JPH03212969A - 強誘電体装置 - Google Patents
強誘電体装置Info
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- JPH03212969A JPH03212969A JP873090A JP873090A JPH03212969A JP H03212969 A JPH03212969 A JP H03212969A JP 873090 A JP873090 A JP 873090A JP 873090 A JP873090 A JP 873090A JP H03212969 A JPH03212969 A JP H03212969A
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- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
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- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
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Landscapes
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は強誘電体装置の構造に係り、主として軍使材料
と強誘電体膜界面構造に関する。
と強誘電体膜界面構造に関する。
［従来の技術］
従来、Ｐ Ｚ Ｔ （Ｐ ｂ −Ｚ ｒ −Ｔ ｉ ｆ
ｊ／ｌ化物）に代表される強誘電体装置を例えば半導体
装置に組み込む場合には、ｐｔ電電膜膜上ＰＺＴ膜等の
強誘電体膜を形成し、更に上部電極もＰｔｔ使膜を用い
る場合もあった。
ｊ／ｌ化物）に代表される強誘電体装置を例えば半導体
装置に組み込む場合には、ｐｔ電電膜膜上ＰＺＴ膜等の
強誘電体膜を形成し、更に上部電極もＰｔｔ使膜を用い
る場合もあった。
［発明が解決しようとする課題］
しかし、上記従来技術によると強誘電体膜の少な（とも
−主面には高価なｐｔ電極を用いなければならないと言
５課題があった。
−主面には高価なｐｔ電極を用いなければならないと言
５課題があった。
本発明は、かかる従来技術の課題を解決し、Ｐｔ’を極
を用いな（ても良い強誘電体装置の強誘電体と電極との
界面構造を提供する事を目的とする。
を用いな（ても良い強誘電体装置の強誘電体と電極との
界面構造を提供する事を目的とする。
［課題を解決するための手段］
上記課題を解決するために、本発明は、強誘電体装置に
関し、強誘電体膜の一主面又は二主面にＳｉ３Ｎ、を介
してｉｔｍを形成する手段を取る。
関し、強誘電体膜の一主面又は二主面にＳｉ３Ｎ、を介
してｉｔｍを形成する手段を取る。
［実施例コ
以下、実施例により本発明を詳述する。
第１図は本発明の一実施例を示すＣ−ＭＯ３半導体装置
に組み込んだ強誘電体装置の断面図である。
に組み込んだ強誘電体装置の断面図である。
いま、Ｏ−Ｍ ＯＳ半導体基板が、８１基板１Ｐウエル
又はＮウェル２．ソース３．ドレイン４、Ｓｉ０，５．
ゲート６及びガラス（１）７から成り該基板上に下部電
極８としてｐｔ以外のＰＯ１ｙＳ１やＴｉ、Ｗ、ＴｉＮ
、ＷＳｉ、Ａｔ等をスパッタ法等により形成し、該下部
電極８の上にプラズマＧＩＶＤ法等により５ｉｓＮ＋（
１）９の膜を形成後、Ｉ’ＺＴやＢａＴｉＯ３、Ｐｂ５
Ｇｅ３０Ｈ。
又はＮウェル２．ソース３．ドレイン４、Ｓｉ０，５．
ゲート６及びガラス（１）７から成り該基板上に下部電
極８としてｐｔ以外のＰＯ１ｙＳ１やＴｉ、Ｗ、ＴｉＮ
、ＷＳｉ、Ａｔ等をスパッタ法等により形成し、該下部
電極８の上にプラズマＧＩＶＤ法等により５ｉｓＮ＋（
１）９の膜を形成後、Ｉ’ＺＴやＢａＴｉＯ３、Ｐｂ５
Ｇｅ３０Ｈ。
Ｂ１４Ｔｉ、Ｏ，、等の強誘電体１０をスパッタ法やゾ
ル・ゲル法により膜として形成し、更に、Ｓ ｉ３Ｎ、
（２１１１を形成後上部電極１２を下部電極１１と同
様の方法、材料にて形成し、ガラス（２）１３を介して
Ａｔ、、等の金属電極を前記下部電極８及び下部電極１
２と接続して成る。
ル・ゲル法により膜として形成し、更に、Ｓ ｉ３Ｎ、
（２１１１を形成後上部電極１２を下部電極１１と同
様の方法、材料にて形成し、ガラス（２）１３を介して
Ａｔ、、等の金属電極を前記下部電極８及び下部電極１
２と接続して成る。
本発明によるＳｉ３Ｎ４膜の作用は強誘電体膜とｔｔ極
との反応による強誘電体膜特性の劣化、とりわけリーク
電流の防止であり、Ｓｉ３Ｎ、膜と強誘電体膜との反応
はｐｔと強誘電体膜との反応と同等又はそれ以下に押え
ることができる作用がある。
との反応による強誘電体膜特性の劣化、とりわけリーク
