JPH0218724A - 光情報記録媒体とその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は、レーザビームの照射により光学的に情報の記
録再生を行なう光情報記録媒体に関し、特に、再生信号
コントラスト比の大きい記録・再生の可能な光情報記録
媒体とその製造方法に係る。

（従来の技術） 記録原理を異にする様々なタイプの記録膜を用いる光情
報記録媒体が知られている０代表的な記録原理は、記録
膜と称される薄膜にホールと称される孔部を形成するも
のである。また、特開昭６１−１０７５４７号公報にて
本発明者によって開示されたバブルと称される記＠膜の
隆起変形部を形成することを記録原理とする光情報記録
媒体も知られている。

これらの従来の光情報記録媒体を、記録再生特性、特に
再生信号コントラスト比の観点から比較すると以下の特
徴がある。即ち、ホール形成タイプの記録膜を用いる記
録媒体における再生信号コントラスト比は、記録膜の種
類が何であれ、０．４から０．５程度のレベルにある。

一方、上記特開昭６１−１０７５４７号公報で開示した
バブル形成タイプの記録媒体における再生信号コントラ
スト比は、ホール形成タイプの記録媒体を上まわるもの
の、０．５から０．６程度のレベルにあった。

ところで、再生信号コントラスト比と再生信号ＳＮ比と
の間には、以下の関係が成立することが知られている。

即ち、 ここで上式において Ｐｒ：再生ビームパワー ＤＲ＝データ転送速度 Ｒｏ：未記録部分からの反射光量 Ｒ１：記録部分からの反射光量 を夫々示している。これによると、再生信号コントラス
ト比が同一の場合、データ転送速度を向上させるとＳＮ
比の低下することが上式から判る。

一方、データ転送速度は磁気ディスク並みに向上させる
ことが光メモリディスクの一つの重要な技術的課題であ
る。そこで、何らかの手段によりＳＮ比を低下させるこ
となくデータ転送速度を向」ユさせる技術の開発が強く
望まれていた。

しかも、この特性向上手段は、光情報記録媒体のコスト
を低く抑えるため、複雑なものであってはならないとい
う制約もある。

（発明が解決しようとする課題） 取上の如く、再生信号コントラス１−比が同じ場合、デ
ータ転送速度を向上させるとＳＮ比が低下する。一方、
このデータ転送速度を磁気ディスク並みに向上させるこ
とが光メモリディスクに対する重要な技術的課題である
。

本発明の目的は、データ転送速度を向上させた場合にも
充分大きいＳＮ比の実現を可能にする再生信号コントラ
スト比の著しく高く、また、同時にコストの低い新規な
光情報記録媒体とその製造方法を提供するにある。

〔発明の構成〕

（課題を解決するための手段） 再生信号コントラスト比が著しく高く、また。

同時にコストの低く、即ち、コストパフォーマンスの良
好な光情報記録媒体を得るために、本発明においては、
以下の手段をとる。

第１は、通常のホール形成タイプの記録膜を用いた記録
媒体に比べ、より高い再生信号コントラスト比のとれる
バブル形成タイプの記録膜を使用することである。具体
的には特開昭６１−１０７５４７号公報に示された記録
膜を改良し、特願昭６２−１８８７６０号公報で同じく
本発明者らによって開示されている記録膜と同系統であ
って、さらにこれを改良した新規の記録膜を使用するこ
とである。

第２は、記録膜のバブル形成を促進するバブルトリガー
層を下地層として、基板と記録膜との間に介在させた２
層構成の記録膜とすることである。

第１図に本発明の光情報記録媒体１０の断面模式図を示
す。第１図において、１１は基板、１２がバブルトリガ
ー層、１３は記録１摸である。

第３は、低コスト化をはかるため、バブルトリガー層の
形成を、通常のスピンコード法などの有機樹脂層形成法
と異なり、記録膜との連続成膜が可能な、即ち、記録膜
の形成に用いたスパタリング装置による新規のプラズマ
重合法で行なうことである。

（作用） 特願昭６２−１８８７６０号公報で開示した記録膜は、
インジウムターゲットをＣＨ，・ＣＦ、・０２の混合ガ
スでスパタリングして形成するにの記録膜の構造は、酸
化インジウムマトリクス中に金属インジウムと弗素を含
む有機物とが分散する構造である。

