JPH0218539B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 発明の技術分野 本発明は電子銃構体及びその製造方法に係り、
特に電子銃構体を構成するグリツドの電子ビーム
通過孔部の径を変化させることにより効果的に組
立てることが可能な電子銃構体及びその製造方法
に関するものである。

発明の技術的背景 カラー受像管用として使用される電子銃構体に
はユニポテンシヤル形電子銃構体（以下UPFと
云う）、バイポテンシヤル形電子銃構体（以下
BPFと云う）などが主流となつていたが、これ
らUPFやBPFは一長一短があり、カラー受像管
のスクリーン上のスポツトを全面にわたつて小さ
くすることが困難であつた。

この対策として出願人は先にユニポテンシヤル
形電子レンズを補助電子レンズとし、バイポテン
シヤル形電子レンズを主電子レンズとした電子銃
構体（以下QPFと云う）を開発し、カラー受像
管のスクリーン上のスポツトを全面にわたり小さ
くし、高輝度、高コントラストな極めて鮮明な再
生画像を得ることを可能とした。

次にこのQPFの構造の要部を第１図により説
明する。即ちQPF１は内部にヒータ２を装着し
た陰極３、第１グリツド４、第２グリツド５、２
個のキヤツプ状電極素子６₁，６₂と１個の平板状
電極素子６₃からなる第３グリツド６、２個のキ
ヤツプ状電極素子７₁，７₂からなる第４グリツド
７、２個のキヤツプ状電極素子８₁，８₂と１個の
平板状電極素子８₃からなる第１の組立体８ａ、
及び２個のキヤツプ状電極８₄，８₅と１個の平板
状電極素子８₆からなる第２の組立体８ｂとで構
成される第５グリツド８、２個のキヤツプ状電極
素子９₁，９₂と１個の平板状電極素子９₃からな
る第６グリツド９とを具備し、これらヒータ２、
陰極３、第１グリツド４、第２グリツド５、第３
グリツド６、第４グリツド７、第５グリツド８、
第６グリツド９はそれぞれ所定間隔をもつように
植設部を介して絶縁支持棒１０に植設され、第３
グリツド６、第４グリツド７、及び第５グリツド
８によりユニポテンシヤル形電子レンズを形成す
ると共に第５グリツド８と第６グリツド９により
バイポテンシヤル形電子レンズを形成するように
なつている。

そして第１図に示すような電子銃構体は第２図
乃至第４図に示すような組立方法により組立てら
れている。図中第１図と同一部分は同一符号を示
す。

先ず第２図及び第３図に示すように定盤１１に
位置ぎめ用センター棒１２を植設した組立治具１
３に電子レンズを構成しないキヤツプ状電極素子
８₄、平板状電極素子８₆、電子レンズを形成する
キヤツプ状電極８₅の順に挿入し、このキヤツプ
状電極８₅上より治具１４を介して矢印方向に
（F₃）の力で圧接しながら組立治具１３に設けら
れた位置ぎめ治具１５，１６，１７，１８，１９
を使用し平板状電極素子８₆の外周に設けられた
４ケ所の基準面２０とセンター棒１２の位置をき
める。この場合、図のように位置ぎめ治具１８，
１９にはそれぞれスプリングなどを介して矢印方
向に（F₁）（F₂）の力を平板状電極素子８₆に加え
るようになつている。次にキヤツプ状電極素子８
_４，８₅及び平板状電極素子８₆を溶接点２１にお
いて抵抗溶接またはレーザ溶接を行ない、第２の
組立体８ｂが完成する。この製造方法は第３グリ
ツド６、第４グリツド７、第５グリツド８の第１
の組立体８ａ、第６グリツド９も同様である。

次に電子銃構体の組立について第４図により説
明する。図中第１図と同一符号は同一部分を示
し、特に説明しない。

即ち、定盤２２に植設されたセンター棒２３に
第６グリツド９、スペーサ２４、第５グリツド８
の第２の組立体８ｂ、第１の組立体８ａ、スペー
サ２５、第４グリツド７、スペーサ２６、第３グ
リツド６、スペーサ２７、第２グリツド５、スペ
ーサ２８、第１グリツド４の順に積み重ね、この
第１グリツド４上より治具２９を載置し、矢印方
向より力（F₄）で締付けながら両側より表面を
軟化した絶縁支持棒１０を圧接し、各グリツドの
植設部をこの絶縁支持棒１０に植設し、センター
棒２３、各スペーサ２４，２５，２６，２７，２
８を除去し、第１図の電子銃構体が完成する。第
４図において陰極、ヒータは省略している。

