JPH021859Y2 - - Google Patents
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- JPH021859Y2 JPH021859Y2 JP15839085U JP15839085U JPH021859Y2 JP H021859 Y2 JPH021859 Y2 JP H021859Y2 JP 15839085 U JP15839085 U JP 15839085U JP 15839085 U JP15839085 U JP 15839085U JP H021859 Y2 JPH021859 Y2 JP H021859Y2
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- Japan
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- shroud
- aluminum
- stainless steel
- cooling fluid
- steel plate
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- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
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Landscapes
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
産業上の利用分野
この考案は、Gaを含む膜状の半導体を製造す
る装置に用いられるシユラウドの製造方法に関す
る。
る装置に用いられるシユラウドの製造方法に関す
る。
この明細書において、「アルミニウム」という
語には、純アルミニウムのほかにアルミニウム合
金も含むものとする。
語には、純アルミニウムのほかにアルミニウム合
金も含むものとする。
従来技術とその問題点
たとえばGaAs等のGaを含む半導体膜をMBE
装置等の半導体製造装置で製造するにさいし、よ
り高性能なものを得るためには、超高真空中での
成膜が必要不可欠の条件となる。そのため、
MBE装置の成膜室にはシユラウドが用いられて
いる。従来のシユラウドは、ステンレス鋼板から
なる円筒状のもので、その外周面にステンレス鋼
製管がらせん状に巻付けられ、この管内を液体チ
ツソ等の冷却流体が流れるようになつている。そ
して、上記半導体膜の成膜時には、まずシユラウ
ドを200〜250℃に加熱することによりベーキング
処理を施してシユラウドの表面に吸着している水
分を除去した後、ステンレス鋼製管内に冷却流体
を流し、この冷却流体によつてシユラウドを冷却
し、その表面に真空化された成膜室中の残留ガス
を吸着させ、超高真空を得るようになつている。
しかしながら、従来のシユラウドでは筒体および
管がステンレス鋼製であるので、重量が大きく、
しかも熱伝導性が十分ではないという問題があつ
た。熱伝導性が十分でないと、上記ベーキングの
時にシユラウド全体が均一に加熱されるのに時間
がかかるとともに、冷却流体を流したさいにシユ
ラウドの表面が所定温度まで冷却されるのに時間
がかかるという問題があつた。
装置等の半導体製造装置で製造するにさいし、よ
り高性能なものを得るためには、超高真空中での
成膜が必要不可欠の条件となる。そのため、
MBE装置の成膜室にはシユラウドが用いられて
いる。従来のシユラウドは、ステンレス鋼板から
なる円筒状のもので、その外周面にステンレス鋼
製管がらせん状に巻付けられ、この管内を液体チ
ツソ等の冷却流体が流れるようになつている。そ
して、上記半導体膜の成膜時には、まずシユラウ
ドを200〜250℃に加熱することによりベーキング
処理を施してシユラウドの表面に吸着している水
分を除去した後、ステンレス鋼製管内に冷却流体
を流し、この冷却流体によつてシユラウドを冷却
し、その表面に真空化された成膜室中の残留ガス
を吸着させ、超高真空を得るようになつている。
しかしながら、従来のシユラウドでは筒体および
管がステンレス鋼製であるので、重量が大きく、
しかも熱伝導性が十分ではないという問題があつ
た。熱伝導性が十分でないと、上記ベーキングの
時にシユラウド全体が均一に加熱されるのに時間
がかかるとともに、冷却流体を流したさいにシユ
ラウドの表面が所定温度まで冷却されるのに時間
がかかるという問題があつた。
そこで、ステンレス鋼に比較して重量が小さ
く、熱伝導性が優れ、しかも表面のガス放出係数
の小さなアルミニウム材でシユラウドをつくるこ
とも考えられているが、アルミニウムは成膜中に
蒸発したGaが付着すると侵されて貫通孔が発生
するので、いまだアルミニウム製のシユラウドは
実現していないのが実情である。
く、熱伝導性が優れ、しかも表面のガス放出係数
の小さなアルミニウム材でシユラウドをつくるこ
とも考えられているが、アルミニウムは成膜中に
蒸発したGaが付着すると侵されて貫通孔が発生
するので、いまだアルミニウム製のシユラウドは
実現していないのが実情である。
この考案の目的は、上記の問題を解決した半導
体製造装置用シユラウドを提供することにある。
体製造装置用シユラウドを提供することにある。
問題点を解決するための手段
この考案による半導体製造装置用シユラウド
は、外面にアルミニウム製冷却流体流通管が接合
されたアルミニウム製本体の内面に、ステンレス
鋼板がクラツドされたものである。
は、外面にアルミニウム製冷却流体流通管が接合
されたアルミニウム製本体の内面に、ステンレス
鋼板がクラツドされたものである。
実施例
以下、この考案の実施例を図面を参照しながら
説明する。
説明する。
半導体製造装置用シユラウド１は、アルミニウ
ム製円筒状本体２と、本体２の外周面にらせん状
に巻付けられかつ本体２に接合されたアルミニウ
ム製冷却流体流通管３とよりなり、本体２の内面
にステンレス鋼板４がクラツドされたものであ
る。
ム製円筒状本体２と、本体２の外周面にらせん状
に巻付けられかつ本体２に接合されたアルミニウ
ム製冷却流体流通管３とよりなり、本体２の内面
にステンレス鋼板４がクラツドされたものであ
る。