この構造との特徴を有する記録膜を用いた記録膜の特徴
を、以下にあげる。第１は、長寿命であり、第２は優れ
た記録再生特性である。

長寿命特性は、酸化インジウムマトリクス中に分散する
金属インジウムと大気中の水分との反応、即ち、金属イ
ンジウムの劣化反応が、分散する弗素を含む有機物によ
り抑制されるために備わったものである。

優れた記録再生特性、特に、高い再生信号コントラスト
比は記録用レーザビームの照射を受けたとき、記録膜中
の弗素を含む有機物が蒸発し、酸化インジウムマトリク
スが変形するという、即ち、バブルが形成されるという
特徴的な記録原理によって備わったものである。

下地層としてプラズマ重合１茨を記録膜と基板との間に
介在させたとき、この記録媒体の再生信号コントラスト
比は、より大きくなる。これは、書込み用レーザビーム
照射時に下地層表面が蒸発して、酸化インジウムマトリ
クスの変形を促進するからである。即ち、プラズマ重合
膜からなる下地層には、バブルトリガー機能がある。

バブルトリガー機能は、有機系の薄膜であればいかなる
ものにも備わっていると考えられる。し７かし、記録媒
体のコストを低くするためには、記録膜との製造工程上
における整合性の確保が不可欠である。即ち、記録膜と
同一のスパタリング装置において、同種の製造プロセス
により形成できる有機系薄膜でなければ、記録媒体の下
地層として不適当である。本発明者らは、種々の実験の
結果、本発明記録媒体の記録膜の形成条件をある範囲に
おいて変更することにより、目的に適った下地層が形成
できることを見い出した。

（実施例） 本発明の記録膜の下地層として用いるプラズマ重合膜は
、ハイドロカーボン・フロロカーボン・酸素を原料ガス
とする。放電時のスパタリング装置の電極には、引続き
行なう記録膜の形成に用いるインジウムターゲットが備
わったままで何ら差し支えない。ターゲット表面に重合
膜の付着を生ぜず、一方、記録媒体の基板にはプラズマ
重合膜が堆積するような原料ガス組成と放電条件とが選
択されるためである。

下地層の形成に用いるハイドロカーボンとしては、その
分子式において、水素と炭素との原子比Ｈ／　Ｃの値が
１以上、４以下のものなら、いずれも使用可能である。

具体的には、ＣＨ４・Ｃ２Ｈ６・Ｃ１Ｈ，・Ｃ４１＋１
０などのパラフィン系炭化水素、Ｃ，１１４・Ｃ，Ｈ。

Ｃ４Ｈ，などのオレフィン系炭化水素、Ｃ，Ｈ１□・Ｃ
ＧＨ。

などの環状炭化水素が適している。

下地層の形成に用いるフロロカーボンとしては、その分
子式において、弗素と炭素との原子比Ｆ／Ｃの値が２よ
り大きく４以下のものが適当である。

具体的には、ＣＦ４−　　Ｃ，Ｆ、　−Ｃ３Ｆ、　−Ｃ
，Ｆｌｏ　などのパラフィン系ハイドロカーボンが望ま
しい。

酸素ガスは、インジウムターゲット表面に重合膜が付着
するのを防止するとともに重合膜中のラディカル等を減
少させ大気中における安定性を向上させるために添加す
る。

これらの原料ガスは、ハイドロカーボン・フロロカーボ
ン・酸素のガス流量をＱ）１ｃｍＱＦＣ−Ｑ。

として、以下の範囲に入るよう制御する。

０≦Ｑ　ＦＣ／　Ｑ　ＨＣ≦１．０ ０．１≦ＱＯ／（Ｑｌ（Ｃ＋ＱＦＣ＋ＱＯ）≦０．４こ
のガス組成をダイアグラム化して第２図に示す。第２図
において、斜線を施した台形の領域が。

