JPH021860Y2 - - Google Patents
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- JPH021860Y2 JPH021860Y2 JP15839185U JP15839185U JPH021860Y2 JP H021860 Y2 JPH021860 Y2 JP H021860Y2 JP 15839185 U JP15839185 U JP 15839185U JP 15839185 U JP15839185 U JP 15839185U JP H021860 Y2 JPH021860 Y2 JP H021860Y2
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- shroud
- stainless steel
- clad
- aluminum
- cooling fluid
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- Expired
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
産業上の利用分野
この考案は、Gaを含む膜状の半導体を製造す
る装置に用いられるシユラウドの製造方法に関す
る。
る装置に用いられるシユラウドの製造方法に関す
る。
この明細書において、「アルミニウム」という
語には、純アルミニウムのほかにアルミニウム合
金も含むものとする。
語には、純アルミニウムのほかにアルミニウム合
金も含むものとする。
従来技術とその問題点
たとえばGaAs等のGaを含む半導体膜をMBE
装置等の半導体製造装置で製造するにさいし、よ
り高性能なものを得るためには、超高真空中での
成膜が必要不可欠の条件となる。そのため、
MBE装置の成膜室にはシユラウドが用いられて
いる。従来のシユラウドは、ステンレス鋼板から
なる円筒状のもので、その外周面にステンレス鋼
製管がらせん状に巻付けられ、この管内を液体チ
ツソ等の冷却流体が流れるようになつている。そ
して、上記半導体膜の成膜時には、まずシユラウ
ドを200〜250℃に加熱することによりベーキング
処理を施してシユラウドの表面に吸着している水
分を除去した後、ステンレス鋼製管内に冷却流体
を流し、この冷却流体によつてシユラウドを冷却
し、その表面に真空化された成膜室中の残留ガス
を吸着させ、超高真空を得るようになつている。
しかしながら、従来のシユラウドでは筒体および
管がステンレス鋼製であるので、重量が大きく、
しかも熱伝導性が十分ではないという問題があつ
た。熱伝導性が十分でないと、上記ベーキングの
時にシユラウド全体が均一に加熱されるのに時間
がかかるとともに、冷却流体を流したさいにシユ
ラウドの表面が所定温度まで冷却されるのに時間
がかかるという問題があつた。
装置等の半導体製造装置で製造するにさいし、よ
り高性能なものを得るためには、超高真空中での
成膜が必要不可欠の条件となる。そのため、
MBE装置の成膜室にはシユラウドが用いられて
いる。従来のシユラウドは、ステンレス鋼板から
なる円筒状のもので、その外周面にステンレス鋼
製管がらせん状に巻付けられ、この管内を液体チ
ツソ等の冷却流体が流れるようになつている。そ
して、上記半導体膜の成膜時には、まずシユラウ
ドを200〜250℃に加熱することによりベーキング
処理を施してシユラウドの表面に吸着している水
分を除去した後、ステンレス鋼製管内に冷却流体
を流し、この冷却流体によつてシユラウドを冷却
し、その表面に真空化された成膜室中の残留ガス
を吸着させ、超高真空を得るようになつている。
しかしながら、従来のシユラウドでは筒体および
管がステンレス鋼製であるので、重量が大きく、
しかも熱伝導性が十分ではないという問題があつ
た。熱伝導性が十分でないと、上記ベーキングの
時にシユラウド全体が均一に加熱されるのに時間
がかかるとともに、冷却流体を流したさいにシユ
ラウドの表面が所定温度まで冷却されるのに時間
がかかるという問題があつた。
そこで、ステンレス鋼に比較して重量が小さ
く、熱伝導性が優れ、しかも表面のガス放出係数
の小さなアルミニウム材でシユラウドをつくるこ
とも考えられているが、アルミニウムは成膜中に
蒸発したGaが付着すると侵されて貫通孔が発生
するので、いまだアルミニウム製のシユラウドは
実現していないのが実情である。
く、熱伝導性が優れ、しかも表面のガス放出係数
の小さなアルミニウム材でシユラウドをつくるこ