冷却流体流通管３の両端はそれぞれ垂直下方に
伸びており、冷却流体流通管３における本体２の
下端部から下方に伸びた部分の端部に冷却流体供
給管５が接続され、本体２の上端部から下方に伸
びた部分の端部に冷却流体排出管６が接続されて
いる。そして、供給管５によつて冷却流体流通管
３の一端に送り込まれた液体チツ素等の冷却流体
は、本体２に沿つて上方に流れて上端に至り、そ
の後下方に垂直に流れて管３の他端から排出管６
内に流れ込むようになつている。
伸びており、冷却流体流通管３における本体２の
下端部から下方に伸びた部分の端部に冷却流体供
給管５が接続され、本体２の上端部から下方に伸
びた部分の端部に冷却流体排出管６が接続されて
いる。そして、供給管５によつて冷却流体流通管
３の一端に送り込まれた液体チツ素等の冷却流体
は、本体２に沿つて上方に流れて上端に至り、そ
の後下方に垂直に流れて管３の他端から排出管６
内に流れ込むようになつている。
このようなシユラウド１は次のようにして製造
される。すなわち、まずアルミニウム板の片面に
ステンレス鋼板４をクラツドしてクラツド板をつ
くる。ついで、このクラツド板を円筒状に成形
し、その継目部分を溶接する。その後、この円筒
状体の外周面にらせん状のアルミニウム管を被せ
て円筒状体に接合する。こうして、シユラウド１
が製造される。上記クラツド板の厚さは２〜３
mm、クラツド板におけるステンレス鋼板４のクラ
ツド率は、２〜20％であることが好ましい。この
クラツド率が２％未満であると、Gaに対する耐
侵食効果が充分でなく、20％を越えると重量が大
きくなるからである。
される。すなわち、まずアルミニウム板の片面に
ステンレス鋼板４をクラツドしてクラツド板をつ
くる。ついで、このクラツド板を円筒状に成形
し、その継目部分を溶接する。その後、この円筒
状体の外周面にらせん状のアルミニウム管を被せ
て円筒状体に接合する。こうして、シユラウド１
が製造される。上記クラツド板の厚さは２〜３
mm、クラツド板におけるステンレス鋼板４のクラ
ツド率は、２〜20％であることが好ましい。この
クラツド率が２％未満であると、Gaに対する耐
侵食効果が充分でなく、20％を越えると重量が大
きくなるからである。
考案の効果
この考案による半導体製造装置用シユラウド
は、外面にアルミニウム製冷却流体流通管が接合
されたアルミニウム製本体の内面に、ステンレス
鋼板がクラツドされたものであるから、従来の全
体がステンレス鋼でつくられたものと比較して軽
量で、熱伝導性が良い。特に、熱伝導性に優れて
いるので、従来のものに比べて半導体膜の成膜時
のベーキング処理時間を短縮することができると
ともに、冷却流体流通部に冷却流体を流して行な
う冷却のさいの冷却効率が向上し、半導体膜の成
膜時の残留ガス吸着率が向上する。しかも、半導
体膜の成膜時に蒸発したGaと接触する内面にス
テンレス鋼板がクラツドされているので、Gaに
対する耐侵食性がステンレス鋼製のものと同等で
ある。
は、外面にアルミニウム製冷却流体流通管が接合
されたアルミニウム製本体の内面に、ステンレス
鋼板がクラツドされたものであるから、従来の全
体がステンレス鋼でつくられたものと比較して軽
量で、熱伝導性が良い。特に、熱伝導性に優れて
いるので、従来のものに比べて半導体膜の成膜時
のベーキング処理時間を短縮することができると
ともに、冷却流体流通部に冷却流体を流して行な
う冷却のさいの冷却効率が向上し、半導体膜の成
膜時の残留ガス吸着率が向上する。しかも、半導
体膜の成膜時に蒸発したGaと接触する内面にス
テンレス鋼板がクラツドされているので、Gaに
対する耐侵食性がステンレス鋼製のものと同等で
ある。
また、本体をアルミニウム材からつくるのであ
るから、全体をステンレス鋼材からつくる場合に
比較して加工が容易である。
るから、全体をステンレス鋼材からつくる場合に
比較して加工が容易である。
第１図はこの考案による半導体製造装置用シユ
ラウドの正面図、第２図は第１図の−線にそ
う拡大断面図である。 １……半導体製造装置用シユラウド、２……ア
ルミニウム製本体、３……アルミニウム製冷却流
体流通管、４……ステンレス鋼板。
ラウドの正面図、第２図は第１図の−線にそ
う拡大断面図である。 １……半導体製造装置用シユラウド、２……ア
ルミニウム製本体、３……アルミニウム製冷却流
体流通管、４……ステンレス鋼板。
Claims (1)
- 外面にアルミニウム製冷却流体流通管が接合さ
れたアルミニウム製本体の内面に、ステンレス鋼
板がクラツドされた半導体製造装置用シユラウ
ド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15839085U JPH021859Y2 (ja) | 1985-10-15 | 1985-10-15 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15839085U JPH021859Y2 (ja) | 1985-10-15 | 1985-10-15 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6265828U JPS6265828U (ja) | 1987-04-23 |
| JPH021859Y2 true JPH021859Y2 (ja) | 1990-01-17 |
Family
ID=31081832
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15839085U Expired JPH021859Y2 (ja) | 1985-10-15 | 1985-10-15 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH021859Y2 (ja) |
-
1985
- 1985-10-15 JP JP15839085U patent/JPH021859Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6265828U (ja) | 1987-04-23 |
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