下地層の形成に有効な原料ガスの組成である。

記録膜の形成も、同一のスパタリング装置を用いて行な
う。スパタリングは、ハイドロカーボン・フロロカーボ
ン・酸素からなる混合ガスで行なう。

記＠膜の形成に用いるハイドロカーボンとしては、先の
下地層の形成に用いられるハイドロカーボンはいずれも
使用可能である。

記録膜の形成に用いるフロロカーボンとしては、その分
子式において弗素と炭素との原子比Ｆ／Ｃの値が０．５
以上、４以下のフロロカーボンならいずれも使用可能で
ある。具体的にはＣＦ４・Ｃ，Ｆ。

Ｃ，Ｆ、・Ｃ４Ｆ、。などのパラフィン系フロロカーボ
ン、Ｃ２Ｆ４・Ｃ，Ｆ、・Ｃ４Ｆ、などのオレフィン系
フロロカーボン、Ｃ”’Ｃ４Ｆｓ　’　Ｃ＊　Ｆｘ□・
Ｃ，Ｆ、などの環状フロロカーボンである。ただし、よ
り望ましいフロロカーボンは、Ｆ／Ｃ値が１以上、２．
７以下のものである。

下地層と記録膜との形成条件を以下に説明する。

一般に、スパタリング装置における放電において、通常
パラメータとして変化させうるものは、ガス組成・放電
圧力・印加電力・放電時間・ガスの平均滞在時間の５種
である。

本発明の記録媒体においては、下地層と記録膜との形成
を先にあげたガス組成の違いの他、特に放電圧力と印加
電力とを互いに異なるようにして行なう、第３図に下地
層と記録膜との形成条件のダイアグラムを模式化して示
す、第３図Ａの斜線を施した領域が下地層の形成に好適
な領域である。

第３図Ｂの斜線を施した領域が記録膜の形成に好適な領
域である。第２図Ｃの領域はターゲット表面に重合物が
付着する領域である。第２図りの領域で形成した・薄膜
は、下地層として使用したときバブルトリガー機能が少
なく、一方、記録膜としては記録感度の低い領域である
。

下地層を形成する際には、放電圧力を減少させると、そ
れに見合った印加電力の減少が必要であり、一方、記録
膜を形成する際には、放電圧力の増加に伴って、それに
見合った印加電力の増加が必要である。

第３図のダイアグラムの縦軸・横軸は任意スケールであ
るが、装置がかわっても原則は同一である。通常の一般
的なＲＦマグネトロンスパタリング装置の場合、下地層
の形成を印加電力３５０Ｗ以下、放電圧力を約１０ｍＴ
ｏｒｒ以上の条件下で行なうことが望ましく、記録膜の
形成を印加電力４５０Ｗ以上、放電圧力を約１０ｍＴｏ
ｒｒ以下の条件下で行なうことが望ましい。

放電時間の長短は、膜厚の増減に関係する。下地層の膜
厚は、特に制限がない、５０〜２００ｎｍ程度が適当で
ある。記録膜の膜厚は５０〜２００ｎｍ　、特に望まし
いのは５０〜１５０ｎｍの範囲である。また、下地層を
形成する際には、堆積速度を向上させる目的から、ガス
の平均滞在時間を延長することが有利である。

このようにして製作した下地層は、薄膜中の弗素と炭素
との原子比Ｆ／Ｃの値が０以上、０．５以下の範囲に制
御されており、また、その蒸発温度が２００℃以下とい
う特徴をもっている。

〈実施例−１〉 外径１２７ｍｇのインジウムターゲットを備えたＲＦマ
グネトロンスパタ装置（徳田製作所製、ＣＦＳ−８Ｅ−
ＲＦ型）を用いて光情報記録媒体の製作を行なった。基
板には、厚さ１．２ｍｓ、外径１３０■のポリカーボネ
イト製のものを用いた。

下地層の形成は、Ｃ２Ｈ４・ＣＦ４・０□の混合ガスを
原料ガスとするプラズマ重合法で行なった。原料ガスの
混合比は、ガス流量をＱとして、Ｑｃｚ）＋４＋ＱＣＦ
４　＋　ＱＯ２＝　２０　ＳＣＣＭ　ｐ　ＱＣＦ４　／
　Ｑｃ２ｕ＊　＝　Ｌ、Ｏ一定とし、Ｑｏｚ／　（Ｑｃ
ａｕ４＋　ＱＣＦ４＋　Ｑｏｚ）＝　Ｒとして。