電流の防止であり、Ｓｉ３Ｎ、膜と強誘電体膜との反応
はｐｔと強誘電体膜との反応と同等又はそれ以下に押え
ることができる作用がある。
［発明の効果コ
本発明により、低コストで劣化の無い強誘電体装置を提
供することができる効果がある。
供することができる効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示す０−ＭＯＳ半導体装置
に組み込んだ強誘電体装置の断面図である。 １・・・・・・・・・Ｓ１基板 ２・・・・・・・・・Ｐウェル又はＮウェル３・・・・
・・・・・ソース ４・・・・・・・・・ドレイン ５・・・・・・・・・Ｓ ｉ ０゜ ６・・・・・・・・・ゲート ７・・・・・・・・・ガラス（１） ８・・・・・・・・・下部電極 ９・・・・・・・・・Ｓｉ３Ｎ、（２１１０・・・・・
・強誘電体 １ ・・・・・・ Ｓｉ ３Ｎ４ ２・・・・・・上部電極 ３・・・・・・ガラス（２） ４・・・・・・Ａｔ
に組み込んだ強誘電体装置の断面図である。 １・・・・・・・・・Ｓ１基板 ２・・・・・・・・・Ｐウェル又はＮウェル３・・・・
・・・・・ソース ４・・・・・・・・・ドレイン ５・・・・・・・・・Ｓ ｉ ０゜ ６・・・・・・・・・ゲート ７・・・・・・・・・ガラス（１） ８・・・・・・・・・下部電極 ９・・・・・・・・・Ｓｉ３Ｎ、（２１１０・・・・・
・強誘電体 １ ・・・・・・ Ｓｉ ３Ｎ４ ２・・・・・・上部電極 ３・・・・・・ガラス（２） ４・・・・・・Ａｔ
Claims (1)
- 強誘電体膜の一主面又は二主面にはＳｉ＿３Ｎ＿４膜
を介して電極が形成されて成る事を特徴とする強誘電体
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP873090A JPH03212969A (ja) | 1990-01-18 | 1990-01-18 | 強誘電体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP873090A JPH03212969A (ja) | 1990-01-18 | 1990-01-18 | 強誘電体装置 |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11126080A Division JP2000036565A (ja) | 1999-05-06 | 1999-05-06 | 強誘電体装置 |
| JP2000127806A Division JP2000307072A (ja) | 2000-01-01 | 2000-04-27 | 強誘電体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03212969A true JPH03212969A (ja) | 1991-09-18 |
Family
ID=11701071
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP873090A Pending JPH03212969A (ja) | 1990-01-18 | 1990-01-18 | 強誘電体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03212969A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100231604B1 (ko) * | 1996-12-20 | 1999-11-15 | 김영환 | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 |
| KR100398569B1 (ko) * | 2000-12-19 | 2003-09-19 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 캐패시터 제조방법 |
-
1990
- 1990-01-18 JP JP873090A patent/JPH03212969A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100231604B1 (ko) * | 1996-12-20 | 1999-11-15 | 김영환 | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 |
| KR100398569B1 (ko) * | 2000-12-19 | 2003-09-19 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 캐패시터 제조방법 |
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