とも考えられているが、アルミニウムは成膜中に
蒸発したGaが付着すると侵されて貫通孔が発生
するので、いまだアルミニウム製のシユラウドは
実現していないのが実情である。
この考案の目的は、上記の問題を解決した半導
体製造装置用シユラウドを提供することにある。
体製造装置用シユラウドを提供することにある。
問題点を解決するための手段
この考案による半導体製造装置用シユラウド
は、冷却流体流通用管状膨出部を備えたアルミニ
ウム製本体の内外両面のうち少なくとも内面に、
ステンレス鋼板がクラツドされたものである。
は、冷却流体流通用管状膨出部を備えたアルミニ
ウム製本体の内外両面のうち少なくとも内面に、
ステンレス鋼板がクラツドされたものである。
実施例
以下、この考案の実施例を図面を参照しながら
説明する。
説明する。
半導体製造装置用シユラウド1は、冷却流体流
通用管状膨出部2を備えたアルミニウム製円筒状
本体3内面に、ステンレス鋼板4がクラツドされ
たものである。
通用管状膨出部2を備えたアルミニウム製円筒状
本体3内面に、ステンレス鋼板4がクラツドされ
たものである。
冷却流体流通用管状膨出部2の両端は、円筒状
本体3の下端の中心線を挟んで対向した位置に形
成された2つの切欠き5,6内にそれぞれ開口し
ている。管状膨出部2の一端には冷却流体供給管
7が接続され、他端には冷却流体排出管8が接続
されている。そして、供給管7によつて管状膨出
部2の一端に送り込まれた液体チツ素等の冷却流
体は、本体3に沿つて蛇行状に上方に流れて上端
に至り、その後下方に垂直に流れて管状膨出部2
の他端から排出管8内に流れ込むようになつてい
る。
本体3の下端の中心線を挟んで対向した位置に形
成された2つの切欠き5,6内にそれぞれ開口し
ている。管状膨出部2の一端には冷却流体供給管
7が接続され、他端には冷却流体排出管8が接続
されている。そして、供給管7によつて管状膨出
部2の一端に送り込まれた液体チツ素等の冷却流
体は、本体3に沿つて蛇行状に上方に流れて上端
に至り、その後下方に垂直に流れて管状膨出部2
の他端から排出管8内に流れ込むようになつてい
る。
シユラウド1は、いわゆるロール・ボンド・パ
ネルによりつくられている。すなわち、アルミニ
ウム板の一面にステンレス鋼板4がクラツドされ
たクラツド板を用意し、一方のクラツト板のアル
ミニウム板面に、圧着防止材を所要パターンに印
刷し、この面に他方のクラツド板を、アルミニウ
ム板面が重なるように合わせて両クラツド板を圧
着した後、流体圧を非圧着部に導入して所要パタ
ーンの管状膨出部2を有するロール・ボンド・パ
ネルをつくり、このロール・ボンド・パネルを円
筒状に成形し、その突き合わせ縁部どうしを溶接
することによりつくられている。クラツド板の厚
さは軽量化の目的で、2〜3mm程度とし、クラツ
ド板におけるステンレス鋼板4のクラツド率は2
〜20%とすることが好ましい。このクラツド率が
2%未満であると、Gaに対する耐侵食効果が充
分でなく、20%を越えると重量が大きくなるから
である。
ネルによりつくられている。すなわち、アルミニ
ウム板の一面にステンレス鋼板4がクラツドされ
たクラツド板を用意し、一方のクラツト板のアル
ミニウム板面に、圧着防止材を所要パターンに印
刷し、この面に他方のクラツド板を、アルミニウ
ム板面が重なるように合わせて両クラツド板を圧
着した後、流体圧を非圧着部に導入して所要パタ
ーンの管状膨出部2を有するロール・ボンド・パ
ネルをつくり、このロール・ボンド・パネルを円
筒状に成形し、その突き合わせ縁部どうしを溶接
することによりつくられている。クラツド板の厚
さは軽量化の目的で、2〜3mm程度とし、クラツ
ド板におけるステンレス鋼板4のクラツド率は2
〜20%とすることが好ましい。このクラツド率が
2%未満であると、Gaに対する耐侵食効果が充
分でなく、20%を越えると重量が大きくなるから
である。
上記実施例においては、アルミニウム製円筒状
本体3の内外両面にステンレス鋼板4がクラツド
されているが、これに限定されるものではない。
また上記実施例においては、シユラウド1はロー
ル・ボンド・パネルでつくられているが、これに
限るものではなく、たとえばアルミニウム板の一
面にステンレス鋼板がクラツドされたクラツド板
を2枚用意し、両クラツド板のアルミニウム板面
に所要の形態の凹溝を形成し、両凹溝の開口どう
しが対向するように2枚のクラツド板を重ねて圧
着したパネルからなるものであつてもよいのは当
然のことである。
本体3の内外両面にステンレス鋼板4がクラツド