Ｒ＝０・０．１・０．２・０．３・０．４・０．５と６
種変化させた。放電圧力は１５ｍτｏｒｒ、印加電力は
３００Ｗ。

放電時間は５分間とした。

記録膜の形成は、Ｃ，Ｉ＋４・Ｃ２Ｆ、・０２の混合ガ
スとした。混合比は、　Ｑｃ＊Ｈ＋＝１４３ＣＣＭ、　
ＱＣ，２Ｆ＋＝　６ＳＣＣＭ、００２２６５００Ｍとし
た。スパタリング条件は８ｍＴｏｒｒの放電圧力・８０
０Ｗの印加電力・２分間の放電時間とした。

記録媒体の製作に先立ち、下地層の形成条件のチエツク
を行なった。即ち、下地層形成後、記録膜を堆積させる
ことなく、スパタリング装置より取り出し、下地層の形
成状況とターゲット表面状態との観察を行なった。Ｒ＝
Ｏで下地層を形成した場合、放電後のターゲット表面に
重合膜が付着していた。また、下地層表面の光沢も失わ
れていた。即ち、酸素が原料ガス中に含まれていないと
き、下地層が形成回置であった。Ｒ＝０以外の残りの５
種の下地層は、はぼ透明であり２表面の光沢もあり、良
好な外観であった。また、放電後のターゲット表面に重
合物の付着も認められなかった。

Ｒ＝Ｏを除く５種のガス組成で下地層を形成し。

連続して記録膜を形成した。

このようにして製作した５種の光ディスクについて記録
再生特性を測定した。測定は、回転数１１１０Ｏｒｐｍ
、半径５５ＩＩＩ１１の位置において行なった。レーザ
ビームの波長は８３０ｎｍ、対物レンズのＮＡは０．６
である。記録は、レーザ出力を１０ｍＷ、パルス幅を１
５０ｎｓａｃで行なった。再生は、レーザ出力０．５ｍ
　Ｗの連続ビームで行なった。

再生信号コントラスト比の値は、Ｒ＝０．５で下地層を
形成した光ディスクが０．５であった他、残りの４種の
光ディスクにおいては０．７０〜０．８０という著しく
大きい値であった。再生信号コントラスト比は、先に示
したＳＮ比を与える式で定義したものを使用した。

下地層の基板ないし記録膜に対する付着力を、粘着テー
プの引きはがし法で評価したところ、Ｒ＝０を除く５種
の光ディスクのいずれも全く剥離が認められなかった。

また、これらＲ＝Ｏを除く５種の光ディスクに関し以下
の方法で寿命特性を評価した。即ち、６０℃、９０％Ｒ
Ｈの条件下における５００時間放置前後の分光反射率（
波長８３０ｎｍ）の変化による評価である。

放置前の分光反射率をＲ６、放置後をＲ□として、Ｒ０
／ｎｏの値は５種の光ディスクのいずれも０．９５以上
という良好な寿命特性を示した。

〈比較例−１〉 下地層のバブルトリガー効果を確認するため、下地層を
介在させることなく、記録膜単層の光情報記録媒体を前
記実施例−１と同様にして製作した。

そして、前記実施例−１と同一の条件で測定した再生信
号コントラスト比は０．５であった。従って、下地層の
バブルトリガー効果は、前記実施例−１の下地層のうち
Ｒ＝　０．１−０．２−０．３　・０．４テ形成した４
種に関し、再生信号コントラスト比で１．４〜１．６倍
になることが判明した。

〈実施例−２〉 下地層形成時の原料ガス組成のみを変化させ。

それ以外は全て実施例−１と同様にして光ディスクの製
作を行なった０Ｍ料ガスの混合比は。

ＱＣＦ４／ＱＣ２）＋４＝０．５１　　　Ｑｃｚｏ４＋
Ｑｃｐ嗜　＋Ｑｏｚ＝２０ＳＣＣＭ一定とし、Ｑｏｇ　
／　（ＱＣ２Ｈ＋　＋　ＱＣＦ４　＋ＱＯ２）＝Ｒとし
て、Ｒ＝０．１−０．２・０．３−０．４・０．５と５
種変化させた。