前述した製造方法で組立てられる電子銃構体の
各グリツド、例えば第５グリツド８の第１の組立
体８ａ、第２の組立体８ｂ、第６グリツド９の形
状は、第２の組立体８ｂを例にとると第５図に示
すように電子レンズを構成するキヤツプ状電極素
子８₅の電子ビーム通過孔部の径（φ₁）、平板状電
極素子８₆の電子ビーム通過孔部の径（φ₂）、電子
レンズを構成しないキヤツプ状電極素子８₄の電
子ビーム通過孔部の径（φ₃）とは同一に形成さ
れていた。

背景技術の問題点 このように各素子の電子ビーム通過孔部の径
（φ₁）、（φ₂）、（φ₃）が同一なため次の様な問題
点
があつた。

第１に部品精度測定の自動化が困難である。即
ち透過光を利用した光学式の測定が自動化を最も
簡単にする方法であるが、平板状の電極素子８₆
は別としてキヤツプ状電極素子８₅と８₄が同一径
であるため、例えばキヤツプ状電極素子８₅の外
方より平行光を通過させてもこの光がキヤツプ状
電極素子８₄の電子ビーム通過孔部により一部が
遮えぎられ鮮明な像が得られないことになり、こ
のような光学式の測定が採用できない。

第２の電子銃構体の生産性がわるい。即ち第４
図に示す所謂ビーデング工程においてはそれぞれ
グリツドやグリツドの組立体としてセンター棒２
３に滑合することになるため、これらのグリツド
やグリツドの組立体をセンター棒に挿入する時の
作業性が悪い。

第３に電子銃構体の組立精度の劣化、即ち第６
図に示すようにビーデング工程で第６グリツド９
の電子レンズを構成するキヤツプ状電極素子９₁
が図の様に変形したものを使用した場合、スペー
サ２４を介して第５グリツド８の第２の組立体８
ｂを載置した場合を考えて見ると、第２の組立体
８ｂの両キヤツプ状電極素子８₄，８₅、第６グリ
ツド９の両キヤツプ状電極素子９₁，９₂の電子ビ
ーム通過孔部が同径であり、これらがセンター棒
２４に滑合し、かつ上より矢印方向に力（F₄）
で押し付けられているので、スペーサ２４とキヤ
ツプ状電極素子８₅は点３１でのみ接触すると共
に第２の組立体８ｂには矢印３２のような応力が
加えられ、点３３，３４でセンター棒２３に噛み
合つていることになり、ビーデイング工程後セン
ター棒２３から抜くとき第２の組立体８ｂは移動
するため電子銃構体として不良になりやすい。

第４に電子銃構体アライメント測定精度が劣化
する。即ち精度が不要な電子レンズを構成しない
電極素子、第６図で８₄と９₂が精度を必要とする
電子レンズを構成する電極素子、第６図で８₅と
９₁の電子ビーム通過孔部が同じであるため、接
触式・光学式共に測定を妨害することになり、結
果的に測定精度が劣化する。

第５にフオーカス品位の劣化、即ち電子ビーム
通過孔部の径が同一であるため、電子レンズを構
成しない電極素子の電子ビーム通過孔部がオフセ
ンターしている場合、電子レンズを形成する電界
に影響を与え電子レンズを通過する電子ビームに
歪が発生するためフオーカス品位を劣化させる。

発明の目的及び構成 本発明は前記背景技術の諸問題点に鑑みなされ
たものであり、グリツドやグリツドを構成する組
立体を使用して組立てる場合、これらグリツドや
グリツドを構成する組立体の電子レンズを構成し
ない電極素子の電子ビーム通過孔部の径を電子レ
ンズを構成する電極素子の電子ビーム通過孔部の
径より例えば0.04〜0.30mm大きくすることにより
部品精度測定の自動化及び生産性組立精度、アラ
イメントの測定精度、フオーカス品位の向上が期
待出来る電子銃構体、及びその製造方法を提供す
ることを目的としている。

