JPH02185965A - 真空薄膜形成装置 - Google Patents

真空薄膜形成装置

Info

Publication number
JPH02185965A
JPH02185965A JP466689A JP466689A JPH02185965A JP H02185965 A JPH02185965 A JP H02185965A JP 466689 A JP466689 A JP 466689A JP 466689 A JP466689 A JP 466689A JP H02185965 A JPH02185965 A JP H02185965A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plate
vacuum
prevention plate
thin film
chamber
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP466689A
Other languages
English (en)
Inventor
Naoya Tsurumaki
直哉 鶴巻
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Komatsu Ltd
Original Assignee
Komatsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Komatsu Ltd filed Critical Komatsu Ltd
Priority to JP466689A priority Critical patent/JPH02185965A/ja
Publication of JPH02185965A publication Critical patent/JPH02185965A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、真空薄膜形成装置に関し、さらに詳しくは真
空薄膜形成装置の防着板の構造に関するものである。
〔従来の技術〕
薄膜材料は、通常、真空チャンバー内でスパッタ法、電
子ビーム蒸着法、抵抗加熱蒸着法等により成膜される。
これらの方法では、成膜中にチャンバー内を高真空(〜
10−6Torr)に保たなければならない。このため
、成膜に寄与しない原子あるいは分子がチャンバー内壁
に付着し、これが脱ガスとなって真空度を下げるのを防
ぐために、一般にチャンバー内壁に防着板が設置されて
いる。
例えば、電子ビーム蒸着装置を例に挙げて説明すると、
その概略構成は第3図に示すとおりであり、図中、1は
真空チャンバー 2は蒸着源、3はシャッタ、4は被蒸
着物を蒸着させる基板、6はバルブ、7はデイフュージ
ョンポンプ、8はロータリーポンプである。5はチャン
バー内壁近傍に設置された防着板であり、成膜に寄与し
なかった材料がチャンバー内壁に付着するのを防止する
ためのものである。
〔発明が解決しようとする課題〕
前記のような従来の真空成膜装置においては、成膜終了
後に真空装置の真空を破って防着板を取り出し、防着板
を交換したり、防着板から付着物を取り除く必要があっ
た。というのは、成膜に寄与しなかった材料が付着した
防着板をそのままにしておくと、成膜操作中に上記防着
板の付着物が脱ガスとなり、真空度を下げるからである
。上記のような交換作業は極めて煩しいだけでなく、交
換の都度真空装置の真空を破るため生産性等の面でも問
題があった。
従って、本発明の目的は、上記のような従来の装置の問
題を解決し、−々防着板を取り出して交換する必要もな
く、防着板から付着物を簡単に離脱させることができる
真空薄膜形成装置を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明によれば、前記目的を達成するため、防着板を含
む真空薄膜形成装置において、上記防着板が電気伝導度
の小さい金属もしくは合金製の帯状体から成り、かつ、
該帯状体の両端が接触しないように真空チャンバー内に
設置されていると共に、上記帯状体の両端部が真空チャ
ンバーの外側に設けられた電流導入端子に接続されてい
ることを特徴とする真空薄膜形成装置が提供される。
〔発明の作用〕
上記のように電気伝導度の小さい金属もしくは合金製の
帯状体からなる防着板を、その両端部が接触しないよう
に真空チャンバー内に蒸着源を取り囲むように設置する
。すると、成膜操作中に成膜に寄与しない原子あるいは
分子は上記防着板に付着し、チャンバー内壁への付着が
防止される。
成膜終了後に、真空中で上記防着板の一方の端部から他
方の端部へ向けて電流が流れるように、チャンバーの外
側に設けた電流導入端子を介して通電する。すると、電
流値や防着板の電気伝導率あるいはその形状によってそ
の値は変わるがジュール熱が発生し、防着板が加熱され
る。その結果、成膜に寄与せずに防着板に付着した材料
(原子あるいは分子)が脱ガスとなり、真空度の低下の
原因となる上記材料を防着板から離脱させることができ
、従来のように真空装置の真空を破って防着板を交換す
る必要もない。
〔実 施 例〕
以下、添付図面に示す実施例を説明しつつ、本発明につ
いて具体的に説明する。
第1図(A)〜(B)は本発明の真空薄膜形成装置に用
いる各種形状の防着板を示し、同図(A)は帯状体の両
端部が接触しないように円筒状に形成された防着板10
aを示す。同図(B)は矩形ジグザグ状の細長帯状体を
円筒状に形成した防着板10b1同図(C)は細長帯を
螺旋円筒状に形成した防着[10cを示し、いずれも抵
抗を大きくするための形状であり、細長帯の間隙には帯
同志が接触しないように絶縁体をはさむように構成して
もよい。第1図に例示したものの他にも各種形状のもの
が考えられ、本発明は特定の形状に限定されるものでは
ない。各防着板10a〜10cの両端部にはリード線1
1が接続されており、これは真空チャンバーの外側に設
けられた電流導入端子に接続される。
防着板の桐材としては、ステンレス鋼、ニクロム、タン
グステン、モリブデン等、電気伝導度が小さく、通電に
より発熱し得るものであればよい。
第2図は、本発明の防着板を電子ビーム蒸着装置に設置
した例を示す。防着板10は0.Imm厚、幅20印、
長さ200 cmのステンレス鋼の帯を第1図(A)に
示すような略円筒状に形成したものであり、蒸着源2及
びシャッター3を取り囲むように、チャンバー1内壁に
取り付けられた絶縁材料製の止め具12によりチャンバ
ー内壁近傍に固定されている。防着板10の両端部に接
合されたリード線11は真空チャンバー1の上部に設け
られた電流導入端子13に接続され、これに接続された
直流あるいは交流電源14により通電できるようになっ
ている。電子ビーム蒸着後、真空中で防着板10に通電
・加熱することにより、防着板10の付着物が脱ガスと
なり、付着物を取り除くことができる。
当然のことながら、本発明は上記に例示した電子ビーム
蒸着装置のみでなく、他の真空薄膜形成方法にも応用で
きることは明らかであろう。
〔発明の効果〕
以上のように、本発明の真空薄膜形成装置によれば、成
膜に寄与しなかった材料が付着した防着板を真空中で加
熱することによって脱ガスとなり、成膜操作中の真空度
の低下の原因となる付着物を防着板から簡単に離脱させ
ることができる。従って、従来のように真空装置の真空
を破って防着板を取り出すことなく防着板を清掃でき、
防着板の交換の必要もないという利点がi与られる。
【図面の簡単な説明】
第1図(A)乃至(C)は各種形状の防着板の斜視図、
第2図は本発明に係る防着板を用いた電子ビーム蒸着装
置の概略構成図、第3図は従来の電子ビーム蒸着装置の
概略構成図である。 1は真空チャンバー 2は蒸着源、3はシャッター 4
は基板、5. 10. 10 a、  10 b。 10cは防着板、11はリード線、13は電流導入端子