そして前記実施例−１と同様にして求めた再生信号コン
トラスト比の値は、Ｒ＝０．５で形成した光ディスクが
０．５５であった他、それ以外の４種の光ディスクにお
いては、いずれも０．７５から０．８０という著しく大
きい値であった６ 〈実施例−３〉 下地層形成時の原料ガス組成のみを変化させ、それ以外
は全く前記実施例−１と同様にして光ディスクの製作を
行なった。原料ガスの混合比は、ＱＣＦ４／　ＱＣＺＨ
４＝　Ｏ、Ｑｃ２ｕ４＋　ＱＱ２＝２０　ＳＣＣＭ一定
とし、　Ｑｏａ／（ＱｃａＨ４＋Ｑｏｚ）＝Ｒとし、Ｒ
＝Ｏ，ｌ−０，２・０．３・０．４・０．５と５種変化
させた。

そして前記実施例−１と同様にして求めた再生信号コン
トラスト比の値は、Ｒ＝０．５で形成した光ディスクが
０．５５であった他、それ以外の４種の光ディスクにお
いては、０．８０から０．８５という著しく大きい値で
あった。

〈実施例−４〉 下地層の形成を、ＣＨ，・Ｃ，Ｆ、・０□からなる混合
ガスを原料ガスとするプラズマ重合法、記録膜の形成を
、　ＣＨ４・Ｃ−Ｃ４Ｆ、・０□からなる混合ガスによ
るスパタリング法で行なった。

下地層形成時の原料ガス組成は、Ｑ　ｏ−／　（Ｑ　Ｃ
Ｈ−＋　Ｑ　ｃ３Ｆｉ　＋　Ｑ　２　）値を０．４一定
とし、　Ｑ　Ｃ３Ｆｇ　／　Ｑ　ｃＨ４＝Ｓとして、ｓ
　＝　ｏ　−０，２−ｏ、４−０．６−０．８−　ｔ、
ｏ　−１，２と７種変化させた。下地層の形成条件は、
印加電力３００Ｗ、放電圧力２０　ｍ　Ｔｏｒｒ　を放
電時間５分間とした。

記録膜の形成時のスパタリングガス組成は、ＱＣ１１４
＝　１４　ＳＣＣＭＩ　ＱＣ４Ｆｌｌ　＝　６３ＣＣＭ
＋　ＱＯ２＝　６３ＣＣＭとした。記録膜の形成条件は
、印加電力８００Ｗ　。

放電圧力８ｍＴｏｒｒ、放電時間２分間とした。

基板は厚さ１．２ｍ、外径１３０ｎｎｆ７）ＰＣ基板を
用イ、下地層の形成に引続き、連続して記録膜の形成を
行なった。

このようにして製作した７種の光ディスクについて前記
実施例−１と同様にして記録再生特性の測定を行なった
。

再生信号コントラスト比の値は、Ｓ＝１．２で形成した
光ディスクが０．５５であった。残りの６種の光ディス
クに関しては、Ｓ値の減少に伴って再生信号コントラス
ト比が増加した。即ち、Ｓ＝ｔ、Ｏのとき、　０．６０
であったが、Ｓ＝Ｏのとき０．７５に迄増加した。

次に、下地層中の弗素と炭素との原子比Ｆ／Ｃの値を測
定した。試料はシリコン基板上に先にあげた条件と全く
同一の条件で形成した。Ｆ／Ｃ値の測定法は、Ｘ線光電
子分光法（ＸＰＳ）である。

Ｓ＝１．２のとき、Ｆ／Ｃの値は０．７であった。Ｓ値
の減少に伴いＦ／Ｃの値は単調に減少した。即ち、Ｓ＝
１．０のときＦ／Ｃ＝０．５．　Ｓ＝０．５のときＦ／
Ｃ＝０．２．Ｓ＝ＯのときＦ／Ｃ＝Ｏであった。

さらに、この下地層と同一の条件で形成した薄膜につい
て、蒸発温度の測定を行なった。測定は熱重量解析（Ｔ
ＧＡ）で行なった。Ｓ＝１．２で形成した薄膜の蒸発温
度は２２０℃であった。また。