されているが、これに限定されるものではない。
また上記実施例においては、シユラウド1はロー
ル・ボンド・パネルでつくられているが、これに
限るものではなく、たとえばアルミニウム板の一
面にステンレス鋼板がクラツドされたクラツド板
を2枚用意し、両クラツド板のアルミニウム板面
に所要の形態の凹溝を形成し、両凹溝の開口どう
しが対向するように2枚のクラツド板を重ねて圧
着したパネルからなるものであつてもよいのは当
然のことである。
考案の効果
この考案による半導体製造装置用シユラウド
は、周壁に冷却流体流通用管状膨出部を備えたア
ルミニウム製本体の内外両面のうち少なくとも内
面に、ステンレス鋼板がクラツドされたものであ
るから、従来の全体がステンレス鋼でつくられた
ものと比較して軽量で、熱伝導性が良い。特に、
熱伝導性に優れているので、従来のものに比べて
成膜時のベーキング処理時間を短縮することがで
きるとともに、冷却流体を流して行なう冷却のさ
いの冷却効率が向上し、半導体膜の成膜時の残留
ガス吸着率が向上する。しかも、半導体膜の成膜
時に蒸発したGaと接触する内面にステンレス鋼
板がクラツドされているので、Gaに対する耐侵
食性がステンレス鋼製のものと同等である。
は、周壁に冷却流体流通用管状膨出部を備えたア
ルミニウム製本体の内外両面のうち少なくとも内
面に、ステンレス鋼板がクラツドされたものであ
るから、従来の全体がステンレス鋼でつくられた
ものと比較して軽量で、熱伝導性が良い。特に、
熱伝導性に優れているので、従来のものに比べて
成膜時のベーキング処理時間を短縮することがで
きるとともに、冷却流体を流して行なう冷却のさ
いの冷却効率が向上し、半導体膜の成膜時の残留
ガス吸着率が向上する。しかも、半導体膜の成膜
時に蒸発したGaと接触する内面にステンレス鋼
板がクラツドされているので、Gaに対する耐侵
食性がステンレス鋼製のものと同等である。
また、本体をアルミニウム材からつくるのであ
るから、全体をステンレス鋼材からつくる場合に
比較して加工が容易である。
るから、全体をステンレス鋼材からつくる場合に
比較して加工が容易である。
第1図はこの考案による半導体製造装置用シユ
ラウドの正面図、第2図は同じく展開図、第3図
は第2図の−線にそう拡大断面図である。 1……半導体製造装置用シユラウド、2……冷
却流体流通用管状膨出部、3……アルミニウム性
本体、4……ステンレス鋼板。
ラウドの正面図、第2図は同じく展開図、第3図
は第2図の−線にそう拡大断面図である。 1……半導体製造装置用シユラウド、2……冷
却流体流通用管状膨出部、3……アルミニウム性
本体、4……ステンレス鋼板。
Claims (1)
- 冷却流体流通用管状膨出部を備えたアルミニウ
ム製本体の内外両面のうち少なくとも内面に、ス
テンレス鋼板がクラツドされた半導体製造装置用
シユラウド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15839185U JPH021860Y2 (ja) | 1985-10-15 | 1985-10-15 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15839185U JPH021860Y2 (ja) | 1985-10-15 | 1985-10-15 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6265829U JPS6265829U (ja) | 1987-04-23 |
| JPH021860Y2 true JPH021860Y2 (ja) | 1990-01-17 |
Family
ID=31081834
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15839185U Expired JPH021860Y2 (ja) | 1985-10-15 | 1985-10-15 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH021860Y2 (ja) |
-
1985
- 1985-10-15 JP JP15839185U patent/JPH021860Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6265829U (ja) | 1987-04-23 |
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