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 防着板を含む真空薄膜形成装置において、上記防着板が
    電気伝導度の小さい金属もしくは合金製の帯状体から成
    り、かつ、該帯状体の両端が接触しないように真空チャ
    ンバー内に設置されていると共に、上記帯状体の両端部
    が真空チャンバーの外側に設けられた電流導入端子に接
    続されていることを特徴とする真空薄膜形成装置。
JP466689A 1989-01-13 1989-01-13 真空薄膜形成装置 Pending JPH02185965A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP466689A JPH02185965A (ja) 1989-01-13 1989-01-13 真空薄膜形成装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP466689A JPH02185965A (ja) 1989-01-13 1989-01-13 真空薄膜形成装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH02185965A true JPH02185965A (ja) 1990-07-20

Family

ID=11590239

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP466689A Pending JPH02185965A (ja) 1989-01-13 1989-01-13 真空薄膜形成装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH02185965A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10310861A (ja) * 1997-03-17 1998-11-24 Applied Komatsu Technol Inc 加熱及び冷却真空チャンバシールド
DE19822877B4 (de) * 1998-05-22 2010-10-07 Applied Materials Gmbh & Co. Kg Elektrische Steckverbindung für Beschichtungsanlagen
RU179897U1 (ru) * 2017-10-17 2018-05-28 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "МЭИ" (ФГБОУ ВО "НИУ "МЭИ") Устройство подвода энергоносителей к технологическому распылителю

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10310861A (ja) * 1997-03-17 1998-11-24 Applied Komatsu Technol Inc 加熱及び冷却真空チャンバシールド
DE19822877B4 (de) * 1998-05-22 2010-10-07 Applied Materials Gmbh & Co. Kg Elektrische Steckverbindung für Beschichtungsanlagen
RU179897U1 (ru) * 2017-10-17 2018-05-28 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "МЭИ" (ФГБОУ ВО "НИУ "МЭИ") Устройство подвода энергоносителей к технологическому распылителю

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0049588B1 (en) Method and apparatus for dry etching and electrostatic chucking device used therein
US8133362B2 (en) Physical vapor deposition with multi-point clamp
US5844770A (en) Capacitor structures with dielectric coated conductive substrates
JP3621721B2 (ja) プラズマ処理方法及び処理装置
EP0628986A1 (en) Self cleaning collimator
US3479269A (en) Method for sputter etching using a high frequency negative pulse train
US3699034A (en) Method for sputter depositing dielectric materials
EP0061887A1 (en) A method of producing a resistance element for a resistance thermometer
US3325393A (en) Electrical discharge cleaning and coating process
JPH02185965A (ja) 真空薄膜形成装置
US2891880A (en) Method and means for producing film resistors
JP2006117995A (ja) スパッタ装置
US2451877A (en) Method of manufacturing oscillator plates
US2373823A (en) Method of coating
JPH06119896A (ja) イオンビーム引出装置
JPH0221128B2 (ja)
JPS6277461A (ja) 高周波スパツタ電極のバツキングプレ−ト
JPS621471B2 (ja)
US3481778A (en) Method of forming a superconducting metallic film
JPS63458A (ja) 真空ア−ク蒸着装置
JPH0448073A (ja) スパッタリング装置
JP2002004039A (ja) スパッタリング装置
JPH0666297B2 (ja) 減圧処理装置及びその絶縁物容器
JPS5833306B2 (ja) 格子状スパツタタ−ゲツトを有するペニング放電スパツタ被膜形成装置
JPH0573288B2 (ja)