発明の実施例 次に本発明の一実施例としてのQPFの構造の
要部を第７図により説明する。

即ちQPF４１は内部にヒータ４２を装着した
陰極４３、第１グリツド４４、第２グリツド４
５、２個のキヤツプ状電極素子４６₁，４６₂と１
個の平板状電極素子４６₃からなる第３グリツド
４６、２個のキヤツプ状電極素子４７₁，４７₂か
らなる第４グリツド４７、２個のキヤツプ状電極
素子４８₁，４８₂と１個の平板状電極素子４８₃
からなる第１の組立体４８ａ、及び２個のキヤツ
プ状電極素子４８₄，４８₅と１個の平板状電極素
子４８₆からなる第２の組立体４８ｂとで構成さ
れる第５グリツド４８、２個のキヤツプ状電極素
子４９₁，４９₂と１個の平板状電極素子４９₃か
らなる第６グリツド４９とを具備し、これらヒー
タ４２、陰極４３、第１グリツド４４、第２グリ
ツド４５、第３グリツド４６、第４グリツド４
７、第５グリツド４８、第６グリツド４９はそれ
ぞれ所定間隔を持つように植設部を介して絶縁支
持棒５０に植設され、第３グリツド４６、第４グ
リツド４７及び第５グリツド４８によりユニポテ
ンシヤル形電子レンズを形成すると共に第５グリ
ツド４８と第６グリツド４９によりバイポテンシ
ヤル形電子レンズを形成するようになつているの
は従来のものとほぼ同様であるが、本実施例にお
いてはこれらグリツド及び組立体のうち電子レン
ズを構成しない電極素子４８₂，４８₃，４８₄，
４８₆，４９₃，４９₂の電子ビーム通過孔部の径
を電子レンズを構成する電極素子４８₁，４８₅，
４９₁の電子ビーム通過孔部の径よりも大きくな
され、この大きくなされる程度が0.04〜0.30であ
ることを特徴としている。

次にグリツドや組立体などの組立方法を第８図
及び第９図により説明する。

即ち、定盤５１に径大部５２₁と径小部５２₂を
有する位置ぎめ用センター棒５２を植設した組立
治具５３に電子レンズを構成しないキヤツプ状電
極素子４８₄、平板状電極素子４８₆、電子レンズ
を構成するキヤツプ状電極素子４８₅の順に挿入
し、このキヤツプ状電極素子４８₅上より治具５
４を介して矢印方向に（F₃）の力で圧接しなが
ら組立治具５３に設けられた位置ぎめ治具５５，
５６，５７，５８，５９を使用し、平板状電極素
子４８₆の外周に設けられた４ケ所の基準面６０
とセンター棒５２の位置をきめる。この場合、図
のように位置ぎめ治具５８，５９にはそれぞれス
プリングなどを介して矢印方向に（F₁）、（F₂）
の力を平板状電極４８₆に加えるようになつてい
る。次にキヤツプ状電極素子４８₄，４８₅及び平
板状電極素子４８₆を溶接点６１において抵抗溶
接またはレーザ溶接を行ない第２の組立体４８ｂ
が完成する。この製造方法は第１の組立体４８
ａ、第６グリツド９も同様である。他のグリツド
は第１図のものと同じ製造方法により組立てられ
る。

このような構造のグリツドは第１図のものと同
様な方法で電子銃構体として組立てられるが、こ
の電子銃構体の第１の組立体４８ａ、第２の組立
体４８ｂ、第６グリツド４９のうち例えば第５グ
リツド４８の第２の組立体４８ｂでは第１０図に
示すように電子レンズを構成するキヤツプ状電極
素子４８₅の電子ビーム通過孔部の径を第１図の
ものと同様に（φ₁）とした場合、平板状電極素
子４８₆及び電子レンズを構成しないキヤツプ状
電極素子４８₄の電子ビーム通過孔部の径（φ₄）
（φ₅）は大きく形成されて例えばφ₁＝3.9mmとした
時（φ₄）（φ₅）＝4.0mmとなつている。

このように構成された電子銃構体は次のような
利点がある。

第１に部品精度測定の自動化が可能である。即
ち電子レンズを構成する電子ビーム通過孔部の径
が最小径であるため、透過光を利用した光学式測
定が高精度で可能となる。

第２に電子銃構体の生産性が向上する。即ち、
ビーデング工程において、センター棒に滑合する
電極素子は電子レンズを構成するものだけとな
り、スムースに部品挿入ができる。

第３に電子銃構体の組立精度が向上する。即ち
第１１図に示すようにビーデング工程で第６グリ
ツド４９の電子レンズを構成するキヤツプ状電極
素子４９₁が図の様に変形したものを使用した場
合、スペーサ２４を介して第５グリツド４８の第
２の組立体４８ｂを載置した場合、第２の組立体
４８ｂのキヤツプ状電極素子４８₄、平板状電極
素子４８₆の電子ビーム通過孔部が大きいため、
キヤツプ状電極素子４８₅とキヤツプ状電極素子
４９₁はスペーサに対して均一にあたり、従つて
このキヤツプ状電極素子４８₅とキヤツプ状電極
素子４９₁間に形成される電子レンズに影響なく
組立精度は向上する。

