、9・・・液体(純水)、10・・・シャッタ、
11・・・排気口、12・・・アーム、13・・・水蒸
気発生器、14・・・フィルタ、15・・・液体(純水
)、16・・・ドレン、17・・・定流量バルブ、18
・・・加熱ヒータ、19・・・蒸気(水蒸気)、20.
21・・・フィルタ、22・・・水蒸気加熱器、23・
・・ヒータ、24・・・保温ヒータ、25・・・蒸気輸
送パイプ、26・・・熱交換器、27・・・液加熱槽、
28・・・フィルタ、29・・・ヒータ、−30・・・
気泡。 31・・・脱泡器
略説明図、第2図は水蒸気供給部の構成図、第3図は試
料予熱部の温浴を構成する液供給部の構成図である。 1・・・試料(ディスク基板)、2・・・温浴槽、3・
・・温水供給部、4・・・蒸気ノズル、5・・・ヒータ
、6・・・乾燥室、7・・・蒸気供給部、8・・・搬送
機構部、9・・・液体(純水)、10・・・シャッタ、
11・・・排気口、12・・・アーム、13・・・水蒸
気発生器、14・・・フィルタ、15・・・液体(純水
)、16・・・ドレン、17・・・定流量バルブ、18
・・・加熱ヒータ、19・・・蒸気(水蒸気)、20.
21・・・フィルタ、22・・・水蒸気加熱器、23・
・・ヒータ、24・・・保温ヒータ、25・・・蒸気輸
送パイプ、26・・・熱交換器、27・・・液加熱槽、
28・・・フィルタ、29・・・ヒータ、−30・・・
気泡。 31・・・脱泡器
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、水蒸気発生器と、この水蒸気発生器に連結されたキ
ャリアガス供給部と、このキャリアガスにより搬送され
た水蒸気をフィルタを介して送給される水蒸気加熱器と
を有して成る加熱乾燥された水蒸気供給部と;試料予熱
部と、加熱手段の設けられた水蒸気吹き付け部と、加熱
手段の設けられた乾燥室とが順次隣接して設けられ、し
かも試料を順次移動させる搬送移動機構とを有して成る
試料乾燥部と;前記水蒸気供給部からの加熱乾燥された
水蒸気を前記水蒸気吹き付け部に接続供給する手段とを
有して成り;これにより予熱された試料が、前記水蒸気
吹き付け部を移動する間にキャリアガスにより搬送され
た加熱乾燥水蒸気に吹き付けられ熱せられて水分を蒸発
させ、さらに乾燥室にて乾燥される構成を有して成る水
蒸気乾燥装置。 2、上記試料乾燥部の試料予熱部を、温水の循環する温
浴で構成し、試料をこの温浴中に浸漬することにより予
熱する構成とした請求項1記載の水蒸気乾燥装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1003742A JP2557515B2 (ja) | 1989-01-12 | 1989-01-12 | 水蒸気乾燥装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1003742A JP2557515B2 (ja) | 1989-01-12 | 1989-01-12 | 水蒸気乾燥装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02185031A true JPH02185031A (ja) | 1990-07-19 |
| JP2557515B2 JP2557515B2 (ja) | 1996-11-27 |
Family
ID=11565661
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1003742A Expired - Lifetime JP2557515B2 (ja) | 1989-01-12 | 1989-01-12 | 水蒸気乾燥装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2557515B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6146469A (en) * | 1998-02-25 | 2000-11-14 | Gamma Precision Technology | Apparatus and method for cleaning semiconductor wafers |
| JP2010060244A (ja) * | 2008-09-05 | 2010-03-18 | Tokyo Electron Ltd | 蒸気発生器、蒸気発生方法および基板処理装置 |
| JP2011066322A (ja) * | 2009-09-18 | 2011-03-31 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
-
1989
- 1989-01-12 JP JP1003742A patent/JP2557515B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6146469A (en) * | 1998-02-25 | 2000-11-14 | Gamma Precision Technology | Apparatus and method for cleaning semiconductor wafers |
| JP2010060244A (ja) * | 2008-09-05 | 2010-03-18 | Tokyo Electron Ltd | 蒸気発生器、蒸気発生方法および基板処理装置 |
| US8281498B2 (en) | 2008-09-05 | 2012-10-09 | Tokyo Electron Limited | Evaporator, evaporation method and substrate processing apparatus |
| JP2011066322A (ja) * | 2009-09-18 | 2011-03-31 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2557515B2 (ja) | 1996-11-27 |
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