Ｓ値の減少に伴い蒸発温度は単調に低下した。即ち、Ｓ
＝１．０のとき蒸発温度は２００℃、Ｓ＝０．５のとき
１８０″ｃｆＳ＝Ｏのとき１６０℃であった。

〈実施例−５〉 下地層形成時の原料ガス組成のみ異なる他は。

前記実施例−４と同様にして７種光デイスクの製作を行
なった。

原料ガス組成は、　　ＱＣ１＋４　＋　Ｑｃ３ｒｓ　＋
　Ｑ□ｚ　＝　２０ＳＣＣＭ　＋　ＱＯ２／　（ＱＣＨ
４＋　Ｑ（ＩＦＩ、＋　ＱＯ２）　＝　０．１一定とし
、　Ｑ　Ｃ３Ｆｌｌ／　Ｑ　ｃｌＩ４＝　Ｓとし、Ｓ　
＝　Ｏ−０，２−０，４−０，６・０．８・１．０・１
．２と変化させた７種である。

前記実施例−１と同様にして求めた再生信号コントラス
ト比の値は、Ｓ＝１．２で形成した光ディスクが０．５
５であった。残りの６種の光ディスクに関しては、Ｓ値
の減少に伴って再生信壮コントラスト比が増加した。即
ち、Ｓ＝１．０のとき０．６５であったが、Ｓ＝０のと
き０．８０に迄増加した。

また、前記実施例−４と同様にして求めた弗素と炭素と
の原子比Ｆ／Ｃの値は、Ｓ＝１．２のとき０．６であっ
た。Ｓ値の減少に伴い、Ｆ／Ｃの値は単調に減少した。

即ち、ｓ＝ｉ、ｏのときＦ／Ｃ＝０．５゜Ｓ＝Ｏ，Ｓの
ときＦ／Ｃ＝０．３．　Ｓ　＝　ＯのときＦ／Ｃ＝０で
あった。

さらに、前記実施例−４と同様にして求めた蒸発温度は
、ｓ＝ｉ、ｚのとき２３０℃であった他、Ｓ−１，０以
下の６種においては、いずれも２００℃以下であった。

〈実施例−６〉 前記実施例−１に用いたと同一のスパタリング装置を用
いて光カードの製作を行なった。基板は８６　Ｘ　５４
　Ｘ　０．４ｍのボリアレート樹脂製である。

下地層の形成は、ＣＩ＋、・０３Ｆ、１−０２　から構
成した。

ガス組成はＱ（：１１．＝１４　ＳＣＣＭ＋　Ｑｃ、ｉ
Ｆｓ　＝　３ＳＣＣＭ＋Ｑ　ｏｘ　＝　６５ＣＣＭとし
た。印加電力は３００Ｗ　、放電圧力は１５　ｍ、　Ｔ
ｏｒｒ　、放電時間は５分間である。

引続き、記録膜の形成を行なった。スパタリングに用い
た混合ガスは、下地層の形成と同一のものを用いた。ガ
ス組成は、　ＱｃＨ４：＝Ｉ４　ＳＣＣＭ。

Ｑｏ２Ｆ、＝３ＳＣＣＭ、Ｑｏ２＝６８ＣＣＭとした。

印加電力はｇｏｏｗ　、放電圧力は８ｍＴｏｒｒ＋放電
時間は５分間である。

次に、８６　Ｘ　５４　Ｘ　０．４ｍ　のポリカーボネ
イト製保護基板をＵＶ硬化樹脂で接着した。

このようにして製作した光カードの記録再生特性を次の
ように調べた。即ち、緩速を５０ｍ　／　ｓｅｃとして
、記録用レーザビームは５ｍＷＸ５０μｓｅｃとした。

　レーザビームの波長は７８０ｎｍ　＋対物レンズのＮ
Ａは０．１７である。再生は０．５ｍＷの連続ビームで
行なった。

求められた再生信号コントラスト比は０．８５という著
しく良好な値であった。

〔発明の効果〕

本発明の光情報記録媒体は、基板上に堆積させる記録膜
を、第１層としてハイドロカーボン・フロロカーボン・
酸素を原料ガスとするプラズマ重量１漠、第２層として
インジウノ、ターゲットのハイドロカーボン・フロロカ
ーボン・ＷｊＩｉの混合ガスによるスパタリングで形成
する薄膜という２層構成とするため、以下の効果がある
。