第４に電子銃構体アライメント測定精度が向上
する。即ち電子レンズを構成しない電極素子の電
子ビーム通過孔部が測定を妨害しない為に測定精
度が向上する。

第５にフオーカス品位が向上する。即ち、電子
レンズを構成しない電極素子がオフセンターした
場合でもその電子ビーム通過孔部の径が大きいた
め電子レンズを形成する電界を乱さないので電子
ビームの歪もなくなり、フオーカス品位が向上す
る。

前述した実施例では電子銃構体としてQPFを
用いて使用したが、これはQPEに限定されるも
のではなくUPF、やBPFにもそのまま適用され
るし、また電子レンズを構成する電極素子の電子
ビーム通過孔部に円筒形の所謂バーリングを使用
したものについて述べたが、これに限定されるも
のではないし、また一方を平板状電極素子として
もよい。更に、第１２図に示すように平板状電極
素子の代りに植設部にのみに使用する平板状金属
板４８₇を使用したり、第１３図に示すように両
キヤツプ状電極素子４８₄，４８₅を延長して植設
部４８₈を兼用させたり、第１４図に示すように
キヤツプ状電極素子４８₄の外周に植設部４８₉を
固定したり、また第１５図に示すようにキヤツプ
状電極素子４８₄の頂面に更に植設部４８₁₀を設
けたものも同様である。ただし第１２図乃至第１
５図における第１０図と同一符号は同一部分また
は同一径を示し特に説明しない。

発明の効果 前述のように本発明の電子銃構体によれば電子
レンズを構成する電極素子の電子ビーム通過孔部
の径よりも電子レンズを構成しない電極素子の電
子ビーム通過孔部の径を大にすることにより部品
精度測定の自動化が可能、生産性の向上、組立精
度の向上、アライメント測定精度の向上、フオー
カス品位の向上が得られるのでその工業的価値は
極めて大である。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第５図は先願の電子銃構体及びその
製造方法を示す図であり、第１図は電子銃構体の
断面図、第２図は組立体の製造工程を示す平面
図、第３図は第２図をＡ−Ａ線に沿つて切断して
見た断面図、第４図は電子銃構体の製造方法の説
明図、第５図は組立体の断面図、第６図は先願の
問題点の一つを示す説明用断面図、第７図乃至第
１０図は本発明の電子銃構体及びその製造方法を
示す図であり、第７図は電子銃構体の断面図、第
８図は組立体の製造工程を示す平面図、第９図は
第８図をＢ−Ｂ線に沿つて切断して見た断面図、
第１０図は組立体の断面図、第１１図は本実施例
の利点の一つを示す説明用断面図、第１２図乃至
第１５図は本発明のそれぞれ他の実施例に適用す
る組立体を示す断面図である。 ２，４２……ヒータ、３，４３……陰極、４，
４４……第１グリツド、５，４５……第２グリツ
ド、６，４６……第３グリツド、７，４７……第
４グリツド、８，４８……第５グリツド、８ａ，
８ｂ，４８ａ，４８ｂ……組立体、９，４９……
第６グリツド、１２，２３，５２……センター
棒。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 複数個のグリツド及び他の電極からなり、前
   記グリツドの少なくとも１個がそれぞれ電子ビー
   ム通過孔部の設けられた２個の電極素子を位置ぎ
   め組み立てた少くとも１個の組立体からなり、前
   記複数個のグリツド及び他の電極を植設部を介し
   て絶縁支持棒に植設されてなる電子銃構体におい
   て、前記組立体に設けられた電子ビーム通過孔部
   のうち、電子レンズを構成する前記電極素子の電
   子ビーム通過孔部の径よりも前記電子レンズを構
   成しない前記電極素子の電子ビーム通過孔部の径
   を大きくなされていることを特徴とする電子銃構
   体。 ２ 大きくなされる程度が0.04〜0.3mmであるこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の電子
   銃構体。 ３ 複数個のグリツド及び他の電極からなり、前
   記グリツドの少なくとも１個がそれぞれ電子ビー
   ム通過孔部の設けられた２個の電極素子を位置ぎ
   め組み立てた少くとも１個の組立体からなり、前
   記複数個のグリツド及び他の電極を植設部を介し
   て絶縁支持棒に植設されてなる電子銃構体の製造
   方法において、前記組立体を構成する２個の電極
   素子のうち、電子レンズを構成する一方の電極素
   子の電子ビーム通過孔部の径よりも他方の電子レ
   ンズを構成しない前記電極素子の電子ビーム通過
   孔部の径を大きく形成する工程と、前記２個の電
   極素子を組立て固定する工程と、前記複数個のグ
   リツド及び他の電極をスペーサ及びセンター棒を
   介して積み重ねる工程とを少なくとも具備するこ
   とを特徴とする電子銃構体の製造方法。