JPH02185079A - 固体記憶膜装置の形成法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ 本発明は、固体記憶膜装置の形成法に関し、その表面保
護膜材料及び電極材料の構成に関する。

［従来の技術］ 従来、酸化マンガン膜等の酸化還元反応を用いた、いわ
ゆるエレクトロ・クロミック固体記憶膜には、例えば醸
化マンガン膜の場合には電圧印加により記憶の書き込み
反応としてＭｎ０１−＊Ｍｎ０１＋０１反応を起すため
Ｋは、酸素雰囲気や空気中にて加熱してフォーミング処
理する等の方法がとられて、記憶の消去作用をさせ、と
りたてて保護膜を形成する様な事はなかった。又該固体
記憶膜への電極膜形成は通常Ａｔが用いられていた。

［発明が解決しようとする課題］ しかし、上記従来技術によると、固体記憶膜からの酸素
固体記憶膜表面や電極膜への離脱による書き込み、消去
回数の低減と云う課題があった。

本発明は、かかる従来技術の課題を解決し、固体記憶膜
装置の書き込み、消去回数、を増大さ・せるための保護
膜材料構成と電極膜材料構成を提供する事を目的とする
。

［課題を解決するための手段］ 上記課題を解決するために１本発明は固体記憶膜装置の
形成法に関し、 （１）　　固体記憶膜の表面保護膜として、りんガラス
膜または、窒化硅素膜または弗化カルシウム膜等のアル
カリ土類金属の弗化物膜を形成する手段をとる事。

及び （２）　　固体記憶膜への電極膜として、Ｔｉ、Ｎｉ、
Ｏｒ、Ｗ、Ｍｂ、Ｍｎ、Ｔａ、Ｎｂ、’ｌ”１Ｗ等の高
融点金属膜かあるいはそれらの硅化膜、あるいは窒化膜
を形成する手段をとる。

［実施例］ 以下、実施例により本発明を詳述する。

いま、酸化マンガン膜の表面保護膜としてりんガラス膜
を用いると、りんガラス膜中のＰ２Ｏ３に存在する過剰
の酸素が酸化マンガン膜からの酸素の離脱を防止し、保
護膜を形成したままで７オーミング処理して、記憶状態
を元に戻す事ができるまた、りんガラス膜の表面に更に
Ｓｉ、Ｎ４膜を形成した多層構造にするとｓ　１３１１
．　ｋは下地りんガラス膜からの酸素の離脱をも防止し
、更に、書き込み、消去回数を増大させる効果もある。

尚、りんガラス膜の代りにＳ　ｉ３Ｎ４　膜を用いると
、Ｓｉ、Ｎ、膜は固体記憶膜からの酸素の離脱を防止す
る。

更に、りんガラス膜０代りＩｃ、ＯａＦ、等のアルカリ
土類金属の弗化物膜を用いると酸素の離脱を防止すると
共に、酸素に代えて弗素の固体記憶膜への侵入、置換に
よる記憶動作の安定化を計ることもできる。弗化物膜の
中にはＭｇ’Ｆ２の如く吸湿性のものもあるので、その
場合には更にＳｉ。

Ｈ４膜を積層して、耐湿性をもたせるのが好ましい。

次に、固体記憶膜への電極膜形成時に電極膜材料として
、Ｔｉ、！ｉ１．Ｏｒ、Ｗ、Ｍｏ、Ｍｎ。

Ｔａ、ｊｌｂ、ＴｉＷあるいはＴｉ！３１．Ｍｉｎｉ、
０ｒＳｉ、ＷＳｉ、Ｍｏ８１．ＴａＳｉ、ｊｉｂＳｌあ
るいはＴｉ１ｌ、Ｎｉｌ、ＯｒＮ、ＷＮ。

ＭｏＮ、ＭｎＮ　、ＴａＮ　、、ＭｂＮ等の高融点金属
やサーメット材料を用いると固体記憶膜からの酸素の離
脱がＡｔの如き酸化され易い金属膜に比し格段に減少し
、書き込み、消去回数の増大や記憶保持特性の安定につ
ながる作用をする。尚、弗化物膜はアルカリ土類金属の
弗化物膜に限らず、０ｒｌＦや１ｒｉＦの如く他の金属
弗化物膜であっても良く、弗化物膜な表面保ＩＭ膜とし
て使用する場合に、エレクトロクロミック固体記憶膜が
弗化物膜である場合には尚効果的である。

更に、エレクトロクロミック固体記憶膜が窒化膜である
場合には１．ｓ　ｉ、Ｎ４Ｍの保護膜は尚効果的である
。

［発明の効果］ 本発明により固体記憶膜装置の書き込み、消去回数の増
大や記憶保持特性の安定化を計ることができる効果があ
る。

以上

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）酸化マンガン膜等の電圧印加による酸化が還元反
   応を用いたいわゆるエレクトロクロミック固体記憶膜の
   表面保護膜として、りんガラス膜または窒化硅素膜、ま
   たは弗化カルシウム膜等のアルカリ土類金属等の弗化物
   膜を形成する事を特徴とする固体記憶膜装置の形成法。
2. （２）酸化マンガン膜等のエレクトロクロミック固体記
   憶膜への電極膜として、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｏｒ、Ｗ、Ｍｏ、
   Ｍｎ、Ｔａ、Ｎｂ、ＴｉＷ等の高融点金属膜かあるいは
   それらの硅化膜あるいは窒化膜を形成する事を特徴とす
   る固体記憶膜装置の形成法。