■　第１層がバブルトリガー層として、第２層に作用す
るため、再生信号コントラスト比は約０．８という通常
のホール形成タイプの記録媒体の２倍にも相当する著し
く高い値をとる。

■　その結果、データ転送速度を増加させた場合にも誤
りのより少ない信号処理ができる。

■　第１層・第２層の形成とも同一のスパタリング装置
で簡便に行なうことができるため、製作工程が著しく単
純である。その結果、生産性が高く、低コスト化ができ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明光情報記録媒体の断面を示す模式図、第
２図は本発明光情報記録媒体を製作するのに必要な混合
ガス組成を示す図、第３図は本発明光情報記録媒体を製
作するのに必要な放電条件を説明するための図である。 １０・・・光情報記録媒体 １１・・・基板 １２・・・バブルトリガー層 １３・・・記録膜 １２：　バブルトリｎ−層 １ｌｌＩｌ　　　因 １３：富己紘膿 代理人　弁理士　大　胡　典　夫 ハイｌ’ｏｆ＞−＋↑：　ン（ｖｏｔ　Ｘ　）第 国 手 続 補 正 書（自発） 木型、尼刀 第 図 二、事件の表示 昭和６３年 特 許 願 第１６７６７１号 １、発明の名称 光情報記録媒体とその製造方法 ３、補正をする者 事件との関係　特許出願人 （３０７）株式会社　東芝 ４、代 理 人 〒１４４ 東京都大田区蒲田４丁目４１番１１号 第−津野田ビル 大綱特許事務所内 電話７３６−３５５８ ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 （１）明細書の第１３頁第１５行を次に訂正する。「し
た。混合比は、ＱＣ２Ｈ４＝　１．６８ＳＣＣＭ、　Ｑ
Ｃ２Ｆ４　＝２．６５ＣＣＭＪ （２）明細書の第１７頁第２０行（末行）を次に補正す
る。 ’＋　ＱＣａＦｓ　＋　ｑａ）＝ｏ、４一定トシ、ＱＣ
４Ｆ８／ＱＣＨ鴫」 （３）明細書の第１８頁第６行の’　Ｑ　Ｃ４Ｆ−＝　
６　ＳＣＣＭ　Ｊを’　Ｑ　Ｃ４Ｆｓ　＝　０　、７Ｓ
ＣＣＭ　Ｊに補正する。 （４）明細書の第２１頁第３行のｒボリアレートＪを「
ボリアリレート」に補正する。 （５）明細書の第２１頁第５行の’　Ｑ　ＣＩ　Ｆｓ　
＝　３　ＳＣＣＭ　Ｊをｒ　Ｑ　Ｃ３Ｆｓ　＝　０．４
ＳＣＣＭ　Ｊに補正する。 （６）明細書の第２１頁第１１行のｒ　ＱＣＪｓ　＝　
３　ＳＣＣＭＪを’　Ｑ　Ｃ２Ｆｓ　＝　０　、３ＳＣ
ＣＭ　Ｊに補正する。 以上

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）レーザビームの照射により情報の記録再生を行な
   う記録膜を基板上に形成してなる光情報記録媒体におい
   て、該記録膜は基板上に炭素・水素・酸素、あるいは、
   さらに弗素を少なくとも含むとともに弗素と炭素との原
   子比Ｆ／Ｃの値が０≦Ｆ／Ｃ≦０．５の範囲内にある薄
   膜である第１層と、これに積層し形成され酸化インジウ
   ムからなるマトリクス中に金属インジウム微粒子と弗素
   を含む有機物とを分散させてなる薄膜である第２層を含
   むことを特徴とする光情報記録媒体。
2. （２）レーザビームの照射により情報の記録再生を行な
   う光情報記録媒体の製造方法において、基板上にハイド
   ロカーボン・酸素、あるいは、さらにフロロカーボンか
   らなる混合ガスを原料とするプラズマ重合法で第１層を
   形成し、前記第１層に積層してインジウムターゲットの
   ハイドロカーボン・フロロカーボン・酸素からなる混合
   ガスによるパタリング法で第２層を形成することを特徴
   とする光情報記録媒体の製造方法。